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OBJETIVOS:
EQUIPOS Y MATERIALES:
Fuente de poder DC
Osciloscopio
Multímetro
Miliamperímetro
Micro amperímetro
Voltímetro DC
Condensadores
Protoboard
Resistores: 1kΩ, 10Ω, 100 Ω ,300Ω
Potenciómetro: 500k Ω
Cables y conectores
INTRODUCCION:
Con la diferencia respecto al del tiristor en que este paso se produce cuando una tensión de
control rebasa un valor determinado.
DESCRIPCION BASICA:
Se designa transistor UJT a un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos
extremos se obtienen los terminales base 2 (B2 ) Y base 1 (B1). Esta barra de silicio consta de un
grado de dopado característico que le proporciona una resistencia llamada resistencia inter bases
(RBB).
Existe un parámetro “n” el cual depende del proceso de fabricación, del grado de dopado, de la
geometría del elemento, etc.
𝑅𝐵1 𝑅𝐵1
𝑛= =
𝑅𝐵𝐵 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
Gráficamente tenemos
FUNCIONAMIENTO:
Transcurrido un tiempo determinado “t”, la tensión 𝑉𝑐 será igual al valor de pico del UJT , dando
lugar a una corriente de emisor y provocando la descarga de C a través de 𝑅3 y en la salida Vo2
aparece un pulso de tensión .