CI 555

El temporizador IC 555 es un circuito integrado (chip) que se

utiliza en la generación de temporizadores, pulsos y oscilaciones.
El 555 puede ser utilizado para proporcionar retardos de tiempo,
como un oscilador, y como un circuito integrado flip flop. Sus
derivados proporcionan hasta cuatro circuitos de sincronización en
un solo paquete.

REGULADOR DE VOLTAJE LM317

Descripción El dispositivo LM317 es un terminal de tres terminales
ajustable regulador de voltaje positivo capaz de suministrar más
de 1,5 A en un rango de voltaje de salida de 1,25 V a 37 V.
Requiere solo dos resistencias externas para configurar el tensión
de salida. Incluye limitación de corriente, sobrecarga térmica
protección y protección segura del área de operación. La
protección contra sobrecarga sigue siendo funcional incluso si el
El terminal ADJUST está desconectado.

CARACTERÍSTICAS
1 • Rango de voltaje de salida ajustable De 1.25 V a 37 V
• Corriente de salida mayor que 1.5 A
• Límite de corriente de cortocircuito interno
• Protección de sobrecarga térmica
• Compensación del área segura de salida
transistor 2N2222A

característico
Resistencia térmica, unión a ambiente RJA 325 °
C / W
Resistencia térmica, unión al estuche RJC 150 °
C / W
 CLASE 8
 Aplicaciones de los transistores en Base Común, Emisor Común
y Colector Común
APLICACIONES DE TRANSISTORES
A los transistores se lo puede montar en emisor común (EC), base
común (BC) o colector común (CC). Cada una de estas configuraciones
posee ventajas y desventajas una respecto de las otras, siendo la de
emisor común la mas recurrida a la vez que es la de mejor respuesta
en la mayor parte de las aplicaciones.

Cada configuración obtiene diferentes coeficientes de ganancia en

tensión (GV), así como diferentes impedancias tanto de entrada como
de salida. Es la aplicación práctica mas importante para la que se
usan los transistores. El diagrama muestra una etapa amplificadora
en emisor común:

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR El comportamiento del transistor se

puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y
emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es
decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN La señal se aplica al emisor del transistor

y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de
la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia sólo de tensión.

base común : CONFIGURACIÓN EMISOR COMUN La señal se aplica al emisor

del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia sólo de tensión.

emisor común: CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN La señal se aplica a la

base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. A esta
configuración se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo
de circuitos no vamos a conseguir una amplificación de tensión, pero
son muy buenos amplificadores de la corriente y de ahí viene su
utilidad.
 CLASE 17/03
 Investigar para el próximo sábado:

TIPOS DE DIODOS.
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL

Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de

contacto puntual, están hechos de germanio y se caracterizan por
poseer una unión PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas
frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea, por ejemplo, en
receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia
(portadora) de la componente de baja frecuencia (información
audible). Esta operación se denomina detección.

DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores
que solo conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en
polarización inversa no conducen. Estas características son las que
permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el
voltaje en inverso que pueden soportar. Los diodos, en general se
identifican mediante una referencia. En el sistema americano, la
referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por
ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor,
el “1” indica el número de uniones PN y el “4004” las características
o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o
continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254.
En este caso, la “B” indica el material (silicio) y
la “Y” el tipo (rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean
sus propias referencias, por ejemplo: ECG581.

DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad
de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como
elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta
50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo
normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de
sintonía. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado
inversamente y actúan como condensadores variables controlados por
voltaje. Esta característica los hace muy útiles como elementos de
sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy
empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores,
generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en
aplicaciones de UHF y microondas.
DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje.
Cuando esto sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones
cerca de la unión NP; si este se ha polarizado directamente la luz
que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo
de su omposición.

Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz

emitida, la caída de voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso
(VR), la máxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa.
Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con
valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades
desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre
mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa
DIODO LÁSER
Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o
ILD’s. Son LED’s que emiten una luz monocromática, generalmente
roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada,coherente y
potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y
video para leer discos compactos (CD’s) que contienen datos,
música, películas, etc., así como en sistemas de comunicaciones
para enviar información a través de cables de fibra óptica.
También se emplean en marcadores luminosos, lectores de códigos de
barras y otras muchas aplicaciones.

DIODO ESTABILIZADOR
Está formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos
produce una caída de tensión correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo
valores similares a lo que hacen los diodos Zéner.

DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se
caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente
delgada y tener en su curva una región de resistencia
negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el
voltaje. Esta última propiedad los
hace muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores,
multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta
frecuencia.
DIODO PIN
Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y
N(material N) Los diodos PIN se emplean principalmente como
resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como
osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA,
etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy
elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes
está limitada por su tiempo de tránsito, es decir el tiempo que
tardan los portadores de carga en atravesar la unión PN. Los más
conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.
DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una
zona de resistencia negativa similar a las de los diodos túnel.

DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida
o de portadores calientes, están hechos de silicio y se
caracterizan por poseer una caída de voltaje directa muy pequeña,
del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en
fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta
frecuencia.

Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen
un voltaje de conducción prácticamente igual a cero, pero también
un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo limita su uso a
aplicaciones muy especiales.
FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente
cuya corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango
regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide
sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la
corriente inversa producida por que se genera un mayor número de
portadores minoritarios, y viceversa.
Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de
iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad,
receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.

CLASE 2
1. En los siguientes temas debe investigar el funcionamiento y
material del que esta fabricado cada elemento.

 Tipos de Resistencias

Resistencias de hilo bobinado.- Fueron de los primeros tipos en

fabricarse, y aún se utilizan cuando se requieren potencias algo
elevadas de disipación. Están constituidas por un hilo conductor
bobinado en forma de hélice o espiral (a modo de rosca de tornillo)
sobre un sustrato cerámico.
Las aleaciones empleadas son las que se dan en la tabla, y se
procura la mayor independencia posible de la temperatura, es
decir, que se mantenga el valor en ohmios independientemente de
la temperatura.

resistividad
Coef. Temperatura
metal relativa
a (20° C)
(Cu = 1)
Aluminio 1.63 + 0.004
Cobre 1.00 + 0.0039
Constantan 28.45 ± 0.0000022
Karma 77.10 ± 0.0000002
Manganina 26.20 ± 0.0000002
Cromo-
65.00 ± 0.0004
Níquel
Plata 0.94 + 0.0038

Resistencias de carbón prensado.- Estas fueron también de las

primeras en fabricarse en los albores de la electrónica. Están
constituidas en su mayor parte por grafito en polvo, el cual se
prensa hasta formar un tubo como el de la figura.
 Resistencias de película de carbón.- Este tipo es muy habitual
hoy día, y es utilizado para valores de hasta 2 watios. Se utiliza
un tubo cerámico como sustrato sobre el que se deposita una
película de carbón tal como se aprecia en la figura.

Para obtener una resistencia más elevada se practica una hendidura

hasta el sustrato en forma de espiral, tal como muestra (b) con lo
que se logra aumentar la longitud del camino eléctrico, lo que
equivale a aumentar la longitud del elemento resistivo.

Las conexiones externas se hacen mediante crimpado de cazoletas

metálicas a las que se une hilos de cobre bañados en estaño para
facilitar la soldadura. Al conjunto completo se le baña de laca
ignífuga y aislante o incluso vitrificada para mejorar el aislamiento
eléctrico. Se consiguen así resistencias con una tolerancia del 5%
o mejores, además tienen un ruido térmico inferior a las de carbón
prensado, ofreciendo también mayor estabilidad térmica y temporal
que éstas.

Resistencias de película de óxido metálico.- Son muy similares a

las de película de carbón en cuanto a su modo de fabricación, pero
son más parecidas, eléctricamente hablando a las de película
metálica. Se hacen igual que las de película de carbón, pero
sustituyendo el carbón por una fina capa de óxido metálico (estaño
o latón). Estas resistencias son más caras que las de película
metálica, y no son muy habituales. Se utilizan en aplicaciones
militares (muy exigentes) o donde se requiera gran fiabilidad,
porque la capa de óxido es muy resistente a daños mecánicos y a
la corrosión en ambientes húmedos.

Resistencias de película metálica.- Este tipo de resistencia es

el que mayoritariamente se fabrica hoy día, con unas
características de ruido y estabilidad mejoradas con respecto a
todas las anteriores. Tienen un coeficiente de temperatura muy
pequeño, del orden de 50 ppm/°C (partes por millón y grado
Centígrado). También soportan mejor el paso del tiempo,
permaneciendo su valor en ohmios durante un mayor período de
tiempo. Se fabrican este tipo de resistencias de hasta 2 watios
de potencia, y con tolerancias del 1% como tipo estándar.

Resistencias de metal vidriado.- Son similares a las de película

metálica, pero sustituyendo la película metálica por otra
compuesta por vidrio con polvo metálico. Como principal
característica cabe destacar su mejor comportamiento ante
sobrecargas de corriente, que puede soportar mejor por su inercia
térmica que le confiere el vidrio que contiene su composición.
Como contrapartida, tiene un coeficiente térmico peor, del orden
de 150 a 250 ppm/°C. Se dispone de potencias de hasta 3 watios.
Se dispone de estas resistencias encapsuladas en chips tipo DIL
(dual in line) o SIL (single in line).
Resistencias dependientes de la temperatura.- Aunque todas las
resistencias, en mayor o menor grado, dependen de la temperatura,
existen unos dispositivos específicos que se fabrican expresamente
para ello, de modo que su valor en ohmios dependa "fuertemente"
de la temperatura. Se les denomina termistores y como cabía
esperar, poseen unos coeficientes de temperatura muy elevados, ya
sean positivos o negativos. Coeficientes negativos implican que
la resistencia del elemento disminuye según sube la temperatura,
y coeficientes positivos al contrario, aumentan su resistencia
con el aumento de la temperatura. El silicio, un material
semiconductor, posee un coeficiente de temperatura negativo. A
mayor temperatura, menor resistencia. Esto ocasiona problemas,
como el conocido efecto de "avalancha térmica" que sufren algunos
dispositivos semiconductores cuando se eleva su temperatura lo
suficiente, y que puede destruir el componente al aumentar su
corriente hasta sobrepasar la corriente máxima que puede
soportar.

A los dispositivos con coeficiente de temperatura negativo se les

denomina NTC (negative temperature coefficient).
A los dispositivos con coeficiente de temperatura positivo se les
denomina PTC (positive temperature coefficient).
Una aplicación típica de un NTC es la protección de los filamentos
de válvula, que son muy sensibles al "golpe" de encendido o turn-
on. Conectando un NTC en serie protege del golpe de encendido,
puesto que cuando el NTC está a temperatura ambiente (frío, mayor
resistencia) limita la corriente máxima y va aumentando la misma
según aumenta la temperatura del NTC, que a su vez disminuye su resistencia hasta
la resistencia de régimen a la que haya sido diseñado. Hay que elegir correctamente la corriente
del dispositivo y la resistencia de régimen, así como la tensión que caerá en sus bornas para que el
diseño funcione correctamente.
 NTC PTC

TIPOS DE CAPACITORES
TIPOS DE CAPACITORES:

CAPACITORES FIJOS

Estos capacitores tienen una capacidad fija determinada por el

fabricante y su valor no se puede modificar. Sus características
dependen principalmente del tipo de dieléctrico utilizado, de tal
forma que los nombres de los diversos tipos se corresponden con
los nombres del dieléctrico usado.

De esta forma podemos distinguir los siguientes tipos:

 Cerámicos.
 Plástico.
 Mica.
 Electrolíticos.
 De doble capa eléctrica.

Capacitores cerámicos

El dieléctrico utilizado por estos capacitores es la cerámica,

siendo el material más utilizado el dióxido de titanio. Este
material confiere al capacitor grandes inestabilidades por lo que
en base al material se pueden diferenciar dos grupos:

Grupo I: caracterizados por una alta estabilidad, con un

coeficiente de temperatura bien definido y casi constante.

Grupo II: su coeficiente de temperatura no está prácticamente

definido y además de presentar características no lineales, su
capacidad varía considerablemente con la temperatura, la tensión y
el tiempo de funcionamiento.
Las altas constantes dieléctricas características de las cerámicas
permiten amplias posibilidades de diseño mecánico y eléctrico.

Las especificaciones de estos Capacitores son aproximadamente las

siguientes:
· Capacitancias en la gama de 0,5 pF hasta 470 nF
· Tensión de trabajo desde 3 V. a 15.000 Volts o más.
· Tolerancia entre 1% y 5%
· Relativamente chicos en relación a la Capacitancia.
· Amplia banda de tensiones de trabajo.
· Son adecuados para trabajar en circuitos de alta
frecuencia.
· Banda de tolerancia buena para aplicaciones que exigen
precisión.

Capacitores cerámicos

Capacitores de plástico

Estos capacitores se caracterizan por las altas resistencias de

aislamiento y elevadas temperaturas de funcionamiento.
Según el proceso de fabricación podemos diferenciar entre los de
tipo k y tipo MK, que se distinguen por el material de sus armaduras
(metal en el primer caso y metal vaporizado en el segundo).

Según el dieléctrico usado se pueden distinguir estos tipos

comerciales:

KS: styroflex, constituidos por láminas de metal y poliestireno como

dieléctrico.
KP: formados por láminas de metal y dieléctrico de polipropileno.
MKP: dieléctrico de polipropileno y armaduras de metal vaporizado.
MKY: dieléctrico de polipropileno de gran calidad y láminas de metal
vaporizado.
MKT: láminas de metal vaporizado y dieléctrico de teraftalato de
polietileno (poliéster).
MKC: makrofol, metal vaporizado para las armaduras y policarbonato
para el dieléctrico.
A nivel orientativo estas pueden ser las características típicas
de los capacitores de plástico:

TIPO CAPACIDAD TOLERANCIA TENSION TEMPERATURA

KS 2pF-330nF +/-0,5% +/-5% 25V-630V -55ºC-70ºC
KP 2pF-100nF +/-1% +/-5% 63V-630V -55ºC-85ºC
MKP 1,5nF-4700nF +/-5% +/-20% 0,25KV-40KV -40ºC-85ºC
MKY 100nF-1000nF +/-1% +/-5% 0,25KV-40KV -55ºC-85ºC
MKT 680pF-0,01mF +/-5% +/-20% 25V-630V -55ºC-100ºC
MKC 1nF-1000nF +/-5% +/-20% 25V-630V -55ºC-100ºC

Capacitores de mica

El dieléctrico utilizado en este tipo de capacitores es la mica o

silicato de aluminio y potasio y se caracterizan por bajas
pérdidas, ancho rango de frecuencias y alta estabilidad con la
temperatura y el tiempo.

Los condensadores de Mica se utilizan en equipos de RF de baja y

media potencia.

Capacitores electrolíticos

En estos capacitores una de las armaduras es de metal mientras que

la otra está constituida por un conductor iónico o electrolito.
Presentan unos altos valores capacitivos en relación al tamaño y en
la mayoría de los casos son polarizados.

Podemos distinguir dos tipos:

 Electrolíticos de aluminio: la armadura metálica es de aluminio

y el electrolito de tetraborato armónico.
 Electrolíticos de tántalo: el dieléctrico está constituido por
óxido de tántalo y nos encontramos con mayores valores
capacitivos que los anteriores para un mismo tamaño. Por otra
parte las tensiones nominales que soportan son menores que los
de aluminio y su costo es algo más elevado.

Las principales características de los capacitores electrolíticos

son:

 Capacitancia en la gama de 1uF a 220.000 uF.

 Tensiones de trabajo entre 2 y 1.000 V.
 Tolerancia entre –20% y +50%, generalmente.
 La corriente de fuga es relativamente alta o sea que la
aislamiento no es excelente.
 Son polarizados, se debe respetar la polaridad.
 La capacidad aumenta a medida que el capacitor envejece.
 Tienen una duración limitada.
 La Capacitancia varía ligeramente con la tensión.
 Los capacitores electrolíticos no se usan en circuitos
de alta frecuencia, se usan en circuitos de baja
frecuencia, uso general y corriente continua.

Capacitor electrolítico: Tiene polaridad, normalmente se

marca el negativo con el signo - . El terminal negativo es
el de menor longitud.

Hay que asegurarse de no conectar el capacitor entre dos

puntos del circuito cuya tensión supere la máxima que soporta
el capacitor.
Capacitores de doble capa eléctrica

Estos capacitores también se conocen como supercapacitores o CAEV

debido a la gran capacidad que tienen por unidad de volumen. Se
diferencian de los capacitores convencionales en que no usan
dieléctrico por lo que son muy delgados. Las características
eléctricas más significativas desde el punto de su aplicación como
fuente acumulada de energía son: altos valores capacitivos para
reducidos tamaños, corriente de fugas muy baja, alta resistencia
serie, y pequeños valores de tensión.

CAPACITORES VARIABLES Y AJUSTABLES

Estos capacitores presentan una capacidad que podemos variar entre

ciertos límites. Igual que pasa con las resistencias podemos
distinguir entre capacitores variables, su aplicación conlleva la
variación con cierta frecuencia (por ejemplo sintonizadores); y
capacitores ajustables o trimmers, que normalmente son ajustados una
sola vez (aplicaciones de reparación y puesta a punto).
La variación de la capacidad se lleva a cabo mediante el
desplazamiento mecánico entre las placas enfrentadas. La relación
con que varían su capacidad respecto al ángulo de rotación viene
determinada por la forma constructiva de las placas enfrentadas,
obedeciendo a distintas leyes de variación, entre las que destacan
la lineal, logarítmica y cuadrática corregida.
  Tipos de inductores
Un inductor o bobina es un componente pasivo de un circuito
eléctrico que, debido al fenómeno de la autoinducción, almacena
energía en forma de campo eléctrico.

TRANSFORMADOR
Se crea cuando dos bobinas se enlazan mediante un campo magnético
común, la medida de la interacción de flujo magnético entre las
dos bobinas se denomina inductancia mutua.
TIPOS DE INDUCTORES

Un inductor está constituido usualmente por una cabeza hueca de

una bobina de material conductor, típicamente alambre o hilo de
cobre esmaltado.

NUCLEO DE MATERIAL FERROSO

Los materiales ferromagnéticos, compuestos de hierro y sus

aleaciones con cobalto, tungsteno, níquel, aluminio y otros metales,
son los materiales magnéticos más comunes y se utilizan para el
diseño y constitución de núcleos de los transformadores y maquinas
eléctricas. En un transformador se usan para maximizar el
acoplamiento entre los devanados, así como para disminuir la
corriente de excitación necesaria para la operación del
transformador. En las maquinas eléctricas se usan los materiales
ferromagnéticos para dar forma a los campos, de modo que se logren
hacer máximas las características de producción de par.

NUCLEO DE AIRE
El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y posteriormente se
retira este quedando con un aspecto parecido al de un muelle. Este
tipo de bobinas tienen baja incubación y se utilizan para señales de
alta frecuencia como por ejemplo circuitos de radio, tv,
transmisores.

BOBINAS TOROIDALES:
Las bobinas toroidales tienen una forma geométrica especial para su
nucleo fabricado de ferrita y debido a esa forma presentan una gran
eficiencia.
Actualmente se utilizan con mucha frecuencia en circuitos de filtro
y en todo tipo de transformadores.
Elabore un glosario con 50 términos relacionados con Electricidad
y Electrónica.
1. AISLADOR. Material dotado de muy alta resistencia eléctrica y
que por tanto es apto para separar conductores adyacentes en
un circuito eléctrico o para prevenir contactos futuros entre
conductores.
2. Amperímetro: Instrumento de medición utilizado para medir la
corriente que atraviesa un dispositivo. Este instrumento se
coloca en serie con el dispositivo.
3. Bipolar: Transistor que utiliza tanto portadores de carga
positiva como negativa, en la transmisión de la corriente
4. Bobinado: cada uno de los lados de un transformador, realizado
con muchas espiras arrolladas sobre un núcleo magnético. Estos
bobinados se llaman primario y secundario, respectivamente.
5. CA (Corriente Alterna): Corriente eléctrica que cambia su
amplitud en forma periódica con el tiempo.
6. Campo magnético:: Distribución de la energía magnética en el
espacio, creado por un imán o por el flujo de una corriente.
7. Circuito paralelo: Circuito que permite mas de un paso posible
para la corriente, cada paso o camino con diferentes elementos.
8.
9. Corte: Estado en que la tensión base – emisor en un transistor,
no es suficiente para polarizar el transistor en su union base-
emisor. Como consecuencia no hay corriente en el emisor del
transistor. Se dice que el transistor no conduce o está abierto.
10. Distorsión: Es la alteración de una forma de onda original
en algún punto del circuito.
11. Divisor de tensión: Arreglo en serie de resistencias, en
donde la tensión aplicada al conjunto es dividida entre las
resistencias de manera proporcional a los valores de estas.
12. Digital: Un sistema en que los caracteres o códigos son
utilizados para representar números o cantidades físicas en
forma discretos
13. Electricidad: Propiedad de los electrones y protones,
expresada numéricamente como carga en coulombios.
14. Electrónica: campo de la tecnología que trata sobre
aparatos electrónicos.
15. Estática (Electricidad): Carga eléctrica que no fluye
(como la corriente)
16. FARADIO. Farad. Unidad básica de capacidad; un
condensador tiene una capacidad de un faradio cuando una
variación de un voltio por segundo a través de dicho condensador
produce una corriente de un amperio.
17. Ferrita: Material magnético en forma de polvo comprimido
y moldeado con la forma deseada, utilizada como núcleo para
bobinas. Permite un alto Q a altas frecuencias.
18. FIJADOR. Clamper. Tubo o semiconductor que restringe una
onda a un valor de corriente continua predeterminado.
19. FUSIBLE. Fuse. Dispositivo protector que contiene un
pequeño trozo de alambre especial que funde cuando la
intensidad que circula por él durante un período determinada
de tiempo excede de un valor establecido.

20. GANANCIA. Gain. Grado de amplificación de una señal

proporcionado por un determinado circuito. Suele expresarse
en dB.

21. GANANCIA DE ANTENA. Antenna gain. Cociente entro la

intensidad de campo producida por la antena y la intensidad
de campo que producirla en el mismo punto un radiador
isotrópico que absorbiera del emisor la misma potencia de RF.

22. GANANCIA EN MODO COMÚN. Common-mode gain. Ganancia de

tensión de un amplificador diferencial con una entrada en
modo común.

23. GENERADOR. Generator. Término general que denota a

cualquier fuente de señal.

24. IMPEDANCIA. Impedance. Oposición total ofrecida por

uncomponente o circuito al paso de corriente alterna. La
impedancia se expresa enohmios.

25. INTEGRADOR. lntegrator. Dispositivo dotado de

unavariable de salida cuyo valor es proporcionl a la integral
de una variablerespecto a otra, o proporcional a la integral
de una variable de entrada conrespecto al tiempo transcurrido.

26. INTEGRADOR ANALÓGICO. Analog integrator. Circuito

odispositivo cuya salida es la integral de la tensión de señal
de entradarespecto al tiempo.
27. JULIO. Joule. Unidad de trabajo del sistema
internacional; es el trabajorealizado cuando el punto de
aplicación de un newton se desplaza un metro en ladirección de
fuerza.

28. LEY DE AMPERE. Ampere´s law. La corriente que fluye en

un conductor genera un flujo magnético que rodea a dicho cable
en la dirección de las agujas del reloj cuando la corriente
se aleja del observador.

29. LEY DE FARADAY. Faraday´s law. La tensión inducida en

un conductor que se mueve en un campo magnético, es
proporcional a la velocidad a la que el conductor corta las
líneas magnéticas de fuerza.

30. LEY DE OHM. Qhm´s law. La corriente en un circuito es

directamente proporcional a la tensión total E en el circuito,
e inversamente proporcional a la resistencia total R del
mismo.

31. LEYES DE KIRCHOFF. Kirchoffs laws. Leyes enunciadas por

Gustav Kirchoff que estudian el comportamiento de ciertas
redes eléctricas.

32. MAGNÉTICO. Magnetic. Relativo al magnetismo;

susceptible de ser magnetizado; material magnético.

33. MAGNETISMO RESIDUAL. Residual magnetism. Magnetismo

permanente en un material como hierro tras extraer la fuerza
magnetizante.

34. MULTIPOLAR. Multipolar. Término aplicado a la

presenciade más de dos polos magnéticos.

35. MULTIPROCESO. Multiprocessing. Proceso mediante el

cualse emplean varios calculadores para el tratamiento de una
sola transacción.

36. NANO. Nano. Prefijo que denota 10-9 o una mil

millonésima.
37. NANOSEGUNDO. Nanosecond. Prefijo que denota la mil
millonésima de segundo (1 x 10-1 segundos).

38. NEWTON. Newton. Unidad de fuerza en el sistema

internacional; una fuerza de 1 newton imparte una aceleración
de 1 metro/s a una masa de 1 kilogramo.

39. OHMIO. Ohm. Unidad de resistencia e impedancia.

Unatensión de 1 voltio aplicada a través de una resistencia
de 1 ohmio produce unacorriente de 1 amperio.

40. ONDA. Wave. Perturbación propagada para la que

laintensidad en cualquier punto de un medio es función de
tiempo y la intensidaden un instante dado es función de la
posición de¡ punto. Las ondas pueden sereléctricas,
electromagnéticas, acústicas o mecánicas.

41. OSCILACIÓN. Oscillation. Cambio periódico de un

cuerpo,amplitud o posición.
42. PLACA. Plate. Ánodo de un tubo electrónico. | Uno de
loselectrodos de una batería. | Uno de los electrodos de un
condensador. PLASMA.Plasma. Por lo general es un gas a alta
temperatura tan fuertemente que esconductor y susceptible a la
acción de los campos magnéticos. Actualmente se leconsidera el
cuarto estado de la materia.

43. PNP. PNP. Término utilizado para referirse a

unsemiconductor en el que una capa N está emplazada entro
dos de tipo P.

44. POLARIZACIÓN. Polarization. Dirección del campo

eléctricoradiado por una antena transmisora. | Bias. Tensión
aplicada al electrodo decontrol de un transistor o válvula
para establecer el punto deseado defuncionamiento.

45. POTENCIA. Power. Energía eléctrica por segundo que

sesuministra a un dispositivo o que éste suministra. La
unidad es el vatio.
46. POTENCIA CONTINUA. Continuous power. Potencia de
andasenoidal máxima que puede entregar un amplificador
durante 30 segundos.

47. POTENCIA DE ANTENA. Antenna power. Potencia entregada

ala antena por el transmisor que la excita.

48. RESISTENCIA. Resistance. Oposición de un dispositivo

omaterial al paso de corriente continua; se expresa en ohmios.
49. SATURACIÓN. Saturation. Estado de pureza de un color.
|Condición de un material magnético que no puede admitir flujo
adicional,idéntica condición de un material dieléctrico.
50. TENSIÓN. Voltage. Término utilizado para expresar
ladiferencia de potencial eléctrico que existe entre dos puntos
y que es capaz deproducir un flujo de corriente cuando un
circuito cerrado se conecta entre esospuntos. la tensión se
expresa en voltios.
51. TEOREMA DE NORTON. Norton´s theorern. Cualquier red
quecontenga cualquier número de generadores y de impedancias
constantes, puedesimplificarse a un generador de corriente
constante y a una impedancia. Elcircuito equivalente entrega a
la carga la misma corriente que entregaría silos terminales de
salida del circuito original estuviesen cortocircuitados.

52. UNIPOLAR. Unipolar. Término que se aplica a

dispositivoso procesos de fabricación en los que las zonas
portadoras de corriente y lossustratos son de polaridad
similar; ejemplo de ello son los transistores MOS.

53. UNIPOLO. Unipole. Antena hipotética que radia o recibe

uniformemente entodas las direcciones del espacio. Carece de
posible existencia orepresentación física, pero es útil como
elemento teórico de referencia paraexpresar las propiedades
directivas de antenas reales. También se denominaantena
isotrópica.