Universidad Nacional Experimental del Táchira

Vicerrectorado Académico

D e c a na to d e D o c e nc ia

AMPLIFICADORES CON MÚLTIPLES TRANSISTORES.

POR

RUBIO PÉREZ, ANDRÉS ELOY

CI: V-12.252.420

MAR Z O DE 2009

UNET. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

1
TABLA DE CONTENIDO

Tabla de Contenido ....................................................................................................... 2 

Amplificadores con Múltiples Transistores .................................................................. 4 

Introducción. ............................................................................................................. 4 

Amplificadores Multietapa. ...................................................................................... 5 

Acoplamiento DC entre etapas.............................................................................. 5 

Acoplamiento Directo. ...................................................................................... 5 

Acoplamiento Capacitivo. ................................................................................. 7 

Análisis AC. .......................................................................................................... 9 

Análisis por Modelo de Pequeña Señal Completo. ......................................... 10 

Análisis por Método del Factor de Carga. ...................................................... 11 

Máxima Excursión de Entrada y Salida. ............................................................. 16 

Técnicas Avanzadas de Diseño de Amplificadores Multietapa .......................... 24 

Desplazadores de Nivel. .................................................................................. 25 

Derivación Activa ........................................................................................... 28 

Amplificador Diferencial. ....................................................................................... 32 

Amplificador diferencial BJT. ............................................................................ 33 

Ganancia en Modo Diferencial. ...................................................................... 34 

Ganancia en Modo Común. ............................................................................ 37 

Relación de Rechazo en Modo Común. .......................................................... 39 

Resistencias de Entrada y Salida del Amplificador Diferencial. .................... 39 

Polarización del Amplificador Diferencial. .................................................... 42 

2
 Fuente de Corriente Simple............................................................................. 43 

Espejo de Corriente. ........................................................................................ 46 

Fuente de corriente Widlar. ............................................................................. 49 

Análisis a Gran Señal del Amplificador Diferencial....................................... 54 

Intervalo de Entrada de Modo Común. ........................................................... 57 

Amplificador Diferencial con Carga Activa. .................................................. 57 

Configuraciones Especiales. ................................................................................... 60 

Amplificador Darlington. .................................................................................... 60 

Amplificador Cascode......................................................................................... 65 

Ejercicios Resueltos. ............................................................................................... 69 

Ejercicio 1. Diseño de un amplificador multietapa ............................................ 69 

Ejercicio 2. Análisis de Amplificador Multietapa con Entrada Diferencial. ..... 81 

Ejercicio 3. Amplificador Cascode Mixto. ........................................................ 89 

Ejercicio 4. Espejo de Corriente Wilson. ........................................................... 94 

Ejercicio 5. Amplificador Diferencial con Entrada en Modo Común. ............... 99 

Ejercicio 6. Gran señal del Amplificador Diferencial....................................... 102 

3
AMPLIFICADORES CON MÚLTIPLES TRANSISTORES
INTRODUCCIÓN.
Iniciaremos nuestro estudio con el tratamiento en detalle de los amplificadores
multietapa, utilizando el método de los factores de carga para su análisis, también
estudiaremos los amplificadores diferenciales y sus modos de operación, las ventajas
de su utilización; las fuentes de corriente como elementos de polarización y su
influencia en los amplificadores diferenciales; los desplazadores de nivel y su
importancia en los sistemas multietapas; finalmente se tratarán la configuración
darlington y cascode.

A lo largo de este material se hará uso de ciertas aproximaciones de

ingeniería, como es el caso de la corriente de base, la cual toma como cero, siempre y
cuando la corriente con la cual se esta despreciando sea al menos 20 veces mas
grande, y la resistencia de salida rO , en los transistores BJT se toma de un valor muy
grande y se considera un circuito abierto, siempre que ella sea 20 veces mas grande
que la resistencia con la que se este comparando, en fin, todas las aproximaciones
deben ser comprobadas.

A lo largo de este material se resolverán ejercicios a manera de clarificar lo

expuesto teóricamente, para dichos ejercicios a menos que se indique lo contrario, los

valores que se tomarán por defecto son los siguientes: VBE  0, 7V ,   100 , rO   ,
VT  25mV y   1 ,

4
AMPLIFICADORES MULTIETAPA.
Los amplificadores multietapa no son mas que varios amplificadores sencillos
conectados en cascada, los cuales podemos clasificar en tres etapas, una etapa inicial,
la cual debe tener una gran resistencia de entrada, para evitar pérdidas de señal
cuando el amplificador sea alimentado con fuentes que tengan resistencia de salida
alta, las etapas intermedias, las cuales son las encargadas de dar ganancia y también
deben desplazar el nivel de voltaje CD a niveles adecuados para evitar la saturación
en las etapas subsiguientes, y la etapa de salida, la cual debe estar en capacidad de
entregar a la carga la demanda de corriente exigida por ella, además, estas etapas
presentan una resistencia de salida muy baja.

ACOPLAMIENTO DC ENTRE ETAPAS.

El acoplamiento entre etapas puede ser capacitivo o directo, en el primer caso,

las etapas son aisladas en CD mediante la utilización de capacitares, lo que facilita el
análisis de corriente continua, ya que se hace independiente para cada etapa. En el
acoplamiento directo, la conexión es como su nombre lo indica, directa, lo cual exige
estudiar conjuntamente la polarización de todas las etapas, cosa que complica el
análisis en continua.

ACOPLAMIENTO DIRECTO.

Seguidamente presentamos un ejemplo de un amplificador acoplado

directamente para desarrollar su análisis de polarización.

5
 Figura 1. Amplificador multietapa acoplado directamente.

Ejemplo 1.

En el amplificador mostrado en la Figura 1 observamos que hay acoplamiento

directo, es un amplificador que consta de dos etapas de BJT, la primera está
configurada en emisor común (NPN), la segunda etapa es un colector común
mediante un PNP, el análisis de CD se realiza de la siguiente manera:

Despreciando la corriente de base de ambos transistores, tenemos:

R2 10 K 
VB1  VCC  12V  2.4V
R1  R2 40 K   10 K 

VE1  VB1  VBE  2.4V  0.7V  1.7V

VE1 1.7V
I E1    850  A  I C1
RE1 2 K 

VC1  VCC  I C1  RC  12V  850 A  6 K   12V  5.1V  6.9V

6
 VB 2  VC1  6.9V

VE 2  VB 2  VBE  6.9V  0.7V  7.6V

VCC  VE 2 12V  7.6V 4.4V

IE2     2.2mA  I C 2
RE 2 2K  2K 

Con estos cálculos tenemos todos los valores de corrientes y voltajes para el
circuito de la figura 1.

ACOPLAMIENTO CAPACITIVO.

En el siguiente ejemplo vemos un amplificador multietapa polarizado con

acoplamiento capacitivo entre las etapas, su análisis en continua se desarrolla de
forma individual para cada etapa.

Figura 2 Amplificador multietapa con acoplamiento capacitivo.

Ejemplo 2.

El amplificador de la Figura 2 muestra dos etapas de BJT acopladas mediante

un condensador, en amplificadores con este tipo de acoplamiento cada etapa es
polarizada por separado y su análisis es individual, el análisis CD se realiza de la
siguiente forma:

Analizamos la primera etapa, despreciamos la corriente de base:

7
 R2 180 K 
VB1  VCC  12V  7.71V
R1  R2 180 K   100 K 

VE1  VB1  VBE1  7.71V  0.7V  7.01V

VE1 7.01V
I E1    3.5mA  I C1
RE1 2.2 K 

Ahora se procederá a comprobar que la corriente de base es despreciable con

respecto a la corriente de las resistencias de polarización R1 y R2 .

Primero que nada encontraremos el valor de la corriente de base del transistor

1.

I E1 3.5mA
I B1    34.65 A
  1 101

VCC  VB1 12V  7.71V

I R1    42.9  A
R1 100k 

Como podemos ver, las dos corrientes son de valores comparables, por lo
tanto la aproximación hecha de que la corriente de base es despreciable es falsa,
entonces debemos determinar el punto de polarización sin despreciar la corriente de
base.

Aplicamos LCK en la base 1 y tenemos:

VCC  VB1 VB1

  I B1
R1 R2

I E1 V V V
I B1  I E1  E1  B1 BE1
 1 ; RE1 RE1

Con estas tres ecuaciones podemos encontrar los valores de polarización de la

etapa 1.

8
 VB1  VBE1
VCC  VB1 VB1 RE1 V  VB1 VB1 VB1  VBE1
   CC  
R1 R2  1 R1 R2    1 RE1

VBE1 V 0.7V 12
 CC 
VB1 
   1 RE1 R1
 101  2.2k  100k   6.14V
1 1 1 1 1 1
   
R1 R2    1 RE1 100k  180k  101 2.2k 

VB1  VBE1 6.14V  0.7V

I E1    2.47 mA
RE1 2.2k 

La segunda etapa la analizaremos de la misma forma que la primera.

Aplicamos LCK en la base 2 y tenemos:

VCC  VB 2 VB 2
  IB2
R3 R4

IE2 V V V
IB2  I E 2  E 2  B 2 BE 2
 1 ; RE 2 RE 2

Luego tenemos:

VBE 2 V 0.7V 12
 CC 
VB 2 
   1 RE 2 R3
 101 860 68k   2.57V
1 1 1 1 1 1
   
R3 R4    1 RE 2 68k  22k  101 860

VB 2  VBE 2 2.57V  0.7V

IE2    2.17 mA
RE 2 860

Con esto tenemos todos los valores de los voltajes de polarización del
amplificador de la Figura 2.

ANÁLISIS AC.

Los amplificadores multietapa se pueden analizar de dos formas, la primera

técnica consiste en dibujar el modelo en pequeña señal completo del amplificador

9
multietapa, y hallar los parámetros que lo caracterizan, la otra forma es mediante la
utilización de la técnica de los factores de carga.

ANÁLISIS POR MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL COMPLETO.

Está técnica es similar a la usada para analizar un amplificador sencillo, se

procede a realizar el modelo de pequeña señal del circuito y se realiza el análisis de la
misma forma como se haría para un amplificador de etapa sencilla, está técnica se
torna tediosa a medida que aumenta el número de etapas del amplificador.

Ejemplo 3.

Vamos a encontrar la ganancia de voltaje del amplificador de la Figura 1

usando el análisis completo.

Figura 3. Modelo en pequeña señal del amplificador de la Figura 1

Usando la Figura 3 para hallar la ganancia del amplificador tenemos:

V 2
VO     1 RE 2
r 2

r 2
Con un divisor de corriente en la rama de y reflejando la resistencia de
emisor hacia la base tenemos:

RC
V 2   g m1V 1 r 2
RC  r 2     1 RE 2

V 1
El voltaje se obtiene de un divisor de voltaje en la malla de entrada:

10
 R1 R2 r 1
V 1  VS
R1 R2 r 1  RS

Utilizando las tres ecuaciones tenemos:

RC
VO   g m1V 1    1 RE 2
RC  r 2     1 RE 2

Sustituyendo V 1 :

 R1 R2 r 1  RC
VO   g m1  VS     1 RE 2
 R1 R2 r 1  RS  RC  r 2     1 RE 2

Ordenando la expresión para encontrar la ganancia.

VO
  g m1 RC
R1 R2 r 1    1 RE 2
VS R1 R2 r 1  RS RC  r 2     1 RE 2

Evaluando dicha expresión tenemos:

VO
 133.29V
VS V

ANÁLISIS POR MÉTODO DEL FACTOR DE CARGA.

Un aspecto importante a tener en cuenta cuando se quiere un amplificador con

buenas prestaciones es la importancia del acoplo de impedancias entre las etapas que
conforman el amplificador, el acoplo de impedancias determina lo que se denomina el
factor de carga entre etapas, para ello es necesario conocer las resistencias de entrada
y salida de cada una de las etapas.

En la siguiente tabla recordaremos las configuraciones básicas de amplificador

a BJT, y los parámetros que las caracterizan.

11
Tabla 1. Configuraciones básicas de amplificador a BJT de una sola etapa.

Emisor Común

Av   g m RC
 RB
Ai 
RB  r
Rin  RB || r
Rout  RC

Emisor Común sin Derivación

 RC
Av  
r     1 RE
 RB
Ai  
RB  r     1 RE

Rin  RB ||  r     1 RE 

Rout  RC

Colector Común

Av 
   1 RE
r     1 RE

Ai  
   1 RB
RB  r     1 RE
Rin  RB ||  r     1 RE 

 r  RB 
Rout  RE ||   
  1 

12
 Base Común

Av  g m RC
 RE
Ai 
r     1 RE

r
Rin  R
   1 E
Rout  RC

Base Común sin Derivación

 RC
Av 
r  RB
 RE
Ai  
RB  r     1 RE

r  RB
Rin  R
   1 E
Rout  RC

Estas fórmulas están determinadas utilizando el modelo  -hibrido para el

transistor BJT despreciando el efecto de la resistencia de salida en pequeña señal  r0 

del transistor.

Para determinar el factor de carga entre dos etapas de un circuito multietapa se

toma en cuenta la siguiente relación:

13
 Rin
fC 
Rin  Rout

Donde Rin es la resistencia de entrada de la etapa siguiente y Rout es la

resistencia de salida de la etapa anterior.

Además de esto, la técnica exige identificar el comienzo y final de cada etapa,

ya que la ganancia de voltaje total del circuito se halla mediante el producto de las
ganancias de cada una de las etapas, por los factores de carga.

Para tratar de explicar esto de los factores de carga, supóngase que se tiene el
amplificador de la Figura 1 y vamos a determinar su ganancia mediante la técnica de
los factores de carga.

Figura 4. Amplificador Multietapa.

Ejemplo 4.

En la Figura 4 se muestra un amplificador donde claramente están separadas

las etapas que lo conforman, esto es lo primero que hay que hacer para aplicar el
método de los factores de carga.

14
 Ahora caracterizamos cada una de las etapas hallando su ganancia de voltaje y
sus resistencias de entrada y salida.

La primera etapa es un amplificador en emisor común, y la segunda un

amplificador en colector común, donde sus ganancias, resistencias de entrada y salida
están determinadas por las siguientes expresiones:

Etapa 1 Etapa 2

Av 2 
   1 RE 2
Av1   g m1 RC
r 2     1 RE 2

Rin1  R1 || R2 r 1 Rin 2  r 2     1 RE 2

r 2
Rout1  RC Rout 2  RE 2 ||
 1

Como se dijo en los párrafos anteriores la ganancia total queda determinada

por el producto de las ganancias individuales y los factores de carga, entonces
tenemos:

Av  f ci  Av1  f c12  Av 2

Luego sustituimos cada uno de los factores de carga y las ganancias

individuales.

Rin1 Rin 2
Av   Av1   Av 2
Rin1  RS Rin 2  Rout1

R1 || R2 r 1 r 2     1 RE 2     1 R 
Av     g m1 RC    E2

R1 || R2 r 1  RS r 2     1 RE 2  RC  r 2     1 RE 2 
 
R1 || R2 r 1    1 RE 2
Av     g m1 RC  
R1 || R2 r 1  RS r 2     1 RE 2  RC

Evaluando para la expresión de la ganancia, tenemos:

Av  133.29 V
V

15
 Como podemos observar, esta expresión para la ganancia es exactamente igual
a la ganancia obtenida para el mismo circuito por el análisis del modelo en pequeña
señal.

MÁXIMA EXCURSIÓN DE ENTRADA Y SALIDA.

Ahora veremos como mediante un análisis sistemático se puede obtener la

máxima excursión de entrada y salida de un amplificador multietapa.

Para realizar un análisis de este tipo es necesario recordar las regiones de

operación del transistor, ya que el análisis de máxima excursión se basa en encontrar
la máxima variación de voltaje AC, tanto en la entrada como en la salida y que todos
los transistores operen en la región activa.

Para un BJT NPN, tenemos las siguientes regiones de operación según la

polarización de sus uniones.

Tabla 2. Regiones de operación del transistor NPN

Unión BE Unión BC Región de Operación

Inversa Inversa Corte

Directa Directa Saturación

Directa Inversa Activa

Inversa Directa Activa Inversa

De la tabla anterior deducimos que el voltaje en el colector debe ser mayor

que el voltaje en la base y que el voltaje BE debe superar el umbral del diodo
formado por dicha unión para que un transistor NPN opere en la región activa.

Con base en estos fundamentos, se procederá a resolver el siguiente ejemplo:

Ejemplo 5.

Para el circuito de la Figura 5 obtenga la máxima excursión de entrada y

16
salida y la máxima excursión simétrica de entrada y salida.

Figura 5. Amplificador multietapa para el ejemplo 5

Para poder determinar la máxima excursión (ME) o la máxima excursión

simétrica (MES), primero que nada debemos determinar la ganancia de cada una de
las etapas tomando en cuenta la etapa siguiente o la carga, es decir, debemos tomar en
cuenta el factor de carga a la hora de calcular la ganancia por etapas, también es
necesario conocer los voltajes DC de cada terminal de cada transistor del
amplificador multietapa.

Realizando el análisis DC del amplificador, tenemos:

R2 20 K 
VB1  VCC  10V  2V
R1  R2 80 K   20 K 

VE1  VB1  VBE  2V  0.7V  1.3V

VE1 1.3V
I E1    0.7 mA  I C1
RE1 1.86 K 

VC1  VCC  I C1  RC1  10V  0.7 mA  2 K   10V  1.4V  8.6V

VB 2  VC1  8.6V

17
 VE 2  VB 2  VBE  8.6V  0.7V  9.3V

VCC  VE 2 10V  9.3V 0.7V

IE2     0.7 mA  I C 2
RE 2 1K  1K 

VC 2  I C 2  RC 2  0.7 mA  3K   2.1V

Bien ahora procederemos al análisis AC del amplificador,

La primera etapa consta de un emisor común sin derivación a tierra, donde la

ganancia considerando la resistencia de entrada de la segunda etapa esta dada por la
siguiente expresión:

 RC r 2
Av1  
r 1     1 RE1

La segunda etapa consta de un emisor común con derivación a tierra, y la

ganancia esta determinada por la siguiente expresión:

Av 2   g m 2 RC 2

La ganancia total del amplificador viene definida por el producto de las dos
ganancias y el factor de caga en la entrada, el cual esta dado por:

Rin1 R1 R2  r 1     1 RE1 
f Ci  
Rin1  RS R1 R2  r 1     1 RE1   RS

Entonces tenemos:

I C1 0, 7 mA
g m1  g m 2    28mS
VT 25mV

VT 25mV
r 1  r 2    100  3,571k 
IC 0, 7mA

Luego la ganancia total del circuito y por etapas es:

18
 VB1 R1 R2  r 1     1 RE1 

VB R1 R2  r 1     1 RE1   RS

VB1 80k  20k   3,571k   100  11,86k  

  0,3622 V
VB 80k  20k   3,571k   100  11,86k    26k  V

VC1  RC r 2 100  2k  3,571k 

Av1     0, 6697 V
VB1 r 1     1 RE1 3,571k   100  11,86k  V

VC 2
Av 2    g m 2 RC 2  28mS  3k   84V
VB 2 V

VO VB1 VC1 VO
  20,38V
VS VS VB1 VC1 V

Ahora que tenemos las ganancias etapa por etapa y los voltajes DC de cada
Terminal, entonces procedemos a determinar la ME y la MES.

Primero hablaremos de la nomenclatura usada en este tipo de análisis, puesto

que vamos a hablar de niveles de voltaje DC, máximas variaciones de voltajes AC y
voltajes instantáneos, entonces tenemos:

VC Nivel de voltaje DC en el colector.

VC Máxima variación de voltaje AC en el colector

VCi Voltaje instantáneo en el colector.

Debemos aclarar que el voltaje instantáneo es la suma de los voltajes AC y

DC, es decir, VC  VC  VC

i

Ya que estamos claros con la nomenclatura a usar, debemos determinar la

tendencia a corte o saturación de cada transistor, esto lo haremos de forma gráfica,
mediante flechas que indican la polaridad (flecha continua indica variación de voltaje
AC positiva en la fuente de entrada, flecha punteada indica variación de voltaje AC
negativa en la fuente de entrada) de la variación de voltaje en cada nodo del circuito,

19
luego observamos las direcciones de las flechas en el colector, la base y el emisor y
vemos si el transistor tiende a corte o saturación, veamos como se hace:

Figura 6. Amplificador multietapa indicando la polaridad de las variaciones AC

Colocaremos en forma de tabla los voltajes DC de cada transistor y las

ganancias de voltaje entre cada etapa del amplificador.

Transistor 1 Transistor 2

VB1  2V VB 2  8, 6V

VE1  1,3V VE 2  9,3V

VC1  8, 6V VC 2  2,1V

VB1 VC1 VC 2

 0,3622  0, 6697  84
VS VB1 VB 2

Bien ahora sigamos el recorrido de la señal desde la entrada hasta la salida y

veamos que pasa en los terminales del transistor.

VS  0

Consideramos en este momento las flechas continuas.

20
 Observemos la Figura 6 y analicemos primero el transistor 1, el voltaje en la
base tiende a aumentar, lo mismo que en el emisor, mientras que en el colector el
voltaje tiende a disminuir, lo que a simple vista vemos es que los voltajes en la base y
colector tienden a acercarse, lo que provocaría una posible igualación de los voltajes
de base y colector llegando de esta forma a la saturación del transistor.

Ahora en el transistor 2 vemos que la tendencia del voltaje en la base es a

disminuir, lo mismo que en el emisor, mientras que en el colector la tendencia es a
aumentar, observamos como los voltajes de colector y emisor al igual que en el
transistor 1 se acercan, lo que causaría una inminente igualación de los voltajes de
base y colector, llevando al transistor 2 a la región de saturación.

Ya que determinamos la tendencia de cada transistor, ahora nos queda elegir

cual de los dos transistores analizamos primero, este método es del tipo ensayo y
error, es decir, primero suponemos que uno de los transistores llega primero a
saturación y partimos de esa limitante y después comprobamos que el otro esta en la
región activa, si es así, la suposición hecha era cierta y termina el problema, pero si
queda fuera de la región activa quiere decir que entonces el limitante era el otro
transistor, veamos como se hace.

Suponemos que el transistor 2 llega primero a la saturación y partimos de ahí.

VCi 2  VBi 2

VC 2  VC 2  VB 2  VB 2

2,1V  VC 2  8, 6V  VB 2

Usando las relaciones de las ganancias tenemos:

2,1V  84VB 2  8, 6V  VB 2

6,5V
VB 2    76, 47 mV
85

Luego comprobamos mediante las relaciones de las ganancias que el transistor

21
1 esta en la región activa.

VC1  VB 2  76, 47 mV

VC1 76, 47 mV
VB1    114,19mV
0, 6697 0, 6697

Ahora revisamos los voltajes instantáneos en la base y el colector y

verificamos que este en la región activa.

VCi 1  VC1  VC1  8, 6V  76, 47 mV  8,523V

VBi1  VB1  VB1  2V  114,19mV  2,114V

Claramente el voltaje en el colector es mayor que en la base, lo que indica que

el transistor esta en la región activa.

Ahora procedemos a calcular las variaciones tanto en la entrada como en la

salida.

VB1 114,19mV
VS    315, 27 mV
0,3622 0,3622

VO  84VB 2  84  76, 47 mV  6, 42V

VS  0

Consideramos en este momento las flechas punteadas.

Al igual como se hizo para el semiciclo positivo de la señal de entrada,

analizamos las flechas punteadas del circuito de la Figura 6, y observamos las
siguientes tendencias en el transistor 1: base, disminuir; emisor, disminuir; colector,
aumentar; lo que nos indica claramente un posible corte por emisor o por colector, ya
que alguno de estos pudiera llegar a los niveles de polarización, es decir, el colector

llegar a VCC o el emisor a tierra.

Analizando el transistor 2 vemos que tiene la misma tendencia que el

transistor 1 de llegar a corte.

22
 Suponemos que el transistor 2 llega a primero a corte, y comenzamos el
análisis por el emisor:

El emisor esta sobre un nivel DC de 9, 3V y puede aumentar hasta un nivel

máximo de 10V que viene determinado por VCC , entonces la máxima variación AC
que puede tener el emisor es:

VE 2  0, 7V  VB 2

Ahora procedemos a determinar la variación en el colector mediante la

relación de la ganancia de la etapa 2.

VC 2  84VB 2  84  0, 7  58,8V

El cual es un valor absurdo, puesto que el colector solo puede disminuir 2,1V ,
ya que esto es lo máximo que permite su nivel DC.

Entonces partimos del colector como limitante y comprobamos el emisor.

VC 2  2,1V  VO

VC 2 2,1V
VB 2    25mV  VE 2
84 84

Lo cual es un valor lógico, ya que el emisor pude soportar esa variación.

Ahora procedemos a comprobar que el transistor 1 se encuentre en la región

activa.

VC1  VB 2  25mV

VC1 25mV
VB1    37,33mV  VE1
0, 6697 0, 6697

VCi 1  VC1  VC1  8, 6V  25mV  8, 625V

VEi 1  VE1  VE1  1, 3V  37, 33mV  1, 2627V

Estos valores instantáneos de los terminales del transistor 1 pueden manejar

23
sin que el transistor salga de la región activa.

Tenemos pues, que, aplicando la relación del factor de carga en la entrada

obtenemos la máxima variación en la fuente de entrada.

VB1 37,33mV
VS    103, 06mV
0,3622 0,3622

Ahora bien, la ME de entrada y salida del amplificador es:

103, 06mV  VS  315, 27 mV

2,1V  VO  6, 42V

Y la MES de entrada y salida viene determinada por las siguientes

inecuaciones:

VS  103, 06mV

VO  2,1V

TÉCNICAS AVANZADAS DE DISEÑO DE AMPLIFICADORES MULTIETAPA

Con las herramientas dadas hasta este punto del trabajo, se logran analizar y
diseñar amplificadores multietapa rudimentarios, es decir, acoplando etapas sencillas
en cascada, lo cual puede producir un amplificador con una pobre excursión tanto en
la entrada como en la salida, esto debido a los apilamientos de voltajes causados por
el uso de etapas (de un mismo tipo de dispositivo, sea NPN o PNP) acopladas
directamente, sabiendo que el voltaje debe ir aumentando o disminuyendo
dependiendo del tipo de dispositivo usado, ya que en un NPN el voltaje en el colector
debe ser mayor que en la base y con varias etapas acopladas directamente el voltaje
en cada colector será cada vez mayor, provocando que la excursión del amplificador
se vea disminuida. Estos problemas son sorteados usando trasladores o desplazadores
de nivel.

24
 Otro problema que presentan estos amplificadores es el uso indiscriminado de
capacitores, estos elementos deben ser evitados al máximo cuando el amplificador va
a ser construido en un circuito integrado, ya que los capacitores ocupan grandes
cantidades de espacio en la pastilla semiconductora, en consecuencia, donde se
usaban los capacitores deben usarse otras técnicas para evitar su uso. Para evadir los
condensadores de acoplamiento entre etapas se usa el acoplamiento directo, el otro
uso de un capacitor es como elemento de derivación a tierra del terminal común de la
etapa sencilla, entonces debemos usar la derivación activa.

DESPLAZADORES DE NIVEL.

Un desplazador de nivel es un circuito que realiza una traslación de voltaje

desde un nivel hasta otro, los cuales son usados para darle solución al problema del
apilamiento de voltaje, además de esto también se emplean para maximizar en lo
posible la excursión del voltaje de salida, esto se logra haciendo que el voltaje de
salida DC del circuito sea la mitad del voltaje de polarización, es decir, si se utilizan
fuentes simétricas, entonces, el voltaje DC en la salida debe ser 0V .

Estos circuitos se pueden implementar de varias formas, mediante un diodo

zener, mediante un seguidor de voltaje con fuente de corriente, además puede ser en
base a un transistor complementario a los que se están usando en el amplificador, esto
es, si el amplificador esta hecho en base a un NPN, entonces usamos un PNP como
desplazador de nivel.

En el siguiente ejemplo vamos a ver como se implementa un desplazador de

nivel de varias maneras.

25
 Figura 7. Multietapa para ejemplo de desplazador de nivel.

Ejemplo 6.

En la Figura 7 se muestra un amplificador multietapa el cual debemos ajustar

para que el voltaje de salida en DC sea 0V , lo primero que debemos hacer es
encontrar los valores DC del circuito.

VBE  0, 6V
Para el siguiente circuito emplearemos para todos los transistores.

VB1  0V

VE1  VB1  VBE  0V  0, 6V  0, 6V

VRE 1  0, 6V  7,3V  10V  2,1V

VRE 1 2,1V
I E1    1, 4mA  I C1
RE1 1,5k 

VC1  VCC  I C1  RC1  10V  1, 4mA  6, 2k   10V  8, 68V  1,32V  VB 2

VE 2  VB 2  VBE  1,32V  0, 6V  0, 72V

VE 2 0, 72V
IE2    0,51mA  I C 2
RE 2 1, 4k 

26
 VC 2  VCC  I C 2  RC 2  10V  0,51mA  4, 7 k   10V  2, 4V  7, 6V  VB 3

VE 3  VB 3  VBE  7, 6V  0, 6V  7V

VE 3  VEE 7V  10V
IE3    1, 7 mA  I C 3
RE 3 10k 

Ahora bien, tenemos que el voltaje DC en la salida del amplificador es 7V ,

entonces debemos usar un desplazador de nivel entre la segunda y la tercera etapa
para poder llevar el nivel de voltaje de la salida hasta 0V .

Primero usaremos un desplazador de nivel con diodo zener, el cual es el más

sencillo y fácil de usar, en la Figura 8 se muestra el circuito con el desplazador de
nivel.

Figura 8 Amplificador con desplazador de nivel a diodo zener

En la Figura 8 observamos el desplazador de nivel, el voltaje del zener debe

ser de 7 voltios, que es el voltaje que se necesita bajar para tener en la salida del
amplificador 0 voltios DC.

Entonces VZ  7V , lo que me da,

VB 3  VE 2  VZ  7, 7V  7V  0, 7V

27
 Luego

VE 3  VB 3  VBE 3  0, 7V  0, 7V  0V

Para que un diodo zener funcione en la región inversa, necesita una corriente
mínima, la cual es llamada corriente de saturación inversa, que dependiendo del

fabricante puede estar entre 50  A y 100  A , a partir de ese valor de corriente el

zener operará con holgura en la región inversa, la resistencia RZ es la que obliga la

corriente de saturación inversa, y el valor de ésta se determina de la siguiente manera:

VB 3  VEE 0, 7V   10V 
RZ    214k 
IZ 50  A

La implementación de un desplazador de nivel puede hacerse de otras formas

distintas, una de ellas es usando un transistor PNP para el segundo transistor, en lugar
del NPN, y cuadrando los voltajes en los terminales del transistor se logra que el
voltaje DC en la salida del amplificador de 0 voltios.

DERIVACIÓN ACTIVA

Al no poder recurrir a las bondades de la derivación pasiva realizada por los

condensadores, se debe demandar la derivación activa, que no es más que realizar el
trabajo que hacia el condensador, pero, ahora con un dispositivo activo.

En la Figura 9 se muestra la configuración de un emisor común con

derivación activa.

28
 Figura 9 Emisor Común con derivación activa.

Para obtener la ganancia de voltaje de este tipo de circuito se debe proceder a

realizar el modelo en pequeña señal, en la Figura 10 encontraremos el modelo en
pequeña señal del circuito completo.

Figura 10 Modelo en pequeña señal del EC con derivación activa

Lo primero que debemos hacer para hallar la ganancia es encontrar la

resistencia vista hacia el emisor de Q2 , para lo cual colocamos una fuente de voltaje
Vx
de prueba y determinamos la relación I x , en la Figura 11, veremos el circuito con

la fuente de prueba.

29
 Q2
Figura 11 Circuito para encontrar la resistencia vista hacia el emisor de

V 2
I x   g m 2V 2 
r 2

V 2
Ix    g m 2 r 2  1
r 2

V 2
Ix      1
r 2

Vx  V 2

Entonces tenemos:

Vx
Ix      1
r 2

Vx r
 2
I x    1

RE
Ahora colocamos esta resistencia en paralelo con (ver Figura 12) y
procedemos a analizar el circuito, obteniendo de esta manera la ganancia de voltaje
en pequeña señal.

30
 Figura 12 Circuito equivalente con la resistencia sustituida.

VO   g m1V 1 RC

V  r 
Vi  V 1    1  g m1V 1   RE  2 
 r 1   1 

V 1   r 2  
Vi   r 1  1     RE 
r 1     1  

r 1
V 1  Vi
 r 
r 1     1  RE  2 
  1 

r 1
VO   g m1Vi RC
 r 2 
r 1     1  RE
   1 

VO  RC

Vi  r 
r 1     1  RE  2 
  1

Esta es la expresión exacta de la fórmula de la ganancia de voltaje, pero

usando las aproximaciones de ingeniería tenemos:

r 2 r r
RE   RE  2   2
 1  1  1

Entonces

31
 VO  RC

r
Vi r 1     1  2
 1

VO  RC

Vi r 1  r 2

Ahora bien, recordemos que los transistores son dispositivos en los cuales la
intensidad de corriente es proporcional al área transversal de la unión base-emisor,
ahora supondremos que ambos transistores son fabricados en idénticas condiciones,
es decir, las áreas transversales de sus uniones base-emisor son exactamente iguales,
lo que indica que ambas corrientes de emisor deben ser iguales, independientemente
del valor de las resistencias de colector.

Lo anterior señala que los voltajes de base-emisor en ambos transistores son

iguales, lo que quiere decir que las resistencias de base r son iguales.

Entonces,

VO R
 C
Vi 2r

VO g R
 m C
Vi 2

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
En este punto trataremos un circuito con una topología especial de dos
transistores, la cual se denomina amplificador diferencial. Este tipo de circuito se
encuentra presente en muchos amplificadores, generalmente se usa como entrada de
la mayoría de amplificadores a circuito integrado, presenta dos entradas y como su
nombre lo dice es un circuito que amplifica la diferencia del voltaje entre sus
entradas, y la salida puede ser tomada en forma sencilla o en forma diferencial, según
sea el uso que se requiera.

32
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BJT.

En la Figura 13 se observa la topología básica del amplificador diferencial,

sus dos entradas se pueden trabajar de dos formas, en forma diferencial y en forma
común, y la salida se puede tomar sencilla (en una sola terminal) o diferencial, lo que
nos da distintos tipos de ganancia para éste tipo de amplificador.

Figura 13 Topología básica del amplificador diferencial BJT

Tenemos entonces dos tipos de entradas, las cuales se forman por la diferencia
y el promedio de sus entradas sencillas:

vid  V1  V2

V1  V2
vic 
2

La salida entonces puede ser:

vo1 vo 2
o : Salida sencilla

vod  vo1  vo 2 : Salida diferencial

De las diferentes relaciones entre las entradas y las salidas se desprende lo

siguiente:

33
 vo1
Amd  s1 
vid (Salida sencilla 1 / Entrada diferencial)

vo 2
Amd  s 2 
vid (Salida sencilla 2 / Entrada diferencial)

vod
Amd  dif 
vid (Salida diferencial / Entrada diferencial)

vo1
Amc  s1 
vic (Salida sencilla 1 / Entrada común)

vo 2
Amd  s 2 
vid (Salida sencilla 2 / Entrada común)

Ahora se procede a encontrar las ganancias diferenciales y comunes, mediante

el análisis de pequeña señal de la topología básica del amplificador diferencial BJT
mostrado en la Figura 13.

GANANCIA EN MODO DIFERENCIAL.

A continuación se muestra el modelo en pequeña señal con entrada diferencial

pura correspondiente al circuito de la Figura 13.

Figura 14 Modelo en pequeña señal de la topología básica del amplificador

diferencial BJT con entrada diferencial pura.

Como podemos observar en la Figura 14, las entradas en modo diferencial

puro son iguales en magnitud pero con signos opuestos, lo que hace que la corriente

34
fluya desde la fuente de la izquierda hasta la fuente de la derecha para cerrar el

recorrido, sin fluir corriente por la resistencia Rn .

Realizando el recorrido de la malla tenemos:

va  V 1  V 2  va  0

2va  V 1  V 2  ib1 r 1  ib 2 r 2

Una condición importante de los amplificadores diferenciales es que sus dos

transistores deben ser idénticos, es decir, las áreas transversales de sus uniones base-

emisor deben ser perfectamente iguales, lo que produce que 1   2   y que


gm 
r 1  r 2  r , como r , g m1  g m 2  g m ; entonces podemos decir que las

corrientes de base son iguales pero en sentido contrario, es decir:

ib1  ib 2

Esto provoca que los voltajes V 1  V 2 , quedando la expresión de la malla

de entrada de la siguiente forma:

2va  V 1   V 1   2V 1

V 1  va

De forma análoga tenemos:

V 2  va

Ahora analizamos la rama de salida y tenemos:

vo1   g mV 1 RC

Sustituyendo

vo1   g m va RC

Recordando que:

35
 vid  V1  V2  va   va   2va

Entonces dividiendo ambos miembros de la expresión por el voltaje

diferencial de entrada, tenemos:

vo1  g m va RC

2va 2va

vo1 g R
 m C
vid 2

Ahora se procederá a determinar la ganancia en la salida del segundo

transistor.

vo 2   g mV 2 RC

vo 2   g m  va  RC

vo 2  g m va RC

vo 2 g m va RC

2va 2va

vo 2 g m RC

vid 2

Seguidamente tomaremos salida diferencial, vod  vo1  vo 2 , entonces:

g m RC g m RC
vo1   vid vo 2  vid
2  2

g m RC g R
vod   vid  m C vid   g m RC vid
2 2

Lo que nos da:

vod
  g m RC
vid

36
GANANCIA EN MODO COMÚN.

Continuando con el análisis del amplificador diferencial le corresponde el

turno a las entradas comunes puras, en la Figura 15 observamos el modelo en
pequeña señal del amplificador diferencial con entrada común pura.

Figura 15 Modelo en pequeña señal de la topología básica del amplificador

diferencial BJT con entrada común pura.

Observando el circuito del modelo vemos que ahora las fuentes de señal
generan corrientes en el mismo sentido, es decir, las corrientes de base son iguales.

ib1  ib 2

Entonces las corrientes fluyen hacia la resistencia Rn , de manera que el

voltaje en sus terminales queda determinado por la siguiente expresión:

VRn  I Rn  Rn

V 1 V
I Rn  gm1V 1   gm2V 2   2
r 1 r 2

Recordando que los transistores son idénticos, y que por ende sus parámetros
son iguales tenemos:

V V V
I Rn  2 g mV  2  2  g m r  1   2    1 
r r r

V
VRn  2    1  Rn
r

37
 Recorremos la malla por cualquiera de las entradas del amplificador y
obtenemos:

vb  V  VRn

V
vb  V  2    1 Rn
r

 r  2    1 Rn 
V
vb 
r

Despejando V tenemos:

r
V  vb
r  2    1 Rn

Al recorrer la malla de la salida de Q1 se obtiene:

vo1   g mV RC

Al sustituir la ecuación de V obtendremos la ganancia en modo común.

r
vo1   g m vb RC
r  2    1 Rn

vo1  RC

vb r  2    1 Rn

De igual manera hacemos con el segundo transistor y obtendremos la

ganancia.

vo 2   g mV RC

r
vo 2   g m vb RC
r  2    1 Rn

vo 2  RC

vb r  2    1 Rn

38
 Por simple inspección de las ecuaciones da ganancia en modo común en
ambas salidas, notamos que son iguales, lo que nos dice que en modo común no hay
salida diferencial.

RELACIÓN DE RECHAZO EN MODO COMÚN.

Un amplificador diferencial debe cumplir un compromiso entre la ganancia

diferencial y la ganancia común, la primera debe ser amplificada en un factor grande,
en tanto que la segunda a su vez debe ser minimizada todo lo que sea posible. Se
define la relación entre estas dos ganancias como la relación de rechazo en modo
común o RRMC y queda determinada por la siguiente fórmula:

Amd  s1
RRMC 
Amc  s1

g m RC
2 g m RC  r  2    1 Rn 
RRMC  
 RC 2  RC
r  2    1 Rn

r  2    1 Rn
RRMC 
2r

  1  2    1 Rn  r
Si entonces:

RRMC  g m Rn

Entonces vemos una dependencia lineal de la RRMC con Rn , mientras más

grande sea ésta resistencia más grande resulta la RRMC, lo cual es conveniente en un
amplificador diferencial.

RESISTENCIAS DE ENTRADA Y SALIDA DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Como se sabe, el amplificador diferencial responde a señales de entradas

diferenciales y comunes, y por ende tiene resistencia de entrada en modo diferencial y
en modo común.

39
 Las resistencias de entrada vistas por fuentes de señales en modo diferencial
puras, están definidas por:

v1  v2
ren  md 
ib1

V
ib1 
r

Anteriormente se demostró que:

V  va

Tenemos entonces:

va   va  2 va r
ren  md  
va va
r

ren  md  2r

Ahora en modo común,

 v1  v2  2
ren  mc 
ib1

V
i1  ib1 
r

Al igual que en el caso diferencial, antes demostramos que:

r
V  vb
r  2    1 Rn

Tenemos entonces:

 vb  vb  2 vb  r  2    1 Rn 
ren  mc  
vb vb
r  2    1 Rn

40
 ren mc  r  2    1 Rn

La resistencia de salida del amplificador diferencial tiene dos formas distintas

de verse, cuando se toma salida sencilla, es decir, ya sea la resistencia vista desde vo1
vo 2 vo  vo1  vo 2
ó y la vista en forma diferencial, .

Para salida sencilla la resistencia vista desde cualquiera de los terminales de

salida es idéntica a la resistencia vista desde el Terminal de salida de un amplificador

en emisor común, es decir, la resistencia queda Rsal  se1  RC y Rsal  se 2  RC .

Para salida diferencial se colocara una fuente de prueba de valor VX y se

VX
determinará la relación I X , con lo cual quedará determinada la resistencia de salida.

Figura 16 Circuito equivalente para el cálculo de la resistencia de salida en modo

diferencial

Como podemos observar en la Figura 16, los controles de las fuentes

dependientes quedan aislados de la fuente prueba que se colocó para determinar la
resistencia, entonces ellas se pueden modelar como circuitos abiertos, entonces solo

quedan las resistencias RC de ambos colectores, lo que da una resistencia de salida

diferencial de:

Rsal  dif  2 RC

41
POLARIZACIÓN DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Figura 17 Amplificador diferencial polarizado por resistencia de emisor.

Observando la Figura 13 vemos que los transistores están polarizados

mediante una fuente de corriente que es común a los emisores de ambos transistores,
como es bien sabido, las fuentes de corriente como elementos independientes no
existen físicamente, pero si, podemos construir circuitos en base a transistores que
generen una corriente fija independientemente del valor de la carga, a estos circuitos
se les conoce como fuentes de corrientes.

Además también se puede polarizar un amplificador diferencial mediante una

resistencia (ver Figura 15), esta forma de polarización no afecta el modelo en

pequeña señal ya que la resistencia de emisor RE hace las veces de la resistencia Rn ,

esta es la forma más sencilla y económica de polarizar un amplificador diferencial, la
corriente en cada rama del amplificador se puede determinar de la siguiente forma:

I O VRE
I C1  I C 2  I C  
2 2 RE

VRE  VE  VEE

VE  VB  VBE

42
 En la base de cualquiera de los transistores el voltaje CD es cero (0) voltios,
VB  0 , las ecuaciones quedan:

VE  VBE

VBE  VEE
IC 
2 RE

Las fuentes de corriente juegan un papel muy importante en los

amplificadores diferenciales, ya que si bien un amplificador puede ser polarizado de
forma más económica mediante una simple resistencia de emisor, las fuentes de
corriente proporcionan una mayor resistencia de salida, y como determinamos
anteriormente, la RRMC es directamente proporcional a la resistencia de emisor o en
este caso a la resistencia de salida de la fuente de corriente, entonces, entre más
grande sea dicha resistencia, mayor es la RRMC, lo que favorece al amplificador.

Ahora procederemos a analizar algunas fuentes de corriente clásicas, entre las

que podemos nombrar la fuente de corriente simple, el espejo de corriente y la
Widlar, donde se encontrará la corriente de polarización y la resistencia de salida en
pequeña señal para cada una de estas fuentes comenzando por la simple.

FUENTE DE CORRIENTE SIMPLE.

Figura 18 Fuente de corriente simple con las corrientes señaladas.

43
 En ésta fuente, la corriente de salida se calcula mediante las siguientes
ecuaciones:

I1  I 2  I B

VCC  I1 R1  VBE  VRE  VEE  0

VCC  VEE  VBE  VRE

I1 
R1

VBE  VRE
I2 
R2

VRE  I E RE

VCC  VEE  VBE  I E RE

I1 
R1

VBE  I E RE
I2 
R2

I E     1 I B

VCC  VEE  VBE     1 I B RE

I1 
R1

VBE     1 I B RE
I2 
R2

VCC  VEE  VBE     1 I B RE VBE     1 I B RE

  IB
R1 R2

R2 VCC  VEE  VBE     1 I B RE   R1 VBE     1 I B RE   R1 R2 I B

I B  R1 R2     1 RE  R1  R2    R2 VCC  VEE  VBE   RV

1 BE

R2 VCC  VEE  VBE   R1VBE

IB 
R1 R2     1 RE  R1  R2 

44
 R2 VCC  VEE  VBE   R1VBE
I E     1
R1 R2     1 RE  R1  R2 

R2 VCC  VEE  VBE   R1VBE

IO  IC  
R1 R2     1 RE  R1  R2 

Esta es la forma exacta de calcular la corriente de salida, la forma aproximada

es mediante las siguientes ecuaciones:

VCC R1  VEE R2
VB 
R1  R2

VRE  VE  VEE

VE  VB  VBE

VCC R1  VEE R2
VRE   VBE  VEE
R1  R2

 V R V R 
I O I E   CC 1 EE 2  VBE  VEE  RE
 R1  R2 

En la fuente de corriente simple la resistencia de salida se determina

colocando una fuente de prueba y se determina la relación de la corriente generada
por la fuente de prueba y el voltaje de dicha fuente, el modelo de pequeña señal
donde se muestra la fuente de prueba queda de la siguiente forma:

Figura 19 Modelo en pequeñas señal de la fuente de corriente simple con la fuente de

prueba para el cálculo de la resistencia de salida.

Donde

45
 RP  R1 R2

Realizando análisis de nodos y mallas tenemos:

VX  Vo  VRE

Vo  io ro

io  I X  g mV

RE
V   I X r
r  RP  RE

RE
io  I X  g m I X r
r  RP  RE

r  RP     1 RE
io  I X
r  RP  RE

r  RP     1 RE
Vo  I X ro
r  RP  RE

VRE  I X  RE  r  RP  

r  RP     1 RE
VX  I X ro  I X  RE  r  RP  
r  RP  RE

VX r  RP     1 RE
Rn   RE  r  RP   ro 
IX r  RP  RE

ESPEJO DE CORRIENTE.

El espejo de corriente es otro circuito que funciona como fuente de corriente,

se usan dos (2) transistores en lugar de uno (1), y sus ecuaciones son más sencillas
que la de la fuente de corriente simple. En la Figura 20 se muestra la configuración
de ésta fuente.

46
 Figura 20 Espejo de corriente

En la figura 21 se muestra el espejo de corriente con todas las corrientes de

rama marcadas, con la finalidad de calcular de forma exacta la relación entre la
corriente de referencia y la corriente de salida.

Figura 21 Espejo de corriente con las corrientes de rama marcadas.

Haciendo ecuaciones de nodo logramos encontrar la relación de las corrientes

de entrada y salida.

I REF  I C 2  I B 2  I B1

 IE2 I I  I I
I REF  IE2   E1  E 2 E 2  E 1
 1  1  1  1  1

I REF 
   1 I E 2  I E1
 1

47
 Como ambos transistores son idénticos, los voltajes bese-emisor de ambos
transistores son iguales, lo que nos da corrientes de emisor idénticas, por lo tanto;
I E1  I E 2

 2
I REF  I E 2
 1

 1   2
I REF  I C 2
  1

 2
I REF  I C 2


IO 

I REF  2

Si  es grande, la ganancia de corriente es aproximadamente la unidad, y el

espejo de corriente refleja la corriente de la rama de referencia en la rama de salida.

Ahora se procede a determinar el valor de la resistencia de salida del espejo de

corriente, para esto se realiza primero el modelo en pequeña señal del circuito.

Figura 22 Modelo en pequeña señal del espejo de corriente.

En la Figura 22 se muestra el modelo en pequeña señal del espejo de corriente

con la fuente de prueba colocada de manera tal que se pueda determinar fácilmente la
resistencia de salida, vemos que la rama donde están los controles de las fuentes
dependientes de corriente quedan aislados y sin polarización, entonces las fuentes
dependientes se abren, quedando en la rama de salida solo la resistencia de salida del
transistor, lo que nos da:

VA
Rn  rO 
IO

48
 Vemos entonces que la resistencia es directamente proporcional al voltaje
early, el cual es un parámetro intrínseco del transistor, y no se puede manipular,
además de ser de un valor no muy grande como sería deseado para una fuente de
corriente ideal, esta es la principal desventaja de esta fuente de corriente.

FUENTE DE CORRIENTE WIDLAR.

Una alternativa para salvar la desventaja del espejo de corriente es la fuente

widlar (ver Figura 23), ella presenta un resistor adicional en el emisor del transistor
Q1 , esta configuración, como se vera más adelante, mejora la resistencia de salida.

Figura 23 Fuente de Corriente Widlar

Recorriendo la malla de los emisores de Q1 y Q2 de la figura 24 tenemos:

VBE 2  VBE1  I E1 RE

Recordando las ecuaciones de la corriente a través de una unión PN tenemos:

 VBE 
I E  I E 0  e VT  1
 

Observando la ecuación de la corriente a través de una unión PN podemos

observar que el voltaje base-emisor es varias veces mayor (aproximadamente 28

veces) que el producto

VT , por lo tanto esa exponencial da un número positivo

49
mucho más grande que uno (1), por lo que esta ecuación puede escribirse de la
siguiente manera:
VBE
VT
IE  IE0  e

Despejando de esta ecuación el voltaje base-emisor tenemos:

I 
VBE  VT  Ln  E 
 IE0 

Ahora procedemos a utilizar este resultado para sustituirlo en la ecuación de la

malla de los emisores.

 IE2   I E1 
VT  Ln    VT  Ln    I E1 RE
 I E 0   I E 0 

Manipulando algebraicamente la ecuación obtenemos lo siguiente:

 IE2   I E1 
VT  Ln    VT  Ln    I E1 RE
 IE0   IE0 

  IE2   I E1  
VT   Ln    Ln     I E1 RE
  IE0   IE0  

Aplicando propiedades de los logaritmos

 IE2 
 IE0 
VT  Ln  I R
 I E1  E1 E
 IE0 
 

 IE2 
VT  Ln    I E1 RE
 I E1 

Si despreciamos el efecto de las corrientes de base, tenemos que la corriente

de colector es igual a la corriente de emisor, es decir:

I E  IC  I B  0

50
 Tenemos entonces:

I E 2  I REF  I E1  I O

La ecuación queda de la siguiente manera:

I 
I O RE  VT  Ln  REF 
 IO 

Donde

IO : Corriente de salida

VCC  VEE  VBE 2

I REF 
I REF : Corriente de referencia RREF

VT : Voltaje térmico (valor por defecto 25mV )

 : Factor exponencial de idealidad (Por lo general se toma como 1)

Como se puede observar, es una ecuación trascendental que no tiene solución

matemática, solo puede ser solucionable por métodos numéricos iterativos como el
método de newton-rapson o el método de la secante.

Sin embargo, ahora pueden usarse calculadoras programables para obtener la

solución numérica de este tipo de ecuaciones.

Para determinar la resistencia de salida de esta fuente, se procede de manera

similar a lo hecho en los dos tipos de fuentes de corrientes anteriores, primero se
realiza el circuito equivalente del modelo lineal en pequeña señal y luego se procede
a colocar una fuente de prueba, para posteriormente realizar el análisis de la
resistencia de salida.

En la Figura 24 se muestra el modelo de pequeña señal junto con la fuente de

prueba.

51
 Figura 24 Modelo equivalente de pequeña señal de la fuente widlar

Si observamos la parte derecha del circuito (desde r 1 en adelante), vemos

que es exactamente el mismo circuito de la Figura 19, entonces lo único que tenemos
que hacer es encontrar la resistencia equivalente de la parte izquierda del circuito y

sustituir su valor por el de la resistencia RP en la ecuación que muestra la resistencia

de salida del modelo mostrado en la Figura 19.

En la Figura 25 se muestra el modelo equivalente de pequeña señal de la parte

izquierda de la fuente widlar con su fuente de prueba para determinar su resistencia
equivalente.

Figura 25 Circuito equivalente correspondiente a la parte izquierda de la fuente

widlar.

Figura 26 Circuito simplificado.

En la Figura 26 se muestra el circuito simplificado de la parte izquierda de la

fuente widlar, partiendo de dicho circuito y realizando un análisis de nodos tenemos:

V 2
I X  g m 2V 2 
RREF rO 2 r 2

52
 Del circuito podemos observar que la fuente de voltaje V X esta en paralelo
V 2 V X  V 2
con el voltaje , entonces .

 1 1 
I X  V X   

 1 g m2 R r r
REF O 2  2 

VX 1

IX 1 1

1 g m 2 R REF rO 2 r 2

VX
 RREF rO 2 r 2 1 g m 2
IX

Llamemos a esta resistencia R A y la substituimos en el modelo en pequeña

señal, el cual se mostrará en la Figura 27.

Figura 27 Circuito equivalente de pequeña señal de la fuente de corriente widlar

donde se sustituyó el transistor 2 por su resistencia equivalente.

Como se dijo arriba, si observamos el circuito de la Figura 27 vemos que es

igual al modelo equivalente de pequeña señal del circuito de la Figura 19, por lo tanto
el análisis necesario para encontrar la resistencia de salida es el mismo, lo que
haremos será tomar el resultado del análisis hecho para determinar la resistencia de
salida de la Figura 19 y lo adaptaremos a la Figura 27.

r 1  RA     1 RE
Rn  RE  r 1  RA   ro1
r 1  RA  RE

Existen otros tipos de fuentes de corriente, pero el análisis necesario para

53
encontrar la corriente de polarización y la resistencia de salida es el mismo que
hemos usado para estas tres fuentes de corriente.

ANÁLISIS A GRAN SEÑAL DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Al igual que los amplificadores de un solo transistor, los amplificadores

diferenciales tienen un máximo voltaje de entrada para que ambos transistores operen
en la región activa.

Consideremos el amplificador diferencial de la Figura 28 al cual le haremos

un análisis de gran señal para encontrar su máximo voltaje diferencial de entrada en
función de algunos parámetros internos de los transistores.

Figura 28 Amplificador diferencial alimentado por fuentes diferenciales puras.

Consideremos las corrientes que circulan por los emisores de ambos

transistores, recordemos que la unión base-emisor físicamente es una unión PN, en la
cual la corriente queda determinada por la siguiente expresión:

 vbe 
ie  I S  e VT  1
 

Para cada emisor las corrientes quedan de la siguiente manera:

54
 vbe1  vbe 2
VT VT
ie1  I S  e ie 2  I S  e

Donde

ie1 : Corriente en el emisor 1.

ie 2 : Corriente en el emisor 2.

IS : Corriente de saturación de la unión.

vbe1 , vbe 2 : Voltaje de la unión base emisor para cada transistor.

Observemos que en la expresión falta el término de la sustracción

 1 , el
vbe

cual es despreciable debido a que vbe  VT lo que hace que e

VT
 1.

Recorriendo una malla en la entrada tenemos:

vd v
  vbe1  vbe 2  d  0
2 2

Lo que nos da lo siguiente:

vd  vbe1  vbe 2

Despejando los voltajes de las uniones nos da lo siguiente:

vbe1  vd  vbe 2 vbe 2  vbe1  vd

Sustituyendo las ecuaciones de los voltajes de las uniones en cada una de las
corrientes de las uniones base-emisor tenemos:
vd  vbe 2 vbe1  vd
VT VT
ie1  I S  e ie 2  I S  e

vbe 2 vd vbe1  vd
VT VT VT VT
ie1  I S  e e ie 2  I S  e e

vd  vd
VT VT
ie1  ie 2  e ie 2  ie1  e

55
 Ahora vamos a escribir la corriente de salida en función de las corrientes de
los emisores,

I o  ie1  ie 2 I o  ie1  ie 2

vd vd

VT VT
I o  ie1  ie1  e I o  ie 2  e  ie 2

 v
 d   vd

I o  ie1 1  e VT  I o  ie 2 1  e VT 
   

Io Io
ie1  vd
ie 2  vd

VT VT
1 e 1 e

Supongamos ahora despreciable la corriente de base de cada transistor, y

calculemos el voltaje en cada colector.

VC1  VCC  RC  ic1 VC 2  VCC  RC  ic 2

RC  I o RC  I o
VC1  VCC  vd
VC 2  VCC  vd

VT VT
1 e 1 e

Figura 29 Gráfica de los voltajes de salida del amplificador diferencial en función del
voltaje de entrada en modo diferencial.

En la Figura 29 se puede observar la gráfica de cada uno de los voltajes de

56
salida del amplificador diferencial, en ella se puede observar que la parte lineal del
voltaje de salida de los colectores ocurre entre VT y VT , para valores normales

esto es, 25mV  vd  25mV .

Podemos notar en la misma gráfica que el voltaje en los colectores del

amplificador diferencial es siempre mayor a cero, y observando la Figura 28 vemos

que el voltaje en los emisores es de 0, 7V , por lo tanto podemos decir que los
transistores de un amplificador diferencial nunca entran en saturación, lo que permite
un procesamiento de las señales de entrada mucho más rápido que con un
amplificador de un solo transistor, esto constituye una ventaja en aplicaciones a
frecuencias altas.

INTERVALO DE ENTRADA DE MODO COMÚN.

El intervalo del voltaje de entrada común en un amplificador diferencial

determina el rango dentro del cual el amplificador se comporta linealmente para
señales comunes de entrada. El límite superior del intervalo viene determinado por
los colectores del par diferencial, ya que cuando el voltaje en las bases sean iguales a
los colectores, el par entra en saturación, por lo tanto, el límite superior vendría
determinado por el voltaje cd de los colectores. En tanto que el límite inferior viene
determinado por el transistor de la fuente de corriente que sirve de polarización al
amplificador diferencial, y sería igual al voltaje cd de la base de dicho transistor mas
el voltaje de la unión base emisor.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON CARGA ACTIVA.

Los dispositivos activos (transistores) ocupan mucho menos área de silicio

que los resistores de valores medios y altos, Por esta razón, muchos circuitos
integrados usan cargas activas BJT en lugar de cargas resistivas. En estos circuitos
los transistores suelen conectarse en configuración de fuente de corriente constante y
entonces presentan al amplificador una resistencia de carga de valor muy elevado (la
resistencia de salida de la fuente de corriente). Por lo tanto, los amplificadores que
utilizan cargas activas pueden alcanzar ganancias más altas que los que utilizan

57
cargas resistivas, lo que repercute en mejoras para los amplificadores de múltiples
transistores.

En la Figura 30 podemos observar un amplificador diferencial con carga

activa en su forma más sencilla. Los transistores Q1 y Q2 forman un par diferencial

polarizado con corriente constante I O . El circuito de carga consta de los transistores

Q3 y Q4 conectados en una configuración de espejo de corriente. La salida se toma

asimétrica del colector de Q2

Para el análisis de corriente directa, que es el caso cuando no se aplica señal

de voltaje en la entrada, es decir, ambas entradas están conectadas a tierra. La
corriente I O se divide en partes iguales entre los transistores Q1 y Q2 , que es la

IO
misma corriente que circula por el espejo, esto es, I C1  I C 3  de la misma forma
2
IO
tenemos I C 2  I C 4  , sin embargo, debe notarse que el voltaje de CD del nodo de
2
salida viene determinado por la etapa siguiente.

Figura 30 Amplificador diferencial con carga activa.

Ahora se procederá al análisis en modo diferencial de dicho amplificador, el

58
cual es alimentado con una fuente de voltaje de señal de valor Vd , que es equivalente

a tener dos fuentes de valor Vd 2 tal como se muestra en la Figura 30, en los
colectores de ambos transistores del diferencial las señales de corrientes son:
iC1  g mV 1 e iC 2  g mV 2 , por simple inspección del circuito notamos que V 1  Vd 2

y V 2  Vd 2 quedando entonces las corrientes iC1  g m Vd 2  e iC 2   g m Vd 2  ,

el espejo de corriente reproduce la corriente de referencia g m Vd 2  en el colector de

Q4 . Entonces, en el nodo de salida tenemos dos señales de corriente que se suman

para producir una señal total de corriente de g mVd . En la Figura 31 se puede

observar el amplificador con carga activa con las corrientes de señal marcadas y su
respectiva polaridad.

Figura 31 Amplificador diferencial con carga activa mostrando las corrientes de señal

La señal de voltaje en la salida del amplificador viene determinada por la

señal total de corriente ( g mVd ) y el total de resistencia entre el terminal de salida y

tierra, RO ; esto es,

VO  g mVd RO

59
 Donde la resistencia de salida RO es el equivalente del paralelo de la

resistencia de salida del transistor Q2 y la resistencia de salida del transistor Q4 ,

como Q2 esta operando como emisor común la resistencia de salida es rO 2 . Q4 es el

transistor de salida de un espejo de corriente el cual por análisis previos sabemos que

tiene una resistencia de salida igual a rO 4 . Entonces

RO  rO 2 rO 4

Para el caso en que los transistores estén fabricados de forma idéntica, sus
resistencias de salida son iguales, es decir, rO 2  rO 4  rO , entonces:

rO
RO 
2

y el voltaje de señal de salida será

rO
VO  g mVd
2

que lleva a una ganancia de voltaje de

VO g m rO

Vd 2

Para valores típicos esta ganancia puede llegar a ser de un valor de 2000.

En algunos casos la resistencia de entrada de la etapa subsiguiente es del

mismo orden de RO y por lo tanto debe ser tomada en cuenta cuando se vaya a

determinar la ganancia de voltaje total.

CONFIGURACIONES ESPECIALES.
AMPLIFICADOR DARLINGTON.

Es una configuración de dos transistores conectados en cascada como se pude

60
ver en la Figura 33 ahí podemos observar la configuración Darlington, inicialmente
procedemos a determinar relaciones entre los parámetros de ambos transistores.

Recordando las relaciones entre las corrientes de un transistor tenemos:


IC  IE
 1 ; IC   I B

 1
IE 
 C ; I E     1 I B
I

IE IC
IB  IB 
 1 ; 

Figura 32 Configuración darlington

Para el Darlington tenemos:

I E1
I B1 
 1 ; I E1  I B 2

IB2
I B1 
 1

   IC 2
I C1  I E1  IB2 
 1  1  1 

IC 2
I C1 
 1

IC 2  IE2
I E1  I B 2  
  1 

61
 IE2
I E1 
 1

I C1 IC 2
g m1  
VT    1 VT

gm2
g m1 
 1

VT V V
r 1     T     1  T
I C1 IC 2 IC 2
 1

r 1     1 r 2

IB2
V 1  I B1  r 1      1 r 2
 1

V 1  V 2

En la siguiente figura se presenta un Darlington usado como amplificador en

emisor común con capacitor de desvío en la resistencia de emisor.

Figura 33 Par Darlington conectado en emisor común.

Con las relaciones entre los parámetros del darlington, se procede a realizar el

62
análisis de pequeña señal del amplificador de la Figura 33. En la Figura 34 tenemos
el modelo de pequeña señal del Darlington en emisor común, a partir de dicho
modelo se obtiene las ecuaciones que rigen su comportamiento en pequeña señal para
determinar la ganancia de voltaje.

Figura 34 Modelo en pequeña señal del Darlington en emisor común.

VO    g m1V 1  g m 2V 2  RC RL

 g 
VO    m 2 V 2  g m 2V 2  RC RL
  1 

  2
VO   g m 2V 2   RC RL
  1 

R1 R2  r 1     1 r 2 
V 1  V 2  VS
R1 R2  r 1     1 r 2   RS

R1 R2    1 r 2     1 r 2 
V 2  V 2  VS
R1 R2    1 r 2     1 r 2   RS

R1 R2 2    1 r 2
2V 2  VS
R1 R2 2    1 r 2  RS

V R1 R2 2    1 r 2    2 
VO   g m 2  S 
    1  C L
R R
 2 R1 R2 2    1 r 2  RS
 

63
 VO g R R R1 R2 2    1 r 2   2
  m2 C L
VS 2 R1 R2 2    1 r 2  RS   1

Existe una modificación para la conexión del Darlington, la cual es mostrada

en la Figura 35. Para el análisis de dicho circuito se procede de igual forma que para
el circuito original, entonces procedemos a dibujar el modelo de pequeña señal, el
cual es mostrado en la Figura 36.

Figura 35 Darlington modificado

Figura 36 Modelo en pequeña señal del Darlington modificado.

VO   g m 2V 2 RC RL

R1 R2  r 1     1 r 2 
V 1  V 2  VS
R1 R2  r 1     1 r 2   RS

64
 R1 R2    1 r 2     1 r 2 
V 2  V 2  VS
R1 R2    1 r 2     1 r 2   RS

R1 R2 2    1 r 2
2V 2  VS
R1 R2 2    1 r 2  RS

V R1 R2 2    1 r 2 
VO   g m 2  S  RC RL
 2 R1 R2 2    1 r 2  RS 
 

VO g R R R1 R2 2    1 r 2
  m2 C L
VS 2 R1 R2 2    1 r 2  RS

El Darlington además puede ser conectado en cualquiera de las otras

configuraciones de amplificador, base común y colector común.

AMPLIFICADOR CASCODE.

En la Figura 37 se muestra un amplificador de dos etapas en cascada, la

primera etapa consta de un transistor conectado en emisor común y la segunda etapa
de un base común, la primera etapa sirve de polarización a la segunda, es decir, la
corriente de colector de la primera etapa es la misma corriente de emisor de la
segunda.

Primeramente procedemos al análisis DC del amplificador.

65
 Figura 37 Amplificador cascode

Asumimos que las corrientes de base de ambos transistores son muy pequeñas

con relación a la corriente que circula por las resistencias R1 , R2 y R3 , por lo tanto,
es válido entonces calcular los voltajes en las bases de los transistores utilizando
divisores de voltaje.

R3
VB1  VCC
R1  R2  R3

R2  R3
VB 2  VCC
R1  R2  R3

VE1 VB1  VBE1

I E1  
RE RE

Como I B1  0  I B 2  0

Entonces

I E1  I C 1  I E 2  I C 2

VC1  VE 2  VB 2  VBE 2

66
 VE1  VB1  VBE1

VC 2  VCC  I C 2 RC

Una vez determinado el punto de operación de ambos transistores se procede

al análisis de pequeña señal del amplificador, en la siguiente figura observamos el
modelo circuital de pequeña señal para el amplificador cascode.

Figura 38 Modelo de pequeña señal del amplificador cascode

Con el modelo del amplificador determinamos la ganancia del circuito.

VO  g m 2V 2 RC RL

Como las corrientes de ambos transistores son iguales entonces los g m y los
r de ambos transistores también son iguales.

Encontrando una relación entre V 1 y V 2 tenemos:

V 2
g m1V 1   g m 2V 2  0
r 2

V 2
1  g m 2 r 2    g m1V 1
r 2

V 2    1   g m1r 2V 1

V 2    1   V 1


V 2   V 1
   1
Haciendo un recorrido de la malla de entrada tenemos lo siguiente:

67
 R2 R3
V 1  VS
R2 R3  RS

Luego,

 R2 R3
V 2   VS
   1 R2 R3  RS

Sustituyendo en la ecuación de salida obtenemos:

  R2 R3 
VO  g m 2   VS  RC RL
    1 R2 R3  RS 

VO  R2 R3
  g m 2 RC RL
VS    1 R2 R3  RS

Asumiendo  1 entonces:

VO R2 R3
  g m 2 RC RL
VS R2 R3  RS

68
EJERCICIOS RESUELTOS.
A continuación se presentan una serie de ejercicios resueltos tratando de
abarcar todas las configuraciones analizadas en este material.

EJERCICIO 1. DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA

Diseñe un amplificador adecuado para la fabricación en circuito integrado, es

decir, sin condensadores ni conexiones a tierra, que tenga la misma topología en
pequeña señal que el amplificador de la Figura 39. Suponga que también esta
disponible una fuente de alimentación de VEE  15V . El amplificador deberá tener
una ganancia de aproximadamente 75. Determine la máxima excursión simétrica en
la fuente de entrada y la máxima excursión simétrica en la salida. Nota: Para el
transistor de este ejercicio, utilice los parámetros dados por el fabricante en la hoja de
datos adjunta.

Figura 39 Amplificador del ejercicio 1

69
 Solución:

Muchas configuraciones pueden dar solución al problema, aquí se presenta

una forma de resolverlo, al circuito original se le hicieron algunas modificaciones,
que lo hacen más eficiente para una posible construcción en circuito integrado por la
ausencia de capacitores y conexiones a tierra.

En la primera etapa se elimina la red de polarización, lo que asegura 0V DC

en la base del primer transistor, en la segunda etapa se usará una derivación activa lo
que asegura buena ganancia. Seguidamente se usará un desplazador de nivel con
diodo Zener para asegurar 0 voltios en la salida y de esta manera maximizar la
excursión de salida del amplificador.

En la Figura 40 se muestra el circuito modificado a fin de cumplir con las

especificaciones del enunciado del ejercicio 1.

Figura 40 Amplificador modificado del ejercicio 1

Los parámetros de los transistores deben ser tomados de la hoja de datos del
dispositivo, para mayor facilidad, en el diseño usaremos la misma corriente de
polarización para cada transistor I c  I E  1mA , entonces con este valor de corriente

nos vamos a la hoja de datos del fabricante y tomamos los distintos parámetros

70
necesarios para el desarrollo del problema.

A continuación se presenta una serie de gráficas tomadas de forma idéntica

como aparecen en la hoja de datos del fabricante donde se observarán los valores de
distintos de los parámetros usados para modelar un transistor.

Gráfica 1 Ganancia de Corriente en directo Vs. Corriente de colector

Gráfica 2 Ganancia de Corriente AC Vs. Corriente de Colector.

71
Gráfica 3 Voltaje base=emisor de encendido Vs. Corriente de colector.

Gráfica 4 Impedancia de entrada Vs. Corriente de Colector.

72
 Gráfica 5 Admitancia de salida Vs. Corriente de colector.

En las gráficas mostradas arriba todos los parámetros son presentados en

función de la corriente de colector, la Gráfica 1 muestra la ganancia de corriente en
directo  hFE o  DC  , la Gráfica 2 la ganancia de corriente AC   AC  , en tanto que la

Gráfica 3 muestra el voltaje de encendido de la unión base-emisor VBEon  , en la

Gráfica 4 se puede ver la impedancia de entrada del transistor  hie o r  , por último

se observa en la Gráfica 5 la admitancia de salida del transistor  h oe  , parámetro con

el cual se calcula la resistencia de salida del transistor.

Observando las gráficas tenemos los siguientes datos:

 DC  230 ;  AC  130 ; VBE  0, 67V ; hie  3, 6 K  y hoe  8, 6  por

1
cálculo obtenemos ro   116,3K 
hoe

Ahora empezamos por la primera etapa,

VB1  0V

VE1  VB1  VBE  0  0, 67V  0, 67V

73
 VE1  VEE 0, 67V  15V
RE1    14,33K 
IE 1mA

Para obtener ganancia en la primera etapa la resistencia de colector debe ser

más grande que la de emisor lo que provocaría un voltaje negativo en el colector
llevando el transistor 1 a saturación.

Es por esto que el valor de RE1 se elije de manera arbitraria.

RE1  3,3K 

Entonces el voltaje del diodo zener 1 queda determinado por la siguiente

ecuación.

VD1  VEE  VBE  VRE1  15V  0, 67V  3,3K   1mA  11, 03V

De manera arbitraria se elije

VC1  8,8V , entonces

VCC  VC1 15V  8,8V

RC1    6, 2 K 
1mA 1mA

VE 2  VC1  VBE  8,8V  0, 67V  8,13V

VE 2  VEE 8,13V  15V

RE 2    11,565K 
I 2mA

I
IE2  IE4   1mA
2

En la base 4 debe haber un voltaje DC igual que en la base 2, entonces se

coloca un diodo zener con un valor de:

VD 2  VB 2  VEE  8,8V  15V  23,8V

Como se utilizará un desplazador de nivel entre la segunda y tercera etapa, el

nivel de voltaje en el colector del transistor 2 no es de mucha importancia, y elijo la
resistencia de acuerdo a la ganancia, esta ganancia debe ser grande, ya que el factor

74
de carga entre la primera y segunda etapa es pequeño, por lo tanto se elige para una
ganancia de -75.

g m RC 150 h 3, 6 K 
75    RC 2   150  ie  150   4,154 K 
2 gm  130

VC 2  VCC  RC 2  I C 2  15V  4,154 K   1mA  10,846V

El valor del diodo zener del desplazador de nivel que asegure 0V en la salida
es:

VD 3  VC 2  VBE  10,846V  0, 67V  10,176V

VE 3  VEE 0  15
RE 3    15K 
IE3 1mA

Las resistencias de polarización de los diodos se calculan de manera tal que

circulen por los diodos I DS  50 A .

VEE  VB 4 15V  8,8V

RZ 2    124 K 
I DS 50  A

VB 3  VEE 0, 67V  15V

RZ 3    313, 4 K 
I DS 50 A

Ahora se calculará la ganancia total para ver si se cumple con la ganancia

exigida.

ATotal  FC1  A1  FC 2  A2  FC 3  A3

Rin1  r 1     1 RE1  435,9 K 

Rout1  RC1 ro1  6, 2 K  116,3K   5,89 K 

 r 
Rin 2  r 2     1  RE 2  4   7,19k 
   1

Rout 2  RC 2  4,154 K 

75
 Rin 3  RZ 3  r 3     1 RE 3   270, 4 K 

Rin1
FC1   0,9998
Rin1  RS

Rin 2
FC 2   0,5497
Rin 2  Rout1

Rin3
FC 3   0,9849
Rin3  Rout 2

RC1 6, 2 K 
A1     1,8787
RE1 3,3K 

g m RC 2
A2    75
2

A3 
   1 RE 3
r 3     1 RE 3

A3 
130  115K   0,9982
3, 6 K   130  115 K 

ATotal  76,13V
V

Lo cual es un resultado bastante aceptable tratándose de un diseño, con lo cual

que determinado el cumplimiento del objetivo del ejercicio, ahora continuando con el
trabajo debido se debe calcular la máxima excursión simétrica de la fuente de voltaje
de la entrada y del voltaje de salida del amplificador.

Primero que nada se debe tener a mano todos los voltajes de CD de cada
Terminal de los transistores y las variaciones de señal entre cada etapa.

En la siguiente tabla se muestran los valores de los voltajes de corriente

directa en cada uno de los terminales de los transistores del amplificador objeto de
estudio.

76
 Tabla 3 Voltajes DC de cada terminal de los transistores.

Transistor 1 Transistor 2 Transistor 3 Transistor 4

VB1  0V VB 2  8,8V VB 3  0, 67V VB 4  8,8V

VE1  0, 67V VE 2  8,13V VE 3  0V VE 4  8,13V

VC1  8,8V VC 2  10,846V VC 3  15V VC 4  15V

VB1 VC1 VC 2 VC 3

 0,9998  1, 033  73,868  0,9982
VS VB1 VB 2 VB 3

Iniciamos con el semiciclo positivo de la fuente de entrada VS  0 .

Figura 41 Amplificador con las tendencias de voltaje de señal para VS  0

Observando la Figura 41 en la cual se muestran las tendencias del voltaje de

señal en cada transistor vemos que los transistores presentan las siguientes
posibilidades:

77
 Q1  Saturación

Q2  Corte

Q3  Saturación

Partiendo en el análisis que Q2 es el limitante por tener mayor ganancia

tenemos:

Analizando el corte por el colector

VC 2  VCC  VC 2  15V  10,846V  VC 2  4,154V  VB 3  VE 3

VC 2 4,154
VB 2    56, 24mV  VC1
73,868 73,8678

VC1 56, 24mV

VB1    54, 44mV
1, 033 1, 033

Comprobando Q1

Limite de saturación

VCi 1  VBi1

VC1  VC1  VB1  VB1

56, 24mV  8,8V  54, 44mV  0V

8, 7438V  54, 44mV Por lo tanto Q1 esta activo.

Comprobando Q3

Limite de saturación

VCi 3  VBi 3

VC 3  VC 3  VB 3  VB 3

0V  15V  4,154V  0, 67V

78
 15V  4,824V Por lo tanto Q3 esta activo.

Entonces

VB1 54, 44mV

VS    55, 45mV
0,9998 0,9998

V0  VC 3  4,154V

Continuando con el cálculo de la excursión podemos observar en la Figura 42

las tendencias de los voltajes de señal para el semiciclo negativo de la señal de
entrada. VS  0 .

Figura 42 Amplificador con las tendencias de voltaje de señal para VS  0

Observando la disposición de las flechas podemos decir que:

Q1  Corte

Q2  Saturación

Q3  Corte

Partiendo en el Análisis que Q2 es el limitante por tener mayor ganancia

79
tenemos:

VCi 2  VBi 2

VC 2  VC 2  VB 2  VB 2

73,868  VB 2  10,846V  VB 2  8,8V

74,868  VB 2  10,846V  8,8V

2, 0468V
VB 2   27,34mV  VC1
74,868

VC 2  73,868  VB 2  73,868  27,34mV  2, 02V  VB 3

VC1 27,34mV
VB1    26, 47mV  VE1
1, 033 1, 033

Comprobando Q1

Corte por el colector

VCi 1  VC1  VC1

VCi 1  27, 34mV  8,8V  8,827V Activo

Corte por el emisor

VEi 1  VE1  VE1

VEi 1  26, 47 mV  0, 67V  696, 47 mV Activo

Comprobando Q3

Corte por el emisor

VEi 3  VE 3  VE 3

VEi 3  2, 02V  0V  2, 02V Activo

Entonces

80
 VB1 26, 47mV
VS    27, 48mV
0,9998 0,9998

Vo  VE 3  2, 02V

La máxima excursión de la fuente de voltaje de entrada es

26, 48mV  VS  55, 45mV

La máxima excursión de la fuente de voltaje de entrada es

2, 02V  Vo  4,154V

La máxima excursión simétrica de la fuente de voltaje de entrada es

VS  26, 48mV

La máxima excursión simétrica del voltaje de salida es:

Vo  2, 02V

EJERCICIO 2. ANÁLISIS DE AMPLIFICADOR MULTIETAPA CON ENTRADA

DIFERENCIAL.

Para el circuito de la Figura 43 determine la ganancia en modo diferencial, en

modo común y la relación de rechazo en modo común (RRMC). Para el BJT se tiene
  120 y ro  100 K  ; para el JFET se tiene I DSS  6mA y VTR  2,5V , además
2
 V  I  V 
recuerde que I D  I DSS 1  GS  y g m   DSS  1  GS .
 VTR  VTR 2  VTR 

81
 Figura 43 Amplificador multietapa con entrada diferencial.

Solución:

Procedemos a calcular de manera inicial los voltajes y corrientes de

polarización.

Inicialmente calcularemos la corriente de salida de la fuente de corriente

formada por los transistores Q3 y Q4 .

IC 4   I B 4

IB4  IE3  I2

I E 3     1 I B 3

I B 3  I1  I C 4

I E 3     1 I1  I C 4 

I B 4     1 I1  I C 4   I 2

82
 I C 4      1 I1  I C 4   I 2 

I C 4      1 I1      1 I C 4   I 2

I C 4      1  1      1 I1   I 2

    1 I1   I 2
IC 4 
    1  1

Evaluando para las corrientes I1 e I 2 tenemos:

VCC  VEE  2VBE

I1   461, 29  A
RREF

VBE 4
I2   2mA
RE 3

120  120  1  461.29  A  120  2mA

IC 4   444.73 A
120  120  1

I B 3  461.29 A  444.73 A  16.56  A

I C 3    I B 3  120  16.56  A  1.99mA  2mA

Luego la corriente de colector de cada transistor del amplificador diferencial

es de 1mA.

Despreciamos la corriente que circula por la resistencia de 1MΩ y calculamos

el voltaje compuerta – fuente del JFET.

VC1  Vcc  I C1  RC1  15V  1mA 12 K   3V

Procedemos a aplicar LVK en la malla compuerta – fuente, la unión base –

emisor y el resistor RE5.

VC1  VG  VGS  VBE 5  I E 5 RE 5

I E 5     1 I B 5     1 I D

83
 2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VTR 
2
 V 
IE5  I DSS    1 1  GS 
 VTR 
2
 V 
VG  VGS  VBE  I DSS    1 1  GS  RE 5
 VTR 

Por calculadora se obtuvo: un valor de -2 para VGS.

2 2
 V   2 
I D  I DSS 1  GS   6mA 1    240  A  I B 5
 VTR   2.5 

I E 5     1 I B 5  120  1  240 A  29mA

Una vez que tenemos todas las corrientes de polarización, procedemos a

calcular:

I C1 1mA
g m1  g m 2    40mS
VT 25mV

IC 3 2mA
g m3    80mS
VT 25mV

I C 4 444.73 A
gm4    17.79mS
VT 25mV

I DSS  VGS  2  6mA  2V 

g mF    1   1    960 S
VTR 2  VTR  2.5V  2.5V 

I C 5 29mA
g m5    1.16S
VT 25mV

VT 25mV
r 1  r 2    120   3K 
I C1 1mA

84
 VT 25mV
r 3    120   1.5K 
IC 3 2mA

VT 25mV
r 4    120   6.75K 
IC 4 444.73 A

VT 25mV
r 5    120   103.45
IC 5 29mA

Ahora determinamos la ganancia de voltaje en modo diferencial.

g m1 RC1 40mS  12 K 
AV 1     240
2 2

La ganancia de la segunda etapa viene dada por el análisis del modelo de

pequeña señal mostrado en la Figura 44.

Figura 44 Modelo de pequeña señal de la segunda etapa del ejercicio 2.

Del circuito de la figura podemos deducir:

Vo    g mF VGS   ib 5  RC 5

ib5  g mF VGS

Vo      1 ib 5 RC 5

Vi 2  VGS  ib 5 r 5     1 ib 5 RE 5

85
 ib 5
Vi 2   ib5 r 5     1 ib 5 RE 5
g mF

 1 
Vi 2  ib 5   r 5     1 RE 5 
 g mF 

Vo g mF    1 RC 5

Vi 2 1  g mF  r 5     1 RE 5 

AV 2  0.63

Ahora se determinan el factor de carga de la entrada y el de la primera y

segunda etapa, determinamos las resistencias de entrada y salida de cada etapa por
separado.

Rin1  2r 1  6 K 

Rout1  RC1  12 K 

Rin 2  1M 

Rout 2  RC 5  100

Rin1 6K 
FC1    0.97
Rin1  Rg1  Rg 2 6 K   200

Rin 2 1M 
FC 2    0.99
Rin 2  Rout1 1M   12 K 

AVd  FC1  AV 1  FC 2  AV 2  143.92

La ganancia en modo común viene dada por la siguiente expresión:

 RC1
AC1  
r 1  Rg  2    1 rn

Ahora para determinar la ganancia en modo común, procedemos a determinar

la resistencia de salida en pequeña señal de la fuente de corriente.

86
 Figura 45 Modelo de pequeña señal de la fuente de corriente.

Del modelo en pequeña señal observado en la Figura 45 podemos deducir:

V 4   ib3  ix  RP 2

V 3  V 4
ib 3   g m 4V 4 
RP

V 3  ib 3  r 3

ib3  r 3  V 4
ib3   g m 4V 4 
RP

 r   1 
ib 3 1   3   V 4  g m 4  
 RP   RP 

 1 
 gm4  
ib 3  V 4  RP 
 r 3 
1  
 RP 

 gm 4 RP  1
ib 3  V 4
 RP  r 3 

87
  1 
 gm4  
V 4  V 4  RP 
RP 2  ix RP 2
 r 3 
1  
 RP 

  g m 4 RP  1 
V 4 1  RP 2   ix RP 2
  RP  r 3  
 

RP 2  RP  r 3 
V 4  ix
RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2

RP 2  g m 4 RP  1
ib 3  ix
RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2

Vx  Vro 3  V 4

Vro3  iro3 ro 3

iro 3  ix  g m3V 3

iro 3  ix  g m 3ib 3 r 3

iro 3  ix   3 ib 3

Vro 3   ix  3ib3  ro 3

 RP 2  g m 4 RP  1 
Vro 3   ix   3 ix  ro 3
 RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2
 

 RP 2  g m 4 RP  1  RP 2  RP  r 3 
Vx   ix   3 ix  ro 3  ix
 RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2 RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2
 

Vx  RP 2  g m 4 RP  1  RP 2  RP  r 3 
 1  3  ro 3 
ix  RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2  RP  r 3   g m 4 RP  1 RP 2

Rn  10.23M 

88
 La ganancia en modo común queda entonces:

 RC1
AC1    581.85  106
r 1  Rg  2    1 rn

La RRMC es entonces:

FC1 AV 1
RRMC   399.17  103
AC1

En decibelios es:

RRMC  20  Log  399.17  103   112dB

EJERCICIO 3. AMPLIFICADOR CASCODE MIXTO.

Tomado del libro N. R. Malik Circuitos Electrónicos. Análisis, diseño y

simulación. Primera edición. Capítulo 7 problema 7.68 con modificación propia.
En el amplificador de la Figura 46 se tiene   200 , K  2 mA V 2 ,
R1  R2  10K  y VA  100V para ambos transistores. Considere ideal la fuente de
corriente de polarización.
Obtenga la ganancia de tensión y las resistencias de entrada y salida del
circuito.
Ahora conecte una resistencia de carga RL en la salida del circuito y
determine de nuevo la ganancia de tensión.

89
 Figura 46 Amplificador Cascode del ejercicio 3

Solución:

El circuito tal como se presenta consta de dos etapas conectadas en

configuración cascode, donde la primera etapa se basa en un BJT en configuración de
emisor común, que sirve de alimentación a la segunda etapa, la cual usa un MOSFET
incremental canal p en compuerta común, donde la fuente de corriente de
polarización se considera ideal, lo que me dice que su resistencia de salida es infinita,
 RN    .

A partir de los datos de polarización calcularemos los parámetros que

caracterizan los transistores.

Para el BJT

VT 200  25mV

r    5K 
IC 1mA

 200
g mB    40mS
r 5K 

90
 VA 100V
rOB    100 K 
I C 1mA

Para el MOSFET

g mF  2 kI D  2 2 mA V 2 1mA  2.83 mA V

VA 100V
rOF    100 K 
I D 1mA

En la Figura 47 vemos el modelo en pequeña señal del circuito.

Figura 47 Modelo de pequeña señal del amplificador cascode mixto.

Redibujando el modelo, intercambiando los signos del control y cambiando el

sentido de la corriente de la fuente dependiente g mFVgs , obtenemos el circuito de la

Figura 48.

Figura 48 Modelo redibujado del cascode mixto.

Haciendo uso de la ley de voltajes de kirchoff para obtener el voltaje de salida

VO , tenemos:

91
 VO  g mFVgs rOF  Vgs

VO  Vgs  g mF rOF  1

Como el circuito no tiene carga las corrientes de las fuentes dependientes

quedan atrapadas cada una a través de su resistencia de salida respectiva, por lo tanto,
el voltaje Vgs queda determinado por la siguiente expresión:

Vgs   g mBV rOB

Ahora sustituimos esta expresión en la del voltaje de salida:

VO   g mBV rOB  g mF rOF  1

Observando el circuito vemos que:

Vi  V

Entonces:

VO   g mBVi rOB  g mF rOF  1

Luego la ganancia del circuito viene dada por:

VO
  g mB rOB  g mF rOF  1
Vi

Evaluando la ganancia con los valores hallados previamente tenemos:

VO
 40mS 100 K   2.83mS 100 K   1  1.136  10 V
Vi V

Ahora para determinar la resistencia de salida del circuito colocamos una

fuente de voltaje de prueba v X que genera una corriente iX entre los terminales

vX
donde queremos hallar la resistencia equivalente y encontramos la relación .
iX

92
 Figura 49 Modelo visto desde el drenador del MOSFET para el cálculo de la
resistencia.

 
vx  g mFVgs  ix rOF  Vgs

Vgs  ix rOB

Combinando estas dos expresiones obtenemos la resistencia de salida del

circuito.

vx   g mF ix rOF  ix  rOF  ix rOB

vx  ix  g mF rOF rOB  rOB  rOF 

vx
RO   g mF rOF rOB  rOF  rOB
ix

Evaluando obtenemos el valor de la resistencia de salida.

RO  2.83mS 100 K  100 K   100 K   100 K   28.48M 

Ahora para determinar la ganancia del circuito con una carga  RL  10 K  

conectada, procedemos a usar el método de los factores de carga.

RL
AV   g mB rOB  g mF rOF  1 
RL  RO

10 K 
AV  1.13  106   398.46 V
10 K   28.48M  V

93
EJERCICIO 4. ESPEJO DE CORRIENTE WILSON.

Tomado del libro M. N. Horenstein. Microelectrónica: Circuitos y

Dispositivos. Segunda edición. Capitulo
En el espejo de corriente Wilson mostrado en la Figura 50, un cuarto transistor
es conectado, primero en paralelo con Q1 y luego en paralelo con Q2 . En cada caso,
encuentre una expresión para la relación I O I en términos de  . Simplifique su
REF

expresión tanto como sea posible para que puedas sacar algunas conclusiones acerca
de la sensibilidad del espejo de corriente Wilson modificado con respecto al valor de
.

Figura 50 Espejo de corriente Wilson. Ejercicio 4

Solución:

En la Figura 51 vemos la primera modificación del espejo de corriente, donde

colocamos el cuarto transistor en paralelo al primero.

94
 Figura 51 Espejo de corriente Wilson modificado 1

Observando el circuito y realizando su análisis circuital procedemos a

determinar la relación requerida.

I REF  I C 2  I B 3

 IC 3
I REF  IE2 
 1 

Como I C 3  I O tenemos:

 IO
I REF  IE2  (1)
 1 

I E 3  I B 2  I B1  I B 4  I C1  I C 4

1 1 1  
I E3  IE2  I E1  IE4  I E1  I
 1  1  1  1  1 E4

Por el efecto del espejo tenemos que

I E 2  I E1  I E 4

3  2
I E3  I
 1 E2

Luego

95
  1 3  2
IC 3  I
   1 E2

  3  2 
IO  IE2
   12

   12
I E 2  IO
  3  2 

Sustituyendo en la ecuación (1) tenemos:

I REF 

IO
   1 2  I O
 1   3  2  

I REF  I O
   1  IO
 3  2  

    1 1
I REF  I O   
  3  2    

    1  3  2
I REF  I O
  3  2 

 2    3  2
I REF  I O
3  2  2

 2  3  3
I REF  I O
2  2  3

IO 2  2  3

I REF  2  3  3

Realizando aproximaciones razonables, determinamos lo siguiente:

IO 2  2  3

I REF  2  3    1

Considerando que  1 entonces obtenemos:

96
 IO   2  3

I REF     3

IO

 2   3
I REF    3

Considerando que  3 tenemos:

IO
2
I REF

Para que esta aproximación sea correcta  debe ser igual o mayor que 60.

Prosiguiendo con el desarrollo del ejercicio mostramos en la el circuito

modificado con el transistor adicional colocado en paralelo al transistor Q2 .

Figura 52 Espejo de corriente Wilson modificado 2.

I REF  I C 4  I C 2  I B 3

2 I
I REF  IE2  C3
 1 

Como I C 3  I O tenemos:

2 I
I REF  I E 2  O (1)
 1 

I E 3  I B 2  I B1  I B 4  I C1

97
 1 1 1 
I E3  IE2  I E1  IE4  I
 1  1  1   1 E1

Por el efecto del espejo tenemos que

I E 2  I E1  I E 4

3 
IE3  I
 1 E2

Luego

 1 3 
IC 3  I
  1 E2

 3   
IO  IE2
   12

I E 2  IO
   12
 3   

Sustituyendo en la ecuación (1) tenemos:

I REF 
2
IO
   1 2  IO
 1  3    

2    1 IO
I REF  I O 
3    

 2    1 1 
I REF  I O   
  3     

2    1  3  
I REF  I O
 3   

2 2  2  3  
I REF  I O
3   2

2  2  3  3
I REF  I O
 2  3

98
 IO  2  3

I REF 2  2  3  3

Al igual que para la primera parte del ejercicio, realizamos aproximaciones

razonables y obtenemos lo siguiente:

IO  2  3

I REF 2  2  3    1

IO     3

I REF   2   3

IO

   3
I REF  2   3

IO 1

I REF 2

Para que esta aproximación sea correcta  debe ser igual o mayor que 60.

EJERCICIO 5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON ENTRADA EN MODO

COMÚN.

Tomado del libro M. N. Horenstein. Microelectrónica: Circuitos y

Dispositivos. Segunda edición. Capitulo
Uno de los compromisos disponibles en el diseño de un circuito amplificador
diferencial básico, como el mostrado en la Figura 53, radica entre el valor de la
ganancia de voltaje y el rango de voltaje de entrada en modo común.
a) Determine la corriente en los colectores de Q1 y Q2 correspondiente a una
señal de entrada diferencial de 5mV . Asuma que  toma un valor muy
elevado. Encuentre la ganancia diferencial en términos de I  RC .
b) Halle el valor permitido máximo para el voltaje de entrada en modo común de
tal forma que los transistores operen cómodamente en la región activa con
VCB  0V . Exprese el valor máximo hallado para el voltaje de entrada en modo
común en términos de VCC y de la ganancia diferencial. Posteriormente

99
demuestre que, para un valor de VCC dado, una mayor ganancia diferencial se
logra para un rango del voltaje de entrada en modo común más bajo.

Figura 53 Amplificador Diferencial con entrada común pura.

Solución:

I  iE 2  i E 2

I
iE1  vd

VT
1 e

I
iE 2  vd
VT
1 e

Como  es muy grande tenemos:

iC1  iE1

iC 2  iE 2

Para una entrada diferencial de Vd  5mV ;   1  VT  25mV

I
iC1   0,5498 I
5
1 e 25

I
iC 2  5
 0, 4502 I
1 e 25

100
 vod
  g m RC
vd

IC
gm 
VT

I
IC 
2

vod IR IRC
 C 
vd 2VT 2  25mV

vod
 20  I  RC
vd

Se tiene que:

VCB  0  VC  VB  VMC max

Luego

VMC max  VCC  I C RC

I C RC
Ad  
VT

AdVT
IC  
RC

Sustituyendo tenemos:

VMC max  VCC  Ad VT

Luego

VMC max  VCC

Ad 
VT

Observando esta fórmula vemos que si VMC max disminuye, la ganancia

diferencial se hace cada vez más grande (en valor absoluto)

101
EJERCICIO 6. GRAN SEÑAL DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Tomado del libro M. N. Horenstein. Microelectrónica: Circuitos y

Dispositivos. Segunda edición. Capitulo
Utilizando el análisis de gran señal del amplificador diferencial como punto
de partida, determine el rango de entrada vIDM, expresado en función del voltaje
térmico VT, por encima del cual el modelo lineal en pequeña señal predice con
precisión la ganancia diferencial del circuito de la Figura 28 dentro del 5%. Suponga
una condición de polarización bajo la cual IORC=0.8VCC. Repita el análisis para una
precisión del 20%.

Solución:

Partiendo de la ecuación del voltaje de salida del modela a gran señal

tenemos:

I O RC
Vout1  Vcc  VIDM
VT
1 e

Usando el modelo lineal que siempre hemos usado tenemos:

I R g R I R I R
Vout1  Vcc  O C  m C vIDM  Vout1  Vcc  O C  O C vIDM
2 2 2 4VT

Los dos primeros términos de la ecuación anterior corresponden al voltaje

cuando vIDM  0 , es decir el voltaje en DC, y el tercer término corresponde a la
aproximación de pequeña señal.

Para cumplir con lo requerido en el enunciado del ejercicio, debemos cumplir

la siguiente ecuación:

Vout1  Vout1  0.05  Vout1

Entonces tenemos:

I O RC I O RC I O RC I O RC
Vcc   Vcc   vIDM  0.05  Vcc  0.05 
VIDM
VT 2 4VT VIDM
VT
1 e 1 e

102
 Desarrollando algebraicamente la ecuación anterior obtenemos:

 1 0.05 1 1 
I O RC      v   0.05  Vcc
 1  e IDM VT 1  e IDM VT 2 4VT
V V IDM

 

0.95 1 1 Vcc
   vIDM  0.05 
VIDM
VT 2 4VT I O RC
1 e

Como dato del problema tenemos que

Vcc 1
  1.25
I O RC 0.8

Sustituyendo:

3.8 1
 2 v  0.25
VIDM
VT VT IDM
1 e

vIDM 3.8
  1.75
VT VIDM
VT
1 e

Resolviendo esta ecuación trascendental mediante el uso de calculadora

programable, encontramos el valor para:

vIDM  1.1034  VT

De la misma forma se procede para trabajar el problema para la precisión del

20%.

Vout1  Vout1  0.2  Vout1

Entonces tenemos:

I O RC I O RC I O RC I O RC
Vcc   Vcc   vIDM  0.2  Vcc  0.2 
VIDM
VT 2 4VT VIDM
VT
1 e 1 e

Desarrollando algebraicamente la ecuación anterior obtenemos:

103
  1 0.2 1 1 
I O RC      v   0.2  Vcc
 1  e IDM VT 1  e IDM VT 2 4VT
V V IDM

 

0.8 1 1 Vcc
   vIDM  0.2 
VIDM
VT 2 4VT I O RC
1 e

Vcc 1
  1.25
I O RC 0.8

Sustituyendo:

3.2 1
 2 v 1
VIDM
VT VT IDM
1 e

vIDM 3.2
 1
VT VIDM
VT
1 e

Resolviendo esta ecuación trascendental mediante el uso de calculadora

programable, encontramos el valor para:

vIDM  1.7098 VT

104