Exercice I
: 1-
Semiconducteurs intrinsèque
**
3 3ln ln(35)2 4 2 40.09 0.069 0.156
C V V C V F iC
E E m E E E E kT kT meV
2-
3/2*2
22
C C
m kT N
"#
3/2*2
22
V V
m kT N
3/2*3*
4.83 10
C C V V
N m N m
Exercice II
Semiconducteurs intrinsèques, A et B :
A A iA B B iB
n p nn p n
)2 2(822 2
2.25 10
gA gAgA gBgB gB
E E E E kT kT CA VAiA A kT E E B iBkT kT CB VB
N N enn ee p n N N e e
Exercice III
Considérons un échantillon de silicium de type n de longueur 0.1
m dans lequel le dopage varie de façon exponentielle de 5
10
17
cm
-3
à 5
10
15
cm
-3
. 5-
Rappeler la relation d’Einstein.
nn
D kT q
6-
Donner l’expression du coura
nt des porteurs majoritaires
, ,
( )
n n deriv n Dif n n
dn x J J J q nE qDdx
7-
En déduire l’expression du
champ électrique à l'équilibre.
( )0
n n
dn xq nE qDdx
( )
n n
dn xnE Ddx
Correction
exercices corrig
é
s semi conducteur pdfwww.etusup.org
1 ( )( )
kT dn x E q n x dx
8-
En considère que la densité des dopages suit la relation suivante :
( ) (0)
x D D
N x N e
. Calculer la valeur de l et puis celle du champ électrique à l'équilibre.
15 317 3
( 1 ) 5 10(0) 5 10
D D
N x m cm N cm
1517
(1 ) 5 100.0217(0) 5 10
x D D
N me m N
4
11.2 10 /
kT E V cmq
Exercice IV
Par application d'une contrainte mécanique sur silicium la bande des trous légers est soulevée par rapport à la bande trous lourds jusqu'à. Supposons que: m
hh
* = 0.49 m
o
et m
lh
* = 0.16 m
o
E
g
=E
C
- E
V
,
nouv
, =1,12 -0.05=1.07 eV
$%$&'%'(")$%'* ")++,+
-
.
-
)
1-
( )/
F v
E E kT V
p N e
/
3/2*2
22
V V
m kT N
3 3 3( )/* * *2 2 2( ( 0.05))/ 0.05/( ( 0.05))/* * *
F V F V F V F V
E E kT E E E E kT kT lh lh lh lh E E kT hh hh hh hh
p m m mee e p m e m m
1.3
lhhh
p p
2-
3/2*( )/2
22
F V
E E kT V
m kT p e
lh hh
p p p
3/2 3/2* *( )/ ( ( 0.05))/2 2
2 22 2
F V F V
E E kT E E kT lh hh
m kT m kT p e e
3/2( )/* 3/2 * 3/2 0.05/2
22
F V
E E kT kT lh hh
kT p m m e e
2/3* * 3/2 * 3/2 0.05/0
0.235
kT V lh hh
m m m e m
3-
Quelle est la concentration des porteurs intrinsèque résultante?
Exercice V
On considère un semiconducteur de Silicium de densité intrinsèque n
i
=1.5x10
10
cm
-3
à la température T=300K. 1-
Nommez trois façons différentes d’amener un électron de la bande de valence à
la
bande de conduction (de lui fournir de l’énergie).
(3 points)
En augmentant la temperature (regardez la distribution fermi-dirac) Avec la lumiere (photodiode) Avec un gros champ (pensez aux diodes zener)
2-
Expliquez la différence entre recombinaison Auger et recombinaison directe radiative.
3-
Comment change E
i
si on dope du silicium pur avec 1.5x10
12
atomes de phosphore?
Ne change pas. E
i
reste toujours au
milieu
(i est pour intrinsèque)
4-
En équilibre les courants de diffusion et de drift sont tous deux présents. En appliquant une tension EXTERNE (V+ au cote P et V- du cote N), lequel de ces courants est-ce
qu’on favorise?
En appliquant une tension, on attenue l’effet de V
B
pour favoriser la diffusion.