UNIVERSITATEA DIN CRAIOVA FACULTATEA DE INGINERIE ÎN ELECTROMECANICĂ MEDIU ȘI INFORMATICĂ INDUSTRIALĂ

PROIECT CONVERTOARE STATICE II
PROFESOR ÎNDRUMĂTOR: LINCĂ MIHĂIȚĂ

STUDENT: PAPA ADRIANA COSMINA

1

1. Schema de principiu a redresorului trifazat 1.1. Pierderile in tiristoare 2. Protectia la supratensiuni de comutatie 3. Protectia la supratensiuni externe 3. Verificarea la incalzire in regim tranzitoriu CAPITOLUL III.1.2.2.1.1.3. Forme de unda 1. Alegerea sigurantelor ultrarapide 3.3.3.3.Cuprins CAPITOLUL I.3. Marimi caracteristice CAPITOLUL II.3.2. Protectia la scurtcircuit 3. Protectia elementelor semiconductoare de putere 3. Verificarea sigurantelor ultrarapide 2 .3.2. Alegerea si verificarea elementelor semiconductoare de putere 2. Notiuni teoretice 1.2. Verificarea la incalzire in regim stationar 2. Alegerea elementelor semiconductoare de putere 2. Verificarea elementelor semiconductoare la incalzire 2.

frecventa de aplicare asupra sarcinii 1  𝑡𝑠 = 4∗𝑓 . ∆I = 29 A.pulsatiile admise pentru curentul de sarcina .temperatura mediului ambiant .1 𝐻𝑧.5 𝑠. avand urmatoarele date nominale:  𝑈𝑁 = 500 – 10*i. .curentul de suprasarcina  𝑓𝑠 = 0.5 ∗ 𝐼𝑁 . .TEMA DE PROIECT Sa se proiecteze schema de forta a unui redresor tifazat in punte. 𝐼𝑁 = 360 𝐴. . 𝐼𝑀 = 540 𝐴. 𝜃𝐴 = 40° 𝐶. . 𝑠 . ∆U = 10%𝑈𝑁 . i = 21.pulsatiile admise pentru tensiunea de sarcina 3 .timpul de aplicare asupra sarcinii             𝐼0 = 5% 𝐼𝑁 . Prelucrarea datelor: 𝑈𝑁 = 290 𝑉. .curentul de mers in gol .curentul nominal  𝐼𝑀 = 1. ∆U = 36 V. ∆I = 10%𝐼𝑁 . 𝐼0 = 18 𝐴.tensiunea nominala  𝐼𝑁 = 150 + 10*i. 𝑡𝑠 = 2.

1 Schema de principiu Redresorul trifazat în punte care este cea mai utilizată schemă de redresare. de tiristoare. deoarece îmbină avantajele redresării unui număr mare de pulsuri (p=6). Schema de forţa a unui redresor trifazat în punte complet comandat 4 . relativ redus.1. Fig 1. cu cele ale folosirii unui număr.

Pentru succesiunea directă a sistemului trifazat de tensiuni din secundarul transformatorului. numit secundar.2 : Comanda unui tiristor 5 . În punctele comune ale tiristoarelor de pe fiecare fază se aplică sistemul trifazat de tensiune obţinută de la un transformator. Pentru amorsarea iniţială a schemei şi pentru pentru ca schema să poată funcţiona şi in regim de curent neîntrerupt.tiristoarele trebuie comandate in ordinea numerotării cu impulsuri defazate cu π/3 radiani.la π/3 după primul.fiecare tiristor mai primeşte un impuls de comandă. Rezultă aşadar că simultan se comandă două tiristoare câte unul pe fiecare parte Fig.

Valoarea efectiva a fundamentalei curentului: 𝐼21 = 280. tensiunii redresate si puterii transformatorului . Tensiunea medie redresata la mersul in gol: 𝑈𝑑0 = 343.1.01 𝑉 2. Valoarea maxima a tensiunii ce solicita tiristoarele.14 𝑉 3. Puterea aparenta pe fundamentala: 𝑆21 = 123 486 𝑊 7.92 𝑊 8.24 𝐾𝑉𝐴 6. Puterea activa in secundarul transformatorului: 𝑃𝑑 = 121 013. in stare blocata: 𝑈𝑏 = 359. Tensiunea medie redresata: 𝑈𝑑 = 336. Valoarea efectiva a curentului in secundarul transformatorului: 𝐼2 = 293.Marimi caracteristice Marimile ce caracterizeaza functionarea redresoarelor comandate si intervin în calculele de proiectare se referă la valori ale curentilor. Puterea aparenta in secundarul transformatorului: 𝑆2 = 129.24 𝑉 6 . 1.83 𝐴 5.3.93 𝐴 4.

se obtin prin insumarea mai multor componente: Pt = PR + PD + PT + PTT + PRQ + PSQ + PG Pentru tiristoarele rapide se determina grafic pierderile totale. iar pentru tiristoarele lente se determina grafic pierderile in conductie.1 ∙ PT. celelalte aproximandu-se la 10% din acestea.II.1 Pierderile in tiristoare Pierderile totale Pt care se degaja intr-un tiristor si contribuie la incalzirea acestuia. respectiv : Pt = 1. Alegerea si verificarea elementelor semiconductoare de putere 2. 7 .Cap.

tiristorul T 320 N 1000 Se alege 𝑘𝑠𝑖 = 2. in principiu pe baza soliciaărilor în tensiune şi curent.1 ≥ 𝑉𝑅𝑅𝑀 .2.1.5– coeficient de siguranta în curent 𝑘𝑠𝑢 =1. respectand urmatoarele relatii: Pentru a fi indeplinite conditiile se alege.5 𝑘𝑠𝑖 ∗ 𝐼𝑇𝐴𝑉 = 300 ≥ 𝐼𝑇𝐴𝑉𝑐𝑎𝑡 Se alege 𝑘𝑠𝑢 = 2.5 𝑘𝑠𝑢 ∗ 𝑈𝑏 = 898.1. alegerea se va face. în functie de tipul convertorului în care acesta va functiona.2 Alegerea elementelor semiconductoare de putere Dupa stabilirea tipului de element semiconductor.8 – 2. 𝑉𝐷𝑅𝑀 𝑘𝑠𝑖 =1. din catalog.5 – coeficient de siguranta în tensiune 8 .

Verificarea elementelor semiconductoare la incalzire Aceasta verificare are drept scop asigurarea ca in conditiile concrete de mediu si de ventilatie in care lucreaza elementul. este necesara verificarea la incalzire. In general.  Alegerea ansamblului de racire Se alege ansamblul de racire R150 – E50.3.corespunzator tipului capsulei tiristorului 9 . nu se depaseste valoarea maxima admisibila a temperaturii jonctiunii. atat in regim stationar. cat si in regim intermitent.2.

Verificarea in regim stationar Orice element semiconductor de putere se monteaza pe un radiator.rezistenta termica capsula .temperatura jonctiunii 𝑇𝐶 .rezistenta termica rediator – mediu ambiant Fig.1.radiator 𝑅𝑡ℎ𝐾−𝐴 .rezistenta termica jonctiune – capsula 𝑅𝑡ℎ𝐶−𝐾 .2.temperatura radiatorului 𝑇𝐴 .2 Schema termica echivalenta 10 .temperatura mediului ambiant 𝑅𝑡ℎ𝐽−𝐶 . schema termica echivalenta a ansamblului evidentiind marimile: 𝑇𝑗 .temperatura capsulei 𝑇𝐾 .3.

Temperatura jonctiunii. elementele semiconductoare pot fi parcurse de curent variabil situaţie în care temperatura joncţiunii se modifică continuu în jurul valorii medii. Verificarea in regim intermitent Datorită sarcinii.In regim stationar. atat in regim stationar. cat si in regim tranzitoriu trebuie sa respecte conditia: 𝑇𝑗 ≤ 𝑇𝑗 𝑎𝑑𝑚 = 125 11 . temperatura jonctiunii este data de relatia de mai jos: 2.2.3.

se montează un grup serie RC. iar pentru reducerea acestora.6 si 𝑑𝑢 panta maxima de variatie a tensiunii = 3.4). III.Cap. Protectia la supratensiuni de comutatie Supratensiunile de comutaţie apar în procesul de blocare. rezistenta optima 𝑟0 = 1.6 Protectia tiristoarelor la supratensiuni de comutatie • • se adopta pentru rezistenta o valoare normalizata: R = 28Ω. Protectia elementelor semiconductoare de putere 3.5 (se alege 𝑘𝑠 = 1. • se determina capacitatea c = 0. .3-1. 𝑑𝜏 Fig. se adopta pentru capacitate o valoare normalizata: C =0. in paralel cu tiristorul. Algoritm de dimensionare: • • se impune un coeficient de siguranţa 𝑘𝑠 =1.47𝜇𝐹.2.1.38. se calculeaza tensiunea maxima relativa: 𝑢 𝑇𝑀 = 2.

Algoritm de dimensionare: • Se adopta pentru capacitate o valoare standardizata: 𝐶1 = 10𝜇𝐹 . Protectia se realizeaza cu grupuri serie R1 – C1.3. Protectia la supratensiuni externe Convertoarele statice conectate la reteaua de curent alternativ trebuie protejate impotriva supratensiunilor esterioare. • Se adopta pentru rezistenta o valoare standardizata: 𝑅1 = 8. conectate in secundarul transformatorului.2. B 7106 – K4. de tipul Seite 272. de tipul E 192.56 Ω.7 Conectarea grupurilor de protectie R1 – C1 . Fig.

S. . Protectia la scurtcircuit Tiristoarele au capacitatea redusa de suprasarcină termică.3.5 Montarea sigurantelor in secundarul transformatorului de alimentare a unui C. Astfel. Alegerea acestora se face pe baza valorilor efective ale curentului si tensiunii. orice scurtcircuit trebuie întrerupt in mai puţin de 10 ms. şi de accea.3. trebuie satisfacute relatiile: 𝑈𝑁𝑆 ≈ 𝑈𝑒𝑓 𝑁 𝐼𝑁𝑆 ≈ 𝐼𝑒𝑓 𝑁 Fig. Acest lucru poate fi realizat de către siguranţele ultrarapide.

MULTUMESC PENTRU ATENTIE! 15 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful