Presentación por José Quiles Hoyo

Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Materiales semiconductores
Más
• Diferencias conductor –
semiconductor
• Semiconductores. Conducción
intrínseca y extrínseca
• Modelo de bandas de energía
• Ley de acción de masas
• Ley de la neutralidad eléctrica
• Corrientes de desplazamiento
• Corrientes de difusión
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Descubrimiento de los semiconductores y primeras aplicaciones
Programa de búsqueda para sustituir los conmutadores electromecánicos con otros
basados en semiconductores.
1936 Bell T. Laboratories
Propone una teoría de bandas del sólido y el concepto de impurezas donadoras y
aceptoras.
1931 A. Wilson
Concepto de hueco como quasi-partícula de carga positiva 1931 W. Heisenberg
Postula que la resistividad de los semiconductores depende de T 1903 J. Koenigsberg
Descubre que la corriente eléctrica en los metales es debida al movimiento de los
electrones
1901 V. E. Riecke
Descubrimiento del electrón
1897 J.J. Thomson
Primer diodo de vacío 1874 F. Braun
Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con T 1833 M. Faraday
Introduce la palabra “semiconductor” 1782 A. Volta
Primer fotodiodo basado en la unión p/n de silicio 1940
Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores 1939
Primera radio de transistor 1948
Invención del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley ) 1947
Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del
transistor.
1956
Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para
sordos)
1951
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Diferencias conductor – semiconductor
Influencia de la temperatura en la resistencia
10
8
(Om)
-1

Cu
o
T
Efecto Hall
Fotoresistencia
T
10
6
(Om)
-1

o
Ge
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
V
H

J
v
a

F
B
©
-V
H

J
v
a

F
B
En semiconductores: silicio dopado con galio
En conductores
Efecto Hall
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
luz
Frecuencia radiación
Energía de los fotones
F
o
t
o
c
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

d
e
l

G
e

Variación de la conductividad por iluminación
A
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura de un metal
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
~10
29
e
-
libres/m
3

Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura de un semiconductor
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Semiconductores. Conducción intrínseca
T = 0 K
A 300 K: 1e

cada 10
9

átomos, 10
19
e

/m
3
T > 0 K
r
E
Ge
Concentración de e
-
: (n)
Concentración de h : (p)
n = p
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Semiconductores. Conducción extrínseca
e

poco ligado
(0.03 -0.1 eV)

e

ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

Ga
Átomo donador P,As,Sb: (N
D
)
A
s
tipo N

E
Átomo aceptor B,Al,Ga,In: (N
A
)
tipo P
Portadores mayoritarios: n ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: p ~ 10
16
/m
3

Portadores mayoritarios: p ~ 10
22
/m
3
Portadores minoritarios: n ~ 10
16
/m
3

Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Donadores y aceptores para el silicio
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Donadores y aceptores para el germanio
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Estructura electrónica
Estados o niveles de
energía permitidos
E
N
E
R
G
Í
A

D
E
L

e
-

+
p
Hidrógeno
+6
6
Carbono: 1s
2
2s
2
2p
2
aislante
14
Silicio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
32
Germanio: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
semiconductores

50
Estaño: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
6
4d
10
5s
2
5p
2
conductor
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energía
X
3
X
2
X
1
Grafito Átomos aislados
Diamante
2s²
2p²
Niveles vacíos
Niveles ocupados
d
E
BANDA
PROHIBIDA
BANDA
DE
CONDUCCIÓN
BANDA
DE
VALENCIA
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energía (continuación)
BV
BC
E
g
= 10 eV
BV
BC
E
g
= 1 eV
BV
BC
Aislante Semiconductor Conductor
E
g
(Si) = 1,12 eV
E
g
(Ge) = 0,66 eV
T = 300 K
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
E
g
(Si) ~ 1,1 eV
E
g
(Ge) ~ 0,7 eV
E
g

E
T = 0 K
Banda de valencia
Banda prohibida
Banda de conducción
n = p = n
i

T > 0 K
Modelo de bandas de energía. Conducción
intrínseca
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energía. Conducción
extrínseca (tipo n)
0.01 eV
T > 0 K
Nivel donante
T = 0 K
E
Ión de
impureza
donante
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Modelo de bandas de energía. Conducción
extrínseca (tipo p)
Nivel aceptor
E
0,01 eV
T = 0 K T > 0 K
Ión de
impureza
aceptora
Huecos en la BV
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Ley de acción de masas
n
i
(Ge, 300 K) = 2,4·10
19
port./m
3

n
i
(Si, 300 K) = 1,5·10
16
port./m
3

n·p = n
i
2

kT 2
E
2
3
i
g
e AT ) t ( f n
÷
= =
n: número de electrones por unidad de volumen
p: número de huecos por unidad de volumen
n
i
: concentración intrínseca
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Ley de la neutralidad eléctrica
• N
A
+ n = N
D
+ p
• Intrínseco ÷ N
A
= N
D
= 0 ÷ p = n = n
i

• Tipo n ÷ N
A
= 0; n ~ N
D
÷
• Tipo p ÷ N
D
= 0; p ~ N
A
÷
D
2
i
N
n
p ~
A
2
i
N
n
n ~
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Concentraciones de portadores
N
A
+ n = p ; p >>>>> n; N
A
~ p
P
N
Iones de impureza aceptora INMÓVIL
Hueco dejado por electrón MÓVIL
Electrón térmico MÓVIL
Hueco térmico MÓVIL
N
D
+ p = n ; n >>>>> p; N
D
~ n
Iones de impureza dadora
INMÓVIL
Electrón liberado por dador MÓVIL
Electrón térmico MÓVIL
Hueco térmico MÓVIL
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
P
r
o
p
i
e
d
a
d
e
s

d
e
l

g
e
r
m
a
n
i
o

y

e
l

s
i
l
i
c
i
o

Ge Si
Número atómico 32 14
Masa atómica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atómico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrónica [Ar]4s
2
3d
10
4p
2
[Ne]3s
2
3p
2
Densidad kg/m
3
5323 2330
Temperatura de fusión 937,4 ºC 1410 ºC
Calor específico J/kg·ºC 309 677
Concentración atómica at/m
3
4,42·10
28
4,96·10
28
Concentración intrínseca (300 K) 2,36·10
19
m
-3
1,5·10
16
m
-3
Constante A m
-3
·K
-3/2
1,91·10
21
4,92·10
21
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m
2
/Vs 0,135 m
2
/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m
2
/Vs 0,05 m
2
/Vs
Resistividad intrínseca (300 K) 0,47 Om 2300 Om
Difusividad electrones 10,1·10
-3
m
2
/s 3,5·10
-3
m
2
/s
Difusividad huecos 4,9·10
-3
m
2
/s 1,3·10
-3
m
2
/s
Permitividad eléctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m
0
1,1 m
0
Masa efectiva huecos 0,37 m
0
0,59 m
0
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Conductividad de semiconductores
0
5
10
15
20
25
30
250 270 290 310 330 350 370
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

(
S
/
m
)
Ge
Semiconductor extrínseco
0
1
2
0 100 200 300 400 500
T (K)
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

(
S
/
m
)
Si puro
N
D
=5∙10
19
m
-3
N
D
=10
20
m
-3
A poca temperatura,
las impurezas se ionizan
rápidamente.
Los portadores procedentes de las
impurezas, ya ionizadas, no
aumentan sensiblemente.
A temperaturas altas, la
conducción intrínseca se
hace significativa.
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de desplazamiento
J = J
p
+ J
n
= q
e
(nµ
n
+ pµ
p
)E = oE
o = q
e
(nµ
n
+ pµ
p
)
E nq ) E )( q ( n v nq J
n e n e n n
r r
r
r
µ = µ ÷ ÷ = =
E pq v pq J
p e p p
r
r
r
µ = =
v
n
= -µ
n
E
r
r
J
n

r
J
p

r
v
p
= µ
p
E
r
r

E
ext

Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de desplazamiento en SC
Intrínsecos
p = n = n
i


o = q
e
(nµ
n
+ pµ
p
)

o = q
e
n
i

n
+ µ
p
)
p
p >> n
o ~ qpµ
p

n >> p
o ~ qnµ
n

n
Extrínsecos
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
C
o
r
r
i
e
n
t
e
s

d
e

d
i
f
u
s
i
ó
n

Ley de Fick
D
n
Difusividad de electrones (D
n
Si = 3,5·10
-3
m
2
/s)
D
p
Difusividad de huecos (D
p
Si = 1,31·10
-3
m
2
/s)
Vn = 0
r
J
dif
= -qDVn
Relación de Einstein:
T
p
p
n
n
V
q
kT
D
D
= =
µ
=
µ
k (Constante de Boltzmann) = 1,38·10
-23
JK
-1
V
T
(300 K) = 25,85 mV
÷
dx
n d
n
r
= V
Ley de Ohm
r
J = -oVV
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
Corrientes de difusión (continuación)
J
n

N
Vn
r
r
J
n
= q
e
D
n
Vn
P
J
p

Vp
r
J
p
= -q
e
D
p
Vp
r
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
p = p(x)
x
2
x
1

0 x
en circuito abierto ÷ J
dif
+ J
desp
= 0
p(x
2
) p(x
1
)
0 E q p
dx
p d
qD
p p
= µ + ÷
r
r
Relación de Einstein:
p T p p
V
q
kT
D µ = µ =
sigue
Variación de potencial en un semiconductor
con dopado no uniforme
r
E
Presentación por José Quiles Hoyo
Ing. JUAN TISZA CONTRERAS
dV Edx
p
dp
V
T
÷ = =
V
T
(300 K) = 25.85 mV
p ÷
2
1
T 1 2
p
p
ln V V - V =
T
1 2
V
V V
2 1
e p p
÷
=
n ÷
2
1
T 1 2
n
n
ln V V - V ÷ =
T
1 2
V
V V
2 1
e n n
÷
÷
=
Ejemplo: p
1
= 10
16
huecos/m
3
; p
2
= 10
22
huecos/m
3
Variación de potencial en un semiconductor con
dopado no uniforme (continuación)
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