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Universidad de Oviedo

Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
TEMA 2 Dispositivos semiconductores de potencia

Lección 3: Introducción
Lección 4: El diodo de potencia
Lección 6: El rectificador controlado de silicio (SCR)
Lección 5: Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.1 El transistor bipolar de potencia.
5.1.1 Estructura de un transistor bipolar de potencia.
5.1.2 Características estáticas del transistor bipolar.
5.1.3 Características dinámicas del transistor bipolar.
5.1.4 Dispositivos Darlington.
5.2 El transistor de efecto de campo de potencia.
5.2.1 Estructura de un MOSFET de potencia.
5.2.2 Características estáticas.
5.2.3 Características dinámicas.
5.2.4 Cálculo de pérdidas.
5.2.5 Circuitos de gobierno de puertas.
5.2.6 Encapsulado y datos de catálogo de fabricantes.
5.3 El transistor de potencia bipolar de puerta aislada (IGBT).
5.3.1 Estructura interna y circuito equivalente.
5.3.2 Características estáticas.
5.3.3 Características dinámicas.
5.3.4 Encapsuldos y datos de los fabricantes.
TEMA 2 Dispositivos semiconductores de potencia

Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.1 El transistor bipolar de potencia
i
B
i
C
i
E
Base de pequeño espesor → aumenta β
Base de pequeño espesor → menor tensión de ruptura
SÍMBOLO
DISEÑO: Especificar DOPADOS y ESPESORES (p.ej.: el espesor de la capa N
-
determina
la tensión de ruptura)
Lección 5: El transistor de potencia
u
CE
u
BE
i
B
i
C
i
E
BASE
EMISOR
COLECTOR
u
CE
u
BE
BASE
EMISOR
COLECTOR
Presentan varias bases y emisores entrelazados, para evitar la concentración de corriente.
montaje darlington
Estructura vertical → maximiza el área de conducción → minimiza res. óhmica y térmica
NPN
PNP
COLECTOR
BASE
EMISOR EM. EMISOR
COLECTOR
EMISOR BASE
COLECTOR
N
+
N
-
P

N
+
10µm
5-20µm
50-200µm
250µm
10
19
át/cm
2

10
14
át/cm
2

10
16
át/cm
2

Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
BV
SUS
: Máxima V
CE
sostenible con I
C
apreciable.
V
CE0
: u
CE
de ruptura con la base abierta (I
B
=0)
I
C
: Corriente máxima de colector
P
MAX
: máxima potencia capaz de ser disipada por el transistor.
Las zonas de avalancha deben evitarse.
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
i
b
=0
i
b1
i
b2
i
bMAX
i
c
u
ce
SATURACIÓN
CORTE
V
ce0
ZONA ACTIVA
P
MAX
I
c
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
COLECTOR
EMISOR BASE
N
+
N
-
P
N
+
• La corriente de base provoca caídas de tensión
interna en la zona de base que se suman a la
tensión externa entre emisor y colector.

• Esta tensión es mayor cuanto menor sea β

• La concentración de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que
desembocan en avalancha secundaria cuando
I
C
es grande. Para minimizar este fenómeno los
transistores de potencia tienen varias bases y
emisores entrelazados.
Avalancha secundaria
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
-
-
- - -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
• La corriente de base provoca caídas de tensión
interna en la zona de base que se suman a la
tensión externa entre emisor y colector.

• Esta tensión es mayor cuanto menor sea β

• La concentración de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que
desembocan en avalancha secundaria cuando
I
C
es grande. Para minimizar este fenómeno los
transistores de potencia tienen varias bases y
emisores entrelazados.
Avalancha secundaria
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
COLECTOR
EMISOR BASE
N
+
N
-
P
N
+
-
-
- -
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
- -
-
-
-
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
i
c
u
ce
V
ce0
P
MAX
I
cMAX-DC
S.O.A.R.
Zona de
avalancha
secundaria

continua
100us
1
0
0
u
s

Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.1 El transistor bipolar de potencia: SOAR
Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Circuitos equivalentes estáticos.
Para estimar la potencia disipada en el bipolar:
Circuito equivalente en saturación
u
ce
u
B
u
B
u
ce
i
c
i
c
+

V
CC
R
CARGA
SATURA-
CIÓN
CORTE
SATURA-
CIÓN
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
V
CC
u
B
V
BE
V
CE-SAT
V 7 , 0 V
BE
~
V 3 , 0 V
SAT CE
~
÷
B
B
C B BE C SAT CE SAT Est
R
7 , 0 V
· 7 , 0 I · 3 , 0 I · V I · V P
÷
+ = + ~
÷
R
CARGA
R
B
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
• En corte, las uniones PN de base-emisor y PN de base-colector están polarizadas
inversamente. Ambas deben de tener un ancho mínimo según la tensión de ruptura que se
desee.
• La base de los transistores de potencia es relativamente grande, y | es pequeña,
típicamente entre 5 y 20.
• Estáticamente, la potencia disipada en corte es prácticamente nula.
Circuito equivalente en corte
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
V
CC
u
B
V
CE
R
CARGA
R
B
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Encendido con carga resistiva.
• La gran cantidad de carga espacial necesita tiempo para ser creada y destruida. El paso de
corte a saturación, y viceversa, es lento. Cuanta menos carga espacial más rápida será la
conmutación pero también mayores serán las pérdidas estáticas.
• Con el fin de acelerar la conmutación y disminuir sus pérdidas, puede suministrarse una I
B

negativa para pasar de saturación a corte.
u
ce
u
B
u
B
u
ce
i
c
i
c
+

V
CC
R
CARGA
90%
t
dON
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
10%
t
rise
t
ON
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Apagado con carga resistiva.
u
ce
u
B
u
B
u
ce
i
c
i
c
+

V
CC
R
CARGA
90%
t
st
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
10%
t
fall
t
OFF
t
st
: Tiempo de almacenamiento: el proceso de conducción continúa a costa de los portadores
almacenados en la base.
Las pérdidas en conmutación en el apagado son MAYORES que las del encendido (debido al
tiempo de bajada)
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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Cálculo de la potencia disipada en la conmutación: APAGADO
u
ce
i
c
i
C MAX
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
t
fall
V
CC
Durante t
fall
:
t ·
t
V
) t ( u
fall
CC
CE
=
fall
fall
MAX C C
t
t t
· i ) t ( i
÷
=
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.
Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se actúa de manera análoga.
}
=
=
=
f all
t t
0 t
CE C OFF
dt )· t ( u )· t ( i E
6
t · V · i
E
fall CC MAX C
OFF
=
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
2
2
MAX C C
t
t t
I ) t ( i
÷
· =
En t
1
:
En t
2
:
(Mientras exista circulación de corriente por el
diodo, soporta tensión nula).
Apagado con carga inductiva:
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
u
ce
i
c
t
off
t
2
t
1
u
ce
u
B
i
c
V
CC
L

1
CC CE
t
t
· V ) t ( u =
}
=
=
=
OFF
t t
0 t
CE C OFF
dt )· t ( u )· t ( i E
2
t · V · i
E
off CC MAX C
OFF
=
V
CC
i
C MAX
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Encendido con carga inductiva:
5.1 El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
u
ce
i
c
t
on
t
2
t
1
u
ce
u
B
i
c
V
CC
L

i
RR
V
CC
i
C MAX
( )
1
RR MAX C C
t
t
i i ) t ( i · + =
En t
1
:
En t
2
:
CC CE
V ) t ( u =
2
2
RR MAX C C
t
t t
· i i ) t ( i
÷
+ =
2
2
CC CE
t
t t
V ) t ( u
÷
· =
}
=
=
=
on
t t
0 t
CE C ON
dt )· t ( u )· t ( i E
3
2
t
t · V · i
2
t · V · i
E
1
on CC RR
on CC MAX C
ON
|
.
|

\
|
+
+ =
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Diodo externo para aplicaciones de
medio puente y puente completo.
Diodo externo para aumentar la
velocidad de conmutación.
• Aumento de |: |
TOT
= |
1
*|
2
+|
1
+|
2
.
• La conmutación es aún más lenta.
Características
5.1 El transistor bipolar de potencia: Montaje Darlington
Lección 5: El transistor de potencia
i
B
i
C
i
E
BASE
EMISOR
COLECTOR
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Estructura
Lección 5: El transistor de potencia
Alta impedancia de entrada (C
GS
).
SÍMBOLO
Dispositivo fundamental como interruptor controlado por tensión. Suele usarse casi
exclusivamente los de canal N.
u
DS
u
GS
i
G
i
D
i
S
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
Compuesto por muchas células de enriquecimiento conectadas en paralelo.
Siempre de ACUMULACIÓN; no tienen el canal formado. El sustrato está siempre
conectado a la fuente.
CANAL N
CANAL P
u
DS
u
GS
i
G
i
D
i
S
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
DRENADOR
FUENTE PUERTA
N
N
-
N N N N N N
P P P
SUS
ÓXIDO
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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Si u
GS
es menor que el valor umbral, u
GS TH
, el MOSFET está abierto (en corte). Un valor
típico de u
GS TH
es 3V. u
GS
suele tener un límite de ±20V. Suele proporcionarse entre 12 y
15 V para minimizar la caída de tensión V
DS
.
V
DS MAX
: Tensión de ruptura máxima entre drenador y fuente.
I
D MAX
: Corriente de drenador máxima (DC).
R
DS ON
: Resistencia de encendido entre drenador y fuente.
Lección 5: El transistor de potencia
u
GS
<u
GS TH
i
D
u
DS
SATURACIÓN
CORTE
V
DS MAX
ZONA
ACTIVA
P
MAX
I
D MAX
5.2 El MOSFET de potencia: características estáticas
u
GS
=u
GS1
u
GS2
>u
GS1
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: características estáticas
i
D
u
DS
P
MAX
S.O.A.R.
Zona limitada
por R
DS ON
1
0
0
u
s

Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: S.O.A.R.
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Circuitos equivalentes estáticos.
Circuito equivalente en corte
u
DS
u
GS
u
GS
u
DS
i
D
i
D
+

V
CC
R
CARGA
SATURA-
CIÓN
CORTE
SATURA-
CIÓN
5.2 El MOSFET de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
V
CC
u
DS
R
CARGA
R
DS ON
Circuito equivalente en saturación
V
CC
u
GS
R
CARGA
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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia

• La unión PN
-
está inversamente polarizada.
• La tensión drenador-fuente está concentrada en la unión PN
-
.
• La región N
-
está poco dopada para alcanzar el valor requerido de tensión soportada
(rated voltage).
• Tensiones de ruptura grandes requieren zonas N poco dopadas de gran extensión.
MOSFET en corte (u
DS
>0)
5.2 El MOSFET de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
u
DS
Zona de transición:
La zona P-N
-
es un diodo
polarizado inversamente.


DRENADOR
FUENTE PUERTA
N
N
-
N N N N N N
P
P P
SUS
ÓXIDO
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Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
MOSFET saturado (i
DS
>0)
5.2 El MOSFET de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
u
GS
Con suficiente u
GS
se forma un canal bajo la
puerta que permite la conducción bidireccional.

Aparece una resistencia R
DS ON
, entre drenador
y fuente, que es suma de resistencias: canal,
contactos de fuente y drenador, región N
-
...

Cuando la tensión de ruptura aumenta, la
región N
-
domina en el valor de R
DS ON
.

En una zona poco dopada no hay muchos
portadores, por lo que R
DS ON
aumenta
rápidamente si la tensión de ruptura se quiere
hacer de varios centenares de voltios.

Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o iguales a 500V. Más allá es
preferible, en general, un IGBT.

El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante superiores a su valor medio
máximo (rated current).
DRENADOR
FUENTE PUERTA
N
N
-
N N N N N N
P
P P
SUS
ÓXIDO
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
• El diodo se polariza directamente cuando V
DS
es negativa.
• Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.
• La mayoría son lentos. Esto provoca picos de corriente de
recuperación inversa que pueden destruir el dispositivo.
Diodo parásito entre drenador y fuente.
5.2 El MOSFET de potencia: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
u
DS
u
GS
i
G
i
D
i
S
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
Puede anularse o sustituirse el diodo parásito mediante
diodos externos rápidos.
Anulación Sustitución
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
C
DS
• Los tiempos de conmutación del MOSFET se deben
principalmente a sus capacidades e inductancias parásitas,
así como a la resistencia interna de la fuente de puerta.
C
ISS
: C
GS
+ C
GD
Capacidad de entrada Se mide con la
salida en cortocircuito.
C
RSS
: C
GD
Capacidad Miller o de transferencia inversa.
C
OSS
: C
DS
+ C
GD
Capacidad de salida; se mide con la
entrada cortocircuitada
L
D
: Inductancia de drenador
L
S
: Inductancia de fuente.
Parámetros parásitos.
Parámetros parásitos
5.2 El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
C
GD
C
GS
C
DS
C
GD
C
GS
L
S
L
D
C
GS
: Grande, constante
C
GD
: pequeña, no lineal
C
DS
: moderada, no lineal
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
t
delay
t
rise
t
on
t
disch
t
fall
t
off
Conmutaciones con carga resistiva pura
5.2 El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
C
DS
C
GD
C
GS
V
DD
V
A
R
G
R
D
t
1
t
2
V
A
u
GS
u
GS-TH
i
D
u
DS
90%

90%

10%

10%

p
MOS
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
EFECTO MILLER
O I F
U U U ÷ =
I U O
U · A U =
A
u U
I
U
O
U
F
Z
F
I U I F
U · A U U ÷ = ( )
I U
U · A 1÷ =
U
F
A 1
Z
÷
( )
F
U
I
F
F
F
Z
A 1
· U
Z
U
I
÷
= =
EFECTO MILLER EN LA ENTRADA
O
U
O
F
U
A
U
U ÷ =
O
U
U
U ·
A
A 1
|
|
.
|

\
| ÷
=
F
U
U
O
F
F
F
Z
A
A 1
· U
Z
U
I
|
|
.
|

\
| ÷
= =
U
U
F
A ·
A 1
Z
÷
A
u
U
I
U
O
EFECTO MILLER EN LA SALIDA
5.2 El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
t
rise
t
on
t
disch
t
fall
t
off
t
delay
Conmutaciones con carga resistiva pura
5.2 El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
C
DS
C
GD
C
GS
V
DD
V
A
R
G
R
D
t
1
t
2
V
A
u
GS
u
GS-TH
i
D
u
DS
90%

90%

10%

10%

p
MOS
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
t
on
t
off
t
1
t
2
t
3
t
4
Conmutaciones con carga inductiva
5.2 El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
C
DS
C
GD
C
GS
V
DD
V
A
R
G
L
D
t
1
t
2
V
A
u
GS
u
GS-TH
i
D
u
DS
I
RR
p
MOS
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Cálculo de la potencia disipada en la conmutación: APAGADO con carga resistiva
u
DS
i
D
i
D MAX
5.2 El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Lección 5: El transistor de potencia
t
fall
V
DD
Durante t
fall
:
t ·
t
V
) t ( u
fall
DD
DS
=
fall
fall
MAX D D
t
t t
· i ) t ( i
÷
=
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.
Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se actúa de manera análoga.
}
=
=
=
f all
t t
0 t
DS D OFF
dt )· t ( u )· t ( i E
6
t · V · i
E
fall DD MAX D
OFF
=
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
EJEMPLO:
5.2 El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Lección 5: El transistor de potencia
Evalúense las pérdidas en el MOSFET
de R
DS ON
=0,55 W para el caso de que
su tensión y corriente sean las de la
figura. Hágase el cálculo cuando d=0,3 y
con frecuencias de 10kHz y 150 kHz.
u
DS
i
D
5A

100 ns

150V

100 ns

d·T

(1-d)·T

( ) W 125 , 4 d · 5 · 55 , 0 I · R P
2 2
Drms ON DS 1
= = =
Puesto que T>>100ns, puede aproximarse
J 5 , 12
6
10 · 100 · 150 · 5
6
t · V · i
E E
9
fall DD MAX D
ON OFF
µ = = = =
÷
1 ON MOS
P ) f ( E · 2 ) f ( P + =
W 38 , 4 W 125 , 4 W 25 , 0 ) kHz 10 ( P
MOS
= + =
W 6 , 41 W 125 , 4 W 5 , 37 ) kHz 150 ( P
MOS
= + =
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
2
2
MAX D D
t
t t
I ) t ( i
÷
· =
En t
1
:
En t
2
:
(Mientras exista circulación de corriente por el
diodo, soporta tensión nula).
Apagado con carga inductiva:
5.2 El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Lección 5: El transistor de potencia
u
DS
i
D
t
off
t
2
t
1
1
DD DS
t
t
· V ) t ( u =
}
=
=
=
OFF
t t
0 t
DS D OFF
dt )· t ( u )· t ( i E
2
t · V · i
E
off DD MAX D
OFF
=
V
DD
i
D MAX
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
u
DS
i
D
t
on
t
2
t
1
i
RR
V
DD
i
D MAX
( )
1
RR MAX D D
t
t
i i ) t ( i · + =
En t
1
:
En t
2
:
DD DS
V ) t ( u =
2
2
RR MAX D D
t
t t
· i i ) t ( i
÷
+ =
2
2
DD DS
t
t t
V ) t ( u
÷
· =
}
=
=
=
on
t t
0 t
DS D ON
dt )· t ( u )· t ( i E
3
2
t
t · V · i
2
t · V · i
E
1
on DD RR
on DD MAX D
ON
|
.
|

\
|
+
+ =
Encendido con carga inductiva:
5.2 El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
1.- Circuito para disminuir el efecto Miller.
2.- Los transistores de puerta son de señal y por tanto más rápidos.
3.- La resistencia de puerta, r, es muy pequeña (<10W) y se coloca para proteger la
puerta de posibles picos de tensión.
4.- Las capacidades se cargan linealmente, con corriente constante.
5.- La potencia que maneja el circuito de gobierno es muy pequeña.
Lección 5: El transistor de potencia
Sin aislamiento
5.2 El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
C
DS
C
GD
C
GS
+V
CC
V
GG
R

r

Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
Con aislamiento
5.2 El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
1.- Siempre hay un interruptor cerrado generándose
una onda cuadrada sobre R.
2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G y en S
debe haber 0V.
3.- Cuando es el MOSFET quien se cierra, en su fuente
aparecen 500V.
4.- En ese momento, para mantener el MOSFET
cerrado, en puerta debe haber 515V.
5.- En general, en equipos de potencia todas las
fuentes de tensión deben estar referidas a masa, pues
provienen de VG.
6.- Se necesita una tensión superior a la propia VG.
7.- En la resolución de este problema, los circuitos de
bomba de carga se han impuesto a los
transformadores de impulsos.
G

S

D

R

INT

500V

Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
BOOTSTRAP
5.2 El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
G

S

D

R

INT

500V

D
BOOT
V
CC
C
BOOT
1.- Al cerrarse el interruptor inferior, C
BOOT

se carga a 15V en un solo ciclo.
2.- Cuando en S hay 500V el diodo D
BOOT

impide que C
BOOT
se descargue; dicho
diodo debe ser capaz de bloquear toda la
tensión del circuito.
4.- Con dos transistores auxiliares se
aplica la tensión de C
BOOT
a la puerta del
MOSFET de potencia.
5.- CBOOT debe tener una capacidad muy
superior a la de puerta para que apenas
se descargue.
V 12 V 5 , 1 V
Q
C
CC
G
BOOT
÷ ÷
>
Q
G
: carga de puerta
V
CC
: 15V
1,5V: caídas de tensión en los transistores auxiliares
12V: tensión mínima de puerta
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
IRF510 100V 5,6A 0,54 O 5nC
IRF540N 100V 27A 0,052 O 71nC
APT10M25BVR
100V 75A 0,025 O 150nC
IRF740 400V 10A 0,55 O 35nC
APT4012BVR 400V 37A 0,12 O 195nC
APT5017BVR 500V 30A 0,17 O 200nC
SMM70N06 60V 70A 0,018 O 120nC
MTW10N100E 1000V 10A 1,3 O 100nC
Referencia V
DS,MAX
I
D,MAX
R
ON
Q
G
(típica)
47ns
74ns
50ns
40ns
67ns
66ns
120ns
290ns
t
c
(típico)
Lección 5: El transistor de potencia
Algunos MOSFET de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Características reales
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Semitrans 2
Semitrans 1
TO247 TO220 TO3
Semitop 2
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Encapsulados
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.2 El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.3 El IGBT: Estructura
Lección 5: El transistor de potencia
Alta impedancia de entrada (C
GS
).
SÍMBOLO
Estructura de MOSFET más una capa p+ de colector PT-IGBT. Los NPT-IGBT
no tienen la capa N
+
PUERTA
FUENTE
DRENADOR
Compuesto por muchas células de enriquecimiento conectadas en paralelo.
Siempre de ACUMULACIÓN; no tienen el canal formado. El sustrato está siempre
conectado a la fuente.
CANAL N
COLECTOR
FUENTE PUERTA
N
+
N
-
N N N N N N
P P P
SUS
ÓXIDO
P
+
C
B
C E
E
G
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
BV
CES
: Tensión de ruptura colector emisor.
I
C
: Corriente máxima de colector (en DC)
I
CM
: Corriente máxima de colector (pulsada)
P
MAX
: máxima potencia capaz de ser disipada por el transistor.
V
GETH
: tensión puerta-emisor umbral.
V
CESAT
: Tensión de saturación colector-emisor.
Lección 5: El transistor de potencia
u
GE1
i
C MAX
i
c
u
ce
CORTE
ZONA ACTIVA
P
MAX
5.3 El IGBT: Características estáticas
u
GE1
u
GE1
V
ce0
SAT
i
c
u
GE
V
GE-TH
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.3 El IGBT: SOAR
Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
•Apenas soporta tensión inversa, sólo unas
decenas de voltios.
PT-IGBT (Punch-Through IGBT)
5.3 El IGBT: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
Bloqueo
COLECTOR
FUENTE PUERTA
N
-
N N N N N N
P P P
SUS
ÓXIDO
P
+
• Si u
GE
< u
GE TH
, no hay canal y el interruptor
está abierto.
• La tensión u
CE
cae en la unión PN
-.

• La zona P
+
está más intensamente dopada.
• V
CE,MAX
es igual que la tensión de bloqueo.
NPT-IGBT (Non Punch-Through IGBT)
G
S
D
B
C C
E
G
E
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
5.3 El IGBT: Características estáticas
Lección 5: El transistor de potencia
Conducción
• Con V
GE
>V
GE TH
se forma canal.
• u
CE
de saturación cae en la unión P
+
N
-
.
• La mayor parte de la corriente final va por el
MOSFET.
NPT-IGBT (Non Punch-Through IGBT)
G
S
D
B
C C
E
G
E
COLECTOR
EMISOR PUERTA
N
-
N N N N N N
P P P
SUS
ÓXIDO
P
+
BASE
•V
CE SAT
= 0,7 ÷ 2 V.
•R·I
D
comparable con el MOSFET.
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
t
1
t
on
t
off
t
0
t
2
t
3
t
5
t
4
t
6 t
8
t
7
Conmutaciones con carga resistiva pura
5.3 El IGBT: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
V
DD
V
A
R
G
R
C
t
0
t
4
V
A
u
GE
u
GS-TH
i
C
u
CE
p
IGBT
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Conmutaciones con carga inductiva
5.3 El IGBT: Características dinámicas
Lección 5: El transistor de potencia
V
DD
V
A
R
G
L

t
0
t
5
V
A
u
GE
u
GS-TH
i
C
u
CE
p
IGBT
t
1
t
on
t
off
t
0
t
2
t
3
t
5
t
6 t
8
t
7
t
4
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Debe tenerse en cuenta la
recuperación inversa del diodo.
La conmutación dura más que t
OFF
.
Encendido:
La fórmula de las pérdidas es
similar a la de un transistor bipolar
Conmutaciones con carga inductiva
5.3 El IGBT: Cálculo de pérdidas en conmutación
Lección 5: El transistor de potencia
}
=
=
=
on
t t
0 t
CE C ON
dt )· t ( u )· t ( i E
3
2
t
t · V · i
2
t · V · i
E
2
on CE RR
on CE MAX C
ON
|
.
|

\
|
+
+ =
Apagado:
Aparece el fenómeno de cola de
apagado.
}
=
=
=
of f
t t
0 t
CE C OFF
dt )· t ( u )· t ( i E
2
t · V · i
E
off CE MAX C
OFF
=
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Conmutaciones con carga inductiva
5.3 El IGBT: Cálculo de pérdidas totales
Lección 5: El transistor de potencia
3
2
t
t · V · i
2
t · V · i
E
2
on CE RR
on CE MAX C
ON
|
.
|

\
|
+
+ =
2
t · V · i
E
off CE MAX C
OFF
=
cond CESAT MAX C COND
t · V · i E =
( ) f · E E E ) t ( P ) f ( P ) f ( P ) f ( P
off on cond off on cond TOT
+ + = + + =
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Encapsulados
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
Lección 5: El transistor de potencia
5.3 El IGBT: Componente real: IRG4BC30K
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
CONCLUSIONES
Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
CONCLUSIONES
Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
1.- El transistor bipolar es un dispositivo en que la conducción se hace
mediante portadores minoritarios. Esto se traduce en baja velocidad de
conmutación: apenas unos pocos kHz.
2.- Al ser lento apenas se usa actualmente en aplicaciones de potencia.
Para tensiones inferiores a 500 V ha sido sustituido por el MOSFET y para
tensiones superiores por el IGBT.
3.- El MOSFET es un dispositivo en que la conducción se hace mediante
portadores mayoritarios. Macroscópicamente esto se traduce en alta
velocidad de conmutación.
4.- Por tanto puede conmutar a decenas y centenares de kHz.
5.- La resistencia de conducción directa está directamente relacionada con
la tensión de bloqueo.
CONCLUSIONES
Lección 5: El transistor de potencia
Universidad de Oviedo
Tema 2: Dispositivos semiconductores de potencia
6.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta mejores
características para tensiones inferiores a 500V.
7.- Existen dispositivos de 1000V, pero sólo son útiles para bajas
potencias o bajas velocidades de conmutación.
8.- A la hora de seleccionar un MOSFET su parámetro más importante
es R
ON
.
9.- El IGBT es un interruptor con características de control parecidas al
MOSFET y características de salida similares al transistor bipolar.
10.- Típicamente, el IGBT puede soportar miles de voltios y conducir
centenares de amperios, conmutando a una frecuencia de decenas de
kHz.
Lección 5: El transistor de potencia
CONCLUSIONES