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TEORIA DOS SEMICONDUTORES

Ana Isabela Araújo Cunha
Departamento de Engenharia Elétrica
Universidade Federal da Bahia
Tabela Periódica

Silício (Si): 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2

Germânio (Ge): 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
3d
10
4p
2
Silício (Si): 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2

Germânio (Ge): 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
3d
10
4p
2
Configuração com 4 elétrons na camada de valência
Si
No cristal:
ligações covalentes
em estrutura tetraédrica
Silício Puro a 0 K (zero graus Kelvin)
Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Si
Funciona como isolante!
Silício Puro à temperatura ambiente (300 K)
Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Si
Ocorrem quebras de ligações covalentes: geração térmica
A geração térmica dá origem a dois tipos de portadores:

Elétron livre: elétron que conseguiu energia suficiente para
migrar da camada de valênica para a de
condução

Lacuna: partícula que modela através da mecânica
clássica o complexo movimento dos elétrons de
valência nos níveis energéticos vagos deixados
pelos elétrons livres.

A lacuna tem massa e carga positiva
igual em módulo à do elétron.
Lacunas e elétrons são gerados aos pares!

Recombinação:

É o fenômeno inverso ao da geração, quando um elétron livre
retorna da banda de condução para a de valência, fazendo
desaparecer o par elétron-lacuna.





Geração e recombinação ocorrem
dinamicamente no material !

Cristal semicondutor puro: n
o
de elétrons = n
o
de lacunas


COMPARAÇÃO

Metais Semicondutores


Portadores 1 tipo: elétron 2 tipos: elétron e
de carga lacuna

Concentração uniforme variável
de portadores no espaço
de carga

Tipos de corrente só deriva deriva e difusão
(condução)

Corrente de deriva ou condução

Devida a uma diferença de potencial








sem ddp: movimento com ddp: movimento
aleatório de média nula aleatório com média
não nula

ddp
Corrente de difusão

Devida a um gradiente de concentração










iguais probabilidades de transpor
a linha divisória

Corrente de difusão

Fenômeno estatístico:










O movimento líquido é do lado mais concentrado
para o menos concentrado

Como introduzir gradientes de
concentração num semicondutor


Injeção de portadores
(térmica ou ótica)


Dopagem


concentração não uniforme



aumento da condutividade




A dopagem aumenta a concentração
de um único tipo de portador
Semicondutor dopado tipo N
Impureza pentavalente: fósforo ou antimônio

Si
Si Si
Si
Si
P Si
Si
Si
Si Si
Si
Semicondutor dopado tipo N
Um elétron não participa de ligação covalente:
fica livre para condução

Si
Si Si
Si
Si
P
+
Si
Si
Si
Si Si
Si
Semicondutor dopado tipo P
Si
Si Si
Si
Si
B Si
Si
Si
Si Si
Si
Impureza trivalente: boro ou índio

Semicondutor dopado tipo P
Si
Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
B
-
Um elétron de valência pode ocupar uma ligação covalente
incompleta causando deslocamento da lacuna

n = concentração volumétrica de elétrons (cm
-3
)
p = concentração volumétrica de lacunas (cm
-3
)

Semicondutor puro: n = p = n
i

Semicondutor tipo N: n > p

elétrons: majoritários
lacunas: minoritários

Semicondutor tipo P: n < p

elétrons: minoritários
lacunas: majoritários

concentração
intrínseca

depende de T

no Si a 300 K:
1,45 x 10
10
cm
-3
Bandas de energia em cristais
banda de energia permitida
nível de energia
da camada
de valência
distância entre átomos
N átomos no cristal
N

n
í
v
e
i
s

Materiais condutores
banda de valência parcialmente ocupada
nível de energia
da camada
de valência
distância entre átomos
Materiais condutores
banda de valência totalmente
ocupada superposta à de
condução
nível de energia
da camada
de valência
distância entre átomos
nível de energia
da camada
de condução
banda de condução
Materiais isolantes
banda de valência
banda de condução
banda proibida
grande
diferença
energética
Materiais semicondutores
banda de valência
banda proibida menor
banda de condução
Semicondutores dopados tipo N
níveis
doadores
banda de valência
banda de condução
Cada átomo de impureza acrescenta um nível doador
Semicondutores dopados tipo P
níveis
aceitadores
banda de valência
banda de condução
Cada átomo de impureza acrescenta um nível aceitador
Lei de Ação das Massas
No equilíbrio em qualquer semicondutor:
Taxa de geração: g(T)
(depende da temperatura)
Taxa de recombinação: r = K
R
.n.p
(K
R
constante)
n.p = n
i
2
(T)

r = g(T)
n.p = g(T)/K
R
Semicondutor tipo N: n aumenta, p diminui
Fortemente dopado: N
D
>> n
i
n ≈ N
D
p ≈ n
i
2
/N
D

No equilíbrio : n.p = n
i
2
(T)

Semicondutor tipo P: p aumenta, n diminui
Fortemente dopado: N
A
>> n
i
p ≈ N
A
n ≈ n
i
2
/N
A

concentração de
impurezas
aceitadoras
concentração de
impurezas doadoras
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de deriva
+
fluxo de elétrons
fluxo de lacunas
corrente convencional
J = o.E = J
L
+ J
E
condutividade
A
J
L
Ax

( )
t . A
A . x . p . q
J
L
A
A
=
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de deriva
+
fluxo de elétrons
fluxo de lacunas
corrente convencional
J = o.E = J
L
+ J
E
condutividade
A
J
L
Ax

( )
t . A
A . x . p . q
J
L
A
A
=
volume
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de deriva
+
fluxo de elétrons
fluxo de lacunas
corrente convencional
J = o.E = J
L
+ J
E
condutividade
A
J
L
Ax

( )
t . A
A . x . p . q
J
L
A
A
=
carga das
lacunas através
do volume
Densidades de Corrente em
Semicondutores
Densidade de corrente de deriva
+
fluxo de elétrons
fluxo de lacunas
corrente convencional
J
der
= o.E = J
L
+ J
E
condutividade
A
J
L
Ax

( )
t . A
A . x . p . q
J
L
A
A
=
velocidade média
das lacunas
( )
t . A
A . x . p . q
J
L
A
A
=
L L
v . p . q J =
( )
t . A
A . x . n . q
J
E
A
A
=
E E
v . n . q J =
Analogamente:
velocidade média
dos portadores
Para campo elétrico não muito alto:
v
L
= µ
L
.E

v
E
= µ
E
.E

mobilidades da
lacuna e do elétron

E
v
v
SAT
E
CRIT
inclinação: µ

J
L
= q.p.µ
L
.E

J
E
= q.n.µ
E
.E

J
der
= q.(p.µ
L
.E + n.µ
E
.E)

o = q.(p.µ
L
+ n.µ
E
)

A condutividade aumenta com a temperatura
Densidade de corrente de difusão
x
J
A
J
B
Qual corrente é
mais intensa?
= lacuna
Densidade de corrente de difusão
x
J
A
J
B
J
A
> J
B
B A
dx
dp
dx
dp
>
dx
dp
qD J
L L
÷ =
dx
dn
qD J
E E
=
constante de
difusão de
lacunas e elétrons
|
.
|

\
|
÷ = + =
dx
dp
D
dx
dn
D q J J J
L E E L dif
dx
dn
qD nE q J
dx
dp
qD pE q J
E E E
L L L
+ µ =
÷ µ =
Corrente Total
t
q
KT D
| = =
µ
potencial
termodinâmico
26 mV a 300 K