You are on page 1of 35

TRANSISTOR

BIPOLAR
DE JUNÇÃO


Estrutura
símbolo
estrutura
esquemática
E
emissor
N+ N+ P-
B
base
C
coletor
TBJ NPN
E
C
B
estrutura
esquemática
símbolo
E
emissor
P+ P+ N-
B
base
C
coletor
TBJ PNP
Emissor e coletor: regiões fortemente dopadas do
mesmo tipo

Base: região estreita e fracamente
dopada do tipo contrário
estrutura real
E
C
B
E B C
Regimes de Operação
CORTE: junções E-B e B-C reversamente
polarizadas
não há corrente significativa
+ +
P P N
E C
B
+ +
N N P
E
C
B
SATURAÇÃO: junções E-B e B-C diretamente
polarizadas
O TBJ funciona como chave comutando entre os
regimes de corte e saturação
+ +
P P N
C E
B
+ +
N N P
C
E
B
REGIÃO ATIVA: junção E-B diretamente
polarizada e junção B-C
reversamente polarizada
O TBJ funciona como amplificador ou fonte de
corrente na região ativa
+ +
N N P
E
C
B
+ +
P P N
C E
B
Região Ativa
+ +
P+
P+ N-
E
C
B
Junção B-C
reversamente polarizada
Junção E-B
diretamente polarizada
I
E
I
B
I
C
I
E
= I
C
+ I
B
Corrente de emissor
C
+ +
P+
P+ N-
E
B
I
E
I
B
I
C
I
LE
I
EE
I
LE
– corrente de lacunas em difusão do emissor
para a base
I
EE
– corrente de elétrons em difusão da base
para o emissor
I
EE
<<
I
LE

LE EE LE E
I I I I
Corrente de coletor
C
+ +
P+
P+ N-
E
B
I
E
I
B
I
C
I
LE
oI
E
I
EE
I
C0
– corrente de saturação reversa da junção B-C
oI
E
– fração da corrente de emissor que alcança o
coletor
o = 0,900 a
0,995
0 C E C
I I I
I
C0
P+
P+ N-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
campo elétrico da junção B-C
Corrente de base
I
B
= I
EE
- I
C0
+I
REC
= (1-o)I
E
- I
C0
I
REC
– fração das lacunas do emissor que se
recombinam com os elétrons da base
C
+ +
P+
P+ N-
E
B
I
E
I
B
I
C
I
LE
oI
E
I
EE I
C0
corrente de recombinação
P+
P+
Junção B-C
Junção E-B
N-
terminal
de base
I
B
recombinação
lacuna
elétron
Modulação da Largura da Base
Efeito Early
Junção B-C
Junção E-B
P+ P+ N-
largura
efetiva
P+ P+ N-
largura
efetiva
V
BC2
> V
BC1
V
BC1
P+ P+ N-
largura
efetiva
P+ P+ N-
largura
efetiva
V
BC2
> V
BC1
V
BC1
p
x
V
BC1
V
BC2
p
x
V
BC1
V
BC2
1 CB 2 CB
V V
dx
dp
dx
dp
Módulo de V
CB
Largura da região de transição
Largura efetiva da base
Recombinação na base
Fração o I
C
I
B
I
E
≈ I
EL
= -qD
L
dp/dx
Ganhos de corrente para grandes sinais
0 I
I I
E
0 C C
÷
÷
= o
Ganho o:
I
C
no corte
I
E
no corte
Definição de corte:
I
E
= 0
I
C
= I
C0
I
B
= -I
C0
Varia com: geometria
tecnologia
temperatura
ponto de polarização (V
CB
e I
E
)‏
0 C B
0 C C
I I
I I
+
÷
= |
Ganho |:
I
C
no corte
I
B
no corte
Depende das mesmas variáveis que o
1 I 1
I
E
E
1 + |
|
= o
parcela de I
E
que alcança o coletor
parcela de I
E
que não alcança o coletor
0 C B
0 C C
I I
I I
+
÷
= |
Ganho |:
| depende das mesmas variáveis que o
1 I 1
I
E
E
1 + |
|
= o
menor e próximo a 1
da ordem de centenas
Equações das correntes na região ativa
( )
( ) ( )
( )
0 C
V
S
0 C
0 C C
B
0 C
V
S 0 C
V
0 E C
V
0 E E
I
e I
I
I I
I
I e I I e I I
e I I
t EB
t EB t EB
t EB
÷
|
= ÷
|
÷
=
+ = + o =
=
q|
q| q|
q|
Transistor PNP:
I
E
I
C
I
B
( )
( ) ( )
( )
0 C
V
S
0 C
0 C C
B
0 C
V
S 0 C
V
0 E C
V
0 E E
I
e I
I
I I
I
I e I I e I I
e I I
t BE
t BE t BE
t BE
÷
|
= ÷
|
÷
=
+ = + o =
=
q|
q| q|
q|
Transistor NPN:
I
E
I
C
I
B
I
C
= |I
B
+ (|+1) I
C0
I
C
= |I
B
Modelo de Ebers-Moll para Grandes Sinais
Transistor PNP:
(válido para todos os regimes)‏
I
E
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
oI
E0
= o
R
I
C0
Transistor PNP:
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
1 e I 1 e I I
t CB t EB
V
0 C
V
0 E C
1 e I 1 e I I
t CB t EB
V
0 C R
V
0 E E
1 e I I
1 e I I
t CB
t EB
V
0 C DC
V
0 E DE
÷ =
÷ =
q|
q|
Transistor NPN:
I
E
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
Transistor NPN:
1 e I 1 e I I
t BC t BE
V
0 C
V
0 E C
1 e I 1 e I I
t BC t BE
V
0 C R
V
0 E E
( )
( )
1 e I I
1 e I I
t BC
V
0 C DC
t BE
V
0 E DE
÷ =
÷ =
q|
q|
I
E
I
C
I
B
oI
DE
o
R
I
DC
I
DC
I
DE
C
E
B
Características do TBJ
+ V
EB
- - V
CB
+
comum
entrada
saída
Configuração BASE COMUM
P P N
+ V
EB
- - V
CB
+
I
E
I
C
comum
entrada
saída
N N P
I
E
I
C
Entrada: emissor
Saída: coletor
Referência: base
a) Características de entrada em BASE COMUM
V
CB1
V
CB2
V
CB3
I
E
V
EB
(PNP)‏
V
BE
(NPN)‏
1 CB 2 CB 3 CB
V V V
Efeito Early:
dependência
de I
E
com V
CB
Corte (I
E
=
0)‏
b) Características de saída em BASE COMUM
Região ativa: AI
E
/AV
CB
≠ 0 Efeito Early
Saturação
Região ativa: I
C
= oI
E
+ I
C0

I
C
V
BC
(PNP)‏
V
CB
(NPN)‏
1 E 2 E 3 E
I I I
I
E3
I
E2
I
E1
I
E
= 0
I
C0
corte
I
E3
I
E2
I
E1
Configuração EMISSOR COMUM
saída
Entrada: base
Saída: coletor
Referência: emissor
P
P
N
+
V
BE

-
I
B
I
C
comum
entrada
+

V
CE


-
N
N
P
+
V
BE

-
I
B
I
C
comum
entrada
+

V
CE


-
saída
a) Características de entrada em EMISSOR COMUM
V
CE3
V
CE2
V
CE1
I
B
V
EB
(PNP)‏
V
BE
(NPN)‏
1 CE 2 CE 3 CE
V V V
Efeito Early:
dependência
de I
B
com V
CE
b) Características de saída em EMISSOR COMUM
Saturação
Região ativa: I
C
= |I
B
+ (|+1)I
C0

I
C
V
EC
(PNP)‏
V
CE
(NPN)‏
1 B 2 B 3 B
I I I
I
B3
I
B2
I
B1
I
B
= -I
C0
Região ativa: AI
C
/AV
CE
≠ 0 Efeito Early
corte
CESAT
V
Configuração COLETOR COMUM
saída
Entrada: base
Saída: emissor
Referência: coletor
P
P
N
+
V
BC

-
I
B
I
E
comum
entrada
+

V
EC


-
N
N
P
+
V
BC

-
I
B
I
E
comum
entrada
+

V
EC


-
saída
a) Características de entrada em COLETOR COMUM
V
EC3
V
EC1
I
B
V
BC
(PNP)‏
V
CB
(NPN)‏
V
EC2
1 EC 2 EC 3 EC
V V V
b) Características de saída em COLETOR COMUM
Saturação
Região ativa: I
E
= oI
C
= o||I
B
+ (|+1)I
C0
]
I
E
V
EC
(PNP)‏
V
CE
(NPN)‏
1 B 2 B 3 B
I I I
I
B3
I
B2
I
B1
I
B
= -I
C0
corte: I
E
= 0
ECSAT
V
Limites de Operação
V
EC
(PNP)‏
V
CE
(NPN)‏
I
C
P
máx
V
ECmáx
V
CEmáx
I
Cmáx
avalanche ou
“punch-through”