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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

GRUPO-2 BLADIMIR ILISH GUEVARA MINAYA

ING.

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENÍERIA ELECTRÓNICA Y ELECTRICA LIMA 2013

SU NOMBRE SE DEBE A QUE ESTA TERMINAL FUNCIONA COMO EMISOR DE PORTADORES DE CARGA. •COLECTOR. QUE SE DIFERENCIA DE LAS OTRAS DOS POR ESTAR FUERTEMENTE DOPADA. ES UN DISPOSITIVO DE 3 PATILLAS CON LOS SIGUIENTES NOMBRES: •EMISOR. LA INTERMEDIA. OSCILADOR.EL TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO ELECTRÓNICO SEMICONDUCTOR QUE CUMPLE FUNCIONES DE AMPLIFICADOR. QUE SEPARA EL EMISOR DEL COLECTOR. . DE EXTENSIÓN MUCHO MAYOR. MUY ESTRECHA. COMPORTÁNDOSE COMO UN METAL. CONMUTADOR O RECTIFICADOR. •BASE.

•Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base •Tiene 3 modos de operación: Corte. Modo Unión E-B Unión C-B Corte Activo Saturación Inverso Directo Directo Inverso Inverso Directo . Saturación y Activo.

•EL TAMAÑO DE LOS TRANSISTORES ES RELATIVAMENTE MÁS PEQUEÑO QUE LOS TUBOS DE VACÍO. •NO NECESITA TIEMPO DE CALENTAMIENTO. •PUEDE PERMANECER MUCHO TIEMPO EN DEPOSITO (ALMACENAMIENTO).•EL CONSUMO DE ENERGÍA ES RELATIVAMENTE BAJO. •LOS TRANSISTORES BIPOLARES O DE UNIÓN BJT •TRANSISTORES DE EFECTO DE CAPO (JFET. •EL PESO. • RESISTENCIA MECÁNICA ELEVADA.MOSFET) . •UNA VIDA LARGA ÚTIL (MUCHAS HORAS DE SERVICIO). •LOS TRANSISTORES PUEDEN REPRODUCIR EL FENÓMENO DE LA FOTOSENSIBILIDAD (FENÓMENOS SENSIBLES A LA LUZ).

emitidos por C son colectados en E. Fluyen corrientes por la unión BC y casi todos los e.4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n SATURACIÓN DIRECTA ZAD CORTE CORTE ZAI SATURACIÓN INVERSA Activa directa: El BJT actúa como amplificador de intensidad: Activa inversa: El BJT actúa como amplificador de intensidad: IC = bFIB con bF ~ 100. pero son menos que en ZAD. Saturación: La ganancia en intensidad decae notablemente y la tensión entre C y E es baja (~corto). IE = -bRIB con bR ~ 1. . Corte: Corrientes muy bajas en los tres terminales (~abiertos). Fluyen corrientes por la unión BE y casi todos los e.emitidos por E son colectados en C.

Característica de entrada IB VCE  0 VCE VBE Característica de salida SATURACIÓN DIRECTA ZAD CORTE CORTE ZAI SATURACIÓN INVERSA .

EL TRANSISTOR BIPOLAR ES EL MÁS COMÚN DE LOS TRANSISTORES. Y COMO LOS DIODOS. EL NPN Y EL PNP. EXISTEN DOS TIPOS TRANSISTORES. PUEDE SER DE GERMANIO O SILICIO. transistor bipolar NPN C colector transistor bipolar PNP colector C base B emisor base B emisor E E . Y LA DIRECCIÓN DEL FLUJO DE LA CORRIENTE EN CADA CASO. LO INDICA LA FLECHA QUE SE VE EN EL GRÁFICO DE CADA TIPO DE TRANSISTOR.

ESTRUCTURA INTERNA . UNA PEQUEÑA CORRIENTE INGRESANDO A LA BASE EN CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN ES AMPLIFICADA EN LA SALIDA DEL COLECTOR.NPN ES UNO DE LOS DOS TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES. EN LOS CUALES LAS LETRAS "N" Y "P" SE REFIEREN A LOS PORTADORES DE CARGA MAYORITARIOS DENTRO DE LAS DIFERENTES REGIONES DEL TRANSISTOR LOS TRANSISTORES NPN CONSISTEN EN UNA CAPA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DOPADO P (LA "BASE") ENTRE DOS CAPAS DE MATERIAL DOPADO N.

POCOS TRANSISTORES USADOS HOY EN DÍA SON PNP. LOS TRANSISTORES PNP CONSISTEN EN UNA CAPA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DOPADO N ENTRE DOS CAPAS DE MATERIAL DOPADO P. DEBIDO A QUE EL NPN BRINDA MUCHO MEJOR DESEMPEÑO EN LA MAYORÍA DE LAS CIRCUNSTANCIAS. LOS TRANSISTORES PNP SON COMÚNMENTE OPERADOS CON EL COLECTOR A MASA Y EL EMISOR CONECTADO AL TERMINAL POSITIVO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN A TRAVÉS DE UNA CARGA ELÉCTRICA EXTERNA.EL OTRO TIPO DE TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR ES EL PNP CON LAS LETRAS "P" Y "N" REFIRIÉNDOSE A LAS CARGAS MAYORITARIAS DENTRO DE LAS DIFERENTES REGIONES DEL TRANSISTOR. ESTRUCTURA INTERNA .

VBC . IB . VCE • Dos ecuaciones de comportamiento • Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones NPN IB B V BC – IC C PNP + IB B + + V BE – V CB + C IC – V CE – V EB V EC – E – IE + E + IE .Magnitudes en los transistores bipolares • Seis magnitudes a relacionar • Corriente en cada terminal: IC. IE • Diferencias potencial entre terminales: VBE.

Comparación de desempeño MARGEN DE POTENCIA (V·A) 107 106 105 104 103 102 SCR GTO BJT IGBT MOSFET 10 102 103 104 105 106 107 108 FRECUENCIA (Hz) .

OBRA PUBLICADA EN 1950. •A FINALES DE LOS AÑOS 1960. GALARDONADO CON EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA EN 1956.•WILLIAM BRADFORD SHOCKLEY (13 DE FEBRERO DE 1910 . DEFENDIENDO QUE LOS TEST DE INTELIGENCIA MOSTRABAN UN FACTOR GENÉTICO EN LA capacidad intelectual revelando QUE LOS AFRO-ESTADOUNIDENSES ERAN INFERIORES A LOS ESTADOUNIDENSES CAUCÁSICOS. JUNTO CON JOHN BARDEEN Y WALTER HOUSER BRATTAIN INVENTÓ EL TRANSISTOR DE UNIÓN EL 5 DE JULIO DE 1951. SHOCKLEY REALIZÓ UNAS CONTROVERTIDAS DECLARACIONES ACERCA DE LAS DIFERENCIAS INTELECTUALES ENTRE LAS RAZAS. •EN 1954 WILLIAM SHOCKLEY ABANDONÓ LOS LABORATORIOS BELL PARA FUNDAR UNA EMPRESA PROPIA. ASÍ COMO QUE LA MAYOR TASA DE REPRODUCCIÓN ENTRE LOS PRIMEROS TUVO UN EFECTO REGRESIVO EN LA EVOLUCIÓN. ENTRE ELLOS ESTABAN ROBERT NOYCE Y GORDON MOORE QUE MÁS TARDE CREARÍAN INTEL.12 DE AGOSTO DE 1989) FUE UN FÍSICO ESTADOUNIDENSE. POR SUS INVESTIGACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES Y EL DESCUBRIMIENTO DEL EFECTO TRANSISTOR. ELIGIÓ COMO EMPLAZAMIENTO SU CIUDAD NATAL DE PALO ALTO. LA UNIVERSIDAD STANFORD QUE SE ENCUENTRA HOY ENTRE LAS UNIVERSIDADES MÁS SELECTAS DE LOS EE. •ENTRE SUS PUBLICACIONES DESTACA "ELECTRONES SEMICONDUCTOR". DONDE SE CONTABA CON UNAS CONDICIONES FAVORABLES PARA LA CONSTRUCCIÓN DE UNA EMPRESA MODERNA. PERO SU FORMA DE LLEVAR LA EMPRESA PROVOCÓ QUE OCHO DE SUS INVESTIGADORES EN 1957 ABANDONASEN LA COMPAÑÍA. Y HUECOS EN EL .UU. •CREÓ SUS PROPIOS LABORATORIOS EN CALIFORNIA. EN CALIFORNIA. ALLÍ HABÍA UNA UNIVERSIDAD.

.Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN. Los componentes electrónicos han venido evolucionando a través del tiempo y cada día son más pequeños y complejos. El transistor NPN funciona básicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos(Mayoritarios del emisor en cada caso).

.Al vencer sin obstáculos se triunfa sin gloria. AUTOR: CORNEILLE Esta reflexión hace relación que en nuestra vida se presentan múltiples obstáculos que tratan de oscurecernos el camino. pero para ello hay que ser audaz y sacar provecho de cada uno de ellos para formarnos íntegramente y no limitarnos a lo fácil dejando así grandes vacios en nuestro conocimiento y a la hora de aplicarlos estos conocimientos no sabremos ni cómo empezar.