Ing Gerardo Garca Gil.

1.

INTRODUCCIN.
1.1 Presentacin del programa. 1.2 Revisin de antecedentes.

2.

Semiconductores y diodos.

2.1 Teora de los semiconductores.

2.2 Teora de diodos. 2.3 Rectificacin de media onda y onda completa. 2.4 Otros tipos de diodos (Zener).

3.

transistores. 3.1 Operacin del transistor bipolar. 3.2 Aplicaciones del transistor.

3.3 Reguladores en Circuito Integrado.

3.4 Operacin del transistor de efecto de campo tipo MOS

3.5 El IGBT. 3.6 Dispositivos Tiristores (SCR,TRIAC,DIAC). 3.7 Optoacopladores.

4.

Amplificadores Operacionales. 4.1 Teora del Amplificador Operacional. 4.2 Configuraciones bsicas. 4.3 Aplicaciones del Amplificador Operacional. 4.4 Comparadores

5. 6.

Temporizadores.

5.1 El 555 como Multivibrador Estable.

5.2 El 555 como Multivibrador Monoestable. Convertidores. 6.1 Convertidores de Digital a Anlogico (DAC) 6.2 Convertidores de Anlogico a Digital (ADC)

SEMICONDUCTORES

2. Semiconductores y Diodos La mayor parte de los dispositivos electronicos modernos estan fabricados a partir de semiconductores, en combinacion con simples conductores y aisladores. Los semiconductores, los metales y muchos aisladores, son de naturaleza cristalina. Sus atomos forman un todo ordenado en el cual los vecinos mas cercanos estan unidos por enlaces covalentes. Los materiales semiconductores de uso comun en la electronica son: el silicio (Si), el germanio (Ge), el arseniuro de galio (GaAs), el boro, el fosforo (P), el indio (In), el antimonio (Sb) y el hafnio (Hf). El hafnio hace su debut en la produccion de microprocesadores a partir del 2007 La tecnologia de semiconductores basados en hafnio fue desarrollada en forma separada por Intel e IBM. Los transistores y los diodos estan conformados por la union de dos tipos de materiales, los semiconductores de tipo P y los semiconductores de tipo N.

Los semiconductores de tipo P estan construidos a partir de materiales dopantes llamados receptores. Los atomos receptores tienen en su orbita externa una valencia de un electron menos que el cristal base. Con una cantidad minima de energia, un electron de enlace cercano puede facilmente saltar a este enlace covalente (entre el cristal huesped y el dopante). Cuando el electron salta hacia este enlace, quedara alli de forma permanente y en el sitio del atomo que otorgo ese electron quedara como ion negativo, fijo e inmovil. A su vez, el electron deja atras un hueco en la estructura cristalina, quedando libre un hueco que emigra a traves del cristal. Los semiconductores de tipo N estan construidos a partir de materiales dopantes llamados donadores. Los atomos donadores tienen en su orbita externa una valencia de un electron mas que el cristal base. Con un electron casi debilmente enlazado, el electron participa en la conduccion corriente. El electron liberado deja un ion positivo en el lugar el atomo donador de manera que se mantiene la neutralidad de las cargas. El ion donador contribuye con un electron extra disponible para moverse a traves del cristal.

2.1Teora de Semiconductores

1. Semiconductor intrnseco
2. Conduccin por huecos (h+) y electrones (e-) 3. Semiconductor extrnseco:material tipo N(MTN) y tipo P(MTP) 4. Deriva y difusin de portadores 5. La unin P-N: polarizacin inversa (PI) y polarizacin directa (PD) 6. Comportamiento de la unin P-N en altas frecuencias: Capacidad de Transicin (Cj) y Capacidad de Difusin (Cdif).

GENERALIDADES Tipos de materiales: A) Conductor B) Aislante C) Semiconductor

Corrientes en un semiconductor: A) Producida por eCorriente total B) Producida por h+ Corrientes en la unin P-N A) Sin polarizar: deriva y difusin B) Polarizada: PD y PI Capacidades en la unin P-N A) Capacidad de transicin B) Capacidad de difusin

Tipos de semiconductores: A) Intrnseco: origen natural B) Extrnseco: origen antropolgico

Tipos de semiconductores extrnsecos: A) Tipo N: donante de eB) Tipo P: donante de h+

SEMICONDUCTOR INTRINSECO

Materiales: Si, Ge, GaAs.

Estructura Si: partcula formada por enlaces covalentes .

CONDUCCIN POR ELECTRONES

Electrn libre : generado al romperse un enlace a una T>27C.

V -> corriente de electrones. CONDUCCIN POR HUECOS Hueco: generado a partir del e- libre, carga positiva.

Concentracin de h+ y e- sern iguales: ni=pi

V -> corriente de huecos

GENERACION Y RECOMBINACIN Generacin: de e- y h+ directamente proporcional a la T. Recombinacin: los h+ sern ocupados por los e- que pasen cerca. Aumenta con mayores concentraciones de e- y h+ -> T Tiempo de vida (t): tiempo que viven los portadores hasta que se recombinan. Ley de accin de masas: p * n = cte -> Semiconductor intrnseco p=n -> p*n = ni2

LA CONDUCTIVIDAD DE UN SEMICONDUCTOR INTRINSECO AUMENTA CON LA TEMPERATURA. MATERIAL SEMICONDUCTOR TIPO N Objetivo: aumentar la corriente Aadir material pentavalente (DONANTE) -> e- sin dejar h+.

V -> I mayoritaria de e- (Portadores mayoritarios)

-> I minoritaria de h+ (Portadores minoritarios)

El donante pasar a ser un in positivo. n = p + ND MATERIAL SEMICONDUCTOR TIPO P Objetivo: aumentar la corriente Aadir material trivalente (ACEPTADOR) -> introduce h+.

V -> I mayoritaria de h+ (Portadores mayoritarios) -> I minoritaria de e- (Portadores minoritarios) El aceptador pasar a ser un in negativo. p = n + NA DERIVA Los portadores se mueven por agitacin trmica, al chocar salen despedidos en direcciones aleatorias. Campo E -> obliga a los portadores a tomar una direccin y una velocidad -> DERIVA La deriva es proporcional al E segn una constante de movilidad diferente para e- y para h+. Vn=-nE Vp=pE n >p

UNIN PN

Aparece CORRIENTE DE DIFUSION -> los h+ y los e- pasarn al otro material con la intencin de recombinarse.
Quedan iones en las zonas ms cercanas a la unin -> Zona de deplexin (ZD)

ZD -> Campo E
E detiene el paso de portadores

Queda una pequea I de portadores minoritarios (e- y h+) que se crean en la unin trmicamente y son dirigidos por E. UNION PN POLARIZADA INVERSAMENTE V apoya el trabajo del campo E originado por ZD.-> Aumenta ZD al alejarse los portadores.

I de minoritarios independiente de V.

Ecuacin de Shockley:

iD=Is[Exp (vD/nVT) 1]
En PI vD<0 -> iD=-Is -> Corriente de Saturacin UNION PN POLARIZADA DIRECTAMENTE V se opone al trabajo del campo E originado por ZD.

h+ cruza la unin cuando V supera a E, e igual e-. La I total se deber al paso de e- al MTP y de h+ al MTN, mayoritaria de e- en MTN y mayoritaria de h+ en MTP.-> Controlables por dopaje. COMPORTAMIENTO EN ALTA FRECUENCIA Capacidad de transicion: tiene lugar durante la PI. Queda dos placas conductoras cargadas con polaridad inversa y una zona aislante. C no ser cte depende de V de forma no lineal

Cj= |dQ/dV|
Capacidad para un valor concreto de una pequea seal alterna, depende de la geometra del cristal, dopaje (proporcional).

Capacidad de difusin: Unin PN con MTP muy dopado, muchos se recombinan al cruzar pero muchos no quedndose acumulados mientras haya PD. Cdif=tpIDQ/VT VT =KT/q

As, cuanto ms carga pase (IDQ) y ms tiempo vivan en el otro lado (tp)mayor ser la acumulacin de carga.
Ambas C son un problema en conmutacin, ya que tendrn que deshacerse de esa carga cuando cambien de PD a PI.