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Nombre del estudiante

:
Juan Manuel Noriega Terán

Nombre del trabajo:
Fabricación de semiconductores.

Fecha de entrega:
8-Abril-2014
Campus:
Lomas Verdes
Carrera:
Ingeniería Mecánica
Semestre:
7mo.
Nombre del maestro:
Carlos Portal


Objetivo:
El objetivo de esta tarea es el de investigar y aprender el proceso de manufactura de los
semiconductores.



Marco Teórico:
El semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o un aislante, dependiendo
de los factores de campo magnético, campo eléctrico, presión, temperatura o radiación bajo los que
se esté trabajando.

Fabricación de Semiconductores
Introducción
• El circuito integrado de silicio es un dispositivo de diminutas dimensiones constituido por
millones de transistores.

• El descubrimiento del efecto transistor por Schockley, Bardeen y Brattain marcó un punto de
inflexión en la evolución de la electrónica.

• Aparece la técnica planar en 1957 de la mano de Jean Hoerni.

• Desde la aparición del primer circuito integrado, año tras año se ha ido mejorando el proceso
de fabricación.

• El proceso que hoy en día se utiliza para construir circuitos integrados está basado en la
técnica planar.

• Las condiciones de fabricación de un chip son muy estrictas.

• Su realización se lleva a cabo en las así conocidas “salas blancas”.
• En el caso de semiconductores, el circuito está diseñado usando técnicas de modelado de
computadoras.

• Se selecciona el equipo de fabricación y se determinan las condiciones de operación.



Tratamiento del Cristal Silicio
 El silicio es el material básico a partir del cual se construyen los circuitos integrados. Los pasos
para conseguir este material (Silicio de 8 Nueves) son:

 Reducción de SiO2. Obtenemos el Silicio en estado líquido, aunque es bastante impuro.

 Cloración. Tras este proceso obtenemos un Silicio de 6 Nueves.
Fabricación de Semiconductores
Tratamiento del Cristal Silicio
 Reducción del tricloro de silano (SiHCl3). Se obtiene un Silicio de 8 Nueves, pero aún es poli
cristalino y aún no nos sirve.

 Método de Czochralski. El siguiente paso es cristalizar el silicio

 Refinamiento por Zonas. En este paso se consigue un Silicio Mono cristalino de gran pureza.

• Una vez obtenido el Lingote de silicio se corta en obleas de unos 0.725 mm de grosor. Los
pasos a seguir para obtener las obleas son:

 Torneado del Lingote. Se elige el diámetro final que tendrán las obleas.

 Rectificado del Borde.

 Corte de las obleas.

 “Lapping” o pulido superficial de las Obleas con Abrasivos.

 Biselado de los bordes.

 “Etching” o Limpieza por Ataque Químico

 Pulimento Especular. Se va realizando un pulido cada más fino

 Eliminación Química de Residuos.

 Decapado Pre-epitaxial.

Fabricación de Semiconductores
Los Primeros Estratos
• Una vez que disponemos de la capa de Si puro, se van depositando sobre ella diferentes
capas de materiales con una misión diferente.

• La primera es un denso óxido (normalmente SiO2) que sirve de aislante eléctrico y de
protección contra impurezas externas.
Esta primera capa se logra mediante el proceso que se conoce con el nombre de Oxidación
térmica o difusión térmica.

• Después aplicaremos una fina capa de un material foto resistivo, que es fundamental en el
proceso de mascarado.

Fabricación de Semiconductores
Adición de Estratos
• Posteriores pasos de litografía y grabación, se van depositando nuevo materiales en el chip.

• Entre estos materiales se encuentran conductores metálicos de aluminio y tungsteno, poli
silicio y otros óxidos diversos entre los cuales no falta el SiO2.

• Sobre cada estrato se crea por litografiado y grabación una configuración de regiones
conductoras y no conductoras. El conjunto de estas regiones definen el chip.

• Pero éste aun no posee ningún dispositivo electrónico: para acabar de definir bien su
funcionamiento se necesita un ajuste más fino: el dopado.


Fabricación de Semiconductores
Fotolitografía
• Es el proceso que consiste en grabar el circuito deseado en la oblea de silicio. Este proceso
consta de varias partes:

• Depositar una capa de material foto resistivo sobre la oblea.

• Iluminar ésta imponiendo un patrón con zonas opacas y transparentes entre ella y la luz, de
manera que el circuito diseñado, que tiene la forma del patrón o máscara, queda grabado en
la oblea.

• Eliminar los restos de la capa inicial.

• De esta manera disponemos ya de la oblea, con sus porciones aislantes (cubiertas de óxido) y
las conductoras (las faltas de óxido).

Fabricación de Semiconductores
Dopado
• Añadir impurezas químicas voluntariamente para obtener distintos comportamientos
eléctricos

• Semiconductores tipo P y Tipo N

• Métodos utilizados

 Difusión
 Implantación iónica


Fabricación de Semiconductores
Dopado - Difusión
• Etapas del proceso
 Depósito de impurezas
 Drive-In, colocación de impurezas dentro de la oblea
• Inconvenientes
 Difusión lateral
 Imprecisión en uniones p-n muy finas
 Poco control de dopaje
• Consecuencias
 Límite en las dimensiones de trabajo
 Efectos que alteran la conducción

Fabricación de Semiconductores
Dopado - Implantación iónica
• Etapas del proceso
 Ionización, Aislamiento y separación
 Aceleración, Colimación y Bombardeo
• Beneficios
 Proceso repetible
 Rangos de aplicación controlados
 Gran control del dopaje
• Consecuencias
 Permite dimensiones mucho mas pequeñas
 Conducción ampliamente controlada
 Necesidad de Re cristalización

Fabricación de Semiconductores
Pasos finales
• Metalización
 Evaporación
 Pulverización

• Eliminar defectos en la aleación

• Pasivación.
Vaporización de la oblea con Óxido de Silicio como aislante

• Interconexiones.
Aluminio como elemento de contacto eléctrico

• Ensamblaje.
Protección de choques y ambiente externo


El primer paso en la fabricación de un dispositivo semiconductor es obtener materiales
semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los niveles de impurezas
de menos de una parte en mil millones (1 en 1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de la
fabricación de semiconductores de hoy día.
silicio Germanio.
• La materia prima se somete primero a una serie de reacciones químicas y a un proceso de
refinación de zona para formar un cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los átomos del
cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los átomos se
acomodan en forma simétrica, uniforme, con estructura geométrica en enrejado.

Etapas.
• 1. Purificación del substrato (Fabricación de obleas)
• La operación final antes de que la fabricación del semiconductor se lleve a cabo es la formación de
un solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr usando la técnica de Czochralski o la de
zona flotante, la última es la que se ha diseñado recientemente. El aparato empleado en la técnica
de Czochralski se muestra en la siguiente diapositiva.
Método de Czochraiski
• Este método es utilizado para la obtención de silicio mono cristalino mediante un cristal semilla
depositado por un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención
de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.

• El método consiste en tener un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor
fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por encima
del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira
lentamente y tiene en su extremo un pequeño mono cristal del mismo semiconductor que actúa
como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste se agrega a la semilla,
solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el mono
cristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un mono cristal cilíndrico.
Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo.


Crisol
usado en el
proceso
Crisol
después del
proceso
Lingote de silicio mono cristalino
Método de zona flotante.
 El proceso parte de un cilindro de silicio poli cristalino
 Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla
 Una pequeña zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se
desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla
 El Si fundido es retenido por la tensión superficial entre ambas caras del Si sólido
 Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio mono cristalino se solidifica en el extremo
inferior de la zona flotante y crece como una extensión de la semilla

Cristal de silicio en el inicio
del proceso de crecimiento
Crecimiento del cristal de silicio
• La estructura del cristal simple producida puede cortarse en obleas algunas veces tan delgadas
como 1/1000 (ó 0.001) de pulgada
• Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo
• Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilíndrica
calentado por resistencia
T entre los 850 y 1100ºC
• 2. Oxidación
Dos tipos de oxidación: Seca y húmeda
Oxidación Húmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H
2
O(g) → SiO
2
(s) + 2H
2
(g)
Es mucho mas rápida y se utiliza para crear óxidos gruesos
Oxidación seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O
2
(g) → SiO
2
(s) + 2H
2
(g)
Se consiguen óxidos de mayor calidad pero es más lenta
Esta técnica no es apropiada para la creación de óxidos gruesos ya que se puede producir una
redistribución de las impurezas introducidas en los anteriores procesos
Tipos de Hornos
Horno
horizontal
Horno vertical
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Se cubre la oblea con una
fotoresina + o -
Se hace incidir luz U.V. a
través de una mascara
Se ablanda (+) o se
endurece (-) la resina
expuesta
Se elimina la fotoresina no
polimerizada con
tricloroetileno
Grabado: se ataca con HCl o
HF y se elimina el SiO
2
no
protegido por la fotoresina
Se elimina la fotoresina
con un disolvente
Sulfúrico SO
4
H
2

• 3. Litografía y grabado
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Grabado Húmedo:
• Baño de ácido fluorhídrico o clorhídrico
que ataca SiO
2
no protegido, pero no ataca al
Si.
• Gran selectividad
• Problema: ataque isotrópico igual en todas
las direcciones
Grabado Seco:
• Se usa un plasma con un gas ionizado
• Grabado Físico o químico
• Ataque anisótropo
• Menor selectividad
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Difusión
Se colocan las obleas en el interior de un horno a través del
cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante
deseado.
T entre 800º y 1200º C
Para Si tipo P el dopante más usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsénico y Fósforo.
Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusión.
Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusión:
• 4. Impurificación (Adición de Dopantes)
a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentración de impurezas durante
el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentración inicial y no se añaden mas dopantes
Normalmente se usan los dos métodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusión dependerá del tiempo y de la temperatura.
La concentración de dopante disminuye monótonamente a medida que se aleja de la
superficie.
La técnica de difusión tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente
Bibliografía:
Manufactura, ingeniería y tecnología. KALPAKJIAN Serope.
Conclusiones:
Se aprendió teóricamente el proceso de manufactura de los semiconductores. De esto se puede
tener una idea mas clara de su funcionamiento y estructura.
Aprendí también los procesos y materiales para su fabricación.