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JFET EN FRECUENCIA

EST. ING ELEC: EMILIANO LOGREIRA
 ESTRUCTURA FISICA DE UN JEFT.


 (JFET, FIELD EFFECT TRANSISTOR)
transistor de efecto de campo de unión. Es un tipo de fet
que opera con una unión pn polarizada en inversa para
controlar una corriente en un canal, importante dispositivo
que , al igual que los bipolares se utilizan como
amplificadores e interruptores lógicos.
 OPERACIÓN BASICA:

 SIMBOLOS DEL JFET:


 CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑAS
SEÑALES:




Para realizar análisis en pequeñas señales
debemos conocer el circuito equivalente y tener en
cuenta la dependencia de id con respecto a VDS por
ello en la ilustración se observa una resistencia
llamada resistencia de drenador rd.
 ANALISIS EN PEQUEÑAS SEÑALES DE UN
AMPLIFICADOR JFET:







El condensador de acoplo de entrada C1 se debe sustituir por un
cortocircuito y se debe cambiar también el JFET por su equivalente
en pequeña señal. Como se supone que el condensador de
desacoplo CS debe ser un cortocircuito, el terminal de fuente del
JFET se conectara directamente a tierra.
 ANALISIS EN PEQUEÑAS SEÑALES DE UN
AMPLIFICADOR JFET:







La fuente de alimentación de tensión continua actúa como un
cortocircuito para la señal alterna (incluso si la corriente de alterna
pasa por la fuente de continua, la tensión alterna en ella es cero;
por tanto, para señales de alterna, la fuente de tensión continua es
un cortocircuito). En consecuencia, R1 y R2 están conectadas entre
puerta y tierra en el circuito equivalente. De igual manera, RD está
conectada entre el drenador y tierra.
 GANANCIA DE TENSIÓN:




Observamos que las resistencias rd, RD y RL están conectadas en
paralelo, por tanto:


La tensión de salida es el producto de la corriente procedente de la
fuente controlada y la resistencia equivalente.

 GANANCIA DE TENSIÓN:




Es necesario el signo menos a causa de los sentidos de referencia
elegidas (es decir, la corriente GmVgs sale del extremo positivo de la
tensión de referencia para Vo). Además, la tensión de entrada y la
tensión puerta-fuente son iguales.


Por lo tanto la ganancia se puede expresar de la forma:


 RESISTENCIA DE ENTRADA:







La resistencia de entrada del amplificador ilustrado viene dada por
la ecuación:


 RESISTENCIA DE SALIDA:

Para hallar la resistencia de salida de un amplificador,
desconectamos la carga, sustituimos la fuente de señal por su
resistencia interna, y después calculamos la resistencia vista desde
los terminales de salida






En consecuencia, la resistencia de salida es la combinación en
paralelo de RD y rd:


 RESPUESTA EN FRECUENCIA :

Es el cambio de la ganancia o el de fase dentro de
un intervalo especificado de frecuencias de la señal
de entrada de un amplificador.

En los amplificadores, los capacitores de
acoplamiento y puenteo aparecen como cortos en
AC en la banda de frecuencias medias.

En bajas frecuencias, la reactancia capacitiva de
estos capacitores afectan la ganancia y la fase de
las señales.
 EFECTO DE LAS CAPACITANCIAS
INTERNAS DE UN TRANSISTOR:




Las capacitancias internas del transistor se tienen en cuenta
lo que reduce la ganancia del amplificador y produce un
desfasamiento conforme aumenta la frecuencia de la señal.

En las hojas de datos de los FET normalmente especifican las
capacitancia de entrada Ciss y la capacitancia de transferencia
en inversa Crss, ya con estas se pueden hallar Cgs y Cgd.
 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA:



CIRCUITO EQUIVALENTE PARA ALTA FRECUENCIA













 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN JFET:






Amplificador divisor de voltaje, y su circuito equivalente en alta frecuencia
del amplificador. capacitores acoplamiento y puenteo tienen reactancias
despreciables y se consideran cortos circuitos y las capacitancias internas Cgs
y cgd aparecen en el circuito equivalente porque sus reactancias son
significativas en altas frecuencias.
 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN JFET:






Rbias representa la resistencia de salida de la fuente de corriente, y RL es la
resistencia de carga. La combinación en paralelo de Rbias, rd, RL y RD se
denota mediante:


Las resistencias en la entrada de hibrido se encuentran en paralelo por lo
tanto podemos expresarlas de la siguiente forma:
 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN JFET:





Queremos deducir una expresión para la ganancia de tensión Vo/Vsig como
una función de la variable S de Laplace. Formulando la ecuación de
corrientes en la puerta, tenemos:



En el nodo del drenado, obtenemos:

 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN JFET:

A continuación, eliminamos Vgs de las Ecuaciones para obtener una ecuación
única que relacione Vsig y Vo. Después, calculamos la ganancia como un
cociente de polinomios en s. El resultado es:




Esta ecuación puede escribirse de la siguiente manera:




en la que:

 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN JFET:

Observe que Av(s) tiene dos polos y un cero. Las frecuencias de corte
correspondientes son:




Normalmente, fp1 es mucho menor que fz y fp2. Entonces, el diagrama de
Bode es similar al mostrado en la Figura, y la frecuencia de corte superior es
aproximadamente igual a fp1.
 COMO SABER LOS VALORES DE Cgd, Cgs y Cds:

Normalmente en las hojas de datos no proporcionan estos valores,
pero si especifican otros valores que son mas fáciles de medir estos
son:

 Ciss: capacitancia de entrada.
 Crss: capacitancia de transferencia en inversa.
 Coss: capacitancia de salida.

A causa al método de medición del fabricante las siguientes
relaciones permiten determinar los valores de capacitor necesario
para el análisis.

 TEOREMA DE MILLER:







El teorema de Miller expresa que C aparece efectivamente como una
capacitancia de la entrada y tierra.

Cgd tiene un impacto mucho mas grande en la capacitancia de entrada que
su valor real, como se muestra en la imagen siguiente donde se muestra la
capacitancia de entrada efectiva en el circuito equivalente de AC real en
paralelo con Cgs.

también se puede mostrar que C aparece efectivamente como una
capacitancia de salida a tierra.

Esta formula indica que que si la ganancia de voltaje es 10 o mas grande,
C sal(miller) es aproximadamente igual a Cgd porque (Av+1)/Av es
aproximadamente igual a 1
 UTILIZANDO EL METODO DE MILLER:





Viendo desde la fuente Cgd aparece efectivamente en la
capacitancia de entrada miller como se muestra en la
ecuación.

Viendo el drenaje Cgd aparece efectivamente en la
capacitancia de salida de miller del drenaje a tierra en
paralelo con RD.
 CIRCUITO RC DE ENTRADA:




El circuito de entrada en altas frecuencias forma un circuito
pasobajas, RG y la resistencia de entrada en la compuerta de
los FET son extremadamente altas, la resistencia de control
del circuito de entrada es la resistencia de la fuente de
entrada Rs<<Rent esto es porque Rs aparece en paralelo con
Rent cuando se aplica en teorema de thevenin.
La frecuencia de corte superior para el circuito de entrada es:
 CIRCUITO RC DE SALIDA:



La capacitancia de salida miller y la resistencia de salida
viendo el drenaje forma el circuito RC de salida de alta
frecuencia, el FET se trata como una fuente de corriente,
cuando se aplica el teorema de thevenin se obtiene un
circuito RC de salida equivalente compuesto de RD en paralelo
con RL y una capacitancia de salida equivalente.


Y la frecuencia critica del circuito de atraso RC de salida es.

 ANALISIS DEL JFET EN BAJAS FRECUENCIAS:


En bajas frecuencias, las capacitancias internas tiene una
reactancia muy alta debido a su bajo de capacitancia y el bajo
valor de la frecuencia, por lo tanto, se ven como circuitos
abiertos y no afectan el desempeño del transistor.

Conforme la frecuencia se incrementa, las reactancias
capacitivas internas se reducen y en algún punto comienza a
tener efecto significativo en la ganancia del transistor, cuando la
reactancia de Cgs se vuelven suficientemente pequeña, se
pierde una cantidad significativa del voltaje de señal a causa del
divisor de voltaje de la resistencia de la fuente de señales y
cuando la reactancia Cgd se vuelve suficientemente pequeña, una
cantidad significativa de voltaje de señal de salida se realimenta
y esta desfasada con respecto la entrada, por lo que
efectivamente se reduce la ganancia de voltaje.
 EFECTOS DE LOS CAPACITORES DE ACOPLAMIENTO:














La capacitancia varia inversamente con la frecuencia. En baja frecuencia la
reactancia es mas grande y se reduce a medida que la frecuencia se incrementa,
por ejemplo.

Los amplificadores acoplados capacitivamente como el de la figura, tiene menos
ganancia de voltaje que a frecuencias mas altas. la razón es que en bajas
frecuencias. Cae mas voltaje de señal a atreves C1 Y C3, porque sus reactancias
son mas altas, esta caída de voltaje reduce la ganancia de voltaje. Los
capacitores de acoplamiento producen un desfasamiento porque C1 forma un
circuito de adelanto de fase con la resistencia de entrada del transistor igual que
C3 con RL en paralelo con RD.

 PRINCIPIO DE SUPERPOSICION:

Como la ganancia depende de C1, C2 y C3 , la función de transferencia
será de orden superior. Esto se podría simplificar suponiendo que la
ganancia sólo depende de una sola de las capacidades, considerando la
otra mucho mayor, luego:

 La ganancia dependerá sólo de C3 , haciendo C1 y C2 un Cortocircuito
(C2, C1 >> C3).
 La ganancia dependerá sólo de C2 si C3 y C1 se reemplazan por un
cortocircuito (C3, C1 >> C2)
 La ganancia dependerá sólo de C2 si C3 y C1 se reemplazan por un
cortocircuito (C3, C2 >> C1)

Bajo esta hipótesis, se puede deducir una ecuación basada en el
principio de superposición en la cual la ƒL se obtiene analizando la
aportación individual de cada uno de los condensadores supuesto el
resto de los condensadores externos en cortocircuito. La expresión de la
frecuencia de corte de un amplificador es:

.

 PRINCIPIO DE SUPERPOSICION:



Ci es un condensador externo y Ri0 la resistencia vista a través de
los terminales de este condensador, supuesto el resto de
condensadores externos en cortocircuito.

Bajo la hipótesis de polo dominante, a esta red resultaría:



siendo ƒLi la aportación individual del condensador i a la frecuencia
de corte inferior.


 EFECTOS DE LOS CAPACITORES DE ACOPLAMIENTO:







Considerando el amplificador ilustrado en la figura, analizaremos el efecto
que tienen los condensadores de acoplo sobre la ganancia, además
encontraremos las frecuencias de corte para esta configuración.



 ANALISIS DE LOS EFECTOS DE C1








De acuerdo a la figura podemos observar que el voltaje que cae en el
condensador es:


Puede escribirse en función de la corriente así:


Por tanto la impedancia total entre los terminales del condensador es:













 ANALISIS DE LOS EFECTOS DE C2











De acuerdo a la figura podemos observar que la impedancia entre las
terminales del condensador es igual a:


La expresión puede escribirse de la siguiente forma:





 ANALISIS DE LOS EFECTOS DE C3










De acuerdo a la figura podemos decir que:

e ;

La expresión puede escribirse de la siguiente forma:

por tanto:








 DIAGRAMAS DE BODE:

consiste en demostrar que las funciones de un circuito pueden
trazarse gráficamente en función de frecuencia de forma rápida y
fácil, al menos para circuitos sencillos. Estas gráficas se conocen
como diagramas de Bode.







Un diagrama de Bode representa la magnitud de una función de
transferencia en decibelios en función de la frecuencia,
representándose ésta en una escala logarítmica. Resulta que estas
gráficas de la función de transferencia pueden aproximarse
mediante segmentos de rectas.






 DIAGRAMAS DE BODE:

Los diagramas de Bode también pueden representar la fase de una
función de transferencia en decibelios en función de la frecuencia.








Observe que la curva puede ser aproximada por los siguientes
segmentos de línea recta: una línea horizontal en cero para fafb/10;
una línea inclinada que va desde el valor cero de fase para fb/10
hasta el valor de fase .90° para 10 fb; y una línea horizontal en .90°
para fb10 fb. La curva real de fase se desvía de estas líneas rectas
aproximadas en menos de 6°. Por tanto, trabajando a mano,
podemos dibujar fácilmente una gráfica aproximada de fase en
función de la frecuencia.






 EJEMPLO DE ANALISIS COMPLETO:

Realizaremos análisis completo del transistor ilustrado:






El hibrido equivalente en pequeña señal de este transistor nos
queda de la siguiente forma:



 EJEMPLO DE ANALISIS COMPLETO:






Observamos que las resistencias rd, RD y RL están conectadas en
paralelo, por tanto:



La trans-resistencia típica según la hoja de especificaciones es: