Materiales 3

Universidad de Atacama Departamento de Metalurgia
UNIDAD 3
ESTRUCTURA DE LOS SLIDOS
CRISTALINOS
Y SUS
IRREGULARIDADES
Arreglo Atmico
Arreglo atmico
Propiedades

Estructura
Sin orden: Los tomos y molculas carecen de una arreglo ordenado,
ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente en el espacio
disponible
Xenn
Ordenamiento de corto alcance: - es el arreglo espacial de los tomos o molculas que
se extiende slo a los vecinos ms cercanos de stos. A estas estructuras se les
denomina estructuras no cristalinas.
En el caso del agua en fase vapor, cada molcula tiene un orden de corto alcance debido
a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrgeno y oxgeno. Sin embargo, las
molculas de agua no tienen una organizacin especial entre s.
Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos (slice), polmeros

Vapor de agua
Ordenamiento de largo alcance: El arreglo atmico de largo alcance (LRO) abarca
escalas de longitud mucho mayores de 100 nanmetros. Los tomos o los iones en
estos materiales forman un patrn regular y repetitivo, semejante a una red en tres
dimensiones.
Grafeno (compuesto de
carbono densamente
empaquetados)
Estructura cristalina
Orden de largo alcance (cristal): En los materiales
cristalinos, las partculas componentes muestran un
ordenamiento regular que da como resultado un
patrn que se repite en las tres dimensiones del
espacio, y a lo largo de muchas distancias atmicas.

Sin orden (amorfo): En los materiales amorfos, los
tomos siguen un ordenamiento muy localizado,
restringido a pocas distancias atmicas y que, por
tanto, no se repite en las tres dimensiones del
espacio. Se habla de un orden local o de corto
alcance.
Diagrama
molecular del
vidrio (SiO
2
) en
slido amorfo
Diagrama molecular del cuarzo
(SiO
2
) en red cristalina
Cristal
Vidrio
Imagen de microscopa electrnica de alta
resolucin de una nanopartcula de
Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz
polimrica de poliestireno.
Un material cristalino es aquel en que los tomos se encuentran situados en un arreglo
repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal como las estructuras
solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera repetitiva tridimensional en el cual
cada tomo est enlazado al tomo vecino ms cercano.
Cristal: conjunto de tomos ordenados segn un arreglo peridico en tres
dimensiones
Modelo de las esferas rgidas: se consideran los tomos (o iones) como esferas
slidas con dimetros muy bien definidos. Las esferas representan tomos macizos en
contacto
Red cristalina: disposicin tridimensional de puntos coincidentes con las posiciones de
los tomos (o centro de las esferas). Los tomos estn ordenados en un patrn
peridico, de tal modo que los alrededores de cada punto de la red son idnticos
Un slido cristalino es un conjunto de
tomos estticos que ocupan una posicin
determinada
Celda unitaria: es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la
geometra de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas
forma un cristal con dicha estructura (subdivisin de una red que conserva las
caractersticas generales de toda la red) .
Estructura cristalina cbica de cara centrada:
(a) representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas
Representacin de la red y de la celda unitaria del sistema cbico
centrado en el cuerpo
Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la celda unitaria, incluyen
las dimensiones de las aristas de la celda unitaria y los ngulos entre estas.
En funcin de los parmetros de la celda unitaria: longitudes de sus lados y ngulos
que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos que definen la forma geomtrica de la
red:
Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros (nm) o en angstrom (A) donde:

1 nanmetro (nm) = 10
-9
m = 10
-7
cm = 10 A
1 angstrom (A) =0.1 nm = 10
-10
m = 10
-8
cm
14 Redes de
Bravais
Sistemas
cristalinos
Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm

Estructura cristalina Elemento
Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos
Cbica-primitiva Po
Radio atmico versus Parmetro de red
En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los tomos
estn en contacto continuo son direcciones de empaquetamiento
compacto. En las estructuras simples, se utiliza estas direcciones para
calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de la
celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base en los
parmetros de red, y a continuacin incluyendo el nmero de radios
atmicos a lo largo de esa direccin, se puede determinar la relacin que
se desee.
Cbico simple (CS)
Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo
Cbico centrado en el cuerpo (BCC)
Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo
Cbico centrada en las caras (FCC)
Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara del cubo
Ejercicio:
Calcular el parmetro de red y el volumen de la celda unidad del cobre
FCC.
radio atmico = 1,28
Ejercicio: Calcule el parmetro de red del cloruro de sodio y el volumen
de la celda unitaria
Radio inico sodio = 0,98
Radio inico cloro = 1,81
Nmero de tomos equivalentes por celda
Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo, cada tipo
de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de la siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya que ese
tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de tomo, ya
ese tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.
Ejercicio
Calcule la cantidad de tomos por celda en el sistema cristalino cbico.
Ejercicio:
Un metal cristaliza en la red cbica centrada en las caras. Si su radio
atmico es 1.38 . Cuntos tomos existirn en 1 cm
3
?
Nmero de coordinacin
El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a
determinado tomo (cantidad de vecinos ms cercanos a un tomo en
particular)
N coordinacin CS = 6 N coordinacin BCC = 8
N coordinacin FCC = 12
Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas
duran que tocan a su vecino ms cercano
( ) ( )
unit aria celda la de v olumen
t omos de v olumen celda por t omos de cant idad
ient o empaquet am de Fact or =
Ejercicio:
Calcular el factor de empaquetamiento de la celda CS, BCC y FCC
Estructura a (r)
Nmero de
coordinacin
Factor de
empaqueta-
miento
Ejemplos
Cbica
simple (CS)
a = 2r 6 0,52 Po
Cbica
centrada en
el cuerpo
(BCC)
a = 4r/3 8 0,68
Fe, Ti, W, Mo,
Nb, Ta, K, Na,
V, Cr, Zr
Cbica
centrada en
las caras
(FCC)
a = 4r/2 12 0,74
Fe, Cu, Al,
Au, Ag, Pb,
Ni, Pt
Hexagonal
compacta
(HC)
a = 2r
c/a = 1,633 a
12 0,74
Ti, Mg, Zn,
Be, Co, Zr, Cd
Densidad
La densidad terica de un material se puede calcular con las propiedades de
su estructura cristalina
( ) ( )
( ) ( ) Av ogadro N unit aria celda la de v olumen
at mica masa celda por t omos de cant idad
Densidad
=
Ejercicio:
Determinar la densidad del aluminio, si este metal cristaliza FCC, tiene un
radio atmico de 0,143 nm y un peso atmico de 26,98 g/mol
Ejercicio
Una aleacin cristaliza cbica centrada en el cuerpo, como se muestra en
figura, Calcule:
a) El factor de empaquetamiento
b) La densidad terica
r
A
= 1,27
r
B
= 1,21
masa molecular tomo A: 56,78 g/mol
masa molecular tomo B: 65,98 g/mol
A

B
tomo Radio () (kg/m
3
) masa atmica
(g/mol)
A
B
X
1,5
1,46
7.698
7.956
7.547
58,34
55,23
45,89
Ejercicio
Se tiene una aleacin formada por tomos A y tomos B, que cristaliza
FCC, los tomos A se ubican en los vrtices de la celda y los tomos B en
el centro de las caras.
a) Calcule el factor de empaquetamiento de la celda unitaria
b) Calcule el radio de los tomos que pueden ingresar al centro de la
celda, sin causar deformacin
c) Calcule la densidad de la aleacin

Ejercicio

Un clip pesa 0,59 g y es de hierro BCC. Calcule:
a) La cantidad de celdas unitarias en el clip
b) La cantidad de tomos de hierro en el clip
a
0
= 2,866
masa atmica = 55,847 g/mol
densidad = 7,87 g/cm
3

Ejercicio:
La estructura del cloruro de sodio es una estructura cbica, compuesta por 4
tomos de cloro y 4 tomos de sodio, tal como se muestra en figura.
Determine
a) Densidad del cloruro de sodio
b) Factor de empaquetamiento de la celda
r
sodio
= 0,098 nm
r
cloro
= 0,181 nm
N avogadro = 6,02 x 10
23
Ejercicio
Se tiene un metal A que cristaliza cbico de cara centrada, cuyo radio atmico
es de 1,24 A.
a) Calcule el radio de un tomo que podra ubicarse en el centro de la celda
sin producir deformacin.
b) Cul el la variacin porcentual del factor de empaquetamiento de la
celda al ingresar el nuevo tomo

Isomorfismo, polimorfismo y alotropa
Hay elementos y compuestos que pueden presentar distintas
estructuras cristalinas dependiendo de la presin y temperatura a la
que estn expuestos.
Isomorfismo
Aquellos slidos que teniendo el
mismo sistema de cristalizacin, tienen
distinta composicin de elementos
qumicos.
Polimorfismo
Capacidad de un material slido
de existir en ms de una
estructura cristalina, todas ellas
con la misma composicin de
elementos qumicos.
Alotropa
Caracterstica de un elemento de ser
capaz de existir en ms de una
estructura cristalina, dependiendo de
la presin y temperatura.
El hierro puro se presenta en estructura cristalina BCC y FCC en el
rango de temperaturas que va desde temperatura ambiente hasta la
temperatura de fusin a 1.539 C.
La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de
modificaciones de la densidad y de otras propiedades fsicas.
En los materiales cermicos polimrficos como la SiO
2
y la ZrO
2
, la
transformacin puede acompaarse de un cambio de volumen, que si
no se controla de manera adecuada, produce un material frgil que se
fractura con falicidad.
Circonia (ZrO
2)

T Ambiente 1.170 C Monoclnica
1170 C 2.370 C Tetragonal
2.370 C 2.680 C Cbica
Ejercicio
Calcular el cambio de volumen terico que acompaa a la
transformacin alotrpica en un metal puro desde la estructura FCC a
BCC. Considere que no existe cambio de volumen atmico antes y
despus de la transformacin.
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Se ha descrito el slido cristalino mediante la aproximacin de un cristal
ideal

Perfeccin en materiales
Pureza composicional

Pureza estructural
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Los slidos cristalinos reales SIEMPRE PRESENTAN IMPERFECCIONES con
respecto al modelo de referencia del slido cristalino ideal
Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas
propiedades del materia (mecnicas, pticas, elctricas, etc.)
Se encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance (grano)
Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas
propiedades
Ejemplos: - Carbono en Fe para mejorar dureza
- Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas
- Dopantes en semiconductores
Clasificacin de las imperfecciones en los slidos (segn su forma y
geometra):
Defectos puntuales: Son
discontinuidades de la red
que involucran uno o quiz
varios tomos.

Defecto de vacancia (a)
Defecto intersticial (b)
Defecto sustitucional (c, d)
Defecto de Vacancias
Se produce cuando falta un tomo en la estructura cristalina
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
Las vacancias pueden producirse durante la solidificacin como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales.
En los metales se pueden introducir vacancias durante la deformacin
plstica, por enfriamiento rpido desde altas a bajas temperaturas, o
como consecuencia de daos por radiacin.
Las vacancias son importantes cuando se desean mover los tomos
en un material slido (difusin).
A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea,
pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura
en una red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente
ecuacin:
|
|
.
|
\
|

=
T R
Q
exp n n
v
v
n
v
: cantidad de vacancias por cm
3
n : cantidad de tomos por cm
3
Q : energa para producir un mol de
vacancias (cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol
K; 8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin
Ejercicio
Calcule
a) El nmero de vacancias de equilibrio por centmetro cbico en el
cobre a 500 C
b) La fraccin de vacancias a 500 C del cobre puro
Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina
en una posicin normalmente desocupada.
El aumento de sitios intersticiales
ocupados en la red cristalina, produce
un aumento de la resistencia de los
materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales
en la estructura es aproximadamente
constante (an cuando cambie la
temperatura)
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
Defecto Sustitucional
Sustitucin de un tomo de la matriz por uno de soluto
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de
impurezas o adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la
temperatura.
La existencia de dislocaciones en los
materiales metlicos justifica la
plasticidad y fluencia que los
caracterizan y diferencian frente a
los cermicos.
IMPERFECCIONES LINEALES: DISLOCACIONES
Las dislocaciones son defectos de
lnea que se mueven al aplicar una
fuerza al material haciendo que se
deforme.

IMPERFECCIONES LINEALES: DISLOCACIONES

DISLOCACIN.- Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada
en torno a una lnea. Se crean durante la solidificacin de los slidos cristalinos o
por deformacin plstica, por condensacin de vacantes.

DE ARISTA (borde, cua, lnea)
Semiplano de tomos cuya arista (borde) termina dentro del cristal.

HELICOIDAL
Apilacin de planos en espiral a lo largo de la lnea de dislocacin.

MIXTAS De carcter doble: arista y helicoidal

Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos
La dislocacin de cua o de arista, es un defecto lineal centrado
alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano de tomos
extras.
La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin se expresa en funcin del vector de Burgers, designado
por b.
El vector de Burgers es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor d ela lnea de dislocacin y volver al punto inicial.
El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.
La dislocacin de borde presenta una regin de compresin donde
se encuentra el semiplano extra y una regin de traccin debajo del
semiplano extra de tomos.
Dislocacin de borde en dos dimensiones de un plano compacto
Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento
de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.
Desplazamiento de una dislocacin

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga
y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto
y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento,
en el plano de deslizamiento.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a
un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los
enlaces de los tomos en un plano.
El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano
parcial de tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia atmica
hacia el lado.
Si continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que
se produce un escaln en el exterior del mismo.
El cristal se ha deformado plsticamente
Lnea de dislocacin: lnea que va a lo largo del plano extra de
tomos que termina dentro del cristal
Plano de deslizamiento: plano definido por la lnea de dislocacin y el
vector de deslizamiento.
Smbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de
perpendicular, . Cuando el signo apunta hacia arriba, el plano extra
de tomos est sobre el plano de deslizamiento y la dislocacin se le
llama positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra de
tomos est bajo el plano de deslizamiento y la dislocacin es
negativa.
Dislocacin de tornillo (helicoidal)
Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto
aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal
perfecto que han sido separadas por un plano cortante.

Estas tensiones de
cizalladura introducen en la
estructura cristalina una
regin de distorsin en
forma de una rampa en
espiral de tomos
distorsionados.
Formacin de una dislocacin helicoidal
Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de carcter de borde y
otras de carcter de tornillo. El desorden atmico varia a lo largo de la
curva AB
Dislocacin de tornillo Dislocacin mixta
Importancia de las dislocaciones
Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales,
ya que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor calculado a partir de la unin
metlica (rompimiento de enlaces) [10
3
10
4
ms baja que la resistencia
terica]
El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario
stos serian frgiles y no podran ser conformados (materiales cermicos,
polmeros, materiales inicos)
Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones (un obstculo introducido
en el cristal evita que una dislocacin se deslice, a menos que se apliquen
esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la resistencia).
Importancia de los defectos puntuales
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un defecto
puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus
posiciones de equilibrio.
Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la
dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y dureza
del material
Si los tomos solutos se renen preferentemente alrededor de las
dislocaciones, la fuerza necesaria para mover una dislocacin puede
aumentar considerablemente.
Defectos de superficie
Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que
dividen un material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma
estructura cristalina pero diferente orientacin.
Superficie externa
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las
cuales la red termina abruptamente. Los tomos de la superficie no
estn enlazados al nmero mximo de vecinos que deberan tener y
por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico que los
tomos de las posiciones internas. Adems la superficie del material
puede ser rugosa, puede contener pequeas muescas y puede ser
mucho mas reactiva que el resto del material.
(a) Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la formacin
del borde de grano. (b) Granos y lmites de grano en una muestra de acero
inoxidable.
Borde de grano
Superficie que separa los granos individuales de diferentes orientaciones
cristalogrficas en materiales policristalinos.
Material policristalino
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es
controlar el tamao del grano, ya sea durante la solidificacin o
durante el tratamiento trmico.
En los metales, los lmites de grano se originan durante la
solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes
ncleos crecen simultneamente juntndose unos con otros
Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del
material, ya que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones
Un material con un tamao de grano grande tiene menor
resistencia y menor dureza.
Importancia de los defectos
En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones,
defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las
dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando
la cantidad y el tipo de imperfeccin
Endurecimiento por deformacin
Endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano
Endurecimiento por deformacin
Los tomos vecinos a
una lnea de dislocacin
estn en compresin y/o
traccin.
Se requieren esfuerzos
mayores para mover una
dislocacin cuando se
encuentra con otra
dislocacin
Metal ms resistente
Al incrementar el nmero de
dislocaciones, se aumenta la
resistencia del material
Endurecimiento por solucin slida
El defecto puntual altera
la perfeccin de la red
Se requiere de mayor
esfuerzo para que una
dislocacin se deslice
Al introducir intencionalmente tomos
sustitucionales o intersticiales, se genera
un endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano
Los limites de grano
alteran el arreglo
atmico
El movimiento de las
dislocaciones se bloquea en los
bordes de grano
Al incrementar el nmero
de granos o al reducir el
tamao de stos, se
produce endurecimiento
por tamao de grano.
IMPLICANCIAS DE LA PRESENCIA DE DEFECTOS

a] La incorporacin de impurezas en materiales semiconductores pueden
incrementar su conductividad.
b]El conocimiento de las dislocacin es est estrechamente ligado a los procesos
de deformacin plstica de materiales.
c]La dureza de los metales puede incrementarse por el agregado de impurezas
intersticiales o sustitucionales incrementan la tensin en la red. Se incrementa la
resistencia al deslizamiento. Se dificulta la iniciacin y continuidad de la
deformacin plstica.
d] La presencia de los bordes de grano afecta las propiedades de los materiales
(cambio de propiedades pticas, transparencia) .
e] Las propiedades de los materiales pueden modificarse a travs de procesos de
difusin en slidos que involucran movimientos de vacancias y de impurezas
intersticiales. (semiconductores)

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