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EL TRANSISTOR BIPOLAR

Prof. Consuelo Negrn Martnez


http://youtu.be/f3IUVvJ2XgI
Inventores del transistor bipolar
The first transistor was invented at Bell Laboratories on December 16, 1947 by William Shockley
(seated at Brattain's laboratory bench), John Bardeen (left) and Walter Brattain (right). This was
perhaps the most important electronics event of the 20th century, as it later made possible the
integrated circuit and microprocessor that are the basis of modern electronics.


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CONTENIDO
Introduccin
El transistor de unin bipolar (BJT)
Configuraciones del transistor BJT.
Definicin de los estados del transistor BJT.
Configuracin del BJT en Emisor Comn.
Circuitos de polarizacin. Rectas de carga
esttica.
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BJT ( Bipolar Juntion Transistor )
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado solido
de tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado
de seal.
Es uno de los dispositivos mas utilizados en electrnica, ha
evolucionado es capaz de manejar potencia y frecuencias elevadas,
con gran fiabilidad.
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas no
lineales.
EFECTO TRANSISTOR es un dispositivo cuya resistencia interna puede
variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el
circuito al que esta conectado.
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Constitucin interna del transistor
Es un dispodsitivo de tres terminales, equivalente a dos
diodos PN unidos en sentido opuesto.( Emisor, Base y
Colector)
En funcion de la unin , hay dos tipos PNP, NPN.
La unin Base-Emisor se polariza en directa y la Base Colector
en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una
corriente inversa.

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Transistor Bipolar npn
Est formado por una fina capa p entre dos capas n,
contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio
o silicio, presentado por las tres zonas mencionadas ( E, B, C)
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Transistor Bipolar pnp
El BJT pnp esta formado tambin por un cristal
semiconductor con tres regiones definidas por el tipo
de impurezas.
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Configuraciones del BJT
EMISOR COMUN:. Ai cc elevada , Z entrada pequea, Z salida grande. Es el
montaje que mas se acerca al modelo de amplificador ideal
COLECTOR COMUN: Ai cc elevada, Z entrada muy grande, Z salida muy
pequea
BASE COMUN: Ai cc= 1, Z entrada pequea , Z salida muy grande


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Funcionamiento del BJT


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Ecuaciones del Dispositivo
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Configuracin en EC, Curvas Caractersticas

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Curvas del transistor
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Recta de carga , mxima disipacin de potencia
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Criterio de diseo para polarizar un BJT
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Polarizacin por divisor de tensin en la base
La base se polariza por medio de un divisor de tensin.
Experimentalmente se recomienda que la corriente que
circula por Rb1 sea 10 veces la intensidad Ib, luego por Rb2
circular 9Ib, por lo tanto:

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Potencia Disipada por un BJT
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BJT en conmutacin
Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de CORTE a
SATURACION se considera inmediato, es decir, el BJT no permanece en la
zona activa.
Los circuitos tpicos en conmutacin son los multivibradores y a bascula de
Schmitt.
Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de
temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc.
Las basculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de
deteccin que utilizan sensores, de forma que se comportan como un
interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico
detectado por el sensor.
BJT en corte
BJT en saturacin


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El BJT en Corte y Saturacin
CORTE:
Ib cero
Ic es del orden de los nA a T= 300K
Vce = Vcc, considerando Ic=0
Se comporta como interruptor abierto.

SATURACION:
Vce = 0 ( aprox. 0,2 V)
IC = Vcc/(Rc + RE)
Se comporta como un interruptor cerrado


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Comportamiento del BJT en Corte y Saturacin
El BJT en la zona de corte como circuito abierto
El BJT en la zona de saturacin como corto circuito.
El BJT en la zona activa.
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Polarizacin en activa directa, corte, saturacin, activa inversa
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Modelos equivalentes para trabajar con el BJT
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Ejemplos
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Halle el punto Q del
Darlington
Calcule la corriente de colector
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