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Leccin 18.

- Los transistores de potencia


Universidad de Oviedo
Tema VII.
Dispositivos semiconductores de potencia.
Interruptores
Leccin 18 El Transistor bipolar de puerta aislada
18. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
18.1 Estructura interna y circuito equivalente
18.2 Caractersticas estticas
18.3 Caractersticas dinmicas
18.4 Encapsuldos y datos de los fabricantes

Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
18.1 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

n-
p
n n
p
n n
n+
Puerta
Emisor
Colector
xido
p+
Estructura de MOSFET
ms una capa p+ de
colector.
Los NPT-IGBT no
tienen la capa n+.
PT-IGBT (Punch-Through IGBT)
IGBT de canal n
Smbolo y circuito
equivalente sencillo
Leccin 18. - Los transistores de potencia
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En estado de conduccin es
cualitativamente similar a un
bipolar controlado en tensin.
Son preferibles tensiones de
puerta altas.
(En el IGBT de canal p cambia el sentido de corrientes y tensiones).
IGBT de canal n
V
GS1
V
GS2
V
GS3
V
GS4
BV
DSS
V
DS
V
RM
I
D
Caractersticas de salida
Caractersticas de
transferencia
V
GS(th)
V
GS
I
D
V
GS4
> V
GS3
> ... > V
GS1
La tensin de bloqueo inversa
depende de la unin p+n+. Si la zona
n+ se quita V
RM
aumenta.
La caracterstica por puerta es
equivalente a la de un MOSFET.
18.2 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Leccin 18. - Los transistores de potencia
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Puerta
Con V
GS
< V
GS(th)
, no
hay canal y el interruptor
est abierto.
La tensin V
CE
cae en
la unin pn-.
La zona p est ms
intnsamente dopada.
V
CE,MAX
es igual que la
tensin de bloqueo.
NPT-IGBT (Non Punch-
Through IGBT)



n-
p
n n
p
n n
Emisor
Colector
xido
p+
IGBT de canal n
Apenas soporta tensin inversa, slo unas decenas de voltios.
NPT-IGBT (Punch-Through IGBT)
18.2 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Bloqueo
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Conduccin
Con V
GS
>V
GSth
se forma
canal.
V
CE
de saturacin cae en
la unin p+n-.
La mayor parte de la
corriente final va por el
MOSFET.
Puerta


n-
p
Emisor
Colector
xido
p+
n n - -
+ + + + + + + +
MOSFET
V
DS
=V
BE
+V
drift
+R
canal
I
D

V
BE
= 0,7 1 V.
V
drift
menor que en el MOSFET por
modulacin de la conductividad.
RI
D
comparable con el MOSFET.

18.2 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
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Caractersticas dinmicas. Conmutacin con carga inductiva.
V
GS
10%
90%
t
don
90%
t
r
90%
t
doff
10%
t
f
Cola de
apagado
Sobretensin
Recup. inversa
V
CE

i
C

18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
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|
.
|

\
|
= A
dt
i d
L V
C
STRAY CE
Energa de entrada en conduccin E
ON
:
Energa de salida de conduccin E
OFF
:
Aparece el fenmeno de cola de apagado.
La inductancia parsita provoca sobretensin.
Debe manejarse la recuperacin inversa del diodo.
La conmutacin dura ms que t
OFF
.
La frmula de las prdidas es similar a la de un transistor bipolar
Caractersticas dinmicas. Conmutacin con carga inductiva.
18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
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520
50
19
21 E
on

E
off

Ms rpidos que un bipolar.
Menos prdidas que un MOSFET.
V > 500V
I grande
Caractersticas dinmicas.
Conmutacin con carga inductiva.
18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Prdida
s en el
diodo
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ref
C
C
ref
CE
CE
ON ON
I
I
V
V
E E
* *
*
=
ref
C
C
ref
CE
CE
OFF OFF
I
I
V
V
E E
* *
*
=
COND
SAT
CE C COND
t V I E =
*
( ) f E E E P P P P
COND OFF ON COND OFF ON TOT
+ + = + + =
* * *
Prdidas totales en un IGBT
18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
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18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
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18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
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18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
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Conclusiones
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Conclusiones
1.- El transistor bipolar es un dispositivo en que la conduccin
se hace mediante portadores minoritarios. Esto se traduce en
baja velocidad de conmutacin: apenas unos pocos kHz.
2.- Al ser lento apenas se usa actualmente en aplicaciones de
potencia. Para tensiones inferiores a 500 V ha sido substituido
por el MOSFET y para tensiones superiores por el IGBT.
3.- El MOSFET es un dispositivo en que la conduccin se hace
mediante portadores mayoritarios. Macroscpicamente esto se
traduce en alta velocidad de conmutacin.
4.- Por tanto puede conmutar a decenas y centenares de kHz.
5.- La resistencia de conduccin directa est directamente
relacionada con la tensin de bloqueo.


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Universidad de Oviedo
Conclusiones
9.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta mejores
caractersticas para tensiones inferiores a 500V.
10.- Existen dispositivos de 1000V, pero slo son tiles para bajas
potencias o altas velocidades de conmutacin.
11.- A la hora de seleccionar un MOSFET su parmetro ms
importante es R
ON
.
12.- El IGBT es un interruptor con caractersticas de control
parecidas al MOSFET y caractersticas de salida similares al
transistor bipolar.
13.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta
mejores caractersticas para tensiones inferiores a 500V.
14.- Tpicamente, el IGBT puede soportar miles de voltios y
conducir centenares de amperios, conmutando a una frecuencia
de decenas de kHz