4-6 DEFECTOS PUNTUALES

Son discontinuidades de la red que involucran uno o quizá varios átomos.
Estos defectos o imperfecciones, que se muestran en la fig. 4-11, pueden
ser generados en el materias mediante el movimiento de los átomos al
ganar energía por calentamiento; durante el procedimiento del materias;
mediante la introducción de impurezas; o intencionalmente a través de las
aleaciones.


Vacancias: Una vacancia se produce cuando falta un átomo en un sitio
normal. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a
altas temperaturas o como consecuencia de daños por radiación. A
temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero éstas se
incrementan de manera exponencial conforme se aumentan la
temperatura, como se muestra en la siguiente ecuación de Arrhenius:
donde nv es el número de vacancias por
3
; n es el número de puntos de red
por
3
; Q es la energía requerida para producir una vacancia, en cal/mol; R es la
constante de los gases, 1.987 cal/mol ∙ K y T es la temperatura en °. Debido a la
gran energía térmicas existente cerca del punto de fusión, pudiera existir vacancia
por cada 1000 puntos de la red.

= exp −
Q
RT
,
EJEMPLO 4-6 DISEÑO DE UN TRATAMIENTO TÉRMICO PARA
PRODUCIR VACANCIAS.
Diseñe un tratamiento térmico que proporcione 1000 veces más vacancias en
el cobre de las que están normalmente presentes a temperatura ambiente. Se
requiere aproximadamente 20,000 cal/mol para producir una vacancia en el
cobre.
SOLUCIÓN:
El parámetro de red del cobre CCC es 0.36151 nm. El número de átomos de
cobre, o puntos de red, por
3
es:

n =
4 átomos/
(3.6151 10
−8
)
3

= 8.47 10
22
átomos de cobre/
3

A temperatura ambiente, = 25 +273 = 298

= ( 8.47 10
22
) exp
−20,000
1.987 298
= 1.815 10
8
vacancias/
3

Se desea producir 1000 veces esta cifra, es decir

= 1,815 x 10
11

vacancias/
3
. Esto se puede lograr calentando el cobre a una temperatura a la
cual se forme este número de vacancias:

= 1.815 10
11
= (8.47 10
22
) exp −
20,000
1.9877


exp −
20,000
1.9877
=
1.815 10
11
8.47 10
22
= 0.214 10
11



20,000
1.987
= ln 0.214 10
−11
= −26.87

exp −
20,000
1.9877
=
1.815 10
11
8.47 10
22
= 0.214 10
11


=
20,000
(1.987)(26.87)
= 375 K = 102°C
Al calentar el cobre ligeramente por encima de 100°C (quizás incluso colocando
en agua hirviendo), y a continuación enfriándolo rápidamente hasta la
temperatura ambiente , la cantidad de vacancias atrapadas en la estructura
podría ser 100 veces mayor que la cantidad de vacancias al equilibrio a
temperatura ambiente.
DEFECTOS:
*Intersticiales : Se forman un defecto intersticial cuando se inserta un átomo
adicional en una posición normalmente desocupada dentro de la estructura
cristalina.

*Sustitucionales : Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un
átomo por otro de un tipo distinto. El átomo sustitucional permanece en la
posición original.

*Otros defectos puntuales : Se crean un intersticio cuando una átomo
idéntico a los de los puntos normales de la red de coloca en un lugar
intersticial.

El defecto de Frenkel es un par de defectos, intersticio-vacancia formado
cuando un ion salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial,
despejando detrás una vacancia.

Un defecto Schottky es un par de vacancia en un material de enlace iónico;
deben faltar tanto un anión como un catión de la red si se ha de preservar la
neutralidad eléctrica del crista. Este defectos es común en materiales
cerámicos de enlace iónico.

Un ultimo defecto puntual importante ocurre cuando un ion remplaza a otro
con carga distinta. Como se muestra en la figura:

Importancia de los defectos puntuales:
Alteran el arreglo perfecto de los átomos circúndales, distorsionando la red a lo largo
de quizás cientos de espaciamientos atómicos, a partir del defecto.