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Plasmas tecnolgicos

Dr. Stanislav Moshkalev



CCS-UNICAMP
Processos em micro-fabricao: ciclo tpico
deposio de filmes finos
(semicondutor, metal, dieltrico,
etc.)
litografia (fotorresiste / gravao
com luz UV ou feixes de eltrons)
etching (corroso) - tratamento
(modificao) e remoo do
material no coberto por
fotorresiste
remoo de fotorresiste

Na microeletrnica moderna, 3 dos
4 processos bsicos (deposio,
etching e remoo de fotorresiste)
so feitos, geralmente, por plasma
(processos secos)
Corroso seca: uma soluo do problema de
anisotropia em escala sub-micron
Tipos de plasma
Conceito de plasma
Plasma: gs parcialmente ou totalmente ionizado, com densidade de
eltrons e volume suficientes para estabelecer um campo eltrico
interno bastante forte criando um sistema (partculas + campo) auto-
organizado

Neutralidade (quase) de plasma: n
-
n
+


Parmetros tpicos de plasmas tecnolgicos:
n
e
= 10
8
- 10
11
cm
-3



n
gs
= 3x10
14
cm
-3
@ 10 mTorr (geralmente, p
gs
= 1 - 100 mTorr)
T
e
= 1-5 eV (1 eV = 11600
0
K)
T
i
= 0.05 - 0.5 eV
T
gas
= 0.03 - 0.05 eV
Processos em plasmas reativos
(ex.: plasma de CF4) :
Processos elementares bsicos no plasma
(veja tabela em baixo, com energias mnimas
necessrias para sua implementao) :
- ionizao
- dissociao
- excitao (eletrnica , rotacional,
vibracional)
- colises elsticas

Processos em plasmas reativos :
Gerao de plasma (ruptura)
Plasmas de descargas eltricas: estrutura tpica
Exemplo: descarga DC
luminosa
Distribuio de
parmetros
(luminosidade, potencial,
campo eltrico,
densidade de eltrons e
ons) - essencialmente
no uniforme.
No-uniformidade maior
observada nas regies
prximas aos eletrodos
(bainhas)
Plasmas de descargas eltricas: bainha (sheath)
Fuga de eltrons no estgio inicial da
descarga criao de potencial negativo
dos eletrodos (self-bias) e formao da
bainha (rea de carga espacial)
Gerao de plasma: descarga eltrica RF
(13,56 MHz), acoplamento capacitivo
Reator tipo diodo
V
rf
= V
rfo
sin (wt)
V
s1
(DC) = V
s2
(DC)
V
s1
(t) = (V
rfo
/2) [1+sin (wt)]
V
s2
(t) = (V
rfo
/2) [1+sin (wt+ /2)]
Descarga RF, self-bias I
Descarga asimtrica:
efeito de razo de reas,
A ,
(Z=1/jwC , C~ A )
V
s
/V
1
= (A
1
/A
s
)
n
,
1 n 2.5
Self-bias maior para
eletrodo menor
Descarga RF, self-bias II
Gerao de plasma: descarga eltrica RF
(13,56 MHz), acoplamento capacitivo
Descarga RF, acoplamento capacitivo:
limitaes
Vantagens:
simplicidade, custo baixo

Problemas:
baixa densidade do plasma (n
e
~ 10
9
-10
10
cm
-3
)
self-bias alto ~ 100-1000 V
presso do gs alta (>10 mTorr) perda da direcionalidade do tratamento
(caminho mdio livre para ons comparvel com a espessura da bainha
espalhamento de ons na bainha )
falta de controle independente da densidade (n
e
) e self-bias (energia de ons, E
i
)

Alternativas: fontes de plasma de baixa presso, alta densidade e com controle
independente de self-bias (ECR, ICP)
fontes de
.
Descarga RF, acoplamento indutivo
ICP- inductively coupled
plasma
Alta densidade do plasma:
n
e
~ 10
10
-10
12
cm
-3
Presso do gas pode ser
baixa (at ~1 mTorr)
Fonte adicional de RF
controle independente de
polarizao do eletrodo
inferior (self-bias)
Problemas: acoplamento
capacitivo parastico
bombardeamento da janela
de quartzo por ions (injeo
de impurezas)
Descarga ECR (2.45 GHz)
ECR- electron ciclotron
resonance
Alta densidade do plasma:
n
e
~ 10
10
-10
12
cm
-3

Presso do gas baixa (at
~ 1 mTorr ou menos)
Possibilidade de ter uma
fonte adicional de RF
controle independente de
polarizao do eletrodo
inferior (self-bias)
Problemas: sistema
magntico complexo
manutenso relativamente
difcil
Plasma etching. An introduction. D.Manos,
D.Flamm, Eds., Academic Press, 1989

Plasma Processing of Semiconductors, P.Williams,
Ed., NATO ASI Series, Kluwer Academic
Publishers, 1997

J.Reece Roth, Industrial Plasma Engineering, v.1,
Institute of Physics Publishing, 1995

S.Wolf, R.Tauber, Silicon Processing, v.1, Lattice
Press, 1986
Referncias