Amplificadores de Pequeña Señal Con BJTs y FETs

Amplificadores de
Pequea Seal con

BJTs y FETs
ELECTRNICA ANALGICA II
ANALGICA II
INTRODUCCIN
En un cuadripolo es necesario comparar Vs con Vi, mediante la

Funcin de Transferencia
Vo
Vo
Vo
1
1
1
Vi
Vi
Vi
Amplificador
Sistema de Proteccin o
separador de seales
Atenuador
La mxima transferencia de energa se da cuando:

Zi =Zo ->Acople de Impedancias
ANALGICA II
INTRODUCCIN
Se considera:
Al transistor trabajando en la zona lineal (Amplificador).

Aplicar una seal de AC (seal senoidal) en la entrada del circuito.
Que la seal senoidal de salida es mayor que la de entrada.
Por la ley de conservacin de energa Po = Pi
El factor que permite que Po > Pi en AC es la potencia en DC aplicada al circuito
transistorizado
ANALGICA II
INTRODUCCIN
Un diseo de amplificacin correcto requiere que los componentes de DC y AC sean sensibles a
los requerimientos y limitaciones de cada uno.
El teorema de superposicin es aplicable al anlisis y diseo de los componentes de DC y AC de

una red de BJT, lo que permite separar el anlisis de las respuestas de DC y AC del sistema.
ANALGICA II
INTRODUCCIN
El anlisis de la polarizacin (DC) servir para:
garantizar que el transistor se encuentre polarizado en la zona activa

para fijar los valores de los elementos del circuito equivalente de pequea seal.
Para el anlisis en rgimen dinmico se deber plantear el circuito equivalente correspondiente a
la frecuencia de la seal alterna.
sustituir el transistor por su circuito equivalente
se eliminarn las fuentes de componentes continuas
se sustituirn los condensadores por las impedancias que les correspondan.
ANALGICA II
Conceptos Bsicos de Amplificacin

El objeto de la amplificacin es aumentar la amplitud y potencia de una seal dbil, pero
conservando la informacin que lleva.
La amplificacin implica mantener una relacin lineal entre la entrada y salida.
En este captulo se analizar una seal de entrada de pequea amplitud. Es lo suficiente

pequea para considerar como lineal la respuesta del amplificador.
La alimentacin en DC es necesaria para suministrar potencia a la seal de entrada
ANALGICA II
Conceptos Bsicos de Amplificacin

Vcc = Alimentacin de la red
Vs = Pequea seal en AC de entrada

Vo_s = Seal de salida amplificada
RL = Carga del sistema
Seal de salida ser la suma de la contribucin de alimentacin Vcc anulando la seal de ingreso
Vs, SUMADO la contribucin de Vs cuando se anula Vcc.
ANALGICA II
Comparacin del parmetro beta de AC, con el

parmetro beta de DC
Para un transistor tpico, una grfica de IC contra IB no es lineal
ANALGICA II
Acoplamientos Capacitivos
Los transistores se encuentran polarizados en su punto de trabajo dentro de la zona lineal:
Zona activa en los BJT
Zona de Saturacin en los FET
En dichas zonas se puede garantizar el comportamiento lineal del amplificador.
Tensin en DC lleva a los transistores al punto de operacin para amplificacin lineal (sin distorsin).
La seal en AC puede interferir en el comportamiento lineal, para evitarlo es necesario acoplar la seal
de entrada y salida con el amplificador
Los condensadores llamados de acoplo se encargan de dicho acoplamiento, debido a que su
impedancia depende de la frecuencia, en DC se comportan como circuito abierto manteniendo las
condiciones de operacin.
A partir de ciertas frecuencias se comportan como un cable permitiendo el paso de la seal de
ingreso Vs
ANALGICA II
Acoplamientos Capacitivos
Debido a que el sistema es lineal se puede aplicar el
Teorema de superposicin.
Es decir se realiza por separado lo que aporta la
parte en continua de alimentacin la parte alterna
de la seal de ingreso.
ANLISIS EN DC
PRINCIPIO DE SUPERPOSICIN
ANLISIS EN AC
ANALGICA II
Inyeccin de CA sobre circuito de

polarizacin
La variacin resultante de la corriente
en la base produce una variacin ms
grande de la corriente en el colector
debido a la ganancia de corriente del
transistor.
A medida que la corriente senoidal en
el colector se incrementa, el voltaje en
el colector decrece.
La corriente en el colector vara por
encima y por debajo de su valor de
punto Q, ICQ, en fase con la corriente
en la base.
ANALGICA II
Inyeccin de CA sobre circuito de

polarizacin
El voltaje senoidal en el colector con
respecto al emisor vara por encima y
por debajo de su valor de punto Q,
VCEQ, desfasado 180 con respecto al
voltaje en la Base.
Un transistor siempre produce una
inversin de fase entre el voltaje en la
base y el voltaje en el colector.
ANALGICA II
RECTAS DE CARGA Y MRGEN

DINMICO
Al insertar una seal de AC dentro de circuito, si el sistema es lineal, se puede analizar por
separado el sistema con DC y AC.
En amplificadores se busca verificar cul s la mxima amplificacin que podemos obtener.
Si no existen parmetros extremos y el BJT se encuentra en la zona activa, se considera como un

sistema lineal, por tanto se puede aplicar el principio de superposicin.
ANALGICA II

DINMICO
Considerando el siguiente circuito:
Anlisis en DC
Circuito de Entrada
IBQ
Vcc VBE
RB
ICQ IBQ
ANALGICA II

DINMICO
Considerando el siguiente circuito:
Anlisis en DC
Circuito de Salida
Vcc VRC VCEQ

VCEQ Vcc RC ICQ
ICQ
Vcc VCEQ
RC
ANALGICA II
RECTA DE CARGA ESTTICA
ICQ
ANALGICA II
Vcc VCEQ
RC

DINMICO
Anlisis en AC
Debido a la frecuencia los condensadores de acoplo se comportan como cables

La fuente de DC se cortocircuita obteniendo:
VCE t
IC t
RC RL
RC
RL IC t VCE t
ANALGICA II

DINMICO
Anlisis en AC
Se puede obtener la contribucin instantnea total sumando la parte de continua y

alterna instantnea.
La inyeccin de seal de AC en el circuito produce
un desplazamiento del punto de operacin Q.
Existir por tanto una variacin de VCE
IC t ic t ICQ
VCE t VCEp VCEQ

VCE t
IC t
RC RL
RC RL ic t ICQ VCEp VCEQ
RC RL IC t VCE t
ANALGICA II
RECTAS DE CARGA Y MARGEN

DINMICO
Usando las ecuaciones anteriores se
obtiene:
RC RL ic t ICQ VCEp VCEQ
ic t ICQ
ic t
ic t
Recta de Carga en Alterna

ANALGICA II
VCEp VCEQ
RC RL
VCEp VCEQ
RC RL
ICQ
VCEp VCEQ
ic t
RC
RL
VCEp VCEQ
RC
RL
ICQ
ICQ
RECTA DE CARGA EN ALTERNA

ic t
VCEP VCEQ
RC
RL
Para VCEp=0:
ICQ
icMAX
VCEQ
RC RL
ICQ
Si ic=0:
VCEMAX VCEP RC RL ICQ VCEQ
ANALGICA II
Modelo re del Transistor BJT

Para visualizar la operacin de un transistor en un circuito amplificador, a menudo es til representarlo
con un circuito modelo.
Un circuito modelo de transistor utiliza varios parmetros internos del transistor para representar su
operacin.
En primera instancia se tiene en la entrada que Vi = Vbe.
todas las caractersticas en la seccin de salida pueden ser reemplazadas por una fuente controlada
cuya magnitud es beta veces la corriente de base.
ANALGICA II

Reemplazando ahora el diodo por su resistencia equivalente en alterna que es determinada por
el nivel de la corriente que lo atraviesa (IE)
ANALGICA II
Los circuitos de entrada y salida estn aislados y

estn vinculados slo por la fuente controlada
Si >>1
ANALGICA II

Para representar la impedancia de salida se analiza la pendiente de curva de trabajo,
que indica la cantidad resistiva entre IC y VCE.
Las posibles prdidas en la salida entonces sern modeladas por ro
Se coloca en paralelo para representar las prdidas de corriente
ANALGICA II
Cuanto ms cambie VCE por el mismo

cambio de IC, mayor ser la resistencia de
salida en esa regin.
ms horizontal es la curva y mayor es la
resistencia de salida.
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Emisor

Comn
Se tienen capacitores de acoplo entre la fuente y el amplificador y entre la

carga y el amplificador.
La seal AC de entrada es aplicada a la base.
Si existe un capacitor en paralelo a la Resistencia de emisor (capacitor de

puenteo), pone efectivamente al emisor en cortocircuito con tierra a la
frecuencia de la seal de ingreso.
ANALGICA II

Comn
La salida amplificada est defasada 180 con respecto a la entrada.
A medida que el voltaje de la seal de entrada cambia, hace que cambie la corriente
de AC en la base y el resultado es un cambio de la corriente en el colector a partir
de su valor de punto Q.
Si se incrementa la corriente en la base, la corriente en el colector se incrementa
por encima de su valor de punto Q, lo que aumenta la cada de voltaje a travs de
RC.
El incremento del voltaje a travs de RC indica que el voltaje en el colector se
reduce a partir de su punto Q.
As que cualquier cambio en el voltaje de la seal de entrada produce un cambio

opuesto en el voltaje de la seal en el colector, lo cual constituye una inversin de
fase.
Lo anterior sucede para cualquier configuracin
ANALGICA II

Comn
Anlisis en DC
Primero se deben determinar los valores de polarizacin de DC.

Para ello se desarrolla un circuito equivalente en DC eliminando los
capacitores de acoplamiento y puenteo porque aparecen como un circuito
para anlisis en DC.
Eliminar capacitores de acoplamiento significa eliminar tambin el resistor
de carga y de la fuente de seal
ANALGICA II

Comn
Anlisis en AC
Para analizar la operacin de un amplificador con seal de AC, se desarrolla

un circuito equivalente en AC de la siguiente manera:
1. Los capacitores C1, C2 y CE son reemplazados por cortos efectivos
porque sus valores se seleccionan de modo que XC sea despreciable a la
frecuencia de la seal y se pueda considerar que es de 0.
2. La fuente de cd es reemplazada por tierra.
ANALGICA II

Comn
Anlisis en AC
La resistencia interna de una fuente de voltaje de CD es de cerca de 0

porque mantiene un voltaje constante independiente de la carga (dentro de
los lmites) y no se puede desarrollar voltaje de AC a travs de ella.
Por eso una fuente de CD se conoce como tierra de AC.
Considere que al amplificador no siempre le llega la seal de la fuente AC
por completo debido a que esta fuente presenta una resistencia interna
(Rs)
ANALGICA II

Comn
Polarizacin Fija
ANALGICA II

Comn
Polarizacin Fija
El valor de re se debe determinar con un anlisis de DC del sistema y, por lo comn, la magnitud
de ro se toma de la hoja de especificaciones o por las caractersticas.
ANALGICA II

Comn
Polarizacin Fija
Recuerde que la impedancia de salida de cualquier

sistema se define como la impedancia Zo
determinada cuando Vi=0.
ANALGICA II

Comn
Polarizacin Fija
El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un desfasamiento de 180

entre las seales de entrada y salida
ANALGICA II

Comn
Polarizacin Fija
El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un desfasamiento de 180

entre las seales de entrada y salida
ANALGICA II

Comn
Partidor de Tensin
No se considera RE debido a que est puenteada

por CE
ANALGICA II

Comn
Partidor de Tensin
ANALGICA II

Comn
Polarizacin Fija RE sin puenteo (Aproximacin sin considerar ro)
ANALGICA II

Comn
ANALGICA II

Comn
Se deja al estudiante el anlisis de las ecuaciones con la presencia de ro (ver libro gua)
ANALGICA II

Seguidor
Puede polarizarse con polarizacin fija o por medio de un partidor de tensin
La seal de entrada est acoplada capacitivamente a la base y la seal de salida al emisor

mientras el colector est conectado a tierra de AC (Vcc).
No hay inversin de fase y la amplitud de la salida es aproximadamente igual a la de la

entrada.
ANALGICA II

Seguidor
Polarizacin Fija
Debido a que ro es por lo general mucho ms grande que RC

se omite en el presente anlisis (ro10RE)
ANALGICA II

Seguidor
Polarizacin Fija

ANALGICA II

Seguidor
Polarizacin Fija

Si >>1
ANALGICA II

Seguidor
Polarizacin Fija

La impedancia de salida
se obtiene apagando Vi
Si RE>>re
ANALGICA II

Seguidor
Polarizacin Fija

Si RE>>re
ANALGICA II
Amplificador a Emisor Comn con

Realimentacin del Colector
ANALGICA II

1. El voltaje en el nodo B es Vi y en
el nodo C es Vo, por tanto
2.Sobre el nodo B:
Ib
Vi
re
3. Sobre el nodo C:
4. Como I b I ' :
Io Ib
5. Reemplazando en las ecuaciones anteriores:
Vo I b Rc
Vi
Vo
Rc
re
ANALGICA II
Vi
Rc
Vo Rc
Vi
re
re
Rc
Vo
Av

Vi
r
e

Reemplazando Vo en la ecuacin
de I
Rc Vi Vi
Vo Vi
I'
RF RF
re RF RF
Sobre el nodo B:
Ii I ' Ib
Vi
Ii I '
re
Reemplazando:
Vi Rc Vi
Ii
1
re
RF re
Vi Vi Rc
Ii
re RF re
ANALGICA II
Vi Rc
I'
1
RF re
1
1 Rc
Ii Vi
re RF re
Vi
1
Zi
Ii 1
1 Rc
re RF re

Si ajustamos Vi a cero como se requiere para definir Zo:
Zo Rc RF
El signo negativo de Av indica un desfasamiento de 180 entre Vo y Vi.
ANALGICA II

Analice si a esta configuracin se
agrega RE.
Determine Zi, Zo y Av
ANALGICA II

Analice si a esta configuracin se
agrega RE.
Determine Zi, Zo y Av
ANALGICA II

Realimentacin de CD del Colector
Analice esta configuracin y determine Zi, Zo y Av
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Base

Comn
La corriente del colector est relacionada con la del emisor por alfa .
En general, las configuraciones en base comn tienen una impedancia de entrada muy baja
porque en esencia slo es re
ANALGICA II

Comn
26mV
re
IE
Como la corriente de salida se opone a la direccin definida de Io.
No hay desfasamiento entre los voltajes de entrada y salida.

La impedancia de salida ro del transistor no se incluye para la configuracin en base comn, ya que
por lo general est en el intervalo de los megaohms y puede ser ignorada en paralelo con el resistor
RC..
ANALGICA II

Comn
La configuracin en base comn se caracteriza por tener una impedancia de entrada
baja e impedancia de salida y una ganancia de corriente menor que 1.
La ganancia de voltaje, sin embargo, puede ser bastante grande.
Impedancia de Entrada Zi
Impedancia de Salida Zo
ANALGICA II

Comn
Ganancia de Voltaje
Ganancia de Corriente
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Ganancia de

Corriente
Para cada configuracin de transistor, la ganancia de corriente se puede determinar
directamente a partir de la ganancia de voltaje, la carga definida y la impedancia de entrada.
Para el anlisis considere al amplificador como un solo sistema
A las diversas configuraciones antes analizadas aplique:
AVL Es la ganancia de voltaje del

amplificador
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Circuito

Completo
Se verifica el efecto de la aplicacin de una carga a la terminal de salida (RL) y la utilizacin de una fuente
con una resistencia interna (RS).
Por ejemplo para una configuracin de polarizacin fija:
La ganancia de voltaje con carga ser AVL
ANALGICA II

Completo
Para cualquier configuracin a Emisor comn, donde se considere la resistencia interna de Vs, el voltaje de
entrada al amplificador es Vi y a la Salida ahora se debe considerar a RL para determinar a Vo.
ANALGICA II

Completo
Para encontrar Vi, considere el partidor de tensin entre Rs y Zi. Recuerde que Zi puede cambiar segn la
configuracin del amplificador debido a que es la impedancia de entrada del amplificador.
ANALGICA II

Completo
ANALGICA II

Completo
ANALGICA II

Completo
Recuerde que AVS representa la ganancia de seal, es decir

representa la ganancia total del circuito y es menor a la ganancia AVL
ANALGICA II
MXIMA DINMICA
El desplazamiento de VCE, no puede superar de
un cierto margen, caso contrario la seal de
salida se distorsiona.
Dicho margen se conoce como margen
dinmico.
El margen dinmico se puede definir como:
VCEQ+VCE o VCEQ-VCEsat
Margen Dinmico definido por el punto de
trabajo en DC.
Deber comprobarse para cada diseo
verificando Cul es el valor mximo de Vs a
implementar.
ANALGICA II
MXIMA DINMICA
Por ejemplo considerando un Amplificador de
Emisor Comn
VCEp ic RC RL
VCEPMAX VCEQ VECP
VCEPMIN VCEQ VECP
VCEPP 2VECP
VCEPP
Vs
Avs
ANALGICA II
MXIMA DINMICA
Considerando que VMAX es el voltaje mximo que VCE
puede alcanzar sin distorsionarse y es 10% menos que
VCC.
Si:
VCEP VMAX
VCEPMAX VMAX
VCEP ' VMAX VCEQ
VCEPMIN VCEQ VCEP '
VCEPP 2VECP '
VCEPP
Vs
Avs
ANALGICA II
MXIMA DINMICA
Considerando que VMIN es el voltaje mximo que VCE
puede alcanzar sin distorsionarse y es 10% de VCC.
Si:
VCEP VMIN
VCEPMIN VMIN
VCEP '' VMIN VCEQ
VCEPMAX VCEQ VCEP ''
VCEPP 2VECP ''
VCEPP
Vs
Avs
ANALGICA II
Modelo Hbrido Equivalente
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
Resumen de Parmetros h en AC
ANALGICA II
Relaciones de Parmetros h y r
Como las hojas de datos dan slo parmetros h en emisor comn, las siguientes frmulas
muestran cmo convertirlos en parmetros r.
Se utilizarn parmetros r porque son ms prcticos y es ms fcil aplicarlos.
1
ro
hoe
hie re
ANALGICA II
Para emisor
comn
Modelo Hbrido Emisor Comn Pol. Fija.

Este modelo con el anlisis del modelo re tiene muchas semejanzas que indican que el anlisis
ser muy parecido y que los resultados de uno se pueden relacionar directamente con el otro.
ANALGICA II

Ahora considerando las relaciones entre modelos antes planteadas:
ANALGICA II

Ahora considerando las relaciones entre modelos antes planteadas: (CONTINUACIN)
ANALIZAR DEMS CONFIGURACIONES PARA EL MODELO

HBRIDO
ANALGICA II
ANALGICA II
ZL = RL
ANALGICA II
Condiciones para Diseo
No puede imponerse valores de los dispositivos, es decir, resistencias y/o condensadores
En funcin de las caractersticas de los transistores disponibles en el mercado, deber

considerar:
HFE
Ro
AVL Ganancia de Voltaje con respecto a la carga sin considerar Vs y Rs
Vcc
IC en el punto de operacin para DC
Deber calcular en DC RB considerando el punto de trabajo
Determinar Ib
Determinar caractersticas en CA re, RC, Zb, Zi, Zo, AVTotal,,Condensadores y finalmente la

Mxima Dinmica. Determine finalmente el modelo hbrido equivalente.
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
Considere las ganancias de voltaje de cada etapa en condiciones de carga.
Av1 est determinada por la impedancia de entrada de Av2
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
ANALGICA II
TRANSISTOR DARLINGTON
IB2 = IB1+ IC
IC2 = IB2 * 2
IC2 = (IB1+ IC)* 2

IC2 = (IB1+ IB1* 1)* 2
IC2 = IB1(1+ 1)* 2
IC2 / IB1= (1+ 1)* 2

IC2 / IB1 1* 2
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
ANALGICA II
Anlisis a pequea seal para FET

Los amplificadores
con transistores de efecto de campo
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
caracterstica adicional de una alta impedancia de entrada.
Adems son considerados como configuraciones de bajo consumo
de potencia con un adecuado rango de frecuencia y un tamao y
peso mnimos.
Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo decremental
pueden emplearse para disear amplificadores que cuenten con
ganancias similares de voltaje sin embargo el circuito MOSFET
decremental tiene una impedancia de entrada mucho mayor que
la de una configuracin JFET similar.
ANALGICA II
Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada alta de los FETs el modelo equivalente
de AC para de alguna forma ms simple que el utilizado por los BJTs. mientras que el BJT
cuenta con factor de amplificacin (beta), el FET cuenta con un factor de transconductancia
gm.
El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en circuitos
lgicos. De hecho el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales,
especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo de potencia muy bajo. Los
dispositivos FET tambin se utilizan ampliamente en aplicaciones de alta frecuencia y en
aplicaciones de circuitos de interfaz para computadoras.
La AV en los FETs con frecuencia menor que la obtenida para un BJT, pero la Zi es mucho
mayor que los del BJT, en cambio la Z0 de salida son equivalente para ambos. La Ai ser una
cantidad indeterminada debido a que la corriente de entrada en los FETs es 0A.
ANALGICA II
Modelo de pequea seal para el FET

Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de drenaje mediante la
ecuacin de SHOCKLEY.
VGS
I D I DSS 1
VP
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje compuerta-fuente puede
determinarse mediante el uso del factor de transconductancia gm de la siguiente forma:
I D gmV
gm=transconductancia
ANALGICA II
DETERMINACION GRAFICA DE gm
ID(mA)
Curva obtenida mediante
VGS
I D I DSS 1
V
p
IDSS
Pendiente en el
punto Q
Pto Q=(-2.5 ; 3)
ID
4
2
I D 1.8
gm
VGS
1
gm 1.8ms
VGS
Vp
I D
gm
VGS
VGS
ANALGICA II
DEFINICION MATEMATICA DE gm
I D
dI D
d
gm
|PtoQ
VGS
dVGS dVGS
VGS
I DSS 1
VP
d VGS
2 I DSS
1
dVGS VP
VGS 1

gm 2 I DSS 1
VP VP
I DSS VGS
1
gm 2
VP VP
Donde |Vp| denota solo la magnitud parar asegurar un valor positivo de gm
Cuando VGS=0
gm alcanza su valor maximo gm0, entonces:
2 I DSS
gm
VP
2 I DSS
0
gm0
1
VP
VP
ANALGICA II
Por lo tanto
VGS
gm gm0 1
VP
En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Yfs donde

Y
parmetro de admitancia.
f
parmetro de transferencia directa (forward)
s
revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo
gm YFS
Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 1-5 ms
Grafica de gm en funcin de VGS
gm(s)
gm0
Vp
VGS
gm gm0 1
V
P
Si VGS=0
gm=gm0
Si VGS=VP
gm=O
VGS(V)
ANALGICA II
Debido a que el factor
VGS
1
V
P
es < 1 para cualquier Vgs 0, la magnitud
de gm disminuir a medida que Vgs se aproxime a Vp y que el cociente

incremente en magnitud.
IMPACTO DE ID SOBRE gm
VGS
Ec. de SHOCKLEY: I D I DSS 1

VP
VGS
I D VGS
1
1
I DSS VP
VP
Entonces
gm gm0
ID
I DSS
ANALGICA II
ID
I DSS
V gs
Vp
se
Se puede graficar gm(s) en funcin de ID(mA) con los siguientes datos:
a) Si ID = IDSS
b) Si ID = IDSS/2
b) Si ID = IDSS/4
gm gm0
I DSS
gm gm0
I DSS
gm gm0
I DSS
2 gm 0.707gm
0
I DSS
gm gm0
I DSS
4 gm 0.5 gm
0
I DSS
ANALGICA II
Ejemplo :
Con IDSS=8mA y Vp=-4V. Graficar gm Vs. ID
2 I DSS 2 * 82
gm0
4mS
VP
4
Con IDSS=4; gm=2.83ms
Con IDSS=2; gm=2ms
gm(ms)
gm0=
ID(mA)
ANALGICA II
IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DEL FET

En forma de ecuacin:
Z i
Para un JFET se tom un valor tpico de 109 (1000M), mientras

que a los MOSFETs se tom un valor tpico de 1012 a 1015
IMPEDANCIA DE SALIDA Z0 DEL FET

Es de magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como YS.
ID(mA)
En forma de ecuacin:
VGS=0V
1
Z 0 rd
yS
Vds
rd
I d
Q
Vds
ID
VGS=-1V
VGS=-2V
Con VGS constante
VGS=-3V
Pto .Q
ANALGICA II
Vds
CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET

D
G
gm VGS
rd
S
CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET

POLARIZACIN FIJA
VDD
Datos:
VDD=20v
RD=2k
RG=1M
VG=2V
IDSS=10mA
VP=-8V
RD
Vi
Ci
Z0
RG
Zi
VG
ANALGICA II
Asumiendo que el Pto Q:
Vgs 2V
I DQ 5.625mA
YS 40s
Pto. Q
Del anlisis DC
gm0
2 I DSS 2 *10
2.5mS
VP
8
VGS
2
gm gm0 1
1.88mS
2.51
8
VP
rd
1
1
25 k
yS 40 S
Anlisis AC
Vi
Zi
Z i RG 1
RG
D V0
+
RD
Z0
-
ANALGICA II
Z 0 rd // RD
Si rd 10RD
Z0=RD
2510(2) 1
Z0 =2k Z0 =25k//2k= 1.85k
V0
AV V0 gmVgs rd // RD
Vi
Como Vgs = Vi
V0 gmVi rd // RD
AV
V0
gmrd // RD
Vi
Reemplazando valores
AV 1.88mS 1.85k
AV gmRD 1.88 2 AV 3.76 AV 3.48
ANALGICA II
Autopolarizacin
Vi
Zi
RG
Z i RG
Z 0 rd // RD ; si rd 10RD Z 0 rd // RD
AV gm rd // RD G AV gmRD
ANALGICA II
D
V0 +
RD
Z0
Vi
Z i RG
V0
Z0
Vi V 0V
+
gm VGS
Zi
ID
RD
RG
Z0 V0
RS
I0
Vi
ID
gm VGS
Con Vi =0VVRG=0V (cortocircuito)
RG
gmVgs I D I ;Vgs gmVgs RD

Vgs I D I RS
RS
RD
I0
V0
-
V0
Z0
V0 I D RD
I0
Y como ID=-I0
Por lo tanto en 1: gmVgs=ID+I0
V0 I 0 RD
I D I gm I D I RS
I D I 0 gmI D RS gmI 0 RS
V0
Z 0 RD
I0
I0 1 gmRS I D 1 gmRS
I0 I D
ANALGICA II
Sin considerar rd
Considerando el efecto de rd
G
Vi
I +
Zi
RG
RS
I D I 0 gmVgs I I
ID
- RD
Z0
I0+ID
Vr d
I0
S
rd
gmVgs Vr d V0 0 Vr d Vgs V0
I 0 gmVgs
I 0 gmVgs
Vgs V0
rd
Vgs
rd
I0
V0
I0
rd
ANALGICA II
V0
-
V0
Z0
Vi
Vi 0V
I D RD
I0

1 I D RD
I 0 Vgs gm
ID
rd
rd
I D RD
1
I 0 gm I 0 I D RS
ID
rd
rd
I R
1
I 0 gm I 0 RS I D RS D D I D
rd
rd
I R
1
1
I 0 gm I 0 RS gm I D RS D D I D
rd
rd
rd
I 0 RD
I D RS I D RD
I 0 gm I 0 RS
gm I D RS
ID
rd
rd
rd
I 0 gm I 0 RS
I 0 RD
I R
I R
gm I D RS D S D D I D
rd
rd
rd
RS
RS RD
I 0 1 gmRS I D gmRS
1
rd
rd
rd
ANALGICA II

RS RD
I D gmRS
1
rd
rd
I0
RS
1 gmRS r
d
RS RD
R
I D RD gmRS
1
1 gmRS S
rd
rd
V0
rd
Z0
Z0
RD
RS RD
Vi
RS RD
1
gmR
I D gmRS
1
S
rd
rd
rd
rd
RS
1 gmRS r
d
Si rd 10RD, entonces
1 gmR S
RS
R
D
rd
rd
Z 0 RD
ANALGICA II
Para ganancia de voltaje
V0
AV
Vi
V0 I D RD
VRS I D RS
Vi Vgs VRS 0 Vgs Vi VRS Vi I D RS Vgs

V0 VRS
I'
rd
V0 VRS
I D gmV gs I ' gmV gs
rd
ANALGICA II
Sustituyendo tenemos
I D gmVi I D RS
I D RD I D RS
I D mgVi gmI D RS I D
rd
R
RD
ID S
rd
rd
R
R
I D 1 gmRS D S gmVi
rd
rd
ID
gmVi
R RS
1 gmRS D
rd
V0 I D RD
gmVi RD
R RS
1 gmRS D
rd
V0
gmR D
RD RS
Vi
1 gmRS
rd
; Si rd 10(RD+RS)
ANALGICA II
gmR D
AV
1 gmR S
3) Divisor de voltaje
V0
RD
R1
Z0
Vi
R2
Zi
RS
Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD V 0V
i
r 10 RD Z 0 RD
Si d
ANALGICA II
RS
Con desvo
Vi
V0
+
R1
R2
Zi
RD
Z0
Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD V 0V
i
; Si
rd 10 RD Z 0 RD
ANALGICA II
V0
AV
Vi
Vi Vgs V0 gmV gs rd // RD
gmVgsrd // RD
AV
Vgs
AV gmVgsrd // RD
Si
rd 10 RD AV gmR D
ANALGICA II
Sin Desvo
Vi
Zi
R1
R2
+ V0
RD
Z0
RS
Z i R1 // R2
El circuito es de forma similar al anterior con el efecto de
RS
1 gmR S
rd
Z0
RD
RS RD
1 gmR S
rd
rd
ANALGICA II
rd
Si
rd 10 RD
; entonces
RS
RD
1 gmR S
rd
rd
Z 0 RD
gmR D
AV
RS RD
1 gmRS
rd
Si
rd 10 RD RS
; entonces
ANALGICA II
gmR D
AV
1 gmR S
Fuente Seguidor (Drenaje Comn)
ANALGICA II
Z i RG
Vi
Z0 al hacer Vi=0V
se obtiene el
siguiente circuito.
Zi
+ V0
gmVgs
rd
RG
+ V0
RS
Z0
S
+
Vgs
G
+ Vgs
RS
V0 Vgs
I0
LCK en el nodo S
Z0
I 0 gmVgs I rd I RS
V0 V0
I 0 gmVgs
rd
RS
ANALGICA II
1 1
I 0 V0 gmVgs;Vgs V0
rd RS
1 1
I 0 V0
gm
rd RS
V
Z0 0
I0
V0
1
1 1
1 1 1
V0
gm
1
r
R
r
R
d
S
d
S
gm
1
Z 0 rd // RS //
gm
;Si rd 10RS
La cual tiene el formato que la

resistencia total de 3 resistencias
en paralelo
1
Z 0 RS //
gm
ANALGICA II
V0
AV
Vi
V0 gmVgsrd // RS
Vgs Vi V0
V0 gmVi V0 rd // RS gmVi rd // RS gmV0 rd // RS

V0 1 gmrd // RS gmVi rd // RS
V0
gmrd // RS
AV
Vi 1 gmrd // RS
Si no hay rd rd 10RS
gmRS
AV
1 gmRS
ANALGICA II
Compuerta Comn
Impedancia de entrada Zi
V
Z
I
Vgs Vi V
I gmVgs Ird
I Ird gmVgs
V I RD
I
gmVgs
rd
ANALGICA II
V I RD
I
gm V
rd
rd
RD
1
I 1
V gm
rd
rd
RD
1 r
rd RD
V
d
Z i
Zi
I
1 gmrd
1
gm r
d
ANALGICA II
RD
1 r
rd RD
V
d
Zi
Zi
I
1 gmrd
1
gm r
d
Si rd 10RS
1
Z i
gm
Impedancia de salida
Si rd 10RS
V0
Z0
I0
1
Z i RS //
gm
Z 0 RD // rd
Vi 0V
Z 0 RD
ANALGICA II
GANANCIA DE VOLTAJE AV
- -
Vi
+
-S
Zi
RS
V0
Vi
rd
gm VGS
Vi Vgs
+ +
V0
D
RD
Z0
Vrd V0 Vi
V0 Vi
I rd
rd
I rd gmVgs I D 0
V V
V V
I D 0 i gmVsg i 0 gmVi
rd
rd
V V
VR
VR
V0 i 0 gmVi RD i D gmVi 0 D
rd
rd
rd
R
R
V0 1 D Vi D gmRD
rd
rd
R
gmR D D
V
rd
AV 0
Si rd 10RD
RD
Vi
1
rd
V0 I D RD
Av=gmRD
ANALGICA II
MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO DECREMENTAL

El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin aplicable a los MOSFETs de tipo decremental da
por resultado una misma ecuacin para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para los MOSFETs
decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FETs.
La nica diferencia que presentan los MOSFETs decremental es que VGS que puede ser positivo para
los dispositivos de canal n y negativo para los de canal p. El resultado de esto es que gm puede ser
mayor que gm0.
El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFETs
G
+
gm VGS
- S
ANALGICA II
Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE

Datos:
IDSS=6mA
VP=-3V
YOS=10S
Del anlisis DC:

18V
gm0
1.8K
110M
Z0
Zi
10M
150
VBSQ=0.35V
IDQ=7.6mA
2 I DSS 2 * 6
4mS
VP
3
VBSQ
gm gm0 1
V
P
0.35
gm 4mS 1
4.47mS
1
1
rd
100 k
yOS 10 S
ANALGICA II
Anlisis AC:
D
G
+
Vi
Zi
110M
10M
4.47*10-3 Vgs
100K
1.8K
Zi 110 // 10
Zi 9.17
Z 0 100k // 1.8k
Porque
Z 0 1.77k 1.8k RD Z 0
AV gmRD
AV 4.47mS 1.8k
AV 8.05
ANALGICA II
rd 10RD
100k 10(1.8k) 1
V0
MOSFET`S DE TIPO INCREMENTAL

CANAL P
G
gm VGS
CANAL N
Del anlisis DC:
gm
gm fs
I D k Vgs Vgsth
d
k Vgs Vgs th
dVgs
2k V
2
gs
Como: gm
Vgs th 1 0
ANALGICA II
1
yos
; rd
I D
Vgs
gm 2k Vgs Q Vgs th
1) Configuracin de Retroalimentacin en Drenaje

VDD
Vi
Zi
Ii
Impedancia de entrada:
RD
C2
RF
Vi
RF
V0
Ii
Ii
Vi
Z0
Zi
gm VGS
C1
RD Z 0
S
Zi
I i gmVi
V0
V0
; Vgs Vi
I i gmV gs
rd // RD
V0
V0 rd // RD I i gmVi
rd // RD
ANALGICA II
Vi V0 Vi rd // RD I i gmVi
Ii
RF
RF
I i RF Vi rd // RD I i rd // RD gmVi
I i RF rd // RD Vi 1 gmrd // RD
Zi
RF rd // RD
1 gmrd // RD
Por lo general RF >> rd//RD
Si rd >> 10RD
Zi
Zi
RF
1 gmrd // RD
RF
1 gmR D
ANALGICA II
Impedancia de Salida
V0
Z0
I 0 V 0V
Vgs 0V gmV gs 0 A
RF
Vi=Vp=0V
rd
RD
Z0
Como: RF >> rd//RD
Z 0 rd // RD
Y si rd>>10RD
Z 0 RD
ANALGICA II
Z 0 RF // rd // RD
Ganancia de Voltaje
AV
V0
?
Vi
I i gmV gs
V0
rd // RD
Vgs Vi
Ii
Vi V0
RF
Vi V0
V0
gmVi
RF
rd // RD
1
1
Vi V0
V0
1
gmVi
Vi
gm V0
RF RF
rd // RD
R
r
//
R
R
D
F
F
d
ANALGICA II
1
gm
V
RF
AV 0
1
1
Vi
rd // RD RF
Como: gm >> 1/RF
AV
gm
1 1 1
rd
RF
RD
AV gmRF // rd // RD
Por lo general RF >> rd//RD y
rd >> 10RD
AV gmRD
ANALGICA II
2) Configuracin de Divisor de Voltaje
R1
V0
C1
Zi
RS
Z 0 rd // RD ; si rd >>10
V0
Zi
R2
Z i R1 // R2
Z 0 RD
Vi
Z0
R1
R2
+
gm
VGS
rd
S
CS
AV
V0
gm(rd // RD ) ; si rd
Vi
>>10
AV gmRD
ANALGICA II
RD
Z
0
DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET

Disee la red de polarizacin fija para que tenga ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de RD
VDD=30V
IDSS=10mA
Vp=-4V
yOS=20S
Debido a
que:
RD
Vgs 0V gm gm0
2 I DSS 2 *10
gm0
5mS
4
Vp
AV gm0 RD // rd
0.1F
Vi
10M
50 k RD
2k
50 k RD
10
RD // rd
5mS
RD // rd 2k
50kRD 100k 2kRD
48kRD 100k
ANALGICA II
rd
1
1
yos 20S
rd 50k
RD 2.08 k
VDSQ VDD I DRD 30 10mA2k

Z i 10
Z 0 rd // RD 2k // 50 k
Z 0 1.92 k RD 2k
ANALGICA II
EJERCICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCICIOS SON
AMPLIFICADORES EN MULTIETAPA LOS
CUALES TIENEN LOS TRES TIPOS DE
TRANSISTORES VISTO EN CLASE
ANALGICA II
EJEMPLO
20V
Datos:
Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V
Q3: =50 ; VBC=0.7V
8.6M
Vi
Q1 ID
Zi
150k
Q2 ID
RE
1k
Calcule:
a) Puntos de Operacin,
b) Expresin literal para AV, Zi, Z0
c) Evale del literal b
ANALGICA II
Z0
Anlisis DC:
Se obtiene:
Q3: IBQ=92.4A
Q1: Vgs1=-1.44V
Q2: Vgs2=0V
Q1
Anlisis AC:
G
Vi
R1
8.6M
gm Vgs1
ZMi
S
R3
150k
ZM0
Q1
+ IBQ
VB
-
hie
ANALGICA II
hfe
E
RE
AV1
V0
1k
AV2
Vgs
1
V p
10mA 1.44
gm1 2
1
3.2mv
4
4
2I
gm DSS
Vp
gm2 2
hie
4mA
0
1
1.6mv
5 5
26 mV
26 mV
0.279 k
I BQ
92 .4 A
En Q2: Vgs2=0 ; Vs2=0

Vgs2=0 ; gmVgs=0 Abierto
AV 1
VB
1
Vi
Z M 0 R2
Z M 0 2
ANALGICA II
EJEMPLO
+Vcc
R1
R4
2k
8M
2
V01
R2
2M
Vi
Zi
Z0
Q3
1
150M R3
Datos:
Q2: k=0.3mA/V2 ; VTH=1V ; Vgsq=8V
Q3: =50 ; VBC=0.7V ; Ibq=10A
Vg1=0
Vs1=0
R5
1k
V02
Vgs1=0
ANALGICA II
AV 1
V01
Vi
AV 1
V02
Vi
; Zi ; Z0
B
R1
8M
Vi
R2
2M
G2
D2
gmVgs2
S2
A
b3
R3
150M
Vgs1
gmVgs1
Ib3
hie
hfeIb3
e3
V02
R5 1k
hie
V01
C3
R4
2k
Z0
26 mV 26 mV
2.6k
I bq
10 A
Vgs
I DSS
gm1 gm0 1
gm0 2
Vp
V p
10mA 0
gm1 2
1 5mv
4 4
ANALGICA II
gm2 2k Vgs VT
gm2 20.38 1 4.2mv
Ii
Vi
I1
R1
8M
I2
+
R2 Vgs2
2M -
b3
A
I3
AV 1
gmVgs2
+
R3
150M
V01 V01 V A
Vi V A Vi
VA
-
LCK nodo A
I 2 gm2Vgs 2 I 3 I b 3
Vi VA
V
VA
gm2 Vi VA A
R2
R3 hie h fe 1R5
1
VA
1
gm2Vi gm2VA VA
R2 R2
R
hie
1
R
3
fe
5
Vi
RRb3
1
1
Vi gm2 V A
gm
R
R
RR
R
3
b3
2
2
ANALGICA II
Ib3
hie
e3
R5 1k
C3
hfeIb3
V02
V01
R4
2k
1
gm2
VA
R2
1
1
1
Vi
gm2
R3 RRb 3 R2
Evaluando
VA
0.994
Vi
1
gm2
h fe R4
R2
AV1
1
1
1
RRb3
gm2
R3 R2
RRb3
Evaluando
AV1 1.8530.994
V 01 h fe I b3 R4
VA I b3 RRb3
V 01
VA
h fe I b3 R4
I b3 RRb3
Evaluando
V 01
AV1 1.853
VA
ANALGICA II
1.853
h fe R4
RRb3
1
gm2
h fe 1R5
R2
AV2
1
1
1
RRb3
gm
R3 R2 RRb3
Evaluando
AV2 0.9510.994
V 02 I e3 R 5 h fe 1I b3 R5
h 1I R
I RR
V A I b3 RRb3
V 02
VA
fe
b3
Evaluando
V 02
AV2 0.945
VA
ANALGICA II
0.951
b3
b3
fe
1R5
RRb3
Impedancia de Entrada: Z i
Vi
Zi
LCK nodo B
I i I1 I 2
Ii
Vi Vi VA
R1
R2
Vi Vi VA Vi Vi VA Vi
Ii

R
2
R1 R2 R2 R1 R2
Vi
Ii
Vi Vi Vi AVA
R1 R2
R2
1
1 AVA
I i Vi
R1 R2 R2
V
1
i
AVA
1
1
Ii
R1 R2
R2
Z i 7.8125
1
1
8M
2M
0.994
2M
ANALGICA II
Impedancia de Salida:
V'
Z0 0
Z0 '
Z0
V 0 CA
I cc
V01
V0CA
AV 1
V0CA 1.853 Vi
Vi
VA
VA 0.994 Vi
0.994 Vi
; I b3
hie R5 h fe 1 hie R5 h fe 1
I cc h fe I 'b3
Z0
1.853Vi
0.994Vi
h fe
RRb3
Evaluando
1.853
h fe
RRb3
0.994
Z 0 1.999 k
ANALGICA II

Amplificadores de Pequeña Señal Con BJTs y FETs

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Amplificadores de Pequeña Señal Con BJTs y FETs

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Amplificadores de

Pequea Seal con

En un cuadripolo es necesario comparar Vs con Vi, mediante la

La mxima transferencia de energa se da cuando:

Al transistor trabajando en la zona lineal (Amplificador).

El teorema de superposicin es aplicable al anlisis y diseo de los componentes de DC y AC de

garantizar que el transistor se encuentre polarizado en la zona activa

Conceptos Bsicos de Amplificacin

La amplificacin implica mantener una relacin lineal entre la entrada y salida.

En este captulo se analizar una seal de entrada de pequea amplitud. Es lo suficiente

La alimentacin en DC es necesaria para suministrar potencia a la seal de entrada

Conceptos Bsicos de Amplificacin

Vs = Pequea seal en AC de entrada

Comparacin del parmetro beta de AC, con el

Inyeccin de CA sobre circuito de

Inyeccin de CA sobre circuito de

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

En amplificadores se busca verificar cul s la mxima amplificacin que podemos obtener.

Si no existen parmetros extremos y el BJT se encuentra en la zona activa, se considera como un

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

Vcc VRC VCEQ

RECTA DE CARGA ESTTICA

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

Debido a la frecuencia los condensadores de acoplo se comportan como cables

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

Se puede obtener la contribucin instantnea total sumando la parte de continua y

Existir por tanto una variacin de VCE

VCE t VCEp VCEQ

RC RL ic t ICQ VCEp VCEQ

RECTAS DE CARGA Y MARGEN

Recta de Carga en Alterna

RECTA DE CARGA EN ALTERNA

VCEMAX VCEP RC RL ICQ VCEQ

Modelo re del Transistor BJT

Modelo re del Transistor BJT

Modelo re del Transistor BJT

Los circuitos de entrada y salida estn aislados y

Modelo re del Transistor BJT

Modelo re del Transistor BJT

Cuanto ms cambie VCE por el mismo

Amplificador en Pequea Seal Emisor

Se tienen capacitores de acoplo entre la fuente y el amplificador y entre la

La seal AC de entrada es aplicada a la base.

Si existe un capacitor en paralelo a la Resistencia de emisor (capacitor de

Amplificador en Pequea Seal Emisor

As que cualquier cambio en el voltaje de la seal de entrada produce un cambio

Amplificador en Pequea Seal Emisor

Primero se deben determinar los valores de polarizacin de DC.

Lo anterior sucede para cualquier configuracin

Amplificador en Pequea Seal Emisor

Para analizar la operacin de un amplificador con seal de AC, se desarrolla

Lo anterior sucede para cualquier configuracin

Amplificador en Pequea Seal Emisor

La resistencia interna de una fuente de voltaje de CD es de cerca de 0

Amplificador en Pequea Seal Emisor

Amplificador en Pequea Seal Emisor

Amplificador en Pequea Seal Emisor

Recuerde que la impedancia de salida de cualquier

Amplificador en Pequea Seal Emisor

El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un desfasamiento de 180

Amplificador en Pequea Seal Emisor

El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un desfasamiento de 180