AMPLIFICADORES CON

JFET

OBJETIVOS
Familiarizarse con el modelo de ca de seal
pequea para un JFET.
Ser capaz de realizar un anlisis de seal
pequea de ca de varias configuraciones de
JFET.
Entender los efectos de los resistores de la
fuente y de carga en las impedancias de
entrada, de salida y la ganancia total.
Ser capaz de analizar configuraciones de
amplificadores con FET y/o BJT.

RECORDATORIOS
Los amplificadores con transistores de
efecto de campo proporcionan una
excelente ganancia de voltaje con la
ventaja adicional de una alta impedancia
de entrada.
Tambin son configuraciones de bajo
consumo de potencia con un buen
intervalo de frecuencia, y peso y tamao
mnimos

 Mientras un dispositivo BJT controla una gran

corriente de salida (del colector) por medio de
una corriente de entrada (de la base)
relativamente pequea, el dispositivo FET
controla una corriente de salida (del drenaje) por
medio de un pequeo voltaje de entrada.
En general, por consiguiente, el BJT es un
dispositivo controlado por corriente y el FET es
un dispositivo controlado por voltaje.

 Mientras que el BJT tiene un factor de

amplificacin (beta) el FET tiene un
factor de transconductancia, g m.

 Recuerde, vimos que un voltaje de cd de la

compuerta a la fuente controla el nivel de la cd
de drenaje mediante una relacin conocida
como ecuacin de Shockley:
ID = IDSS(1-VGS/Vp)2
El cambio en la corriente del drenaje que
resultar de un cambio en el voltaje de la
compuerta a la fuente, se determina mediante el
factor de transconductancia gm como sigue:

SIMBOLO

POLARIZACION

 El prefijo trans en la terminologa aplicada

a gm revela que establece una relacin
entre una cantidad de salida y una
cantidad de entrada. Se escogi la
palabra raz conductancia porque a g m lo
determina una relacin de voltaje a
corriente similar a la relacin que define la
conductancia de un resistor G = 1/R = I/V.

Si ahora examinamos las caractersticas de transferencia de la figura 8.1,

vemos que gm es en realidad la pendiente de las caractersticas en el punto
de operacin. Es decir,

 La derivada de una funcin en un punto

es igual a la pendiente de la recta
tangente trazada en dicho punto.
Si por consiguiente tomamos la derivada
de ID con respecto a VGS (clculo
diferencial) por medio de la ecuacin de
Shockley, podemos derivar una ecuacin
para gm como sigue:

Al insertar VGS = 0 V en la ecuacin

anterior obtendr la siguiente ecuacin
para el valor mximo de gm para un JFET
en el cual se especificaron IDSS y Vp:

Circuito equivalente de ca de un
JFET
Impedancia de entrada Zi del JFET:
La impedancia de entrada de todos los
JFET comerciales es lo bastante grande
para suponer que las terminales de
entrada se aproximan a un circuito
abierto. En forma de ecuacin,

 Impedancia de salida Zo del JFET:

La magnitud de la impedancia de salida de los
JFET es parecida a la de los BJT
convencionales.
En hojas de especificaciones de los JFET, la
impedancia de salida en general aparece como
yos con las unidades de S.
El parmetro yos es un componente de un circuito
equivalente de admitancia donde el subndice o
indica que se trata de un parmetro de la red de
salida y s la terminal (fuente) a la cual est
conectado en el modelo.

 Una vez presentados y analizados los

parmetros importantes de un circuito
equivalente de ca, podemos construir un
modelo del transistor JFET en el dominio
de ca.
Se incluye el control de Id por Vgs como
una fuente de corriente gmVgs conectada
del drenaje a la fuente como se muestra
en la figura siguiente:

EJEMPLO

Dadas yfs = 3.8 mS y yos = 20 mS, trace el modelo equivalente de ca de FET.

CONFIGURACIN DE
POLARIZACIN FIJA

CONFIGURACIN DE
AUTOPOLARIZACIN

Rs si desvo

CONFIGURACIN DEL DIVISOR

DE VOLTAJE

LOS MOSFET TIPO

EMPOBRECIMIENTO

El hecho de que la ecuacin de Shockley tambin se aplica a los

MOSFET tipo empobrecimiento (D-MOSFET) da la misma ecuacin para
gm. En realidad, el modelo equivalente de ca para los D-MOSFET es
igual al de los JFET, como se muestra en la figura

 La nica diferencia ofrecida por los DMOSFET es que VGSQ puede ser
positivo para dispositivos de canal n y
negativos para unidades de canal p
El resultado es que gm puede ser mayor
que gm0, como lo demuestra el ejemplo
siguiente. El intervalo de rd es muy
semejante al de los JFET.

EJEMPLO
La red de la figura se analiz y se obtuvieron los
resultados VGSQ= 0.35 V e IDQ= 7.6 mA.
a. Determine gm y compare con gm0.

b. Encuentre rd.
c. Trace la red equivalente de ca
d. Encuentre Zi.
e. Calcule Zo.
f. Encuentre Av.

LOS MOSFET TIPO

ENRIQUECIMIENTO

E-MOSFET