You are on page 1of 110

INTRODUCCIÓN

Son dispositivos de estado sólido (semiconductores) Tienen tres terminales: Emisor, base y colector Están compuestos por dos uniones PN yuxtapuestas que se interrelacionan entre sí. Son la base de muchos circuitos de conmutación y de procesado de señal. Los amplificadores operacionales y otros C.I. pueden contener varias decenas de transistores, cada uno de ellos con misiones diferentes:

Implementar fuentes de corriente constante Generar tensiones de referencia Amplificar señales en modo diferencial y reducir la ganancia en modo común Implementar etapas de salida, etc ....

INTRODUCCIÓN (continuación)

En Electrónica de Potencia pueden funcionar como interruptores de potencia, conmutando corrientes elevadas a elevadas frecuencias y tensiones. En Electrónica digital forman parte de muchos dispositivos lógicos integrados. Se denominan bipolares porque su funcionamiento depende del flujo de dos tipos de portadores de carga:

electrones y “huecos”. También se suelen denominar B.J.T. De las siglas en inglés “Bipolar Juntion Transistor”

Tipos y modelos del transistor bipolar

Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura:

Transistores bipolares NPN

Transistores bipolares PNP

Tipos y modelos del transistor bipolar Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura: 
Tipos y modelos del transistor bipolar Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura: 
Tipos y modelos del transistor bipolar Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura: 

15-11-06

Tipos y modelos del transistor bipolar Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura: 

Tema 7.- Transistores

3

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont)

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont) NPN 15-11-06 PNP 4 Tema 7.- Transistores
Tipos y modelos del transistor bipolar (cont) NPN 15-11-06 PNP 4 Tema 7.- Transistores

NPN

15-11-06

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont) NPN 15-11-06 PNP 4 Tema 7.- Transistores
Tipos y modelos del transistor bipolar (cont) NPN 15-11-06 PNP 4 Tema 7.- Transistores

PNP

4

Tema 7.- Transistores

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont)

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont) NPN PNP Los sentidos de las flechas del terminal

NPN

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont) NPN PNP Los sentidos de las flechas del terminal

PNP

Los sentidos de las flechas del terminal de emisor,

y

de

las

corrientes, indican el sentido real

de

las

mismas

cuando

el

transistor está polarizado en la R.A.N o en saturación.

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN

El modelo muestra al transistor NPN como dos diodos conectados por los ánodos, con dos fuentes de corriente dependientes en paralelo con cada uno de los diodos, que modelizan el efecto de las inter-acciones que tienen lugar debido a la configuración monocristal.

Existen dos uniones:

La unión base-emisor, cuya corriente la denominamos: i DE

La unión base-colector, cuya corriente la denominamos: i DC

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN El modelo muestra al transistor NPN como dos

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN (Cont)

La fuente de corriente dependiente α F i DE representa el efecto de la corriente a

través de la unión base-emisor sobre la corriente de colector (efecto “Transistor”). La fuente de corriente dependiente α R i DC representa el efecto de la corriente a través

de la unión base-colector base sobre la corriente de emisor (efecto dual al anterior). El circuito no es simétrico, ya que α F tiene unos valores comprendidos entre 0,99 y

0,997 para transistores utilizados en aplicaciones analógicas y digitales.,

mientras que α R

es considerablemente

menor que 1. Su valor está comprendido

entre 0,05 y 0,5. En Electrónica Física, se puede demostrar la siguiente relación, denominada “LEY DE RECIPROCIDAD”:

α F I ES = α R I CS =I S Donde: I ES = Corriente inversa de saturación de la unión base-emisor

Y

I CS = Corriente inversa de saturación de la unión base-colector.

De donde se deduce que

I

S

I

SE

y que

I

CS

 I

ES

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN (Cont)

Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se

pueden

deducir

siguientes :

fácilmente

las

dos

ecuaciones

i

C

I

S

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

R

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

i

E

I

S

F

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

no

lineales

Es decir:

i

C

f

1

v

BE

,v

BC

i

E

f

2

v

BE

,v

BC

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN (Cont)

Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se

pueden

deducir

siguientes :

fácilmente

las

dos

ecuaciones

i

C

I

S

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

R

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

i

E

I

S

F

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

no

lineales

Es decir:

i

C

f

1

v

BE

,v

BC

i

E

f

2

v

BE

,v

BC

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN (Cont)

i

C

I

S

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

R

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

i

E

I

S

F

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

Estas dos ecuaciones definen a un primer nivel ,sin efectos secundarios, el modelo del transistor bipolar NPN, y corresponde a un sistema de dos ecuaciones con cuatro incógnitas. La otras dos ecuaciones vendrán impuesta por el circuito exterior, y corresponderán a las ecuaciones de polarización.

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN (Cont)

El conjunto de las ecuaciones de Ebers-Moll, junto con las ecuaciones de polarización de continua (impuestas por el circuito de polarización exterior, darán lugar al régimen de corrientes y tensiones que se establezcan en los terminales del dispositivo, denominado punto de operación del transistor.

El modelo de Ebers Moll es un modelo poco manejable, pero válido en cualquier circunstancia, siempre que no entren e ruptura ninguna de las uniones. Según como estén polarizadas las uniones, pueden encontrarse modelos basados en el anterior, pero mas sencillos y manejables.

Regiones de Polarización de un transistor bipolar

Existen cuatro posibles regiones, según como estén polarizadas las uniones base- emisor y base-colector

APLICACIÓN

REGIÓN DE POLARIZACIÓN

POLARIZACIÓN DE LAS UNIONES

 
     

UNIÓN

 

UNIÓN

BASE-EMISOR

BASE-COLECTOR

Funcionamiento como amplificador

REGIÓN ACTIVA DIRECTA

 

DIRECTA.

V

BE

V

 

INVERSA

V

BC

V

(No se utiliza)

REGIÓN ACTIVA INVERSA

 

INVERSA

V

BE

V

 

DIRECTA

V

BC

V

Func. como conmutador (off)

REGIÓN DE CORTE

 

INVERSA

V

BE

V

 

INVERSA

V

BC

V

Func. como conmutador (on)

REGIÓN DE SATURACIÓN

 

DIRECTA

V

BE

V

 

DIRECTA

V

BC

V

Modelos simplificados según la región de polarización

Región Activa Normal (R.A. Directa)

La unión base-emisor polarizada directamente y la unión base-colector polarizada inversamente. De las ecuaciones de Ebers-Moll se deduce :

i

C

I

S

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

R

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

I

S

v

BE

e

V

T

I

S

R

I

S

v

BE

e

V

T

i

E

I

S

F

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

I

S

v

BE

e

V

T

F

I

S

I

S

v

BE

e

V

T

F

Modelos simplificados según la región de polarización .- R.A.D. (R.A.N.)

Región Activa Normal (R.A. Directa)

V

BE

V

V

BC

V

i

C

I

S

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

R

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

I

S

v

BE

e

V

T

I

S

R

I

S

v

BE

e

V

T

i

E

I

S

F

 

 

v

BE

e

V

T

1

 

 

I

S

 

 

v

BC

e

V

T

1

 

 

I

S

v

BE

e

V

T

F

I

S

I

S

v

BE

e

V

T

F

Por tanto:

i

  • C

i

E

F

Se deduce que:

y teniendo en cuenta que:i C +i B =i E :

i

C

F

i

B

1

F

F

Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.

Modelo simplificado del BJT en la R.A.N. Por tanto, podemos decir que en la equivale al

Por tanto, podemos decir que en la equivale al siguiente circuito:

R.A.N.

.el transistor bipolar

Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.

(CONT) 0,7 0,7 0,2 0,2 (a) Región activa
(CONT)
0,7
0,7
0,2
0,2
(a) Región activa

Es decir:

v BE =V BEQ

i C =β i B

Por tanto el transistor funciona como un amplificador de corriente

Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.

La

(CONT)

Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.  La (CONT) figura d) representa un BJT NPN,

figura d) representa un BJT NPN, en

el

límite

de

la

R.A.N La figura f) representa la exponencial que relaciona i C con

v BE cuya expresión viene dada (pag14) por:

i

C

  • v BE

I

S

e

  • V T

Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.

(CONT) v BE
(CONT)
v
BE

En la R.A.N, se verifica que:

i

C

I

S

e

  • V T

Esta expresión es muy importante, ya que para transistores idénticos y a la misma temperatura, si tienen la misma tensión base-emisor, tendrán la misma corriente de colector.

(Esta propiedad se emplea mucho en C.integrados, para implementar fuentes de corriente constante )

Modelo simplificado del BJT en la Región de Saturación

La unión base-emisor polarizada directamente y la unión base-colector polarizada también directamente. 0,2 V  V
La unión base-emisor polarizada directamente y la unión
base-colector polarizada también directamente.
0,2
V
V
BE
0,7
0,2
V
V
BC
0,7
(b) Región de saturación

Modelo simplificado del BJT en la Región de saturación (Cont)

La unión base-emisor polarizada directamente y la unión base-colector polarizada también directamente.

V

BE

V

V

BC

V

En el límite de la región de saturación a la R.A.N., v BE vale aproximadamente 0,7 voltios, y v BC = tensión umbral=0,5 voltios, por lo que V CE valdrá 0,2 voltios, por eso se modela la tensión V CE como una fuente de tensión constante de 0,2 voltios, aunque puede ser menor. La tensión V BE en saturación, debido a que la corriente de base suele ser bastante elevada, puede llegar a ser de 0,8 voltios en transistores de baja potencia

15-11-06

Tema 7.- Transistores

20

Modelo simplificado en la región de corte

La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base- colector polarizada también inversamente.

V

BE

V

V

BC

V

Modelo simplificado en la región de corte La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base-

En transistores de Si, a temperaturas no muy elevadas, I B =I C =0

Modelo simplificado en la región de corte (Cont)

La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base- colector polarizada también inversamente.

V

BE

V

V

BC

V

Un modelo de mayor exactitud, de las ecuaciones de Ebers Moll, es no despreciar los términos en I S

i

C

 I

S

I

S

R

i

E

 

I

S

F

I

S

Un parámetro que suelen dar los fabricantes es I CB0 , (corriente de circulación inversa entre colector y base , con el emisor abierto. Se deduce fácilmente que :

  • I CB 0

I

S

I

S

(Parámetro muy dependiente de la

R

F

temperatura)

Modelo simplificado en la región activa inversa

La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base- colector polarizada directamente.

V  V V  V BE  BC 
V
V
V
V
BE
BC

Modelo simplificado en la región activa inversa (Cont)

V

BE

V

V

BC

V

En funcionamiento activo inverso los papeles de emisor y colector se invierten, respecto a la

Modelo simplificado en la región activa inversa (Cont) V BE V  V BC V 

región activa directa. La corriente de emisor es β R i B, donde:

R

R

1

R

El sentido real de las corrientes i E e i C es ahora el contrario del indicado en la figura (b)

Como β R es mucho menor que β F , la ganancia en esta región es muy pequeña, y no tiene ninguna utilidad trabajar en ella.

Ejemplo de análisis del P.O. De un transistor

(a) Circuito real
(a) Circuito real

(b) Circuito equivalente suponiendo funcionamiento en la región de corte

(c) Circuito equivalente suponiendo funcionamiento en la región de saturación

(d) Circuito equivalente suponiendo funcionamiento en la región activa

Aplicaciones del transistor

Polarizado en la Región activa directa: Funcionamiento aproximadamente lineal. Amplificadores de tensión, de corriente ,fuentes de corriente, adaptación de impedancias, cargas activas ... Empleo masivo en circuitos integrados lineales y no lineales Polarizado en corte o en saturación:

Funcionamiento como conmutador de alta frecuencia y de potencia. Actualmente la utilización del transistor bipolar discreto está prácticamente limitada a etapas de salida y como conmutador

Polarización del transistor. Ecuaciones de polarización. Recta de carga

Para que el transistor funcione en alguna de las regiones, es necesario polarizarlo mediante una red externa de continua.

El transistor es un dispositivo de tres terminales. Para definir su estado, o lo que es lo mismo, las corrientes y tensiones existentes en el dispositivo, debemos conocer seis variables:

I B , I C , I E , V BE ,V BC , y V CE .

Polarización del transistor. Ecuaciones de polarización. Recta de carga Para que el transistor funcione en alguna

Polarización del transistor. Ecuaciones de polarización.(Cont)

De las seis variables, I B , I C , I E , V BE ,V BC , y V CE , nada mas son independientes 4, ya que por las leyes de Kirchof,

  • I B +I

C =I E

V

BC +V CE =V BE

Polarización del transistor. Ecuaciones de polarización.(Cont) De las seis variables, I , I , I ,

Tomaremos normalmente las variables I B , I C ,V BE y V CE Por tanto necesitamos cuatro ecuaciones para resolver las corrientes y tensiones en el transistor. Dos ecuaciones nos las proporciona el modelo del dispositivo. Las otras dos ecuaciones nos las proporcionará la red de polarización externa

Polarización del transistor. Ecuaciones de polarización.(Cont)

La red de polarización externa es de continua. Las dos ecuaciones que impone la red de polarización en continua se denominan:

“ ECUACIONES DE POLARIZACIÓN”

En Régimen de tensiones y corrientes constantes, en ausencia de señales, el circuito estará compuesto exclusivamente por:

Fuentes de tensión continuas y constantes. Fuentes de corriente continuas y constantes. Resistencias

Las capacidades las podremos considerar C.A. Y las autoinducciones C.C.

15-11-06

Tema 7.- Transistores

29

Ecuaciones de polarización.(Cont)

Cualquier circuito externo de polarización en continua, lo podemos reducir a otro totalmente equivalente compuesto por tres resistencias y dos fuentes de tensión constantes, en una generalización del Teorema de Thévenin aplicado a triterminales:

  • V B -R

BE =E BE -R B I

E I E

  • V C -R

CE =E CE -R C I

E I E

Pero: I B +I C =I E

Por tanto:

V BE = E BE - (R B+ R E ) I B -

R E

I C

V CE = E CE -

R E I B - (R C +R E ) I C

15-11-06

Tema 7.- Transistores

Ecuaciones de polarización.(Cont) Cualquier circuito externo de polarización en continua, lo podemos reducir a otro totalmente

30

Ecuaciones de polarización.(Cont)

Estas son las dos ecuaciones de polarización:

[1]

[2]

V BE = E BE - (R B+ R E ) I B -

R E

I C

V CE = E CE -

R E I B - (R C +R E ) I C

La ecuación [1] corresponde a la “portada de entrada” La ecuación [2] corresponde a la “portada de salida”

Ecuaciones de polarización.(Cont) Estas son las dos ecuaciones de polarización: [1] [2] V = E -

Ecuaciones de polarización.(Cont)

Ecuaciones de polarización.(Cont) [1] V = E - (R R ) I - R I [2]

[1]

V BE = E BE - (R B+ R E ) I B -

R E

I C

[2]

V CE = E CE -

R E I B - (R C +R E ) I C

OBSERVACIONES :

Las ecuaciones de polarización se han desarrollado sin tener en cuenta para nada las características del dispositivo de tres terminales, y por tanto son aplicables a cualquier elemento de tres terminales, sin mas que cambiar los subíndices empleados. En general, B=1, C=2, E=3.

Las ecuaciones de polarización solo dependen de la red de polarización externa

Ecuaciones de polarización.(Cont)

[1] V BE = E BE - (R B+ R E ) I B - R
[1]
V BE = E BE - (R B+ R E ) I B -
R E
I C
[2]
R E I B - (R C +R E ) I C
V CE = E CE -
Las ecuaciones [1] y [2] pueden ponerse en forma matricial:
 V
 E
 R
R
R
BE
BE
B
E
E
B
V
E
R
R
R
I
  I
 
 
CE
CE
E
C
E
C

Recta de carga estática

[1]

V BE = E BE - (R B+ R E ) I B -

R E

I C

[2]

V CE = E CE -

R E I B - (R C +R E ) I C

Si en el circuito de polarización normalizado, R E =0, entonces las ecuaciones de polarización se reducen a :

[2]

V BE = E BE - (R B ) I B

Recta de carga estática [1] V = E - (R R ) I - R I

[3]

V CE = E CE -

(R C ) I C

Entonces la ecuación [2] puede representarse en el plano I B -V BE y es

la denominada recta estática de la portada de entrada. Entonces la ecuación [3] puede representarse en el plano I C -V CE y es

la denominada recta estática de la portada de salida.

Recta de carga estática (Cont)

Recta de carga estática (Cont)  La intersección de la R.E.C. de la entrada, con la

La intersección de la R.E.C. de la entrada, con la característica corriente tensión de la unión base- emisor, es el Punto de operación del diodo base-emisor. I BQ ,I CQ

La intersección de la R.E.C. de la salida, con las curvas características de salida del transistor, es el Punto de operación de la portada de salida: I CQ , V CEQ

Punto de operación del transistor bipolar en la Región Activa Directa

Si suponemos que el transistor está en la R.A.D.: v BE =V BEQ =0,7 v. (Si,
Si suponemos que el transistor está en la R.A.D.:
v BE =V BEQ =0,7 v. (Si,
NPN),
y
I C =β
I B ,
que
junto
con las
ecuaciones de polarización, su resolución, nos dará el P.O.
[1]
I
V BEQ = E BE - (R B+ R E ) I BQ -
R E
CQ
[2] V CEQ = E CE -
R E I BQ - (R C +R E ) I CQ
Sustituyendo I BQ por I CQ /β, y agrupando términos:
E
V
BE
BEQ
1
 
I
CQ
V
E
R
R
1
I
R
1
CEQ
CE
C
E
CQ
B
R
1
 
E
 
 

Punto de operación del transistor bipolar en la Región Activa Directa (Cont)

  • I CQ

E

BE

V

BEQ

R

B

R

E

 

1

1

 

1

V

CEQ

E

CE

R

C

El Punto de operación, tanto de la portada de entrada como de la portada de salida queda por tanto definido. V BE =V BEQ . (0,6 a 0,7 voltios en transistores bipolares de Si.

I C =I CQ , viene dado por la expresión [1]

V CE =V CEQ , viene dado por la expresión [2], en función de I CQ

I B

=I BQ =I CQ

 1   R  1    I 2 E   
1
 
R
 1 
I
2
E
CQ
 

Punto de operación del transistor bipolar en la Región Activa Directa (Cont)

  • I CQ

E

BE

V

BEQ

R

B

R

E

 

1

1

 

1

V

CEQ

E

CE

R

C

R

E

1

1

    I    
 
 I
 

CQ

2

CONSIDERACIONES IMPORTANTES:

El valor de beta es fuertemente dependiente de la temperatura. En transistores discretos tiene una dispersión en su valor muy importante, incluso para transistores del mismo tipo y a igual temperatura. Para las aplicaciones del B.J.T. en la R.A.D., es necesario garantizar la estabilidad del P.O. en lo referente a la portada de salida (I CQ y V CEQ )

Es necesario garantizar la estabilidad y reproductibilidad de I CQ y de V CEQ

Punto de operación del transistor bipolar en la Región Activa Directa (Cont)

  • I CQ

E

BE

V

BEQ

R

B

R

E

 

1

1

 

1

V

CEQ

E

CE

R

C

R

E

1

1

    I    
 
 I
 

CQ

2

Para garantizar un valor de I CQ constante, y que se pueda reproducir y conseguir

que no varíe, deberá hacerse independiente de beta, con una beta mínima lo suficientemente elevada ya que ésta es muy variable, y por tanto el diseño de la red de polarización deberá se tal que cumpla:

1

R

1

B



R

R

( si

 1

)

E

E

En el diseño, se puede aplicar la relación 1/10 ó 1/20, según el error admisible

R

E

R

B

10

..

(

20

)

mínima

15-11-06

Tema 7.- Transistores

39

Punto de operación del transistor bipolar en la Región Activa Directa (Cont)

I

CQ

E

BE

V

BEQ

R

B

R

E

 

1

1

 

1

V

CEQ

E

CE

R

C

R

E

1

1

    I    
 
 I
 

CQ

R

B



R

E

 

1

1

 

R

E

( si

 1

)

2

Si garantizamos I CQ constante, V CEQ también será constante, siempre que beta>>1 Para garantizar I CQ constante, también es necesario que E BE >> V BEQ , ya que así las pequeñas variaciones de V BEQ no afectarán de forma importante.

IMPORTANTE: El valor de V CEQ resultante debe ser mayor de 0,2 voltios (Si, NPN),

si

no,

la

hipótesis

de

R.A.D.

no

es

suponiéndolo en la Región de Saturación

cierta,

y

habrá que realizar el análisis

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N.

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. a) Estructura básica de un transistor PNP polarizado en
  • a) Estructura básica de un transistor PNP polarizado en la R.A.N

  • b) Esquema de un transitor PNP polarizado en la R.A.N. (sentido real de las corrientes)

  • c) Modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar PNP (sentido real de las corrientes)

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont)

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont) También se pueden suponer los sentidos de las

También se pueden suponer los sentidos de las corrientes igual que en el transistor NPN, y obtener resultados totalmente válidos, con la salvedad, que las corrientes resultantes en la R.A.N. serián negativas.

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont)

Los transistores PNP pueden polarizarse exactamente igual que los transistores NPN:

R.A.N.

V EB > V γ

ó V BE <- V γ

V BEQ =-0,7 voltios (Si)

R.A.N.

V CB < V γ

ó

V BC > - V γ

I CQ F

I BQ

R.CORTE

 

V EB < V γ

ó V BE >- V γ

 

R.CORTE

 

V CB < V γ

ó

V BC > - V γ

I CQ ≈ I BQ ≈0

 

REGIÓN

V EB > V γ

ó V BE <- V γ

V BEQ = -0,8 voltios (Si)

SATURA.

V CB >V γ

ó

V BC < - V γ

V CEQ = -0,2 voltios (Si)

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont)

EJEMPLO:

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont) EJEMPLO: Para que la unión base-emisor esté polarizada

Para que la unión base-emisor esté polarizada directamente, E BE debe ser menor que -0,5 v.,

prácticamente, menor que -0,7 voltios

Para que el transistor esté polarizado R.A.N., E CE debe ser negativa.

en la

En la R.A.N. , con los sentidos indicados de las corrientes::

I B <0, I c <0, I E <0 V BEQ <0 (-0,7 voltios (Si)), V CEQ <-0,2 voltios

ANÁLISIS SIMPLIFICADO DE TRANSITORES:

HIPÓTESIS DE β INFINITA

Si el transistor se encuentra en la R.A.N, y tiene un valor de β F suficientemente elevado, I CQ ≈ I EQ , y en determinadas ocasiones, la corriente de base se puede despreciar, frente a la corriente de colector, a efectos del cáculo del punto de operación HIPÓTESIS DE TRABAJO:

1°)V BE =V BEQ (+0,6 v. (NPN Si) ó -0,6 v. (PNP Si) ) 2°) I B =0, I CQ ≈ I EQ

ANÁLISIS SIMPLIFICADO DE TRANSITORES:

HIPÓTESIS DE β INFINITA (cont)

HIPÓTESIS DE TRABAJO:

1°)V BE =V BEQ (+0,6 v. (NPN Si) ó -0,6 v. (PNP Si) ) 2°) I B =0, I CQ ≈ I EQ

PRECAUCIONES AL EMPLEAR ESTA HIPÓTESIS:

El transistor debe estar en en la R.A.N La β F debe ser lo suficientemente alta.

La topología del circuito debe ser compatible con la hipótesis de trabajo

ANÁLISIS SIMPLIFICADO DE TRANSITORES:

HIPÓTESIS DE β INFINITA (cont)

La topología del circuito debe ser compatible con la hipótesis de

trabajo; Ejemplo de circuito en el que hipótesis de β infinita:

no se puede

aplicar la

Ω
Ω

ANÁLISIS SIMPLIFICADO DE TRANSITORES:

HIPÓTESIS DE β INFINITA (cont)

,
,

Ejemplo de circuito que se puede resolver con la hipótesis de β infinita

ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON NIVELES DE CORRIENTES BAJOS

Cuando asumimos que V BEQ =0,7 voltios,suponemos tácitamente que la

corriente a través de emisor es de varios miliamperios., suposición válida en la mayoría de los casos. La suposición falla cuando se trabaja con niveles de corrientes muy bajos. En estos casos, el modelo que mas se aproxima a la realidad, es el que presenta a transistor como una fuente de corriente no lineal, gobernada por la tensión base-emisor:

i

C

  • v BE

I

S

e

  • V T

Una observación: En la R.A.N.,Transistores idénticos a igual temperatura, e igual tensión base-emisor, tienen la misma corriente de colector

ANÁLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN

ANÁLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN 15-11-06 Las dos ecuaciones

15-11-06

Las dos ecuaciones de polarización, junto con el modelo simplificado del transistor bipolar, en la región de saturación, dan lugar a un sistema de cuatro ecuaciones con cuatro incógnitas:

[1]

V BE = E BE - (R B +R E ) I B -

R E

I C

[2]

V CE = E CE -

R E

que junto con:

V BE = V BES y

V CE =V CES

I B - (R C +R E ) I C

Darán lugar a encontrar I BQ, e I CQ Nota: en saturación I BQ > I CQ F Es necesario comprobar que se cumple esta desigualdad,

Tema 7.- Transistores

50

ANÁLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN

ANÁLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN V = E -

V BE = E BE - (R B +R E ) I B -

R E

I C

V CE = E CE -

R E

I B - (R C +R E ) I C

V BE = V BES y

V CE =V CES

Darán lugar a encontrar I BQ, e I CQ Nota: en saturación I BQ > I CQ F Es necesario comprobar que se cumple esta desigualdad,

Principios de diseño de Circuitos de Polarización

El objetivo fundamental de la polarización de un transistor es tener un punto de operación adecuado para que el transistor funcione en la R.A.N., si se desea que funcione como amplificador.

Principios de diseño de Circuitos de Polarización • El objetivo fundamental de la polarización de un

Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Continuación)

Si el P.O. está muy cerca del eje de abcisas significa que está próximo a la región de corte

Si el P.O. está muy cerca de eje de ordenadas, significa que está próximo a la región de saturación.

Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Continuación) • Si el P.O. está muy cerca del

Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Cont.)

Al superponer una señal variable a la corriente de base, el P.O. se desplazará por la “recta dinámica de carga”

Si el objetivo que perseguimos es obtener la máxima excursión simétrica posible, el P.O. deberá estar ubicado en la mitad de la recta dinámica de carga.

Si el objetivo perseguido es tener un consumo bajo en reposo, el P.O. deberá fijarse cerca del eje de abcisas (I CQ pequeña)

Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Cont.) Al superponer una señal variable a la corriente
Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Cont.) Al superponer una señal variable a la corriente
i  i  I v  v V b B BQ be BE BEQ i
i
 i
 I
v
 v
V
b
B
BQ
be
BE
BEQ
i
 i
 I
v
 v
V
c
C
CQ
ce
CE
CEQ

Determinación gráfica de las componentes de señal v be , i b , y v ce , cuando se superpone una componente de señal v i a la tensión V BB de polarización.

Concepto de recta estática de carga y Recta dinámica de carga

La recta de carga estática viene definida por la ecuación de polarización de la portada de salida. La recta de carga dinámica viene definida por la relación que impone el circuito exterior entre la componente alterna de la corriente de colector y la componente alterna de la tensión colector-emisor.(Circuito equivalente de alterna)

15-11-06

Tema 7.- Transistores
Tema 7.- Transistores

56

R.E.C. (si:I C ~I E )

Vcc  (R  R ) I L E C
Vcc  (R
 R
) I
L
E
C
R.E.C. (si:I ~I ) Vcc  (R  R ) I L E C  V

V

CE

Si C2 es un cortocircuito para la c.a.:

R.D.C. :

0

(Recta Dinámica de Carga)

(

R

L

i

c

v

ce

)

C.F.D.=R.D.C.

C.F.D.=R.D.C. (Camino de funcionamiento dinámico ) El C.F.D es una recta que pasa por el P.O

(Camino de funcionamiento dinámico )

El C.F.D es una recta que pasa por el P.O y en este caso tiene mayor Pendiente

Al superponer la c.a. , el P.O se desplazará a través del C.F.D.

Diseño Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.

R.D.C. Referida a los ejes centrados en Q:

i

c

v ce

R

L

0

Donde R L es la resistencia equivalente del circuito de alterna

Pero i c =i C -I CQ ,

y

v ce =v CE -V CEQ

15-11-06

Tema 7.- Transistores
Tema 7.- Transistores

59

Diseño Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C. (Continuación)

La ecuación de la R.D.C. , Referida a los ejes principales es:

1   i  I   v  V C CQ CE CEQ R
1
i
 I
 
v
V
C
CQ
CE
CEQ
R
L

Para obtener la máxima excursión simétrica, el P.O debe estar Situado en la mitad de la recta dinámica de carga

Diseño del P.O. Para fijarlo en la mitad de la R.D.C. (Continuación)

La ordenada en el origen es (para v CE =0) :

i

Cmáx

I

CQ

1

R

L

V

CEQ

Si deseamos que la excursión máxima del P.O sea simétrica:

I CMáx debe ser igual a 2 I CQ , y por tanto se debe de cumplir:

I

CQ

1

R

L

V

CEQ

Que es la condición de diseño buscada para obtener la máxima excusión simétrica del P.O.

EJEMPLOS:

EJEMPLOS : 15-11-06 Tema 7.- Transistores 62

Potencia disipada en un Transistor

La potencia instantánea absorbida o entregada por un transistor, al igual que en cualquier otro dispositivo tri-terminal, será:

p(t)

v

CE

(t)

i

C

(t)

v

BE

(t)

i

B

(t)

Normalmente la potencia de la portada de entrada es despreciable frente a la potencia de la portada de salida. El valor medio de la potencia será:

p t

( )

1

T

t

t

T

(

v

CE

( )

t

i

C

( )

t

v

BE

( )

t

i

B

( ) dt

t

p t

( )

1

T

t

t

T

(

v

CE

( )

t

i

C

( t ) dt

Potencia disipada en un Transistor (Cont)

p t

( )

1

T

t

t

T

(

v

CE

( )

t

i

C

( ) dt

t

Donde si estamos en la R.A.N: i C =i c +I CQ , Sustituyendo y operando:

p t

( )

I

CQ

V

CEQ

1

T

t

t

T

(

v

ce

y

( )

t

i

c

v CE =v ce +V CEQ

( ) dt

t

Pero:

v

ce

( )

t

i

c

( )

t

  R

L

(Resistencia dinámica de carga)

Por tanto:

p t

( )

I

CQ

V

CEQ

1

1

R

L

T

t

t

T

(

v

2

ce

( t ) dt

Potencia disipada en un Transistor (Cont)

p t

( )

I

CQ

O bien:

p t

( )

I

CQ

1 1  T  2 V   t ( v ( ) dt t
1
1
T
2
V
 t
(
v
( ) dt
t
CEQ
ce
R
T
t
L
Valor eficaz al cuadrado
1
T
i
2
V
R
 t
(
( ) dt
t
CEQ
L
c
T
t

Donde :I CQ V CEQ es la potencia disipada en ausencia de señal (En reposo) CONCLUSIÓN IMPORTANTE:

La potencia disipada por un transistor en la R.A.N es máxima en ausencia de señal

Amplificadores con Transistores

Principios de análisis en pequeña señal

Introducción:

Amplificadores con Transistores Principios de análisis en pequeña señal Introducción :  Concepto de linealización de

Concepto de linealización de un dispositivo no lineal Condiciones para la aplicación de un modelo linealizado Dependencia de los parámetros lineales con el P.O del dispositivo Concepto de señal incremental ó pequeña señal

Modelo Incremental Del BJT

El transistor bipolar, es un dispositivo triterminal no lineal Trabajando en la R.A.N.su modelo aproximado es:

(npn)
(npn)
Modelo Incremental Del BJT  El transistor bipolar, es un dispositivo triterminal no lineal  Trabajando

(pnp)

Donde las variables de tensiones y corrientes son las totales (Componente continua + componente alterna)

Modelo incremental del BJT (Cont)

El circuito equivalente a efectos solamente de la componente alterna de pequeña señal de la unión base-emisor polarizada directamente es una resistencia r π :

la resistencia dinámica del diodo Base-emisor,

que es fuertemente dependiente del P.O., es decir de la corriente de base La fuente de corriente, a efectos de la componente variable,

seguirá teniendo el mismo modelo y el mismo signo

Tema 7.- Transistores
Tema 7.- Transistores

15-11-06

68

Modelo incremental del BJT (Cont)

Es decir, siempre que se cumpla que la excursión de P.O., es lo suficientemente pequeña, como para considerar que r

permanece constante, el modelo incremental de alterna para el transistor bipolar ideal,ya sea npn o pnp será:

Modelo incremental del BJT (Cont) Es decir, siempre que se cumpla que la excursión de P.O.,
1  i ( ) t B  r  v ( ) t  BE
1
 i
( )
t
B
r
 v
( )
t
BE
PuntoQ
v
v
T
r
T
I
I
BQ
CQ

Ideal= sin considerar efectos secundarios Transistor previamente polarizado en un P.O.,dentro de la R.A.N

Modelos Incrementales Híbridos En Pi

Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente dependiente de la corriente incremental de base ,es sustituirla por:

una fuente de corriente dependiente de la tensión incremental base-emisor

Modelos Incrementales Híbridos En Pi Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente dependiente

15-11-06

Modelos Incrementales Híbridos En Pi Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente dependiente

Tema 7.- Transistores

70

Modelos Incrementales Híbridos En Pi

Los dos modelos alternativos que podemos emplear en el análisis de circuitos incrementales con transistores ideales:

v π =v be
v
π =v be

Modelo Incremental Del Transistor Bipolar Considerando Efectos Secundarios

Efecto Early, Resistencia de salida Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada Efecto de las resistencias de los bloques de base, colector y emisor Efecto de las capacidades de las uniones(de difusión y de deplexión) Efecto de capacidades parásitas Efecto de la temperatura en los valores de los parámetros

Efecto Early, Resistencia de salida

Efecto Early, Resistencia de salida La ganancia β depende también del valor de V , según

La ganancia β F depende también del valor de V CE , según la expresión:

i

c

v

CE

,

i

B

1

v

CE

  • V A

F

i

B

Efecto Early, Resistencia de salida (cont)

i

c

v

CE

,

i

B

1

v

CE

  • V A

F

i

B

Fue Early el que estudiando este efecto, observó y comprobó que todas las características de salida en la R.A.N, tendían a converger en un punto del eje de abcisas , -V A

En el circuito incremental equivalente, el citado efecto se modela por una resistencia en paralelo con la fuente de corriente

1

r

o

i

C

v

CE

V

CEQ

,

I

CQ

V

A

I

BQ

I

CQ

V

A

r

o

V

A

I

CQ

Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada

γ v ce recoge el efecto de la realimentación interna de salida a entrada.

Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada γ v recoge el efecto de

r

o

  • v A

  • I CQ

Resistencia de base, colector y emisor

Resistencia de base, colector y emisor r = Resistencia de difusión de base (resistencia del bloque

r b = Resistencia de difusión de base (resistencia del bloque de base),

relativamente elevada. Valor típico 100 ohmios. r c = Resistencia de colector. Valores típicos entre 10 y 100 ohmios. (en

transistores de baja potencia). R e = Resistencia de emisor, que es sensiblemente mas baja, (1 ohmio)

Modelo estático SPICE, incluidos efectos secundarios

Modelo estático SPICE, incluidos efectos secundarios 15-11-06 Tema 7.- Transistores 77

Modelo Incremental Del Transistor Bipolar Considerando Efectos Secundarios (Cont)

Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada

Una alternativa al empleo de la fuente dependiente (γ v ce ), es la utilización de una resistencia r μ entre base y colector

Modelo Incremental Del Transistor Bipolar Considerando Efectos Secundarios (Cont) Efecto de realimentación interna de la salida

Capacidades parásitas

Al igual que vimos en los diodos, en las dos uniones del transistor bipolar, aparecen los mismos fenómenos de acumulación de cargas, las llamadas capacidades de difusión y de deplexión, predominando la de difusión en las uniones que estén polarizadas directamente, y la de deplexión en las que las uniones estén polarizadas inversamente . El concepto de capacidades incrementales de difusión y de deplexión es perfectamente aplicable aquí.

Modelo dinámico del transistor bipolar

Modelo dinámico del transistor bipolar El circuito de la modelo dinámico figura es el del transistor

El circuito

de

la

modelo

dinámico

figura

es

el

del

transistor

bipolar, donde aparece también la

capacidad

colector

y

integrados.

de

deplexión

entre

sustrato

en

circuitos

Modelo de alta frecuencia del transistor bipolar

r b resistencia del bloque de base r μ efecto de realimentación interna (normalmente despreciable)

c π Capacidad incremental de difusión

(La unión base-emisor polarizada directamente) c μ Capacidad incremental de deplexión .

(La unión base-colector polarizada inversamente) r μ

r b
r b

Variación de las parámetros con la temperatura

Variación de las parámetros con la temperatura La tensión de la unión base-emisor polarizada directamente, tal

La tensión de la unión base-emisor polarizada directamente, tal como vimos en diodos, disminuye a razón de -2mV/ºC, La características de salida aumentan su separación, y se desplazana hacia arriba, debido al incremento de la temperatura, según la expresión:

T

T

R

T

T

R

XTB

XTB es una constante denominada exponente de temperatura

(con XTR 1,7 β se duplica de 27 a 175ºC)

Funcionamiento del transistor como interruptor estático

Con la señal v c (t), el transistor, idealmente pasa de saturación a corte instantáneamente.

Debido a los efectos de acumulación de cargas, el proceso de conmutación en el transistor, tiene parecidas características que el de conmutación de diodos, limitando la velocidad de conmutación, y por tanto la frecuencia útil de trabajo, en función de las características dinámicas del transistor. En el proceso de conmutación dinámica de un transistor, existe una pérdida de energía, que habrá que limitar a valores admisibles.

Conmutación dinámica del transistor bipolar

Conmutación dinámica del transistor bipolar En la figura se aprecia como la tensión a la salida

En la figura se aprecia como la tensión a la salida no cambia instantáneamente, siguiendo a la señal de control, debido a los efectos de las capacidades de difusión y deplexión. (consulte bibliografía (pag 267 Malik)

Modelo dinámico SPICE del transistor bipolar

Modelo dinámico SPICE del transistor bipolar 15-11-06 Tema 7.- Transistores 85

Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales Lineales

La linealización de dispositivos no lineales de tres terminales, es un proceso de aproximación del modelo no lineal , a un modelo lineal, truncando los correspondientes desarrollos en serie de Taylor a partir de los términos de 2º Orden Aunque el proceso es válido para cualquier dispositivo de tres terminales, vamos a particularizarlo para el transistor bipolar

  • v BE

f

5

i

B

,

v

CE

f

5

I

BQ

,

V

CEQ

i

B

f