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Introduccin a la

Electrnica
Dispositivos semiconductores

12/08/2008

Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores y su evolucin

Millikan - la naturaleza discreta de la carga elctrica


Planck - la teora quntica
Einstein Efecto fotoelctrico
Schrondinger Ecuacin de ondas

1948, laboratorios Bell primer transistor

Germanio
Ganancia de voltaje de 100
Frecuencias de audio

1956 Premio Nobel !!


Precio de un transistor 10 $

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Introduccin a la

Semiconductores y su evolucin

1961 Primer circuito integrado

4 transistores + 2 resistencias

1969 Primer amplificador operacional


Costo: 75 $

1967 Memoria de 64 bits


1968 Memoria de 1024 bits
1994 Memoria de 256 megabits
2008 - ??

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Introduccin a la

Semiconductores - Introduccin
Existen dos mecanismos asociados al transporte de
partculas cargadas en un slido

Corriente de
desplazamiento

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Corriente de
difusin

Introduccin a la

Semiconductores - Introduccin
Corriente de desplazamiento

Movimiento aleatorio sin


un campo elctrico
aplicado

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Movimiento aleatorio
con un campo elctrico
aplicado

Introduccin a la

Semiconductores - Introduccin
Conductividad
Corriente

Velocidad de desplazamiento promedio


Conductividad
Densidad de corriente
Nmero de
portadores de carga
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Introduccin a la

Movilidad

Semiconductores - Introduccin

Conductividad

plata
cobre
aluminio
grafito

conductores

germanio

semiconductores
silicio
Agua destilada

baquelita
mica
cuarzo

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Introduccin a la

aisladores

Semiconductores - Introduccin

Corriente de difusin

Si existe una elevada concentracin de partculas en


una regin comparada con otra, existir un
desplazamiento neto de partculas que ecualizara la
concentracin luego de un periodo de tiempo

Concentracin inicial
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Introduccin a la

Concentracin final

Semiconductores - Introduccin

Corriente de difusin
Flujo de partculas
Constante de difusin

Densidad de corriente (electrones)

Densidad de corriente (cargas positivas)

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Introduccin a la

Relacin de
Einstein

Las constantes de difusin y la


movilidad estn relacionadas.
Ambas constantes relacionan
el movimiento de las partculas
y las colisiones

Teora de bandas de energa


Atomo aislado de hidrogeno

El desplazamiento de un electron de un nivel


discreto de energia hacia otro de mayor nivel
requiere una cantidad de energia extra.
Un electron desplazandose hacia un nivel de
energia inferior, libera una cantidad discreta de
energia

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Introduccin a la

Modelo de Bohr:
la energia de los electrones
en sistemas atomicos esta
restringida a un limitado set
de valores.

Cada nivel de
energia corresponde
a una orbita del
electron alrededor
del nucleo

Teora de bandas de energa


Un solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de
energia interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los
niveles discretos de energia formando bandas de niveles de
energia permtidos

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Introduccin a la

Teora de bandas de energa


Diagrama de bandas de energia

Banda de valencia: los electrones


no son moviles, no contribuyendo
a la conduccion de corriente electrica.
Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de
valencia. Se encuentra parcialmente llena. Excitando con una
pequena cantidad de energia, se puede iniciar el desplazamiento
de los electrones -> corriente electrica.
Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y
la banda de valencia. Son niveles continuos de energia que no
pueden ser ocupados por portadores de carga.

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Introduccin a la

Teora de bandas de energa

Clasificacin de los materiales


Existen electrones en la banda de
conduccin a temperatura ambiente.

semiconductor

conductor

aislador

Las bandas de conduccin y de


valencia se solapan.

Banda de conduccin vaca


Banda de valencia llena
Gran cantidad de energa es requerida para
desplazar un electrn de la banda de
valencia a la de conduccin

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Existe un gran nmero de electrones en


la banda de conduccin a temperatura
ambiente.

Introduccin a la

Teora de bandas de energa

Clasificacin de los materiales

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Introduccin a la

Semiconductores: Silicio

Estructura cristalina

La distribucin espacial de los tomos dentro de un


material determina sus propiedades.
El silicio puede existir en tres formas diferentes

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Amorfo -> grafito


Policristalino
Cristalino -> diamante

Introduccin a la

Semiconductores: Silicio

Estructura cristalina

Enlaces covalentes

tomo de silicio

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Semiconductores: Silicio

Portadores

Cuando un enlace de
Si-Si es roto, el electrn
asociado es un portador
de corriente.
Equivalentemente, la
excitacin de un
electrn de la banda de
valencia a la banda de
conduccin crea
portadores ->
Electrones en la
banda de conduccin
son portadores

Sin portadores

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Este estado vaco,


es un segundo tipo
de portadores
denominado
lagunas

electrn

laguna

Remover un electrn
de la banda de
valencia crea un
estado vaco.

Electrones y lagunas son portadores


en los semiconductores

Introduccin a la

Semiconductores: Silicio
Generacin de pares electrones-lagunas
Concentracin de
electrones

intrnseco

Concentracin de
lagunas

Corriente en un semiconductor
A elevar la temperatura algunos enlaces
covalentes son rotos, y los electrones
asociados al enlace son libres de desplazarse
bajo la influencia de un campo elctrico
Movilidad de
Movilidad de
externo.
los electrones

Simultneamente, la ruptura del enlace, deja


una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas
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Introduccin a la

las lagunas

Semiconductores: Silicio

Circulacin de corriente en un semiconductor

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Silicio con dopaje

El agregado de un pequeo porcentaje de tomos


forneos en la estructura cristalina del silicio produce
importantes cambios en sus propiedades elctricas.

Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son


utilizados.
4 electrones de la banda de valencia forman enlaces
covalentes con los tomos vecinos de silicio. El
electrn restante esta dbilmente ligado al tomo de
impureza, actuando como un electrn libre.
Impurezas donoras: donan un electrn a la banda de
conduccin.
Fsforo, arsnico, antimonio

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Silicio Tipo N

Conductividad

Concentracin de tomos donores

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Introduccin a la

Silicio Tipo P

TIPO P

Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro,


Galio, Indio.
Para completar el enlace covalente con tomos de
silicio, un electrn es atrado de la banda de valencia
dejando una laguna.
impureza aceptora: acepta un electrn de la banda de
valencia

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Semiconductores

Terminologa
Semiconductor intrnseco:

semiconductor sin el agregado de impurezas

Donor:

Aceptor

Portadores mayoritarios:

Portadores minoritarios:

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tomos de impurezas que incrementan la concentracin de


electrones
tomos de impurezas que incrementan la concentracin de
lagunas
Los portadores mas abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo N y lagunas en material tipo P.
Los portadores menos abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo P y lagunas en material tipo N

Introduccin a la

Juntura P-N
La concentracin de
tomos donores es
mayor que la de
aceptores

aislados

A temperatura ambiente,
Cada electrn de los
tomos donores tiene
suficiente energa para
escapar de su tomo y
puede desplazarse
libremente.
Los tomos aceptores
han adquirido un electrn
de la banda de valencia,
dejando lagunas que
circulan libremente

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Introduccin a la

Juntura P-N en equilibrio


Un diodo de juntura consiste de un material
Semiconductor tipo P en contacto con un
material N.
Consideraciones
Region P N_A atomos aceptores
Region N N_D atomos donores
N_D>N_A
No existe potencial externo aplicado
Regin N: Los electrones cercanos a la juntura
se difunden desde la regin con alta
concentracin de electrones (regin N) a la
regin con baja concentracin de electrones
(region P).
Regin P: Las lagunas se difunden hacia la
regin N.
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Introduccin a la

Electrones
Lagunas

Juntura P-N en equilibrio


Los electrones que se difunden a la regin P
dejan tomos ionizados + en el lado N.
Las lagunas dejan tomos ionizados en la
regin P.
Regin de deplecin : capa de iones
sin neutralizar

Densidad
de carga

Campo elctrico

El campo elctrico desplaza los


electrones fuera de la regin de deplecin

potencial

Corriente de desplazamiento

EQUILIBRIO : otros electrones de la regin


Corriente de
difusin
N

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Corriente de
desplazamiento
N

N no pueden migrar hacia la regin P porque


son repelidos por los iones negativos de
la regin P y atrados por los iones negativos
de la regin N

Introduccin a la

Juntura PN en equilibrio
Campo elctrico

Una barrera de potencial es generada


para mantener el equilibrio

potencial

Potencial de contacto

Concentracin de
portadores

Representa la barrera de potencial


que debe ser sobrepasada para que
un portador de carga se difunda a
travs de la juntura

Niveles de energa

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Introduccin a la

Juntura PN polarizacin directa

Al ser polarizada directamente la


juntura PN, el potencial de juntura
disminuye.
Los electrones se difunden
hacia la regin P y las
lagunas hacia la regin N

Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento
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Introduccin a la

La corriente de difusin es la
dominante

Juntura PN polarizacin inversa


La barrera de potencial aumenta.
El campo electrico se intensifica.
La capa de deplecin se ensancha.
La corriente de difusin se hace cercana
a cero

Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento

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Juntura PN
EQUILIBRIO

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

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El diodo

La corriente de lagunas y la corriente de electrones


son asumidas como corrientes de difusin.

Corriente de saturacin inversa : es funcin del


rea de juntura, de las constantes de difusin,
concentracin de equilibrio y longitud de difusin
de los portadores minoritarios
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Introduccin a la

Tensin de ruptura
inversa

Modelo del diodo

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El diodo Efecto zener


Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es
aplicado, la juntura PN
experimentara una rpida avalancha
y conducir en la direccin inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo elctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
Modificando el espesor de la
capa donde el voltaje es
aplicado, el efecto zener
puede ocurrir a tensiones
inversas desde los 4 volts
hasta cientos de volts.
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En esta regin, pequeos cambios


en el voltaje aplicado pueden causar
grandes variaciones de corriente.

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El diodo Aplicaciones

Rectificadores
Reguladores
Circuitos de enclavamiento
Circuitos lgicos
LEDs, fotodiodos

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Introduccin a la

Rectificadores
Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

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Introduccin a la

Rectificadores
Rectificador de onda completa

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Introduccin a la

Rectificadores con filtro RC

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Introduccin a la

Rectificadores con filtro RC

Rizado en filtros RC (ripple)

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Introduccin a la

Rectificadores

Ejemplo: Cargador de batera

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Introduccin a la

Reguladores

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Introduccin a la

Recortadores

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Circuitos lgicos con diodos

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