Universidad de Oviedo

Leccin 5

EL MOSFET DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin
5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xidoSemiconductor

El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo

de portador

EL MOSFET DE POTENCIA

Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin

D
G

G
Canal N

Conduccin debida
a electrones

Canal P

Conduccin
debida a huecos

Los ms usados son los MOSFET de canal N

La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad menores resistencias de canal en conduccin

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Curvas caractersticas del MOSFET

EL MOSFET DE POTENCIA

D
G
+
VGS
-

- Curvas de salida

ID

+
VDS
S -

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

Referencias normalizadas

- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)

VDS [V]

VGS < VTH = 2V

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Zonas de trabajo

ID

2,5K

EL MOSFET DE POTENCIA

+
-

VGS

+
VDS
-

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V

10V

VGS = 3V
VGS = 2,5V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
(sin inters en electrnica de potencia)
Comportamiento como circuito abierto

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

Ideas generales sobre los MOSFETs

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos

EL MOSFET DE POTENCIA

- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de

los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento

S
N+
P-

D
N+

D
G
S

Substrato

Estructura de los MOSFETs de Potencia

Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente

EL MOSFET DE POTENCIA

Algunas celdas posibles

Fuente

n+

Fuente

Puerta

n+

nn+
Drenador
Estructura planar
(D MOS)

n+

Puerta

nn+
Drenador
Estructura en
trinchera
(V MOS)

S
G
D

Encapsulados de MOSFETs de Potencia

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los
encapsulados axiales)
Existe gran variedad

EL MOSFET DE POTENCIA

Ejemplos: MOSFET de 60V

RDS(on)=9,4m, ID=12A

RDS(on)=5,5m, ID=86A

RDS(on)=9m, ID=93A

RDS(on)=12m, ID=57A

RDS(on)=1.5m, ID=240A

Encapsulados de MOSFETs de Potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

Otros ejemplos de MOSFET de 60V

RDS(on)=3.4m, ID=90A

Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

1 -Mxima tensin drenador-fuente
2 -Mxima corriente de drenador
3 -Resistencia en conduccin
4 -Tensiones umbral y mximas de puerta
5 -Velocidad de conmutacin

EL MOSFET DE POTENCIA

1 Mxima tensin drenador-fuente

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a
la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)

1 Mxima tensin drenador-fuente

La mxima tensin drenador-fuente de representa como VDSS
o como V(BR)DSS
Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

Baja tensin

Ejemplo de
clasificacin

Media tensin

Alta tensin

15 V

100 V

500 V

30 V

150 V

600 V

45 V

200 V

800 V

55 V

400 V

1000 V

60 V
80 V

2 Mxima corriente de drenador

El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua mxima ID

EL MOSFET DE POTENCIA

- Corriente mxima pulsada IDM

La corriente continua mxima ID depende de la

temperatura de la cpsula (mounting base aqu)

A 100C, ID=230,7=16,1A

3 Resistencia en conduccin
Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET.
Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
Se representa por las letras RDS(on)
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura

EL MOSFET DE POTENCIA

Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de

puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.

Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

3 Resistencia en conduccin
Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on) crece con el valor de VDSS

3 Resistencia en conduccin
En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores
de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)

EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de

1984

MOSFET de los aos 2000

4 Tensiones umbral y mximas de puerta

La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conduccin entre drenador y fuente
Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA

EL MOSFET DE POTENCIA

Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V

4 Tensiones umbral y mximas de puerta

EL MOSFET DE POTENCIA

La tensin umbral cambia con la temperatura

4 Tensiones umbral y mximas de puerta

EL MOSFET DE POTENCIA

La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es

tpicamente de 20V

5 Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos
usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)

EL MOSFET DE POTENCIA

Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En

ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento
de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades
parsitas del dispositivo
Hay, esencialmente tres:
- Cgs, capacidad de lineal
- Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante

Cdg
G
Cgs

Cds

5 Velocidad de conmutacin
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de
tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)

EL MOSFET DE POTENCIA

- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)

Coss
Ciss

5 Velocidad de conmutacin

EL MOSFET DE POTENCIA

Ejemplo de informacin de los fabricantes

Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg

5 Velocidad de conmutacin
La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan
prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

Carga y descarga de un condensador desde una resistencia

V1

En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12

- Energa almacenada en C = 0,5CV12

C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
Energa total perdida: CV12 = V1QCV1
Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las
variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de
conmutacin

5 Velocidad de conmutacin
Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:
- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento

EL MOSFET DE POTENCIA

- Suponiendo diodo ideal

IL
Cdg
V1

Cds
R

Cgs

V2

5 Velocidad de conmutacin
Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto:

vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0

iDT = 0 y iD = IL

EL MOSFET DE POTENCIA

- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A

IL
iD

vDG
-

Cdg

A
V1

iDT

Cds

+
vGS

Cgs

+
vDS
-

V2

5 Velocidad de conmutacin

vGS

vDS = V2 hasta que iDT = IL

BA

VGS(TO)

Pendiente determinada
por R, Cgs y por Cdg(V2)

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)

iDT

IL

IL

iD

vDG
-

Cdg

A
V1

+
vGS

iDT

Cds

+
-

Cgs

+
vDS
-

V2

5 Velocidad de conmutacin

vGS

La corriente que da V1 a travs de R se

emplea fundamentalmente en descargar
Cdg prcticamente no circula

BA

corriente porCgs vGS = Cte

VGS(TO)

EL MOSFET DE POTENCIA

vDS

iDT

IL

IL

vDG
-

Cdg

+
+

A
V1

+
vGS

iDT

Cds

+
-

Cgs

+
vDS
-

V2

5 Velocidad de conmutacin

vGS

Cgs y Cdg se continan

V1

BA

Constante de tiempo determinada

por R, Cgs y por Cdg(V1)

VGS(TO)

iDT

IL

IL

vDG
-

Cdg

iDT

A
V1

+
-

EL MOSFET DE POTENCIA

vDS

+
vGS

Cds

+
-

Cgs

vDS
-

V2

5 Velocidad de conmutacin

vGS

BA

VGS(TO)

V1
VM

- Hay que cargar Cgs (grande) y

vDS

descargar Cdg (pequea) VM voltios

- Hay convivencia tensin corriente
entre t1 y t2

iDT

IL
t0 t1 t2 t3

Cdg

PVI

+
vGS

iDT
+

iDT

EL MOSFET DE POTENCIA

Valoracin de prdidas entre t0 y t2:

+
-

Cgs

Cds -

vDS V2

5 Velocidad de conmutacin

BA

VGS(TO)

V1
VM

iDT

invertir la carga de Cdg desde V2-VM

hasta -VM
- Hay convivencia tensin corriente
entre t2 y t3

IL
t0 t1 t2 t3

iCdg+iCds+IL
iCdg
Cdg

PVI

+
vGS

iDT = IL

iCds
+

EL MOSFET DE POTENCIA

vDS

- Hay que descargar Cds hasta 0 e

vGS

Valoracin de prdidas entre t2 y t3:

+
-

Cgs

Cds -

vDS

IL

5 Velocidad de conmutacin

BA

VGS(TO)

V1
VM

EL MOSFET DE POTENCIA

hasta V1
- No hay convivencia tensin

vDS

iDT

- Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg

corriente salvo la propia de las

prdidas de conduccin

t0 t1 t2 t3

iDT = IL

iCdg

IL
Cdg

iL

vGS

Valoracin de prdidas a partir de t3:

PVI

+
vGS

+
-

Cgs

Cds -

vDS

IL

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga
de puerta:

vGS

- La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente

constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial, con
IV1 V1/R)

EL MOSFET DE POTENCIA

- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado

esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una
carga elctrica Qgs

iV1
Qgs

- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la

carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg

t0

- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg

es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg)
- Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R),
cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el
transistor
- Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 = V1QgfS,
siendo fS la frecuencia de conmutacin

Qdg

t2 t3
Qg

iV1
V1

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:
Informacin de los fabricantes

EL MOSFET DE POTENCIA

IRF 540

BUZ80

MOSFET de 1984

MOSFET de los aos 2000

5 Velocidad de conmutacin
Otro tipo de informacin suministrada por los
fabricantes: conmutacin con carga resistiva

VGS

VDS

EL MOSFET DE POTENCIA

90%

10%

td on

td off

tr

iDT

tf

RD
td on : retraso de encendido

RG

tr : tiempo de subida
td off : retraso de apagado
tf : tiempo de bajada

+
-

vGS

+
vDS
-

5 Velocidad de conmutacin
Otro tipo de informacin suministrada por los
fabricantes: conmutacin con carga resistiva

EL MOSFET DE POTENCIA

IRF 540

iDT
RD
td on : retraso de encendido

RG

tr : tiempo de subida
td off : retraso de apagado
tf : tiempo de bajada

+
-

vGS

+
vDS
-

Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente

vGS

Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

EL MOSFET DE POTENCIA

vDS

Pconm = fS(w on + w off)

iDT

PVI

Won
Prdidas en
conduccin

Prdidas en conmutacin

Woff

Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas en la fuente de gobierno

EL MOSFET DE POTENCIA

vGS

iV1
V1

iV1

Qdg

Circuito terico

Qgs

iV1
t0

t2 t3
Qg

V1
RB

PV1 = V1QgfS
Circuito real

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre

todo en MOSFETs de alta tensin

EL MOSFET DE POTENCIA

IRF 540

D
G
S

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin

Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia

Este fabricante denomina mounting base a la cpsula

y suministra informacin de la RTHja = RTHjc + RTHca