TRANSISTORES

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERIA DE SISTEMAS

TRANSISTOR 2N3819 .

5mA / Full V Potencia nominal Temperatura: 25 ° C Gfs mínima: 2 mA / V Número de transistores: 1 Paquete / Caso: TO-92 Disipación de potencia Ptot Max: 200mW Polaridad del transistor: N Rango de frecuencia de canal de funcionamiento: 1 MHz a 500 MHz . N. JFET. TO-92 Tipo de transistor: Desglose JFET Voltaje Vbr: 25V Cero Puerta Voltaje drenaje actual Idss: 2 mA a 20 mA puerta-fuente Cutoff Voltaje Vgs (apagado) Max: 8 V Disipación de energía Pd: de 350mW actual Idss Max: 20 mA Idss actual mínima: 2 mA Corriente Ig: 10mA Dispositivo Marcado: Drenaje 2N3819 Tensión de fuente Vds: 25V Transconductancia Gfs Max: 6.TRANSISTOR.

TRANSISTOR 2N3055 .

º de clavijas: 2 Tipo de caja: TO-3 Tensión IC hFE: 10A Completo Temperatura Potencia nominal: 25 C? Max Ic actual: 15A Max Ic actual una continua: 15A Potencia máxima disipación Ptot: 115W Máximo Voltaje Vce Sáb: 1V Mejor ganancia de ancho de banda pies: 3MHZ Mejor HFE: 5 Potencia de disipación: 115W Tipo de terminación: Agujero pasante Tipo de transistor: Bipolar Tensión VCBO: 100V .Polaridad del transistor: NPN TRANSISTOR. TO-3 Colector-to-Emisor Tensión de disparo: 60V Disipación de energía Pd: 115W Corriente de colector dc: 15A DC actual Ganancia hFE: 70 Tipo de encapsulado Transistor: A-3 N. NPN.

TRANSISTOR BD712 .

TO-220 Polaridad del transistor: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V Transition Frequency Typ ft: 3MHZ Power Dissipation Pd: 75W DC Collector Current: 12A DC Current Gain hFE: 120 Transistor Case Style: TO-220 Collector Emitter Voltage Vces: 1V Continuous Collector Current Ic Max: 12A Current Gain Hfe Max: 400 Current Ic @ Vce Sat: 4A Current Ic Continuous a Max: 4A Tensión IC hFE: 500mA Gain Bandwidth ft Typ: 3MHZ Hfe Typ: 120 N. PNP.TRANSISTOR.º of Transistors: 1 Package / Case: TO-220 Power Dissipation Pd: 75W Power Dissipation Ptot Max: 75W Tensión Vcbo: 100V .

TRANSISTOR BD678 .

of Transistors: 1 Package / Case: TO-126 Power Dissipation Ptot Max: 40W Termination Type: Through Hole Transistor Type: Darlington Voltage Vcbo: 60V .5A Device Marking: BD678 Full Power Rating Temperature: 25°C Hfe Min: 750 No.5V Continuous Collector Current Ic Max: 4A Current Ic Continuous a Max: 4A Current Ic hFE: 1.DARLINGTON TRANSISTOR Transistor Polarity: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V Power Dissipation Pd: 40W DC Collector Current: 4A DC Current Gain hFE: 750 Transistor Case Style: SOT-32 Av Current Ic: 4A Collector Emitter Voltage Vces: -2.

TRANSISTOR TIP3055 .

NPN.TRANSISTOR. 100V. TO-247 Transistor Polarity: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 70V Power Dissipation Pd: 90W DC Collector Current: 15A DC Current Gain hFE: 70 Operating Temperature Min: -65°C Operating Temperature Max: 150°C Collector Emitter Voltage Vces: 1V Continuous Collector Current Ic Max: 15A Current Ic Continuous a Max: 15A Current Ic hFE: 4A Device Marking: TIP3055 Full Power Rating Temperature: 25°C Gain Bandwidth ft Min: 2.5MHz Hfe Min: 20 No. of Transistors: 1 Operating Temperature Range: -65°C to +150°C Power Dissipation Ptot Max: 90W Transistor Type: Bipolar Voltage Vcbo: 100V .