You are on page 1of 42

TIRISTORES

CONTENIDO:

Introduccin
Definicin: El tiristor (SCR,
SCR Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado
de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones
PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados Anodo,
Anodo
Ctodo y Puerta.
Puerta El instante de conmutacin, puede ser controlado con toda
precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional,
conmutador casi ideal y rectificador.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Estructura
y caracteristica V-I

Conduccin

Bloqueo inverso

Bloqueo directo

En la fabricacin se emplean tcnicas de difusin y


crecimiento epitaxial.
epitaxial El material bsico es el Si.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA


Y CARACTERSTICAS

Estructura

I C I E I CO
I B 1 I E I CO

I B1 1 1 I A I CO1

I C2 2 I K I CO2
IK IA IG

I A IS1 IS3 IS e qv kt 1 IS

2 I G I CO1 I CO2
IA
1 1 2

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

La caracterstica real V I del tiristor est representada


en la figura:

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA


Y CARACTERSTICAS

Caractersticas estticas:
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y
son los valores mximos que colocan al elemento en en lmite de
sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IR, Tj, IH.
Identifica estos parmetros en la hojas de caractersticas de los
SCR adjuntos

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Caractersticas de control:
Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las
condiciones de disparo.
Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes
caractersticas: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT (VGD), IGT, IGNT (IGD)
VGNT (VGD) e IGNT (IGD) que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los
V
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de
dispararse de modo indeseado.

TEMA :TIRISTORES

Caractersticas de control

Construccin de la curva
caracterstica de puerta

TEMA: TIRISTORES

Caractersticas de control
Dentro de esta zona encontramos una
parte en la cual el disparo resulta
inseguro Esta corriente mnima
disminuye al aumentar la temperatura:

PG(AV)
PGM

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Observar las curvas y parmetros de puerta de las


hojas de caractersticas adjuntas( SKT10 de Semikron)

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Caractersticas de
conmutacin:
Los tiristores necesitan un
tiempo
para
pasar
de
bloqueo a conduccin y
viceversa.
viceversa
A.-

Tiempo de Encendido

(tON)
El tiempo de encendido (paso
de corte a conduccin) tON, lo
dividimos en dos partes:
A1.A2.-

Tiempo de retardo.
retardo (td)
Tiempo de subida.
subida (tr)

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

B.- Tiempo de Apagado (tOFF)


Es el tiempo de paso conduccin a corte

Dividimos el tiempo de apagado en dos:


B1.- T de recuperacin inversa.
inversa (trr).
B2.- T de recuperacin de puerta.
puerta (tgr).

t off t q t rr t gr

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Caractersticas de conmutacin:

Es aconsejable tratar de indentificar


los parmetros de conmutacin en las
hojas de caractersticas

TEMA :
TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERSTICAS

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: Por


reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente
de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.
nodo

Parmetros que influyen sobre toff:


Corriente en conduccin (IT).
Tensin inversa (VR).
Velocidad de cada de la corriente de nodo dI/dt.
Pendiente de tensin dVD/dt.
Temperatura de la unin T o del contenedor T .

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Angulo de Conduccin
La corriente y la tensin media de
un tiristor variarn en funcin del
instante en el que se produzca el
disparo,
disparo es decir, todo va a
depender
del
ngulo
de
conduccin.
conduccin La potencia entregada
y la potencia consumida por el
dispositivo, tambin dependern de
l: cuanto mayor sea ste, mayor
potencia tendremos a la salida del
tiristor
Cuanto mayor es el ngulo disparo,
menor es el de conduccin:
180 = ng conduccin + ng
disparo

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

El cto de la figura representa un control simple de potencia con


carga resistiva, calcular:
1.- Tensin de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensin media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice, obteniendo las formas de
onda para un ngulo de conduccin = 60. Comprobar que los
apartados calculados en el ejercicio, coinciden con las
simulaciones.
Datos: Ve (RMS) = 120V f = 50Hz = 60 RL = 10

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Vp(carga) Vmx Ve(RMS)


I p(carga)

Vp(carga)
RL

2 169.7V

169.7
16.97V
10

169.7
1 cos60 40.5V
2

Vmed

I med

I mx

1 cos 4.051A
2

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

Mtodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe
estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un
tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un
valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir
que el SCR comience a conducir.
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin
deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del
estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:
7.6.1.- Por puerta.
7.6.2.- Por mdulo de tensin. (V)
7.6.3.- Por gradiente de tensin (dV/dt)
7.6.4.- Disparo por radiacin.
7.6.5.- Disparo por temperatura.
El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de
tensin son modos no deseados.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Disparo por puerta:

Disparo por dc

Disparo por impulso

Disparo por puerta:

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Disparo por gradiente de tensin:


Disparo indeseado

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

Limitaciones del tiristor


Las ms importantes son debidas a:
Frecuencia de funcionamiento.
Sobretensiones y pendiente de tensin (dV/dt).
Pendiente de intensidad (dI/dt).
Temperatura.
En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el
fabricante, se pueden utilizar ctos supresores de transitorios.
transitorios Se
conectan en bornes de la alimentacion, en paralelo con el
semiconductor o en paralelo con la carga.
Una solucin muy utilizada en la prctica es conectar en paralelo con
el tiristor un cto RC (Red SNUBBER),
SNUBBER para evitar variaciones bruscas
de tensin en los extremos del semiconductor:

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

Limitaciones del tiristor

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

Limitaciones del tiristor: frecuencia

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Ejemplo de calculo rpido red RC:


El SCR del cto de la figura puede soportar una dVAK/dt = 50V/s. La
descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A.
En el momento en que se cierra el interruptor S es conectada la fuente
de tensin VS al circuito.
Si en ese momento se aplica un impulso apropiado a la puerta del
elemento, calcular:
1) Valor del condensador de la red de proteccin.
2) Valor de la resistencia de proteccin.
Datos: dV/dt = 50V/s; R = 20; Imx = 3A
I C (0)

VS mx 311V

15.55A
RL
20

dV
15.55A

C
0.311F
dt
50V / s
311V
R
103.6 100
3A

IC C

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

MTODOS PARA EL CLCULO DE


LOS ELEMENTOS DE
PROTECCIN:
A.- Mtodo de la constante de tiempo (ms utilizado).
B.- Mtodo resonante.
resonante

A.- Mtodo de la constante de tiempo


Con ste mtodo tratamos de buscar el valor mnimo de la constante de
tiempo ( ) de la dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos en la figura:

0.63 VDRM
dV
dt
min

C
RL

VAmx
I TSM I L K

K= F de seguridad. (0.4 ... 0.1)

La misin de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la


descarga instantnea del condensador al inicio de la conduccin.

R min

VAmx
dI

C
dt

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt)


Una variacin rpida de la intensidad puede dar lugar a una
destruccin del tiristor.(creacin
de puntos calientes)
tiristor

Un procedimiento posible es aadir una inductancia L para conseguir que la


pendiente de la intensidad (dI/dt) no sobrepase el valor especificado en las
caractersticas del estado de conmutacin.
conmutacin
R t

V
I A 1 e L
R

V
dI A
dt

mx

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Supongamos que el tiristor est


colocado segn la figura. Calcular
aplicando el mtodo de la cte de
tiempo el cto de proteccin contra
dV/dt y dI/dt.
Datos: VRMS = 208V; IL = 58A;

R = 5;

SCR:
VDRM = 500V;
ITSM = 250A;dI/dt =
13.5 A/s;
dV/dt = 50V/s
VAmx
VAmx
R min
4.15
RS
3.83
dI

C
I TSM I L K
dt

VAmx
21.7 H
dI
dt

VAmx 208

2 294V

0.63 VDRM
6.3s
dV
dt
min

1.26 F
R

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

sobreintensidades

El fusible debe de conducir la


corriente nominal del dispositivo
La energa permitida para el
fusible i2t < i2t dispositivo

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Limitaciones de la temperatura
Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la
potencia media disipada en un tiristor ser:
PAV

1 T
VAK I A dt
T 0

Potencia de puerta.

Podemos decir que las prdidas con una tensin de


alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el
ngulo de conduccin ( ).
Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia
media de perdidas ser:

PAV

t2
1

VAK I A dt
t1
T

VAK V0 I A R

PAV V0 I A(AV) R I A(RMS)

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms


importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada
tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms
desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms
apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento
semiconductor al medio ambiente.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6C/W y con Rcd = 0.2C/W, alimenta
a una carga resistiva de 10 a partir de una seal alterna de
220VRMS. Si la conduccin del SCR es completa ( = 0). Calcular
el disipador para una temperatura ambiente de 40C utilizando
la grfica representada en la figura.

I TAV

220 2
1 cos 10A
2 R

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

Extincin del tiristor. Tipos de conmutacin.


Entenderemos por extincin,
extincin el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que
estaba en conduccin a pasar a corte.
corte En el momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.
Conmutacin Natural

intensidad por el tiristor


se anula por si misma

-a.-) Libre
-b.-) Asistida
Conmutacin Forzada
-a.-) Por contacto mecnico
-b.-) Por cto resonante
-Serie
-Paralelo
-c.-) Por carga de condensador
-d.-) Por tiristor auxiliar

Secuencia lgica de la
fuente primaria

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Conmutacin forzada.
Para provocar la conmutacin del tiristor, ser necesario anular la
corriente andica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda
pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duracin es inferior a un valor determinado por toff (valor intrnseco
al tiristor utilizado) no tendr lugar la conmutacin del dispositivo.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERSTICAS

Sea el circuito de la figura. Para un tiempo de apagado del tiristor de t off


= 15s, determinar si se podr producir la conmutacin ptima del
mismo para el valor de capacidad adoptado.
Datos: E = 100V; R0 = 5; C = 5F

R tC
VC (t ) A B e 0 ; VC (0) A B

VC () A ; VC (t ) VC () VC (0) VC () e

R tqC
VC (t ) -E E E e 0

tq

t
R 0 C

0 E 2 E e R 0 C

t q 0.693 R 0 C
t q 0.693 R 0 C 0.693 5 5 10 -6 17.33s toff

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Fundamento de conmutacin por cto resonante

1
2 LC

di 1
L idt v C (t 0) 0
dt C

i(t) VC

C
senwt
L

v C (t) VC coswt

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

Conmutacin por carga de conden-sador


La extincin del tiristor se consigue con el circuito de
la figura:
figura

En el cto anterior podemos distinguir 2 partes: cto de potencia constituido


por la fuente E, el tiristor T1 y la carga RO (resistiva pura); y el cto auxiliar de
bloqueo formado por R, C y un tiristor auxiliar T2.
El cto puede se comparado con un biestable asimtrico de potencia,
potencia en el
que los tiristores conducen de forma alternada.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

TRIAC GTO ZTO FOTOTIRISTORES SITH ASCR MCT

TRIAC

Dispositivo de tres terminales con capacidad de


controlar el paso de corriente en ambas
direcciones (dispositivo bidireccional),
bidireccional muy
utilizado en la regulacin de corriente alterna.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

GTO (Gate - Turn - Off)


Dispositivo semiconductor de potencia que combina caractersticas de un
tiristor convencional con las de un transistor bipolar, presentando la ventaja
de poder pasar de conduccin a bloqueo mediante la aplicacin de un
impulso negativo a la puerta
Es equivalente a una resistencia la cual es
incapaz de bloquear voltaje. Para continua
el dispositivo no presenta ningn
problema, no obstante, si queremos
bloquear cualquier voltaje inverso,
deberemos conectar en serie con el GTO
un diodo. Si deseamos que pase la
corriente, deberemos conectar un diodo en
antiparalelo con el dispositivo.

TEMA :TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS

GRACIAS POR SU
ATENCIN