You are on page 1of 30

FACULTAD DE INGENIERIA

ELECTRNICA Y MECATRNICA
INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA Y
MECATRNICA
Profesor: Ing. Pedro P. Daz
Vilela

TRANSISTORES

I.

DATOS GENERALES

1.1 Universidad
1.2 Facultad
1.3 Ciclo
1.2 Curso
1.3 Docente
1.4 Tema

: Universidad tecnolgica
del Per
: Facultad de ingeniera
Electrnica y Mecatrnica
: Primer ciclo
: Introduccin a la
electrnica y macatrnica
: Ing. Pedro Daz Vilela
: Transistores bipolares

II. CAPACIDADES / APRENDIZAJES ESPERADOS


2.1 Conocer las relaciones entre las corrientes de
base, de emisor y de colector de un transistor
bipolar.
2.2 Trazar un esquema de un circuito configurado
en emisor comn y determinar cada terminal,
tensin y resistencia.
2.3 Dibujar una hipottica caracterstica de
entrada y una familia de caractersticas de
salida, identificando ambos ejes.
2.4 Reconocer las tres zonas de funcionamiento
de un transistor bipolar.

Historia

La fecha exacta fue 16 de


diciembre de 1947, cuando
William Shockley, John Bardeen
y Walter Brattain inventaron el
primer transistor de unin, un
dispositivo
que
permite
amplificar seales elctrnicas
tales como seales de radio y de
televisin.

Historia

El transistor ha llevado a muchas


otras invenciones basadas en
semiconductores, incluyendo el
circuito integrado (IC), un
pequeo dispositivo que contiene
miles
de
transistores
miniaturizados. Gracias a los IC
son posibles los ordenadores
modernos y otros milagros
electrnicos.

Transistores : Definicin
La palabra transistor se deriva del termino Transfers
Resistor (resistencia de transferencia).
Los transistores se utilizan como fuentes de corriente
controladas en amplificadores, osciladores, mezcladores,
interruptores y muchas otras aplicaciones.
Existen
bsicamente
dos
grandes
familias
de
transistores:
Los transistores bipolares
Los transistores de efecto de campo o FETs (Field Effect
Transistors). Estos incluyen los FETs de unin (JFETs) y los
FETs de compuerta aislada (MOSFETs). Actualmente son
tambin muy populares los transistores bipolares de
compuerta aislada o IGBTs
utilizados en aplicaciones de
potencia.

Familias

de Transistores

TRANSISTORES
BIPOLARES BJT

Concepto:
Es un dispositivo trodo de estado slido, formado por
tres capas combinadas de material semiconductor.
amplifica una seal.
Interruptor electrnico.

Hoy en da :

La cantidad de transistores que se utiliza para la


fabricacin de un microprocesador fue en
aumento. Intel comenz con 2.100 transistores
del modelo 4004 en 1970 y hoy en da, 731
millones de transistores en el procesador Core i7.

Elementos de un transistor:

El transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en


la figura.
La zona inferior se denomina Emisor.
La zona central es la base.
La zona superior es el colector.
El transistor bipolar puede ser un dispositivo NPN o PNP.
Recordemos que los portadores mayoritarios son electrones
libres en los materiales tipo N y los huecos en los materiales
tipo P.

Ventajas de los transistores


electrnicos

El consumo de energa es sensiblemente bajo.


El tamao y peso de los transistores es bastante
menor que los tubos de vaco.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede permanecer mucho tiempo en deposito
(almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Los transistores pueden reproducir otros
fenmenos, como la fotosensibilidad.

Funcionamiento Bsico

Cuando el interruptor
SW1 esta abierto, no
circula intensidad por la
base del transistor por lo
que el foco no encender,
ya que, toda la tensin se
encuentra
entre
el
colector y emisor.

Funcionamiento Bsico

Cuando se cierra el
interruptor
SW1,
una
intensidad muy pequea
circulara por la base. As
el transistor disminuir su
resistencia
entre
el
colector y emisor por lo
que pasara una intensidad
muy grande, haciendo
que se encienda la foco.

*Generalmente podemos decir


que la unin base - emisor se
polariza directamente y la
unin
base
colector
inversamente.

EL TRANSISTOR POLARIZADO
Un transistor sin polarizacin es similar a
dos diodos contrapuestos.
Cada diodo tiene una barrera de potencial
de 0.7V, aproximadamente.
Si se conectan fuentes de tensin externas
para polarizar al transistor, se obtienen
corrientes a travs de las diferentes partes
del transistor.

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT


puede ser explicado como el de dos diodos
pn contrapuestos uno a otro.
- En este esquema (condicin directa), la
unin Base Emisor (BE) acta como un
diodo normal.
- Note en la grfica el flujo de electrones y
huecos, siendo la corriente de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.

- Conectemos ahora en forma inversa la


conexin Base Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se
dividen en dos: unos que se dirigen hacia la
base, recombinndose con los huecos, y otros
que pasan esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy
angosta, De ese modo la probabilidad de paso
es mayor.
Aparece un flujo neto de
(convencional) de colector al emisor.

corriente

- La corriente que fluye al colector es mayor


que la que fluye a la base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchhoff:

y adems:
donde es el factor de amplificacin (20 200)

Para analizar la caracterstica

de un transistor se debe tomar los


siguientes pares:

iB vBE

iC vCE
Este ltimo par origina una familia de
curvas.

Puede distinguirse cuatro zonas en la grfica:


REGION DE CORTE: Un transistor funciona en corte cuando la
unin j1 se polariza inversamente (o no se polariza) y la unin j2
se polariza inversamente.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor acta como un
amplificador lineal. La unin BE est conectada en directo y la
unin CB est en inversa.
REGION DE SATURACION:
Un transistor funciona en
saturacin si ambas uniones
estn conectadas en directo.
REGION DE RUPTURA: Que
determina el lmite fsico de
operacin del transistor.

Zonas de Trabajo

CORTE:
No circula intensidad por
la Base, por lo que, la
intensidad de Colector y
Emisor tambin es nula.
La tensin entre Colector
y Emisor es la de la
batera. El transistor, entre
Colector y Emisor se
comporta
como
un
interruptor abierto.

IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat

Zonas de Trabajo

SATURACIN:
Cuando por la Base circula
una intensidad, se aprecia
un
incremento
de
la
corriente
de
colector
considerable. En este caso
el transistor entre Colector y
Emisor se comporta como
un interruptor cerrado. De
esta forma, se puede decir
que la tensin de la batera
se encuentra en la carga
conectada en el Colector.

IB IC ; Vbat = RC x IC

Zonas de Trabajo

ACTIVA:
Acta como amplificador.
Puede dejar pasar ms o
menos corriente. Cuando
trabaja en la zona de
corte y la de saturacin se
dice que trabaja en
conmutacin.
En
definitiva, como si fuera
un interruptor.

= IC / IB

TRANSISTOR BJT COMO CONMUTADOR


Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al
colector (Rc) si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y
viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es un
interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor
como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la
corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al
voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente
Icsat. Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia
de base mnima:
IBSAT min = Icsat / b
RBMax = Von/IBsat min
Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el
circuito, el circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que
RBmax.
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que
haga que el circuito entre en corte.

La principal aplicacin de transistor como


interruptor es en los circuitos e integrados
lgicos, all se mantienen trabajando los
transistores entre corte o en saturacin, en otro
campo se aplican para activar y desactivar rels,
en este caso como la carga es inductiva (bobina
del rel) al pasar el transistor de saturacin a
corte se presenta la "patada inductiva" que al ser
repetitiva quema el transistor se debe hacer una
proteccin con un diodo en una aplicacin
llamada diodo volante.