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TRANSISTOR FET

(Transistor de
Efecto de Campo)
INTEGRANTES DEL EQUIPO:
NELSON ZARATE RAMOS.
ADRIAN RIVERA ORTIZ.
JOSE ARMANDO ESPINOZA LOPEZ.
JESUS ENRIQUE GARCIA HERNANDEZ.

Que es un transistor FET  El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor. a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. . aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.  El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N.

.Partes de un transistor FET Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain). Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal".

A mayor voltaje -Vgg.Polarización de un transistor FET Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (Vgg). más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punchoff" y es diferente para cada FET .

Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.  de transistor FET SuModelo estructura y representación se muestran canal n en la tabla. Modelo de transistor FET canal p .

transductores inductivos Oscilador Mínima variación de frecuencia Generadores de frecuencia patrón.Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS Aislador o Impedancia de entrada separador (buffer) alta y de salida baja Uso general. receptores Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM. equipos para comunicaciones Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores. receptores Circuito MOS digital Pequeño tamaño Integración en gran escala. controlas de tono Amplificador de baja frecuencia Capacidad pequeña de acoplamiento Audífonos para sordera. memorias . equipo para comunicaciones Mezclador Baja distorsión de intermodulación Receptores de FM y TV. generadores de señales Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medición. equipo de medida. equipos de prueba Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje Amplificadores operacionales. computadores. órganos electrónicos.

Ventajas del FET 1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente. 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. . 4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI.

y en general son menos lineales que los BJT.Desventajas que limitan la utilización de los FET 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. . 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre. En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.

TRANSISTOR UNIPOLAR (UJT) .

y màs importante aùn. Consiste de tres terminales llamados emisor (E).EL TRANSISTOR UJT (transistor de unijuntura) • También llamado transistor monounión. • Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales. • Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura. en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs. incluyendo temporizadores. generadores de onda. • Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1 Símbolo. osciladores. uniunión. base 1 (B1) y base 2 (B2) 10 .

Estructura. La unión P-N del dispositivo se forma en la frontera entre la varilla de aluminio y la barra de silicio tipo N 11 . El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y la región N débilmente dopado con N.Es un dispositivo semiconductor unipolar. con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es un dispositivo de disparo. Por ello. Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. R BB o resistencia interbase. la resistencia entre las dos bases. es elevada (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto).

• Si VE ≥ VP ⇒ Diodo polarizado directamente ⇒ conduce ⇒ aumenta IE. • A partir del punto de funcionamiento.  El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor. si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. • Cuando IP < IE < IV ⇒ entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en función de IE.FUNCIONAMIENTO DEL UJT  El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior.  Si el emisor no está conectado ó VE < VP ⇒ Diodo polarizado inversamente ⇒ no conduce ⇒ IE = 0. 12 .

(Ver la línea verde en el siguiente gráfico) • El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.5 Voltios.APLICACIONES DEL UJT Funcionamiento de un oscilador de relajación con UJT Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT. 13 . • El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2. cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1. • Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez.