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Disciplina:
Eletrnica Potncia
Carga Horria - 60 H/A
SUMARIO
1.Materiais Semicondutores
1.1.Materiais intrnsecos e extrnsecos
1.2.Material extrnseco tipo P
1.2.Material extrnseco tipo N
2. Diodos em CC
2.1. Juno PN
2.2. Polarizao
2.3. Curva Caracterstica - Diodo Real
2.4. Curva Caracterstica - Diodo Ideal
2.5. Anlise de Circuito
2.5.1. Modelo Ideal
2.5.2. Modelo Real
3. Diodos em CA
3.1. Corrente Alternada
3.1.1.Ciclo
3.1.2.Perodo (T)
3.1.3.Frequncia ( f )
3.1.4.Valor de Pico ( Vp )
3.1.5.Valor de Pico a Pico ( Vpp )
3.1.6.Valor Mdio( Vm )
3.1.7.Valor eficaz ( VEF ou VRMS )
3.2. Transformadores
3.3. Retificador de Meia Onda
3.4. Retificador de Onda Completa
3.5. Retificador em Ponte
4. Tiristor SCR em CC
4.1. Funcionamento
4.2. Simbologia e estrutura fisica
4.3. Curva caracteristica SCR ideal
4.4. Curva caracteristica SCR real
4.5. Polarizao
4.6. Exercicios
5. Tiristor SCR em CA
5.1. Retificadores Controlados de meia onda
com Carga Resistivas
5.2. Retificadores Controlados de onda
completa com Carga Resistivas
5.3. Retificadores trifasico Controlados de
meia onda com Carga Resistivas
6. Modos de Disparo do SCR
6.1. Corrente de Gatilho IGK
6.2. Sobretemperatura
6.3. Sobretenso
SUMARIO
6.4. Degrau de Tenso dv
dt
V t
1.MATERIAIS SEMICONDUTORES
O termo semicondutor sugere algo entre os condutores e os isolantes.
A propriedade que define sua relao com isolantes e condutores a condutividade eltrica,
que a capacidade de conduzir cargas eltricas (corrente eltrica) quando submetido uma
diferena de potencial eltrico (tenso eltrica).
Tipo de Materiais semicondutores:
Si
Silcio-Tetravalente
Germnio-Tetravalente
Si
Ge
Si
Si
1.MATERIAIS SEMICONDUTORES
1.1.Materiais intrnsecos e extrnsecos
Caracterstica da impurezas
Arsnio (As)
Antimnio (Sb)
Fsforo (P)
Trivalentes 3 eltrons na camada de valncia
Alumnio (Al)
Boro (B)
Glio (Ga)
1.MATERIAIS SEMICONDUTORES
1.2.Material extrnseco tipo P
Quando se adiciona uma impureza do tipo trivalente ao cristal puro de um material
semicondutor, o material resultante passa a ter um nmero insuficiente de eltrons
para completar as ligaes covalentes.
A vaga resultante chamada de lacuna.
As lacunas so chamadas portadores majoritrios (maior quantidade) e os eltrons
livres so denominados portadores minoritrios (menos quantidade) de carga em um
material do tipo P
Tem facilidade para absorver eltrons Material positivo
Lacuna
6
1.MATERIAIS SEMICONDUTORES
1.2.Material extrnseco tipo N
Quando se adiciona impurezas do tipo pentavalente ao cristal puro de um material
semicondutor, o material resultante passa a ter excesso de eltrons.
O excesso de eltrons chamado de eltrons livres.
Os eltrons livres so chamados de portadores majoritrios (maior quantidade) e as
lacunas so denominadas portadoras minoritrias (menos quantidade) de carga em
um material do tipo N
Tem facilidade para doar eltrons Material Negativo
Eltrons Livres
7
2.DIODOS EM CC
2.1. Juno PN
Quando se juntam em uma nica pastilha dois materiais extrnsecos um do tipo P e
outro do tipo N forma-se uma juno PN comumente chamado de diodo.
No instante de formao o lado P tem muitas lacunas (falta de eltrons) e o lado N
tem excesso de eltrons.
Devido fora de repulso que ocorrem entre cargas semelhantes, os eltrons em
excesso migram do lado N para o lado P de forma a ocupar as lacunas deste material.
Esta migrao no infinita pois os eltrons ocupam as lacunas do material P
prximo a regio de contato formando uma regio estvel que chamada de camada
nodo(A)
Ctodo(k)
de depleo.
nodo(A)
Ctodo(K)
nodo(A) Ctodo(K)
8
2.DIODOS EM CC
2.2. Polarizao
Polarizar um diodo limitar a intensidade da corrente eltrica que ir circular
atravs dele.
Tipos de polarizao
Polarizao Direta.
O diodo funciona como uma chave fechada, ou seja, entra em conduo.
Polarizao Reversa.
O diodo funciona como uma chave aberta, ou seja, no entra em conduo.
2.DIODOS EM CC
2.3. Curva Caracterstica - Diodo Real
a curva que representa graficamente o comportamento de um diodo quando
polarizado, mostrando os pontos de conduo plena e de corte.
Polarizao Direta
10
2.DIODOS EM CC
2.4. Curva Caracterstica - Diodo Ideal
a curva que representa graficamente o comportamento de um diodo quando
polarizado, mostrando os pontos de conduo plena e de corte.
Polarizao Direta
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2.DIODOS EM CC
2.5. Anlise de Circuito
2.5.1. Modelo Ideal
VT
I
R
I 0 , pois o circuito esta aberto
Ex: Determine a corrente do circuito dado abaixo:
VT
9V
9V
I
0,009 A
R
1 K 1000
I 9 mA
I
12
2.DIODOS EM CC
2.5.2. Modelo Real
VCC VRD V
VCC RD .I D V
ID
VCC V
RD
VT V
9 V 0,7 V
8,3 V
I
0,0083 A
R
1 K
1000
I 8,3 mA
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3. DIODOS EM CA
3.1. Corrente Alternada
A fonte de tenso alternada no tem polaridade definida, ora um terminal positivo, ora negativo. A d.d.p. entre os terminais da fonte de tenso
alternada varia a todo instante.
v(t ) Vp.sen(t )
onde,
2. . f
3.1.1.Ciclo
a sequencia de valores onde, a partir do qual, os valores voltam a se repetir. Um ciclo composto por dois semiciclos, um positivo e um negativo.
3.1.2.Perodo (T)
o tempo gasto para se completar um ciclo. Sua unidade o segundo.
3.1.3.Frequncia ( f )
1
f
T
a quantidade de ciclos gerados a cada segundo. o inverso do perodo, e sua unidade o Hertz (Hz).
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3. DIODOS EM CA
3.1.4.Valor de Pico ( Vp )
Os valores de pico positivo ou negativo de uma senide o mximo valor que a onda alcana durante a excurso dos
semiciclos positivo ou negativo.
3.1.5.Valor de Pico a Pico ( Vpp )
O valor de pico a pico de qualquer sinal a diferena entre seu valor mximo e o seu valor mnimo.
O valor de pico a pico de uma senide o dobro do valor de pico.
Vpp=2.Vp
3.1.6.Valor Mdio( Vm )
O valor mdio de um sinal peridico igual mdia aritmtica de todos os valores que este sinal assumiu em um
ciclo.
3.1.7.Valor eficaz ( VEF ou VRMS )
Quando uma tenso senoidal aplicada a um resistor ela fora a circulao de uma corrente tambm senoidal sobre o
resistor.
O valor eficaz de uma onda senoidal igual ao valor contnuo que produz a mesma quantidade de calor que a onda
VEF = VRMS =
.Vp
senoidal.
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3. DIODOS EM CA
3.2. Transformadores
Os transformadores ou trafo so dispositivos estticos que ACOPLAM circuitos
com diferentes nveis de tenso e/ou de impedncias.
Equaes do Transforma dor
v1 N1
v2 N 2
(1)
I1 N 2
I 2 N1
( 2)
P1 P2
(3)
N N de espiras
de
Ferro
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3. DIODOS EM CA
3.3. Retificador de Meia Onda
Converte tenso alternada em tenso contnua pulsante.
Corrente mdia na carga (Im)
Vm
Im
RL
onde,
Vm Tenso mdia na carga
RL Resistnci a da carga
VP
Vm
VP V
onde,
VP Tenso de pico
V Tenso de conduo do diodo
pi 3,1415
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3. DIODOS EM CA
3.4. Retificador de Onda Completa
Converte tenso alternada em tenso contnua pulsante.
Corrente mdia na carga (Im)
Vm
Im
RL
onde,
Vm Tenso mdia na carga
RL Resistnci a da carga
onde,
VP Tenso de pico
V Tenso de conduo do diodo
pi 3,1415
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3. DIODOS EM CA
3.5. Retificador em Ponte
Converte tenso alternada em tenso contnua pulsante.
Corrente mdia na carga (Im)
Vm
Im
RL
onde,
Vm Tenso mdia na carga
RL Resistnci a da carga
onde,
VP Tenso de pico
V Tenso de conduo do diodo
pi 3,1415
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4. TIRISTOR SCR EM CC
4.1. Funcionamento
O Tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) o nome genrico dado famlia dos
componentes compostos por quatro camadas semicondutoras (PNPN).
Os Tiristores SCRs funcionam analogamente a um diodo, porm possuem um
terceiro terminal conhecido como gatilho (Gate ou Porta) , que responsvel pelo
controle da conduo ( disparo)
Caracteristicas do SCR
So chaves
estticas biestveis, ou
seja, trabalham
em dois
estados: no
conduo e
conduo, com
a possibilidade
de controle;
So compostos
Semicondutore
de 4 camadas
Aplicados
s de silicio
semicondutoras
como chaves
devido a sua
(P-N-P-N), 3
ideais, mas h
alta capacidade
junoes (P-N) e
limiaoes e
de potncia e
3 terminais
caractersticas
capacidade de
(Anodo,
na prtica;
suporta altas
Catodo e
temperaturas;
Gatilho);
Alta
velocidade de
comutao e
elevada vida
util;
Resistencia
eltrica
variavel com a
temperatura,
dependendo da
potncia que
esteverem
conduzindo;
Aplicados em controle
de rels, fontes de
tensao reguladas,
controle de motores,
CHOPPERS
(variadoresd e tensao
CC), inversores CC
CA, ciclo-conversores
(variadores de
frequencia),
carregadores de
baterias, circuitos de
proteao, controles
20 de
iluminaao e de
aquecedores e
controle de fase, entr
outras.
AULAS PRTICAS
TURMA 1: 05,12,19 e 26/11
LUCAS
WANDERSON
ADALTO
DAVI
DIELITON
FRANCISCO
RAFAEL MORAIS
MAYCON
NADSON
RAYKAR
RENATO
RANIERE
JONISON
KAAYAN
ABRAO
RAFAEL DE SOUSA
JAIRO
JOS FERNANDO
JAILDON
SANDRO
PEDRO HENRIQUE
GERSON
HUGO ANDRE
TURMA 2: 10,17,24/11 e
01/12
TASSIO
ROBSON
THAYNAN
VALDEBERTO
VINICIUS
WESLLEY
ADRISON
21
4. TIRISTOR SCR EM CC
4.2. Simbologia e estrutura fisica
22
4. TIRISTOR SCR EM CC
4.3. Curva caracteristica SCR ideal
Um SCR ideal se comporta como uma chave ideal.
Quando no receber um sinal de corrente no gatilho , capaz de bloquear tenso
de valores infinitos, tanto com polaridade direta como reversa.
Quando disparado, ou seja, corrente no gatilho o SCR se comporta como um
diodo ideal, bloqueando ou conduzindo tensoes e correntes infinitas sem nenhuma
perda, de acordo com a sua polarizaao.
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4. TIRISTOR SCR EM CC
4.4. Curva caracteristica SCR real
Um SCR real se comporta como uma chave controlada por corrente.
BLOQUEIO em polarizaao REVERSA Curva 1
BLOQUEIO em polarizaao DIRETA Curva 2
CONDUO em polarizaao DIRETA Curva 3
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4. TIRISTOR SCR EM CC
4.5. Polarizao
Polarizao direta = Tenso de anodo positiva em relao ao ctodo
4. TIRISTOR SCR EM CC
4.6. Exercicios
Ex-01: Considerando que o SCR ideal,e que Vcc = 100v e a Carga =
10K. Qual a corrente que passa pelo SCR???? Justifique a sua resposta.
IA
VCC
100
100
100
0,01 A 10 mA
3
Carga 10 K 10 x10 10000
26
5. TIRISTOR SCR EM CA
5.1. Retificadores Controlados de meia onda com Carga Resistivas
VS
x1 cos
R
Corrente eficaz na carga
I Lmed 0,225 x
I Lef
V
1 sen 2
S x
R
2 2
4
1 sen 2
VS x
2 2
4
27
5. TIRISTOR SCR EM CA
28
5. TIRISTOR SCR EM CA
5.2. Considerado V(t)=220 sen(wt) e R= 1k. Calcule a tenso mdia, a
corrente mdia e a potencia media na carga para =30?
Corrente mdia na carga
VS
x1 cos ou
R
V
92,367 V
Lmed
R
1 K
I Lmed 0,225 x
I Lmed
I Lmed
92,367 V 92,367 V
1 103
1000
29
5. TIRISTOR SCR EM CA
5.3. Retificadores Controlados de meia onda com Carga R-L
VS
x cos cos
R
30
5. TIRISTOR SCR EM CA
31
5. TIRISTOR SCR EM CA
5.4. Considerado V(t)=110 sen(wt) e R= 500 . Calcule a tenso mdia,
a corrente mdia e a potencia media na carga para =30 e =240?
I Lmed 0,225 x
I Lmed
Tenso mdia na carga
I Lmed
VLmed 33,81 V
PLmed 2,2862 W
32
5. TIRISTOR SCR EM CA
5.5. Retificadores Controlados de onda completa com Carga Resistivas
VS
x1 cos
R
Corrente eficaz na carga
I Lmed 0,45 x
I Lef
V
sen 2
S x 1
R
sen 2
VS x 1
33
5. TIRISTOR SCR EM CA
34
5. TIRISTOR SCR EM CA
5.6. Considerado V(t)=110 sen(wt) e R= 250 . Calcule a tenso mdia,
a corrente mdia e a potencia media na carga para =90?
I Lmed 0,45 x
I Lmed
I Lmed
35
NOITE
TARDE
Alannylson
DEMAIS ALUNOS.
Alexssandro
Darlison
David patric
David renan
Eduardo viniciius
Ernani jos
Eudileno
Giuliano
Fredson
Luis Mauricio
Magno
AVISO:
Dia 25, aula no Lab 2
para toda a turma.
Dia 27, 1 avaliao.
Rodrigo da Assuno
36
VDISPARO I G RG 0,7
37
5.3. Sobretenso
Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de
ruptura direta mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga suficiente
para levar o SCR ao estado de conduo
38
dt
t
dv
iC C
dt
39
o caso do SCR ativo por luz, chamado foto-SCR ou LASCR (LightActivated Silicon Controlled Rectifier).
40
R ja = R jc + R cd + R da
41
42
P Pmd Vmd I md
2. Tj- fornecida pelo fabricante do componente
3. Ta valor adotado pelo projetista (mxima temperatura ambiente)
4. Com a expresso abaixo determina-se a resistncia trmica total:
TJ -Ta
RJa
P
C W
R da = R ja - R jc - R cd
43
44
45
RJa
RJa
RJa
RJa
TJ -Ta C
W
P
120 C - 30 C
17,063 W
90 C
17,063 W
5,28 C
W
R da = R ja - R jc - R cd
R da = 5,28 C
R da = 0,28 C
- 3 C
- 2 C
W
46
47
48
49
50