Transistor bipolar

O termo Transistor resulta da aglutinao dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistncia de transferncia).
O termo bipolar refere-se ao faco dos portadores eletrons e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente.

Constitui
o
Um transistor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas
junes PN (juno base-emissor e juno base-colector) de material
semicondutor (silcio ou germnio) e por trs terminais designados por Emissor
(E), Base (B) e Coletor (C).

Altamente
dopado

Camada
mais fina
e menos
dopada

Menos
dopado que
o Emissor e
mais dopado
que a Base

Altamente
dopado

Camada
mais fina
e menos
dopada

N Material semicondutor com excesso de eletrons livres

P Material semicondutor com excesso de lacunas

Menos
dopado que
o Emissor e
mais dopado
que a Base

Junes PN internas e
smbolos
Juno PN
base - emissor

Juno PN
base - coletor

Juno PN
base - emissor

Juno PN
base - coletor

Princpio de
funcionamento
Para que o transistor bipolar conduza necessrio que seja aplicada na
Base uma corrente mnima (VBE 0,7 Volt), caso contrrio no haver
passagem de corrente entre o Emissor e o Coletor.

IB = 0

O transistor no conduz
(est ao corte)

Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transstor conduz e

pode amplificar a corrente que passa do emissor para o coletor.
Uma pequena corrente
entre a base e o emissor

origina uma grande corrente

entre o emissor e o coletor

Utilizao

O transistor bipolar pode ser utilizado:

como interruptor eletrnico.

na amplificao de sinais.
como oscilador.
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Polariza
o

Para o transistor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado atravs de uma fonte DC.
Para o transistor estar corretamente polarizado a juno PN base emissor deve
ser polarizada diretamente e a juno base coletor deve ser polarizada
inversamente.
Regra prtica:
O Emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Coletor polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui.
Emisso
r

Bas
e

Colector

Emisso
r

Bas
e

Colector

+
6

Polarizao
Emisso
r

Bas
e

Coletor

Emisso
r

Bas
e

Coletor

-_

Rc

Rc

Rb Resistncia de polarizao de base

Rb

Rb

Rc Resistncia de coletor ou resistncia de carga

_
7

Representao de
tenses e correntes
VCE Tenso coletor - emissor
VBE Tenso base emissor
VCB Tenso coletor - base
IC Corrente de coletor
IB Corrente de base
IE Corrente de emissor

VRE Tenso na resistncia de emissor

VRC Tenso na resistncia de coletor

Relao das
correntes

+
Rc

IB

Rb

IC

Considerando o sentido convencional da corrente e

aplicando a lei dos ns obtemos a seguinte relao
das correntes num transistor bipolar

IE = IC + IB
IE

Caractersticas
tcnicas
Utilizando o cdigo alfanumrico do transistor podem-se obter as suas
caractersticas tcnicas para consulta de um data book ou de um data sheet
do fabricante.
IC a mxima corrente de coletor que o transistor pode suportar. Se este
parmetro for excedido o componente poder queimar.
VCEO

Tenso mxima coletor emissor com a base aberta.

VCBO Tenso mxima coletor base com o emissor aberto.

VEBO

Tenso mxima emissor base com o coletor aberto.

hFE ou

Ganho ou fator de amplificao do transistor.

hFE = IC : IB
Pd

Potncia mxima de dissipao.

fT
Frequncia de transio (frequncia para a qual o ganho do transistor
amplifica mais a corrente).

1 ou seja, o transistor no

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Substituio de
transstores por
equivalentes

Num circuito no se pode substituir um transistor de

silcio por um de germnio ou vice versa.

Tambm no se pode trocar diretamente um transistor

NPN por um PNP ou vice versa.

A letra (A, B, C) que pode aparecer no fim do cdigo

alfanumrico indica sempre aperfeioamentos ou
melhorias em pelo menos um dos parmetros, limites ou
caractersticas do transistor.
Exemplo: O BC548A substitui o BC548.
O BC548A no substitui o BC548B
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Dissipadores de
calor

O uso de
dissipadores ou
radiadores
externos de calor
so quase que
obrigatrios nos
transistores que
trabalham com
potncias
elevadas de modo
a evitar o
sobreaquecimento
do componente e
a sua possvel
destruio.

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