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Eletrônica II

Transistores de Efeito de Campo

Introdução

Os transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente,
isto é, a corrente de coletor é controlada pela corrente de base.

No caso do FET (Field-Effect Transistor ou Transistor de Efeito de
Campo) a corrente é controlada pela tensão ou pelo campo
elétrico.

Vantagens do FET em relação ao transistor bipolar: altíssima
impedância de entrada além de ser um dispositivo de baixo ruído.
gustavo.tai@hotmail.com

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Aspectos Construtivos do
O JFET é um dispositivo unipolar (o que significa apenas um tipo
JFET
de portador, elétron ou lacuna, é responsável pela corrente
controlada).

Fisicamente, podem ser encontrados dois tipos de JFET: JFETCanal N e JFET Canal-P.

Simbologia:

gustavo.tai@hotmail.com

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tai@hotmail.com 4 . gustavo.Terminais:  Fonte (source)  Dreno (drain)  Porta (gate): faz o controle da passagem dos elétrons.

tai@hotmail.  Na prática. gustavo.com 5 .  O aspecto construtivo mostrado na figura é utilizado apenas para fins didáticos.Construção do JFET  A figura acima mostra um JFET de canal N. é extremamente complicado o processo de dopagem nos dois lados do substrato.

 Com o potencial de porta igual a zero (VG=0 ou VGS=0). gustavo. Isto pode ser feito aplicando-se uma tensão na porta. como indica a figura. aplicando-se uma tensão entre o dreno e a fonte (VD ou VDS).Funcionamento do JFET  O objetivo é controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno.tai@hotmail.com 6 . surge uma corrente iD.

Parâmetros encontrados:  IDSS .  VPO – tensão máxima de saturação ou de estrangulamento (pinch-off). gustavo.Funcionamento  A dopagem da região da porta é muito maior do que a do canal. na qual ocorre o estrangulamento do canal quando VGS=0.  BVDSS – tensão de ruptura do dispositivo para VGS = 0.com 7 . desta forma a região de depleção (região de carga espacial) será muito maior do lado do canal.  VP – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo.corrente máxima que o JFET pode produzir.tai@hotmail.

Como a tensão aplicada na resistência é zero a corrente resultante será zero (ID=0). Inicialmente o canal estará todo aberto e entre e dreno e fonte existirá um canal com uma determinada resistência.com 8 .tai@hotmail.Funcionamento Consideremos inicialmente VDS=0 e apliquemos uma tensão VGS com a polaridade indicada na figura e que polariza reversamente a junção PN. gustavo.

Funcionamento Se a tensão de porta for aumentada. aumenta a polarização reversa o que faz a região de carga espacial avançar mais no canal até fechá-lo totalmente.tai@hotmail.com 9 . gustavo. VPO. A tensão de porta que provoca o fechamento total do canal é chamada de tensão de pinçamento (pinch-off em inglês). sendo uma quantidade negativa no caso de canal N e positiva para o canal P.

com 10 . gustavo. À medida que VDS aumenta.Funcionamento Agora consideremos VGS=0 e apliquemos uma tensão entre dreno e fonte com a polaridade indicada na figura .tai@hotmail. a corrente de dreno aumenta provocando uma queda de tensão ao longo do canal que faz com que o estreitamento não seja uniforme. O que acontece com a corrente quando V DS varia? Inicialmente com o VDS pequeno o canal praticamente não se altera e dentro de certos limites o dispositivo se comporta como uma resistência.

Estas tensões são aplicadas na junção de forma reversa e no ponto onde a tensão reversa é maior a região de carga espacial avança mais no canal. IDSS = corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted current e corresponde à corrente máxima de dreno que o JFET pode produzir.tai@hotmail.isto é. gustavo.Na figura a corrente de dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tensão V A e entre o ponto B e a fonte uma tensão VB estando claro que VA>VB. o estreitamento é maior próximo do dreno.com 11 .

Se a tensão de dreno aumentar mais ainda.tai@hotmail. as regiões de carga espacial não se tocam.com 12 . Na pratica existe um pequeno aumento em ID quando VDS aumenta além de VP. o dispositivo passa a se comportar como uma fonte de corrente constante. isto é. destruindo o dispositivo. eventualmente será atingida uma tensão que provocará a ruptura da junção. Esta tensão é designada por BVDSS gustavo. ao invés disso o estreitamento aumenta ao longo do canal conforme figura e a corrente de dreno se mantém aproximadamente constante em IDSS. Se a tensão de dreno aumentar mais ainda.O estreitamento é máximo quando a tensão de dreno for igual à tensão de pinçamento em modulo.

Aumento da Camada de Depleção e Estreitamento do Canal  A partir de um certo valor de VDS ocorre o estrangulamento do canal (estreitamento máximo).com 13 .  Essa tensão é chamada de tensão de estrangulamento ou pinch off (VPO) e corresponde à tensão máxima de saturação do JFET. fazendo com que a corrente iD permaneça praticamente constante. gustavo.tai@hotmail.

  A corrente de dreno para VGS=0.com 14 . Mostramos abaixo a curva característica de dreno. é denominada corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted current (IDSS) e corresponde à corrente máxima de dreno que o JFET pode produzir.tai@hotmail. no seu ponto máximo. gustavo.

 Isso faz com que a camada de depleção aumente.tai@hotmail. gustavo.  Conforme VDS aumenta. a região N funciona como uma resistência e a corrente iD aumenta linearmente conforme VDS aumenta. o que aumenta a resistência na região N. fazendo com que diminua a taxa de crescimento de iD. polarizando reversamente essa junção. estreitando o canal.Curvas de Dreno  Com uma pequena tensão entre dreno e fonte VDS.com 15 . aparece uma tensão entre a fonte e a região de porta (VGS).

tai@hotmail. haverá um aumento na camada de depleção.com 16 . fazendo com que o estrangulamento do canal ocorra para valores menores de V DS e ID. O mesmo ocorre para outros valores negativos de VGS. Aplicando-se entre porta e fonte uma tensão de polarização reversa (VGS1<0). gustavo.

ZE = VGS(VDS=0) IGSS gustavo. obtém-se uma curva característica de dreno. em módulo.  Para qualquer FET a tensão de corte VP é igual. à tensão de estrangulamento do canal (VPO). garantindo uma altíssima impedância de entrada (ZE).com 17 . VP = VPO A corrente através da porta (iG) é muito pequena e desprezível. até que ele atinja a tensão de corte = VP. na qual iD é praticamente zero. Essa resistência pode ser calculada através da tensão máxima V GS que causa o corte do JFET (com VDS=0) e da corrente de porta de corte IGSS (gate-source shorted current). Para cada valor de VGS.tai@hotmail.

para –VGS = 20V.Exemplo:  No JFET BF245. Relembrando: ZE = VGS(VDS=0) IGSS  ZE = 20 / 5x10-9 = 4GΩ gustavo.com 18 . Calcule ZE. tem-se IGSS = 5nA.tai@hotmail. com VDS = 0.

tendo.com 19 . VP – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo.corrente máxima que o JFET pode produzir. as mesmas regiões: corte.tai@hotmail. gustavo. BVDSS – tensão de ruptura do dispositivo para VGS = 0. inclusive.Há uma grande semelhança entre as curvas do JFET e a curva característica de saída do transistor bipolar. VPO – tensão máxima de saturação ou de estrangulamento (pinch-off). na qual ocorre o estrangulamento do canal quando VGS=0. saturação. Parâmetros encontrados: IDSS . ativa e de ruptura.

tendo VGS como parâmetro. Exemplo de Curvas de Dreno Se a tensão de porta foi fixada em VGS=0V.com 20 .2.tai@hotmail. para um JFET (2N4393) canal N com VP= . gustavo.81V.  O gráfico no próximo slide mostra a curva de dreno do JFET quando VGS=0 e a tensão de dreno varia. IDxVDS. o gráfico da corrente de dreno em função da tensão de dreno é obtido. e a tensão de dreno for variada.  A figura mostra o circuito para obter as curvas características de dreno.

gustavo. BVDSS para a qual a junção PN sofrerá ruptura.tai@hotmail.com 21 . eventualmente será atingida uma tensão.Se a tensão de dreno aumentar mais ainda.

isto é. À medida que a tensão de dreno se aproxima da tensão de pinçamento (V PO) e o canal se aproxima do estreitamento máximo. Dizemos que a região de operação é chamada de região ôhmica ou saturação (o JFET se comporta como uma resistência controlada por V GS). A corrente de dreno para VDS=VPO é denominada de IDSS. corrente na saturação.com 22 .Exemplo de Curvas de Dreno com VDS=0 a corrente de dreno ID também é zero.tai@hotmail. se a tensão de dreno dobrar de valor a corrente de dreno também dobra de valor. Inicialmente Com VDS aumentando e inicialmente bem menor do que V P o comportamento é de uma resistência. Por exemplo para o transistor 2N4393 IDSS=30mA. a curva começa a se inclinar (resistência do dreno aumenta). Se a tensão de dreno aumentar além desse valor a variação da corrente de dreno fica constante em IDSS. gustavo.

gustavo.com 23 .tai@hotmail.

a tensão de dreno é variada a partir de zero.Se agora for aplicada uma tensão. O valor de VDS que provocará o pinçamento será menor. e o procedimento é repetido. neste caso aproximadamente 1.com 24 .8V.tai@hotmail. de porta de digamos VGS = -1V. será obtida uma curva semelhante à anterior porém com um valor de corrente na saturação menor que IDSS. De uma forma geral o valor de VDS que provoca o pinçamento é dado por: gustavo. isto é.

gustavo.O conjunto de curvas para os diferentes valores de VGS é chamado de curvas características de dreno.tai@hotmail.com 25 .

Curva de Transferência

A curva de transferência ou de transcondutância mostra como i D varia em
função da tensão VGS aplicada à porta, conforme mostra a curva.

Esta curva é obtida para o maior valor de VDS indicado na curva de dreno.

Esta curva é um trecho de parábola que tem como equação:

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Alguns fabricantes não fornecem a curva de transferência. Com
a equação anterior é possível obtê-la, esta equação é válida
para qualquer JFET.

O JFET possui tolerâncias muito elevadas.
Por isso os manuais fornecem as curvas típicas ou médias de
dreno e transferência, ou os valores máximos e mínimos para o
par IDSS e VP.

Isso resultaria em duas parábolas, sendo uma para valores
máximos e outra para valores mínimos.

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Exemplo de Curva Característica

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3V ID = 0. as duas parábolas podem ser traçadas.com 29 .28 gustavo.54mA Para VGS= -1V ID = 5mA 1.41mA Para VGS = -3V ID = 2. Com os dados mínimos e máximos de IDSS e VP e através da equação da curva de transferência.1V ID = 1.28mA Pontos da parábola máxima: Para VGS = -6V ID = 0. como mostradas a seguir: Pontos da parábola mínima: Para VGS = -0.tai@hotmail.32mA Para VGS = -0.

por exemplo VDS=5V. gustavo.com 30 .tai@hotmail. corrente de dreno (ID). Essas curvas são obtidas para um valor de VDS. pois transfere os valores de entrada para a saída. com a entrada. tensão de porta (VGS).Curva característica de Dreno As curvas características de transferência relacionam a saída. O gráfico de IDxVGS é chamado de curva característica de transferência.

pois transfere os valores de entrada para a saída.tai@hotmail. gustavo.Curva Característica De Transferência O gráfico de IDxVGS é chamado de curva característica de transferência .com 31 .

com 32 . gustavo. Exemplo: Se VGS= -1V qual a corrente de dreno considerando o transistor 2N4393? Como Vp= -2.81V e IDSS=36mA então:  Valor que pode ser obtido diretamente das curvas características. A equação que relaciona corrente de dreno com tensão de porta é dada aproximadamente por: onde IDSS é a corrente de dreno na saturação para VGS=0 e VP a tensão de pinçamento.tai@hotmail.

 A configuração fonte (source) comum é a mais utilizada para o JFET.Polarização do JFET  Polarizar um JFET é determinar o seu ponto quiescente ou de operação (IDQ. dada pelo fabricante. IDQ Atenção na hora de polarizar um JFET:  A tensão VDD deve ser menor que B DVSS.tai@hotmail. Assim os tipos de polarização estarão baseados nela.com 33 .  A potência dissipada pelo JFET polarizado é dada por: PD = VDSQ . gustavo.  A potência dissipada pelo JFET deve ser menor que PDmáx. VGSQ e VDSQ).

Polarização com VGS Constante  Impõe-se uma tensão VGSQ constante na porta através de VGG para obter a corrente IDQ desejada.  Dessa forma a junção está polarizada reversamente.  Malha de saída: RD.tai@hotmail.  Assim o resistor RG é utilizado apenas para definir a impedância de entrada do circuito. -VGG.com 34 .  Para polarizar o transistor basta calcular R D.IDQ + VDSQ – VDD = 0 VGSQ = RD = (VDD – VDSQ) / IDQ gustavo. não influenciando na polarização do JFET. por isso.

VDSQ = 15V e VGSQ = -1V.com 35 .Exemplo: A) Polarizar o JFET BF245A no seguinte ponto quiescente: I DQ = 1mA.tai@hotmail. RD = (VDD – VDSQ) / IDQ = (25 – 15) / 1x10-3 RD = 10 KΩ B) Analisar as variações do ponto quiescente em função das tolerâncias do transistor. Traça-se a reta de VGS constante (VGSQ = -1V) sobre a curva de transferência deste transistor e tem-se: gustavo.

gustavo.Reta com VGS constante (VGSQ = -1V)  O ponto quiescente Q poderá se localizar em qualquer posição entre Q1 e Q2.  A variação de IDQ vai de 0 a 5mA.tai@hotmail.com 36 .  Este tipo de polarização apresenta dois inconvenientes: 1º) Necessita de duas fontes de alimentação. 2º) Seu ponto quiescente pode ter variações brutais com VGS constante.

tai@hotmail.DATASHEET DO BF 245 Localização dos Terminais gustavo.com 37 .

DATASHEET DO BF 245 gustavo.com 38 .tai@hotmail.

tai@hotmail.com 39 .DATASHEET DO BF 245 gustavo.

CURVAS FORNECIDAS PELO DATASHEET DA PHILIPS 40 .

CURVAS FORNECIDAS PELO DATASHEET DA PHILIPS 41 .

eliminando-se V GG.tai@hotmail. gustavo. a tensão sobre R S também aumenta.  Isto é feito utilizando-se um resistor R S em série com a fonte JFET.c 42 . reduzindo novamente a corrente i D.  Isto faz aumentar a tensão reversa porta-fonte (V GS) estreitando o canal.  Se a corrente de dreno i D aumenta.  O resistor RS produz uma realimentação negativa.Autopolarização  Utiliza apenas uma fonte de alimentação. para gerar uma tensão reversa na junção porta-fonte.

tai@hotmail.ID – RG. pois os manuais sempre fornecem pelo menos os parâmetros IDSS e VP que a definem.ID gustavo. tem-se: -VGS = RS.com 43 . podemos obtê-la da malha de entrada. Determinação da Reta de Autopolarização É traçada sobre a curva de transferência.Autopolarização   Existem duas formas de determinar os valores dos resistores de polarização (R S e RD): pela reta de carga traçada sobre as curvas de dreno e pela reta de autopolarização traçada sobre a curva de transferência.IG IG é praticamente nula devido à alta impedância de entrada. -VGS = RS. É mais interessante utilizar a curva de transferência para definir a polarização.

gustavo.com 44 .Reta de Autopolarização  Um ponto da reta de autopolarização é a origem o outro deve encontrar a curva de transferência.tai@hotmail.

Análise das Tolerâncias do JFET  O ponto quiescente pode estar localizado em qualquer posição entre Q1 e Q2. gustavo.tai@hotmail.  A variação possível de IDQ na autopolarização é menor que com VGS constante e este circuito é mais estável.com 45 .

tai@hotmail.IDQ + VDSQ + RS.VGSQ/ IDQ  Da malha de saída. Determinação dos Resistores de Polarização Da equação da reta de autopolarização. obtém-se: VDD = RD. obtém-se: RS = .IDQ RD = (VDD.com 46 . gustavo.VDSQ + VGSQ) / IDQ O valor de VDSQ é fixado por RD .

determinar os valores de RS e RD do circuito de autopolarização para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V. 47 .Exemplo: Dada a curva de transferência do JFET BF245A (PDmáx = 300mW).

Determinação da Reta de Autopolarização  1º Ponto: Q 2º Ponto: Origem  Do ponto Q da reta de autopolarização.IDQ = 15. gustavo.com 48 . 1x10-3 = 15mW.tai@hotmail. obtém-se: VGSQ = -1V  Cálculo de RS e RD: RS = -VGSQ / IDQ = -(-1) / 1x10-3 RS = 1KΩ RD = (VDD – VDSQ + VGSQ) / IDQ = (25 – 15 – 1) /1x10-3 = 9KΩ  Potência dissipada pelo JFET (deve ser menor que P Dmax): PD = VDSQ.

sendo um para a parábola máxima e outro para a mínima: RSmax = -VPmax / IDSSmax  RSmín = -VPmín / IDSSmín Um valor intermediário entre RSmín e RSmax garante um ponto quiescente próximo ao da parábola correspondente à dos parâmetros típicos do JFET. fornecidos pelos Transferência DSS P manuais. -VP) e a origem definem a reta de autopolarização. Polarizando o JFET Sem a Curva de Para isso utiliza-se os valores mínimos de I e V .  Os dois pontos (IDSS. -VPmax) e (IDSSmín. -VPmín).com 49 . calculam-se dois valores para o resistor RS.tai@hotmail.  Com os parâmetros (IDSSmax. gustavo.

com 50 .tai@hotmail.Exemplo: Para o JFET BF245A. o manual do fabricante fornece os seguintes parâmetros: gustavo.

com 51 .  A tensão VGG em RG2 e a tensão em RS. VGG pode ser calculada por: VGG = RG2 .tai@hotmail. Polarização por Divisão de Tensão na Este tipo de polarização é umaPorta mistura dos dois processos anteriores.  Como a corrente iG é praticamente zero.VDD RG1 + RG2 (divisor de tensão) gustavo. impõem VGS na porta do JFET. sendo que VGG deve ser menor que VRS para garantir polarização reversa entre porta e fonte.

diminuindo sua inclinação.tai@hotmail. Determinação da Reta de Autopolarização A tensão VGS fica definida pela diferença entre a tensão VRS e VGG: -VGS = RS.com ID = VGG / RS 52 . este processo tem uma variação ainda menor de IDQ. gustavo.ID – VGG  1º Ponto: para ID = 0 VGS = VGG  2º Ponto: para VGS = 0  Verifica-se que a reta é deslocada de zero para VGG na abscissa (eixo horizontal).  Em relação aos processos de polarização anteriores.

com 53 .Reta de Autopolarização e Variações do Ponto Q Malha de entrada: RS = (VGG – VGSQ) / IDQ  Malha de Saída RD = VDD – VDSQ – RS  IDQ gustavo.tai@hotmail.

Relembrando: VGG = __RG2___.IDQ – VDD =0 Resp: RG1= 490KΩ. RS = 1.IDQ – VGG + VGS = 0 IG RG1 + RG2 RD.tai@hotmail. será utilizado: VGG = 0. Como VGG deve ser menor que VGSQ.5KΩ. Para encontrar RG1 e RG2 devemos arbitrar um deles. neste caso RG2 = 10KΩ.5KΩ. VDD RS. VGSQ = -1V e VDSQ = 15V.com 54 . RS e RD do circuito de autopolarização do JFET BF245A (PDmax = 300mW). RG2.5V. gustavo.Exemplo:  Determinar os valores de RG1. RD = 8. para o ponto quiescente: IDQ = 1mA.IDQ + VDSQ + RS.

a corrente ID pode levar o JFET a operar na região de saturação. isto é ID =0 e VS ≡ 0. VS ≡ VDD.com 55 . para um valor adequado de R. É como se ele funcionasse como uma chave aberta. como uma chave DC.Chave Analógica Iremos polarizar o JFET para funcionar nas regiões de corte e saturação.tai@hotmail. É como se ele funcionasse como uma chave fechada.   Quando VG < VP. gustavo. o JFET encontra-se na região de corte.  Quando VG = 0.

gustavo. denominada RDS(on). Ao lado é mostrado o circuito equivalente para o JFET funcionando como chave DC.com 56 . Quando a chave está fechada.Na região de saturação. Para minimizar o efeito de RDS(on) utiliza-se R>> RDS(on). calculada por: RDS(on) = VDS(sat) / IDSsat RDS(on) pode variar entre unidades a centenas de Ohm. a curva de dreno tem uma inclinação que define a resistência entre dreno e fonte para sinais DC. a tensão V DD divide-se entre RDS(on) e R.tai@hotmail.

desviando-o para o terra.  Os capacitores C1 e C2 têm a finalidade de acoplar o sinal AC. respectivamente.  gustavo. do gerador de entrada à porta e do dreno à carga de saída.Amplificador Fonte Comum  A configuração fonte comum é a mais utilizada para o JFET. O capacitor CS serve para desacoplar o sinal AC da fonte.tai@hotmail.com 57 . atuando como amplificador de pequenos sinais (baixa potência) e baixa frequência.

 Portanto. e reflete o quanto a corrente de saída iD está sendo controlada pela tensão de entrada VGS.  O parâmetro gfs é denominado condutância de transferência ou.tai@hotmail. transcondutância.com 58 . simplesmente. gfs pode ser obtida por: gustavo.Modelo Simplificado do JFET  Este modelo é válido para valores de pico a pico de iD correspondentes a no máximo 10% de IDQ e para frequências menores que a frequência de corte superior natural do JFET.

com 59 . para a análise do amplificador. quando VGS=0. o que interessa é o g fs para o ponto quiescente do JFET.tai@hotmail. porém seu valor pode ser calculado por:  Mas.Modelo Simplificado do JFET  Os manuais fornecem o valor máximo de gfs. isto é. Este valor pode ser calculado em função de gfso e por uma das expressões abaixo: gustavo. simbolizado por gfso.

com 60 .  Determinação dos principais parâmetros do amplificador: Impedância de Entrada Total – ZET Como ZE é muitíssimo alta.tai@hotmail. tem-se: ZET = RG1 / / RG2 gustavo.Modelo Simplificado do Amplificador  O amplificador. mostrado abaixo. para sinais AC pode ser representado pelo modelo do JFET acrescido dos resistores de polarização vistos pelo gerador de entrada.

VGS. tem-se: Circuito equivalente final: gustavo.Modelo Simplificado do Amplificador Impedância de Saída Total vista pela Carga – ZST ZST = RD Ganho de Tensão Total sem Carga – A´vT Ignorando a presença da carga RL. Dividindo-se a tensão de saída pela tensão de entrada.com 61 .RD.tai@hotmail. a tensão na saída é VL = -gfs.

Exemplo: Para o amplificador a seguir. VGSQ= -1V.com 62 . calcular a tensão na carga e o ganho de tensão total AvT (considerando a carga). Dados: IDSS =8mA. gustavo.tai@hotmail. VP= -2V. IDQ= 2mA.

com 63 .Exemplo: gustavo.tai@hotmail.

tai@hotmail.DATASHEET DO BF 245 Localização dos Terminais gustavo.com 64 .

DATASHEET DO BF 245 gustavo.com 65 .tai@hotmail.

tai@hotmail.com 66 .DATASHEET DO BF 245 gustavo.

CURVAS FORNECIDAS PELO DATASHEET DA PHILIPS 67 .

CURVAS FORNECIDAS PELO DATASHEET DA PHILIPS 68 .

IDQ = 5mA e VDSQ = 10V. VG = 0 → VS ≡ 0 e para VG < VP → VS ≡ VE. 3) Polarize o BF256C pelo processo de autopolarização para VDD = 25V.4V.tai@hotmail.4V. 4)Polarize o BF256C pelo processo de divisor de tensão na porta para VDD = 25V. VDSQ = 10V. VGG = 2V e adote RG2 = 1MΩ . 2) Polarize o BF 256C com VGS constante para VDD = 25V. VDSQ = 10V e adote –VGSQ = 2. –VGSQ = 2. 69 gustavo. IDQ = 5mA.Exercícios JFET Dados os principais parâmetros do JFET BF256C na tabela: 1)Calcule os valores para desenhar as parábolas máxima e mínima e desenhe a curva de transferência do BF 256C com base nos valores máximos calculados. IDQ = 5mA. 5)Implemente uma chave analógica que funcione de forma inversa à da apresentação apresentada. ou seja.com .

5V Com VGS= -1V ID = 0.88mA ID = 13.78mA gustavo.1V ID = 0.04mA Parábola máxima: Com VGS= -7V Com VGS= -5V Com VGS= -3V Com VGS= -1.76mA ID = 3. Parábola mínima: Com VGS= -0.2V Com VGS= -0.44mA ID = 1.Exercícios JFET 1) Calcule os valores para desenhar as parábolas máxima e mínima e desenhe a curva de transferência do BF 256C com base nos valores máximos calculados.4V Com VGS= -0.53mA ID = 7.com 70 .tai@hotmail.96mA ID = 7.28mA ID = 2.03mA ID = 11.3V Com VGS= -0.

IDQ = 5mA e VDSQ = 10V. Como IG≡0 (ZE muito alta) -VGS = RS.com 71 .4V. RD.4 / 5m = 480Ω RD = (25 – 10 – 2.4) / 5m = 2.VDSQ + VGSQ) / IDQ RS = 2.52KΩ gustavo.tai@hotmail. VDSQ = 10V e adote –VGSQ = 2.Exercícios JFET 2) Polarize o BF 256C com VGS constante para VDD = 25V. IDQ= 5mA.IDQ + VDSQ – VDD = 0 RD = (VDD – VDSQ) / IDQ RD = (25 -10) / 5m = 3KΩ 3) Polarize o BF256C pelo processo de autopolarização para VDD = 25V.ID RD = (VDD .

IDQ = 5mA.880Ω = 2.4V.tai@hotmail.4 / 5 = 880Ω RG1 = (25M – 2M) / 2 = 11. VDD RG1 + RG2 -VGS = RS.5MΩ RD = [ (25 – 10) / 5m] .com 72 . VDSQ = 10V.ID – VGG (divisor de tensão) Da malha de saída temos: RD = VDD – VDSQ – RS IDQ RS = 4.Exercícios JFET 4) Polarize o BF256C pelo processo de divisor de tensão na porta para VDD = 25V. VGG = 2V e adote RG2 = 1MΩ. VGG = __RG2___.12KΩ gustavo. –VGSQ = 2.

tai@hotmail. ou seja. gustavo. VG = 0 →VS ≡ 0 e para VG < VP → VS ≡ VE.com 73 .Exercícios JFET 5) Implemente uma chave analógica que funcione de forma inversa à da apresentada.