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Universidad del Pas Vasco


Departamento de Arquitectura y Tecnologa de
Computadores

TRANSISTORES

PED 2002-03

Smbolo. Caractersticas
Clasificacin de los transistores
Transistores bipolares
Transistores unipolares

4.1

Caractersticas. Smbolo

Elemento triterminal: Terminal de control


Magnitud control: tensin o corriente
Funcionamiento especfico: dos uniones PN
Funcionamiento en rgimen permanente:
componentes de los circuitos digitales

terminalde
control i

T.C.

vT.C.

A
+
vAB

IQ 3
IQ 2
IQ 1

PED 2002-03

VQ

v
4.2

Clasificacin de los transistores


Transistores bipolares: BJT
Corriente: movimiento de electrones y huecos.
Magnitud de control: corriente
Dos tipos: NPN y PNP

Transistores unipolares o de efecto de campo: FET


Campo elctrico influye en el comportamiento
Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn el tipo
de transistor
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

Transistores uniunin: UJT


Muy especiales. No los veremos

PED 2002-03

4.3

TRANSISTORES BIPOLARES

Magnitud de control: corriente


Terminal central: corriente de control. Terminal base: B
Terminal izquierda: emisor, E
Terminal derecha: colector, C

A
i T.C.

PED 2002-03

+
vAB

B
P

i f (v AB , iT .C . )
N

4.4

Tipos de transistores bipolares


transistorbipolarNPN

transistorbipolarPNP
C

colector

colector

base

emisor

base

emisor

Sentido flecha: de P hacia N

PED 2002-03

4.5

Magnitudes en los transistores bipolares


Seis magnitudes a relacionar
Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
Dos ecuaciones de comportamiento
Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN
VBC

IB
B

+
+

VBE

PED 2002-03

IC

PNP

VCE

IE

IB
B

VCB

VEC

VEB

IC

+
IE
4.6

Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

IC

RC
VBC

RB
VBB

PED 2002-03

IB
IB

VBE

IC

IC

VCE

VCC

IE

IC

4.7

Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

I E I B IC

V BC VBE VCE

V BB RB I B V BE

IC f (VCE , I B )

V CC RC IC VCE

I B g(VBE , VCE )

Ecuaciones comportamiento: anlisis experimental


Simplificando: punto operacin del transistor

PED 2002-03

Q(IB,IC,VBE,VCE)

4.8

Curvas caractersticas: dos

I B g(VBE , VCE )
VCE poca influencia. Se simplifica.

IB

IB

VBE

PED 2002-03

IB g(VBE )

VBE

4.9

IC f (VCE , I B )
IC

mA
IB 100A

12

IB 80A

10

IB 60A

8
6

IB 40A

IB 20A

2
0

PED 2002-03

10

VCE

4.10

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar


Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:
unin BE
IP
IP
DP
DP
unin BC
IP
DP
IP
DP

Distinguir entre E y C?
Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C
E y C no son exactamente iguales a nivel fsico
Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC

Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC


Habitualmente: funcionamiento directo
Posible con tres de las cuatro opciones
Tres zonas de funcionamiento
Corte
Regin Activa Normal (R.A.N.)
Saturacin

PED 2002-03

4.11

1. Corte
BE y BC en I.P.
Por tanto VBE 0,7 V y VBC 0,7 V (se suele comprobar slo VBE 0,7 V)
En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)
Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
Resumiendo:

condicin
VBE 0,7 V

PED 2002-03

ecuacin

IC = 0 , IB = 0

4.12

2. Regin Activa Normal (R.A.N.)


BE en D.P., BC en I.P
Slo una unin en D.P. pero corriente en ambas. An as IB << IC
BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuacin ms)
Otra ecuacin: analizando las curvas caractersticas del transistor
Conclusin anlisis: IC/IB = ( nueva ecuacin, ganancia de corriente)
Vara segn el tipo de transistor. Consideraremos 100
Verificacin de esta zona implica comprobar unin BC en I.P: comprobar VBC
0,5 V (no 0,7 como en una unin aislada). Equivalente: VCE 0,2 V

condicin
VCE 0,2 V
PED 2002-03

ecuacin
IC
VBE = 0,7 V ,

IB
4.13

3. Saturacin
BE y BC en D.P.
Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
No relacin constante anterior
Verificacin de esta zona implica comprobar IC/IB

condicin

IC

IB

PED 2002-03

ecuacin
VBE = 0,7 V
VCE = 0,2 V

4.14

Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica

mA IC

IB 100 A

12

8
6

IB 80 A

Saturacin

10

IB 60 A

R.A.N.

IB 40 A

IB 20 A

2
0

PED 2002-03

Corte
0

10

VCE V

4.15

Aproximacin realizada

IC

IB4
IB3
IB2
IB1
0,2V

PED 2002-03

VCE
4.16

Resolucin grfica de circuitos con transistores


Conocemos curvas (IB ,VBE) y (IC ,VCE) del transistor
Circuito de entrada

V BB

IB

RB

+
V BE

"carga"del
circuitode
entrada

V BB RB I B V BE
V BB
1
IB

V BE
RB
RB
PED 2002-03

RECTA DE CARGA de entrada

4.17

Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IB ,VBE)

Obtenemos punto de operacin de entrada: (IBQ ,VBEQ)

IB

VBE

PED 2002-03

4.18

Circuito de salida

V CC
IC

RC

C
+
"carga"del
circuitode V CE
salida
E

V CC RC IC VCE
VCC
1
IC

VCE
RC
RC

PED 2002-03

RECTA DE CARGA de salida

4.19

Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)

Obtenemos punto de operacin de salida


Con ambos puntos, tenemos el punto de operacin del transistor

IC

IB5
IB4
IB3
IB2 =IBQ
IB1

VCE

PED 2002-03

4.20

TRANSISTORES UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO

Campo elctrico influye en el comportamiento


Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn tipo
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

A
T.C.

i f (v AB , v T.C. )

vT.C.

PED 2002-03

+
v AB

B
4.21

JFET, transistores de efecto de campo de unin


transistorJFETdecanalN

D drenador

puerta

transistorJFETdecanalP
D drenador

S fuente

puerta

S fuente

Otros smbolos
transistorJFETdecanalN

PED 2002-03

transistorJFETdecanalP

4.22

Magnitudes de los JFET


Tres magnitudes para analizar comportamiento: I D, VDS y VGS (t. control)
Funcionamiento adecuado: dos uniones PN en I.P
Canal N: VGS < 0. Canal P: VGS > 0
Portadores de carga de fuente hacia drenador, generan I D
Corriente IG =0. Por tanto: IS= ID

canalP

canalN
IG 0

D
G

VGS

(<0)

PED 2002-03

ID +
VDS

(>0)

IG 0

VGS

VSD

G
D

ID

4.23

Curvas de transferencia en los JFET


Punto de operacin: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)
Circuito para analizar el funcionamiento

ID
IG 0
VGG +

(variable)

PED 2002-03

D
G

VDS

VGS

RD
+

VDD

(variable)

4.24

Dos curvas

* Curva 1: manteniendo VDS, ID sat= f(VGS)

ID

IDSS
IDsat

V GSoff (<0siempre)V GSQ

VGS
I Dsat I DSS 1
VGSoff

V GS

IDSS corriente de saturacin (VGS=0)


VGSoff tensin de estrangulamiento (canal desaparece, I D = 0)

PED 2002-03

4.25

IDSS

ID

zona

hm

i c a

* Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

V GS 0 V
Saturacin

IDsat
Vgs=2

VDSsatVDSS

Corte

V GS 1V
V GS 2V

V GS VGSoff ( 0 )
V DS

Vgs=2

IDSS corriente de saturacin (VGS=0)


VGSoff tensin de estrangulamiento (canal desaparece, I D = 0)

PED 2002-03

4.26

Tres zonas de funcionamiento:

condicin ecuacin
CORTE:

VGSQ VGSoff

ZONA OHMICA:

VGSoff VGSQ 0 ID = VDSS / RDS

VDSQ VDSsat

ID = 0

RDS = VDSS / IDSS

SATURACIN:

VGSoff VGSQ 0 ID = K IDSS

VDSQ VDSsat
VDSS tensin para estrangular el canal : |V GSoff|

VGSQ
K 1

GSoff

VDSsat frontera entre zona hmica y saturacin (no constante)


2

V DSsat
PED 2002-03

VGSQ
1
VGSoff
V

GSoff
4.27

MOS, transistores metal-xido-semiconductor


NMOSdeenriquecimiento

PMOSdeenriquecimiento

drenador

drenador

puerta

sustrato

puerta

drenador

drenador

puerta

sustrato

fuente
PED 2002-03

PMOSdeempobrecimiento

sustrato
fuente

fuente
NMOSdeempobrecimiento

puerta

sustrato

fuente
4.28

Otros smbolos

transistoresdeenriquecimiento
PMOS
NMOS

transistoresdeempobrecimiento
PMOS
NMOS

Enriquecimiento: D y S fsicamente separadas


Empobrecimiento: entre D y S siempre hay canal
B, sustrato (bulk). No es un terminal, sino la base fsica sobre la que se
ha construido el MOS. Normalmente se conecta a S

PED 2002-03

4.29

Magnitudes de los MOS


Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)
Corriente IG =0 siempre, no dependiendo de la polarizacin
Polarizacin adecuada para crear canal entre S y D (enriquecimiento) o
para estrechar el canal existente (empobrecimiento)

PMOSdeenriquecimiento
(<0)

NMOSdeenriquecimiento

IG 0

+V

+
VDS

GS

(>0)

PED 2002-03

ID

IG 0

VGS

VSD

G
D

ID

4.30

Curvas de transferencia en los MOS


Punto de operacin: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)
Obtenemos esa curva experimentalmente, al igual que antes, con un circuito similar

* Curva 1: manteniendo VDS, ID = f(VGS) (transistor en saturacin)

NMOSdeenriquecimiento

IDon

ID

VT
PED 2002-03

V GS V T
I D I Don

V GSon VT
V GSon

V GS
4.31

* Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

ID

NMOS de enriquecimiento

V GS 15 V
V GSQ

IDsat

Saturacin

V DSsat

PED 2002-03

Corte

V GS 10 V
V GS 5 V
V GS VT
V DS

4.32

MOS enriquecimiento, tres zonas de funcionamiento:

condicin

ecuacin

CORTE:

VGSQ VT

ID = 0

ZONA OHMICA:

VGSQ VT

ID = VDSS / RDS

VDSQ VDSsat
SATURACIN:

PED 2002-03

VGSQ VT

ID = K IDon

VDSQ VDSsat

VGS VT
K

V
GSon
T

4.33