TRANSISTOR

AULA 13
Prof. Artur Fernandes

TCE/TEE Eletrotcnica

BJT: Configuraes AC
O comportamento do BJT do domnio de sinais CA senoidais
diferente do domnio CC:
em CC, o BJT trabalha nas regies de corte e de
saturao
em CA , o BJT trabalha na regio linear e os efeitos da
capacitncia entre terminais, da impedncia de entrada,
da condutncia de sada devem ser considerados
Modelos para resposta em CA:
modelo hbrido
modelo re
modelo Ebers-Moll
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BJT: Configuraes AC

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BJT: Configuraes

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CONFIGURAO

BASE COMUM

EMISSOR COMUM

COLETOR COMUM

Impedncia
entrada

baixa

mdia

alta

Impedncia
sada

alta

mdia

baixa

Ganho de
tenso

alto

mdio

Baixo (< 1)

Ganho de
corrente

Baixo (< 1)

mdio

alto

Ganho de
potncia

baixo

alto

mdio

Desvio de fase

180

Configurao Base Comum

A corrente de entrada que flui pelo emissor (IE)

muito grande
a soma da corrente de base e a corrente de coletor
A corrente do coletor (corrente de sada) menor do que a corrente do
emissor (corrente de entrada)
ganho de corrente Ai prximo da unidade ou pouco menor
A configurao base comum atenua o sinal de entrada
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Configurao Base Comum

um circuito amplificador no inversor de fase
as tenses do sinal Vin e Vout so em fase
Tipo de arranjo de transistor no muito comum devido s suas
caractersticas de ganho de tenso invulgarmente elevada
Possui uma alta razo entre as resistncias de sada e de entrada:
alto valor do ganho de resistncia: resistncia de carga ( RL ) sobre a
resistncia de entrada ( Rin )
Ganho de Tenso:
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Configurao Emissor Comum

mtodo normal de conexo do transistor bipolar

circuito amplificador inversor
maior ganho de corrente e potncia de todas as trs configuraes
impedncia de entrada baixa (juno p-n diretamente polarizada)
impedncia de sada alta (juno p-n em polarizao reversa)
o ganho de corrente Ai aproximadamente igual ao valor do BJT

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Configurao Emissor Comum

o BJT conduz somente quando houver uma
tenso de base VBE maior que 0,7 V
VBB a tenso de polarizao da base
VBE queda de tenso na juno base-emissor
Rin = RB a resistncia de entrada da base

aumentando IB, VBE lentamente aumenta para

0,7 V mas IC cresce exponencialmente

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Configurao Coletor Comun

Sinal de entrada conectado diretamente base
A sada tomada a partir do emissor na
resistncia de carga
Tipo de configurao conhecida como circuito
Seguidor de Tenso ou Seguidor de Emissor
ideal para casamento de impedncia
impedncia de entrada muito alta (centenas de milhares de ohms)
nvel relativamente baixo de impedncia de sada
a corrente da carga RL igual corrente do emissor
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Configurao Coletor Comum

circuito no inversor de tenso
ganho de tenso menor que um
ganho de corrente:

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Relaes entre Correntes CC e Ganhos

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Correntes
Condio das junes p-n
Corrente de difuso de portadores
Equilbrio trmico da concentrao de portadores minoritrios (eltrons) na
regio da base
Corrente do coletor:
Corrente da base:
Corrente do emissor:
onde vBE a tenso trmica (~ 25 mV @ 300K) e IS a corrente de saturao

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Temperatura
O material semicondutor sensvel temperatura
No BJT, a variao de temperatura (T ) altera o
ganho de corrente CC, a tenso base-emissor VBE e
a corrente de fuga no diodo coletor
O CC no constante na regio ativa, varia com a
temperatura ambiente e com a corrente do coletor I c

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Modelos para CC e CA
Transistor:
difcil de trabalhar com mtodo de malha
circuito equivalente
Modelo equivalente CC de um circuito
Relaxar todas as fontes de tenso CA substituindo-as por um curto-circuito
Substituio de todos os capacitores por um circuito aberto
Remover todos os itens em curto definidos pelas etapas anteriores
Redesenhar a rede de uma forma mais conveniente e lgica

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Modelos para CC e CA
CC

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Modelos para CC e CA
Modelo equivalente CA de um circuito
Relaxar todas as fontes de tenso CC substituindo-as por um curto-circuito
Substituio de todos os capacitores por um curto-circuito equivalente
Remover todos os itens em curto definidos pelas etapas anteriores
Redesenhar a rede de uma forma mais conveniente e lgica

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Modelos para CC e CA
CA

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Modelos para o Transistor

Parmetros Hbridos (h)

Exemplo para um BJT com

emissor comum

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Parmetros Hbridos (h)

Configurao Emissor Comum

Configurao Base Comum

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Parmetros Hbridos (h)

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Parmetros Hbridos (h) do BJT

Base Comum

Emissor Comum

Coletor Comum

Definies
Impedncia de entrada com sada
em curto-circuito
Relao de tenso reversa com
entrada em circuito aberto
Ganho de corrente direta com sada
em curto-circuito
Admitncia de sada com entrada
em circuito aberto

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Equivalncia entre modelos

Equivalncia entre modelo hbrido

e modelo re considerando a
simplificao hre

0 e hoe = 0

a) Emissor Comum

b) Base Comum

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Observaes
A impedncia de entrada de um amplificador a transistor BJT puramente
resistiva, depende de como o transistor empregado e pode variar de
poucos ohms at megaohms
A impedncia de sada de um amplificador a transistor BJT naturalmente
resistiva e, dependendo da configurao e da disposio dos elementos
resistivos, a impedncia de sada Zout pode variar de alguns ohms a valores
que excedem a 2 M

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 Dvidas

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