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S IT I VO S

D IS P O RE S
N D U C T O
SEM IC O
O T E N CI A
D E P Elect rón i ca.

S. Mg.I.I CARRERA DE INGENIERÍA INDUSTRIAL Área Académica: Electrónica Ciclo Académico y Paralelo: Quinto Industrial “A” Integrantes: Llugsa Hinojosa Jéssica Marisol Méndez Díaz Ricardo Ángel Minchala Jara Jeferson Eduardo Pilco Núñez Christian Alexander Módulo: Electrónica de Potencia Docente: Ing. Carmen Beltrán .E. UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO F.

“Dispositivos Semiconductores de potencia” .

Conocer los dispositivos Mencionar las ventajas que tienen semiconductores de potencia. . Identificar las aplicaciones que tienen los dispositivos semiconductores de potencia. OBJETIVOS Específcos GENERAL Evidenciar con gráficos como se representa cada dispositivo semiconductor de potencia. cada uno de los dispositivos semiconductores de potencia con respecto a otros.

caldeo inductivo. Su uso esta presente en la industria por ejemplo para Semiconductores control de motores asíncronos.¿QUÉ SON LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA? Controlados Soportan Tensiones e intensidades elevadas dependiendo del dispositivo. rectifcadores. No controlados .

Puede tener tensión de . Posee zona de bloqueo on se da cuando la inverso. tiene control externo en el . Soporta mayor tensión Estructura de 4 inversa capas (P-N-P-N). directo y corriente del tiristor conducción es más pequeña. Corriente ánodo a paso on –off por cátodo control externo y off- . pero solo parecido al del SCR tiene un circuito de . Máximo 5000v. . Controla mayor potencia Tiristores: . 15A. no tener la capacidad de control bloqueo de tensiones . inversas 15kw y 50/60 Hertz . Es bidireccional en 3 . El mecanismo de disparo es ambos signos. Permite el paso de paso de conducción a corriente A1 a A2 bloqueo. . 4000ª terminales . TRIAC: GTO: . Máximo 1000v. DISPOSITIVOS SEMICONTROLADOS SCR: . de On a Off.

Controlados por base .Controlados por corriente . Dos tipos canal “n” y con la perdida de . óhmica y de impedancia saturación . Potencia reducida .Tipo npn . son controlados y se clasifcan en: BJT MOSFET IGBT . Controlados por tensión disparo de un MOSFET .Consume mayor energía canal “p” conducción de un BJT que los SCR . Une la velocidad de . Maneja decenas de . DISPOSITIVOS CONTROLADOS Transistores: Trabajan en la zona de conmutación ON-OFF. Gran rapidez amperios . Entrada de alta corte.Trabaja en las zonas de . Trabaja en tres zonas . . activa y corte. Activados por tensión saturación.

Diodos Schotky off) Recuperación Directa: (off -on) Tipos de Diodos: .Diodos rectifcadores o de frecuencia de línea Diodos de recuperación rápida Diodos rectifcadores o de frecuencia de línea . estructura P-N que soporta mayores corrientes. DISPOSITIVOS NO CONTROLADOS DIODO: Interruptor unidireccional.Diodos de recuperación rápida .Diodos Schotky . La tensión de caída aumenta a 1 o 2 V siento esta nueva región es la causante de este fenómeno Tiene 2 tipos de recuperación: Recuperación inversa: (on . Su mayor tamaño se debe al aumento de la región n.

Aplicaciones Controla parámetros Control de como la posición. la Motores velocidad o suministrado para un eléctricos motor Ahorro de Sistemas de energía aire acondicionado .

ya que revolucionan el ámbito tecnológico y en nuestras vidas es de gran ayuda. CONCLUSIONE S Podemos concluir que los dispositivos semiconductores de potencia son elementos que permiten convertir señales bajas y ampliarlas de manera sorprendente y así utilizarlos en el ámbito industrial para la elaboración de nuevos productos. Con el avance de la ciencia y la tecnología quizás sea posible llegar a obtener un diodo REAL. . de igual manera hoy en día ocupan un papel muy importante en la electrónica de potencia. el hecho de su implementación en diferentes tipos de controles de motores eléctricos hacen que lo cotidiano para nosotros sean de cierto modo más simple y benefcioso.

GRACIAS POR SU ATENCIÓN .