Chap II Études des

montages REDRESSEUR

Plan de la présentation
Introduction et généralités
Les montages parallèles simples
Principe
Valeurs moyenne et efficace de sortie
Tension inverse des diodes
Phénomène d’empiètement
Caractéristique Courant / Tension aux valeurs moyennes
Les montages parallèles doubles
Principe
Valeurs moyenne et efficace de sortie
Tension inverse des diodes
Caractéristique Courant / Tension aux valeurs moyennes

Introduction et généralités

AGIR

Énergie Énergie
Électrique Électrique
Montage
Alternative Continue
Redresseur

Introduction et généralités

Objectif : Obtenir une tension la plus continue possible à partir d’une
source alternative.

. Redresseurs parallèle simple Schéma de principe du redresseur parallèle simple à cathodes communes : Composants supposés parfaits : Une source de tension parfaite n-phasée Une source de courant parfaite Des interrupteurs statiques = diodes.

vD1  0  Si la diode D1 conduit. v3 Même raisonnement pour D2 et D3. . et D2 et D3 bloquées. alors uC  v1  D3 vD 2  v2  v1  0  v2  v1 Et donc :  vD3  v3  v1  0  v3  v1 Par conséquent D1 conduit lorsque v1  v2. Redresseurs parallèle simple Séquences de conduction : v1  vD1  uC  0 v  v  u  0  2 D2 C   vn  vDn  uC  0 Raisonnement par l’absurde sur triphasé Hypothèse : la diode D1 conduit. alors : vD 2  0 v  0 Or si D1 conduit.

Redresseurs parallèle simple Allure de la tension de sortie : La tension de sortie uC est donc la tension la plus positive des sources d’alimentation. Chaque diode conduit donc pendant 2π/n. . On ne s’intéressera par la suite qu’au montage à cathodes communes. la tension de sortie serait les arches de sinusoïdes les plus négatives. Si l’on avait disposé d’un montage parallèle simple à anodes communes.

2  nVs . .d T 0   U c0  u  .sin   .sin   2  2 n  n . Redresseurs parallèle simple Valeur moyenne de la tension de sortie :       T 2 n 2 n 1 n n   uC   . 2      cos     n  2 .d   Vs. 2 2 C       2 n 2 n   nVs . .d  2.

plus le rapport UC0/Vsmax tend vers 1. Redresseurs parallèle simple Plus le nombre de phases est importante. .

Redresseurs parallèle simple Valeur efficace de la tension de sortie :       2 n 2 n n n U ceff 2   uC 2   .Vs  sin   2 4  n  Taux d’ondulation de la tension de sortie : U  U c min On définit le taux d’ondulation par : KUc  c max 2U c 0      1  cos    Soit : KUc     n  2n   sin   n .d   Vs 2 .2.sin 2   .d 2   2     2 n 2 n 1 n  2  U ceff  2.

. Redresseurs parallèle simple Plus le nombre de phases est important. plus le taux d’ondulation tend vers 0.

2. 2   Si n est impair : VRRM  2.cos    2n  .Vs. Redresseurs parallèle simple Tension inverse d’une diode : La tension inverse maximale est une des caractéristiques importantes pour le choix des diodes. Lorsque la diode D1 conduit.Vs. UD1 = u13 Si n est pair : VRRM  2. UD1 = u12 Lorsque les diodes D1 et D2 sont bloquées et D3 passante. UD1 = 0 Lorsque les diodes D1 et D3 sont bloquées et D2 passante.

Tension sur les composants D1  Exemple : montage P3 v1 D2 v2 D3 vD1 v3 uc n Phase 1 D1 ‘on’ Phase 2 D2 ‘on’ Phase 3 D3 ‘on’ D1 D2 D3 Tension D1 0 U12 U13 .

efficace et maximale sont importantes pour le choix des diodes de redressement. Etude des courants  Courants dans les diodes uc iD1 v3 D1 D2 D3 Les valeurs moyenne. .

Etude des courants  Courants dans les diodes 2π Valeur moyenne: 2π/q Ic IDmoy  q Valeur efficace: Ic 2 IDeff  iD2  Ic2 IDeff  q q Valeur maximale du courant dans une diode : I D max  I C .

Aspect puissance ~ Charge  Au secondaire = Puissance au secondaire du transfo Le pont est supposé parfait P  Pcharge Puissance sur la charge q  Pcharge  uc Ic  U c 0 Ic  sin .Vm Ic  q .

 q 2 q . Vm I c .I s eff  q. Aspect puissance Au secondaire ~ = Puissance apparente Vm I c S  q. . 2 q soit le facteur de puissance au secondaire : q  sin Vm I c P  q 2q  fs   fs  sin S q.Vs eff .

Vm I c 2 q  sin Soit le facteur de P  q puissance primaire : fp   S q 1 2 .Vm Ic  q q 1 S  q.I p eff  . Aspect puissance Au primaire ~ = Puissance au primaire du transfo Le transformateur est supposé sans pertes q  Puissance apparente P  Pcharge  sin .V p eff .

9 0.404 S Le triphasé est le plus intéressant 2q  2 q  fs  sin fp  . résumé q 2 3 6 12 f 0.551 0. Aspect puissance Facteurs de puissance.421 P  f 0.composante continue au primaire .794 0. sin  q q 1  q Les montages Pq sont très peu utilisés : .montages PDq meilleurs .827 0.675 0.637 0.

Redresseurs parallèle simple Le facteur de puissance est maximal pour q =3. Justification du triphasé. .

Chutes de tension des montages Pq Uc1 Seuil des composants Uc 3Chutes résistives •ligne •Enroulements transformateur •Diodes Uc 2 Chutes d’empiètement •Inductances de fuite des enroulements .

Etude des chutes de tension Objectif : obtenir un modèle électrique : Diode ‘parfaite’ Req Ic uc Charge du montage redresseur Req est la résistance équivalente aux résistances du montage < uc > = Uc est différent de Uc0 .

Chutes de tension des montages Pq 1 seule diode conduit à la fois i D1 rD v1 VAK D2 v2 v =V +ri AK 0 D V0 uc Dq vq n Diode idéale Donc : U c1  V0 (seuil nul) .

I c .I s seff 2 p peff 2 = R .R .R . Défauts des montages Pq Principe de la détermination de Req :  Chutes de tension résistives on écrit que les pertes Joule dans le modèle sont égales à celles du montage réel q diodes q phases au secondaire Req résistance du modèle q’ phases au primaire équivalent q.R .I eq c 2 Donc : U c 3  Req .I + q’.I D Deff 2 + q.

Etude des Défauts  Phénomène d’empiètement Inductance de fuite ramenée au Discontinuité de secondaire du transfo courant impossible 2 i1 Ic D1 v1 i2 D2 v2 uc =wt Ic n D1 D2 Théoriquement. une seule diode conduit à la fois .

Etude des Défauts  Phénomène d’empiètement i1 + i2 = Ic = constant 2 i1 Ic D1 v1 i2 D2 v2 uc =wt i1 i2 Ic n D1 D2 Pas de discontinuité de courant i1 Commutation de durée  (angle) .

Etude des Défauts  Empiètement. équations 2 i1 Ic D1 v1 i2 v1 v2 D2 v2 uc di2 2 v1+v2 dt 2  n π/q =wt di1 v1  uc  2 dt di v 2  u c  2 2 dt di1 di2 v1  v 2 i1  i2  I c  0 uc  dt dt 2 .

Etude des Défauts
 Empiètement-chute de tension
2 i1 Ic
D1 2/q
v1
i2 v1 v2
D2
v2
uc
v1+v2
2

n π/q =wt
En instantané
di1 v 2  v1 v 2  v1 di
v1  uc  2 uc2  v 2    s 1
dt 2 2 dt
di En moyenne
v 2  u c  2 2
dt
i1  i2  I c q
 s
di1 q
Uc 2 
2 dt Uc 2  swIc

2

Etude des Défauts
 Durée de l’empiétement
2 i1 Ic
D1
v1
i2 v1 v2
D2
v2
uc
v1+v2
2

n π/q =wt

di1
v1  uc  2 di1 v 2  v1
v1  Vm cos dt 2 
 2 
et -
v 2  uc   2
di2 dt 2
v 2  Vm cos   dt    
 Vm sin sin   
 q  i1  i2  Ic q  q 

Etude des Défauts
 Durée de l’empiétement
2 i1 Ic
D1
v1
i2 v1 v2
D2
v2
uc
v1+v2
2

n π/q =wt

di1 v 2  v1
2  i1
dt 2 Ic
   
 Vm sin sin   
q  q  π/q

Vm    
i1 (t )  I c  sin 1  cos    
2w q q q 

 Durée de l’empiétement Etude des Défauts
2 i1 Ic
D1
v1
i2 v1 v2
D2
v2
uc
v1+v2
2

n π/q =wt

i1 Ic
On écrit i1(t) =0
π/q
Vm    
0  Ic       
2w
sin 1 cos
q q  2wIc
1 cos 
q

Vm sin
q

q résistive U c1  V0 Uc 2  Sw .I c U c 3  Req .I c 2 Diode ‘parfaite’ Req Ic  Uc  Charge du montage U c 0  U c1  redresseur U c 2  U c 3 . Chute de tension composants. Etude des Défauts  Caractéristique de sortie en charge Uc I c   Uc 0  Uc1  Uc 2  Uc 3 Chute de tension due à seuil des l’empiètement.

q résistive U c1  V0 Uc 2  Sw . Etude des Défauts  Caractéristique de sortie en charge Uc I c   Uc 0  Uc1  Uc 2  Uc 3 Chute de tension due à seuil des l’empiètement.I c U c 3  Re .I c 2 Point de court circuit théorique (exemple P3)  U c 0  V0 3Vm I ccth   Req  q s w  s w 2 . Chute de tension composants.

Structures parallèles doubles  Principe On se ramène au Pq en étudiant les potentiels par rapport au neutre D1 D2 D3 v1 uc1 v2 uc2 vq D’1 D’2 D’3 Potentiel du neutre On obtient ensuite uc en faisant : uc = uc1 – uc2 .

Structures parallèles doubles  Montage PD3 D1 D2 D3 uc1 v1 N v2 uc2 v3 D’1 D’2 D’3 N D1 D2 D3 D1 D’2 D’3 D’1 D’2 U12 U13 U23 U21 U31 U32 .

Structures parallèles doubles  Tension moyenne D1 D2 D3 uc1 v1 N v2 uc2 v3 D’1 D’2 D’3 N 2q  uc  uc1  uc2 Uc  Uc1 Uc2 U c  sin Vm  q .

ID’1 . Structures parallèles doubles  Courants iD1 D1 D2 D3 iS1 uc1 v1 N v2 uc2 v3 D’1 D’2 D’3 iD1 iD’1 N iD’1 Is1= ID1.

78 0.955 0.IC f S  f p 0. .IC q n1  Le PD3 est presque toujours utilisé en forte puissance  .57 q    2 n2 Primaire 0 IP  . Structures parallèles doubles  Facteurs de puissance iD1 2 iS1 2/q Moyen Efficace Ic IC Diode IDmoy  IDeff  q q q 2 3 6 12 2 Secondaire 0 IS  .9 0.

2    Si n est impair : VRRM  2.Tension inverse maximale : Si n est pair : VRRM  2.cos    2n  . 2.Vs.Vs.

iC   . 2.I C  .Vs. qui sont en phase avec les tensions simples (cela reste à démontrer proprement). on a alors : 2n   P  U C 0 . Si l’on néglige le phénomène d’empiètement . soit : 2 1 uC   . donc par le fondamental des courants iS(θ). la puissance fournie par la source est égale à la puissance au niveau de la charge. Redresseurs parallèle double non commandé Expression de la puissance active P : Si l’on suppose que le montage redresseur est sans perte (η=1).d 2 0 P Or. le courant dans la charge iC(θ) est supposé constant.I C . on a donc : Q0 .sin    n Expression de la puissance réactive Q : La puissance réactive est véhiculée par les harmoniques de même rang.

On a donc : S  P2  Q2  D2 Or la puissance réactive Q est nulle.VS I C . Redresseurs parallèle double non commandé Expression de la puissance déformante D : Dans le cas où les signaux ne sont pas sinusoïdaux. il existe une puissance dite déformante qui intervient. 1  2 2 sin   2 n . donc : 4n2 2   D  S  P  2n .

IC  n    Ic Rred  C U  2.  V 2 sin    F V  s  n  Avec :  Uc  R  2. Redresseurs parallèle double Caractéristique Courant / Tension aux valeurs moyennes : On a donc.  r  n. en tenant compte des valeurs moyennes : U S  UC  Rred . S w  R  Us  red T 2 S    US IC 0 .

Montage en pont double  Pont complet tout thyristor T1 T2 T v1 q uc1 v2 uc2 vq T’1 T’2 T’q Potentiel du neutre .

Pont tout thyristor PD3  Tensions uc amorçage naturel de T1 T1 T2 T3 uc1 v1 uc1 12 13 23 21 31 32 12 uc2 N v2 uc2 v3 T’1 T’2 T’3 N v3 v1 v2 vv33 de façon évidente :  T’3 T’1 T’2 2q  Uc  sin Vm cos   q T1 T2 T3  U c 0 cos amorçage naturel de T’1 .

ID’1 .  T1 T2 T3 mais décalés de  iD1 iD’1 Is1= ID1. Pont tout thyristor PD3  Courants i uc D1 uc1 12 13 23 21 31 32 12 T1 T2 T3 uc2 v1 iS1 uc1 N v2 uc2 v3 T’1 T’2 T’3 N iD’1 v3 v1 v2 vv33  Courants identiques T’3 T’1 T’2 avec diodes.

IC q n1  . Pont tout thyristor PD3  Courants i D1 T1 T2 T3 v1 iS1 iD1 2 uc1 N v2 iS1 uc2 v3 T’1 T’2 T’3 2/q N iD’1 Moyen Efficace Ic IC Diode IDmoy  IDeff  q q Idem diodes IS  2 .IC Secondaire 0 q   2 n2 Primaire 0 IP  . .

955 0.57 x cos .9 0.78 0. multiplié q 2 3 6 12 par cos f S  f p 0. Pont tout thyristor PD3  Courants i D1 T1 T2 T3 v1 iS1 iD1 2 uc1 N v2 iS1 uc2 v3 T’1 T’2 T’3 2/q N iD’1 2 q  fs  f p  sin cos  q idem diodes.

Montage en pont double  Pont mixte T1 T2 T q thyristors v1 q uc1 v2 uc2 vq q diodes D1 D2 Dq Potentiel du neutre .

Pont mixte PD3  Tensions .  = 45° uc amorçage naturel de T1 T1 T2 T3 uc1 v1 uc1 12 13 23 21 31 32 12 uc2 N v2 uc2 v3 D1 D2 D3 N de façon évidente : v3 v1 v2 vv33 2q  Uc  sin Vm cos  q 2q  D3 D1 D2  sin Vm  q  1  cos T1 T2 T3  U c0 2 D1 ‘on’ .

 = 100° uc amorçage naturel de T1 T1 T2 T3 uc1 v1 uc1 12 13 23 21 31 32 12 uc2 N v2 uc2 v3 D1 D2 D3 N on a toujours : v3 v1 v2 vv33 2q  Uc  sin Vm cos  q 2q  D3 D1 D2  sin Vm  q  1  cos T1 T2 T3  U c0 2 D1 ‘on’ . Pont mixte PD3  Tensions.

Pont mixte PD3  Tensions Pont complet conduction continue Uc = Uc0 cos  Pont mixte Uc0 conduction continue Uc = Uc0 (1+cos )/2 Uc0 /2   /2 -Uc0 .

Pont mixte PD3  Courants .  = 45° iT1 amorçage naturel de T1 T1 T2 T3 v1 iS1 uc1 N v2 uc2 v3 v1 v2 vv33 v3 D1 D2 D3 D3 D1 D2  N iD1 T1 T2 T3 D1 ‘on’ it1 iD1 Is1= IT1.ID1 2 IS  Ic q .

ID1 2/3 2/3  IS  Ic 1  /3 .  = 100° iT1 amorçage naturel de T1 T1 T2 T3 v1 iS1 uc1 N v2 uc2 v3 v1 v2 vv33 v3 D1 D2 D3 D3 D1 D2  N iD1 T1 T2 T3 D1 ‘on’ it1 iD1 2 Is1= IT1. Pont mixte PD3  Courants .

Pont mixte PD3  Courants iT1 T1 T2 T3 v1 iS1 uc1 2 2 v2 N si 0    .    I S  Ic 1 q  Le courant en ligne est plus faible pour un pont mixte que pour un pont complet . IS  Ic v3 uc2 q q D1 D2 D3 N iD1 2  si  .

fS  sin (1  cos ) v2 N q  q uc2 v3 2 2   D1 D2 D3 si  .    fS  sin (1  cos ) q  q   N iD1 Le facteur de puissance est plus grand pour un pont mixte que pour un pont complet . Pont mixte PD3  Facteur de iT1 T1 T2 T3 puissance v1 iS1 uc1 2 q  si 0    .

Aspect énergétique  Comparaison mixte-complet Pont complet P  Uc0Ic cos Q Q  Uc0Ic sin  Uc0Ic      U c0 I c Uc0Ic P .

Aspect énergétique  Comparaison mixte-complet U c 0 Ic P 1 cos  2 Q U c 0 Ic Pont complet Uc0Ic Q sin  2    Pont mixte   U c0 I c Uc0Ic P à une même puissance P fournie à la charge Q est plus faible pour un pont mixte (courant en ligne plus faible) .

Diode de roue libre iC uc Obligatoire contre T1 T2 T v1 q l’amorçage intempest v2 DRL vq D’1 D’2 D’q iC en monophasé. 2 possibilités iC T1 T2 T1 D2 iS1 uc uc iS1 v v D D1 D2 T’1 D’2 .

uc(t) > 0 donc <u (t)> = UC c >0 La mcc fonctionne toujours en moteur dans un seul sens de rotation pas de freinage possible pour changer. il faut croiser l’induit . c(t) >0 Pour un pont mixte.G ou triphasé transfo i Pour tous les ponts. Applications Pont associé à un moteur ic Pont mixte uc L mcc q secteur mono W.

IC = 0 et W reste = 0 vrai tant que  > 90° L très grande => IC = 0 donc G=0 .G ou triphasé transfo si la charge fournit de l’énergi donc mcc en génératrice i pont complet. c(t) > 0 et UC > 0 ou < 0 Exemple : mcc en traction à plat arrêt et  = 180° conduction discontinue. Applications Pont associé à un moteur ic Pont complet uc L mcc q secteur mono W.

on souhaite freiner on fait  < 90° pas de freinage. Applications Pont associé à un moteur ic Pont complet uc L mcc q secteur mono W. il faut croiser l’induit et faire  < 90° . le moteur démarre  = 0° W max  = 45° W moitié W max et  = 0° .G ou triphasé transfo Exemple : mcc en traction à plat arrêt et  < 90° IC > 0 donc G>0 . il faudrait G < 0 donc IC < 0 pour freiner.

G ou triphasé transfo IC ne dépend que de la charge Exemple : mcc (supposée parfaite) en levage donc toujours > 0  = 90° UC = 0 donc W=0 avec IC > 0 donc G>0  < 90° UC > 0 donc W > 0  = 0° W max à la montée  > 90° UC < 0 donc W<0  = 160° W max descente fonctionnement en onduleur. Applications Pont associé à un moteur ic Pont complet uc L mcc q secteur mono W. Angle de garde en onduleur l’énergie potentielle est renvoyée au réseau .

 > 90° et induit croisé  = 160° au début du freinage puis  diminue lors ralentissement  = 90° lors de l’arrêt .G K T’1 T’2 transfo Au démarrage et en moteur. ouverture de K => pont complet. K fermé => pont mixte  = 180° au démarrage  = 0° W max  = 45° W moitié marche arrière (en moteur) en inversant l’induit pour freiner. Applications Traction électrique avec redresseur iC iS1 T1 T2 L D uc mcc inverseur secteur v monophasé W.

 . pont 1 redresseur si ’ > 90 °. pont 2 onduleur si les tensions triphasées sont égales ’ =  . Applications Liaison de 2 réseaux en valeur moyenne 0 Pont complet 2 ic1 Pont complet 1 uc1L 3 3 secteur triphasé uc2 transfo ic2 transfo donc UC1 = UC0 cos = -UC2 = -U’C0 cos’ si  < 90 °.

Dissipateur thermique Nécessité d’un dissipateur thermique Tous les interrupteurs statiques ne sont pas parfaits. Si θJ > θJmax. ==> Pertes  Pertes par conduction  Pertes par commutation Ces pertes sont dissipées par effet Joule (Energie thermique). il y a destruction du composant. Il faut donc évacuer la puissance perdue par effet Joule. ==> Elévation de la température du composant. ==> Dissipateur thermique (appelé aussi radiateur) . La température θJ des jonctions (PN) des interrupteurs statiques est limitée à θJmax (donnée intrinsèque au composant fournie par le constructeur).

Dissipateur thermique Exemple de dissipateur thermique Refroidissement naturel par convection Refroidissement forcé Refroidissement forcé par ventilation par circulation de fluide caloporteur .

Dissipateur thermique Analogie THERMIQUE / ELECTRIQUE Electrique  Thermique Résistance électrique  Résistance thermique Différence de potentiel  Température Courant  Puissance dissipée Diode. MOS ou IGBT .

Schéma θJ θb θd θamb Rth JB Rth BD Rth DA Pd Jonction Boîtier Dissipateur Air ambiant Loi d’Ohm thermique :  J  amb   Rth .Pd .

Pour une résistance thermique. revient à diminuer la résistance thermique. prendre une marge de sécurité. plus elle est faible. . Donc. plus la chaleur est évacuée facilement et moins le composant chauffe. Dissipateur thermique Dimensionnement du dissipateur thermique J   amb RthDA  max  RthJB  RthBD Pd Remarque : Tout comme une résistance électrique. plus celle-ci est faible. plus le courant passe facilement.

Dissipateur thermique Exemple : On désire une résistance thermique de 2°C/W Longueur du dissipateur : 50mm .

. Les montages à commutation série (pont S3) :  Ce montage redresse les trois tensions engendrées dans des enroulements en triangle  C’est le cas des transformateurs à secondaire en triangle.

. v2 et v3 deviennent successivement positives (intervalle de conduction = 2π/3). D2 et D3 conduisent dès que les 3 tensions v1. v2 et v3 deviennent successivement négatives (intervalle de conduction = 2 π /3). D2’ et D3’ conduisent dès que les 3 tensions v1.  D1’. D1.

.

d’où : vC=(-v1)  · Pour 5 π /3 < wt < 2 π : D3 et D1’sont en conduction. d’où : vC=(v3) . d’où : vC=(v1)  · Pour 2 π /3 < wt < π : D2 et D3’sont en conduction. Pour 0 < wt < π/3 : D1 et D2’sont en conduction. d’où : vC=(v2)  · Pour 4 π /3 < wt < 5 π /3 : D3 et D1’sont en conduction. d’où : vC=(-v2)  · Pour π /3 < wt < 2π/3 : D1 et D3’sont en conduction. d’où : vC=(-v3)=v1+v2  · Pour π < wt < 4 π /3 : D2 et D1’sont en conduction.

d ( wt ) 3 3 2  3 3 Vc   Vm cos( wt )  Vc   Vm  3 3 3Vm 3    V  3    c 3  2 2  Tension aux bornes d’une diode (exemple D1 : Vd1) De 0 à 2π/3 : D1 est conductrice. donc vD1 = 0 · De 2 π /3 à 4 π /3 : D2 est conductrice. donc vD1 = -v2 · De 4 π /3 à 2 π : D3 est conductrice.  Calcul de la tension moyenne de sortie VC 2 2 3 3 1 3 Vc  6 2  v1 . donc vD1 = v1 .d (wt )  Vc     V m sin( wt ).

d’où : iS1=(1/3). d’où iS2=(-2/3).  Calcul de courants secondaires : Pour 0 < wt < π/3 : D1 et D2’sont en conduction.Ic . branche 2-2’-1 d’une résistance R et branche 2-3’-3-1’-1 d’une résistance 2R. nous avons (1/3). dans la branche 2-2’-1.Ic * et dans la branche 2-3’-3-1’-1. nous avons (2/3). * Donc.Ic et iS3=(1/3).Ic : d’où iS1=(1/3).Ic.Ic * IC est divisé en 2 branches.

Ic  · Pour 5 π/3< wt<2π : D3 et D1’sont en conduction. Pour π/3 < wt < 2 π /3 : D1 et D3’sont en conduction.Ic .Ic  · Pour π < wt < 4 π /3 : D2 et D1’sont en conduction. d’où : iS1=(-2/3). d’où : iS1=(2/3). d’où : iS1=(-1/3).Ic  · Pour 4π/3< wt <5π/3 : D3 et D1’sont en conduction. d’où : iS1=(-1/3).Ic  · Pour 2 π /3 < wt < π : D2 et D3’sont en conduction. d’où : iS1=(1/3).

 On obtient un courant secondaire alternatif non sinusoïdal .

Structures série Association d’un pont double et d’un montage polygone au secondaire du transformateur .

Structures série  Exemple : montage S5 .

tensions uc  uc1  uc2 uc  uc1 uc2 D1 D2 D3 D4 D5 D’4 D’5 D’1 D’2 D’3 . Montage S5.

p est voisin de 1 pour S9.90 lorsque q est grand f Au primaire.99 Utilisation particulière de montage Sq pour les très forts courants . fp = 0.90 q 1 2 fS tend vers 0. Conclusions Structures série On peut montrer : q f s  0.

2 UC0 U c0 amplitude de l’harmonique k : 1  kq2 q 2 3 6 12 fréquence 100 Hz 150 Hz 300 Hz 600 Hz  U 1M 0. Harmoniques.057 0.0099 U C 0 .47 0.25 0.667 0. filtrage 2q   Pour les montages U c0  sin Vm PDq  q Décomposition en série de Fourier.04 0.18 0.014 U C 0 U 1 eff 0.