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Semicondutores: Junção P-N

Semicondutores

Parei na pagina15
+ + +

+ + +

+ + +

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Semicondutores: Junção P-N

Átomo Quântico
Os elétrons da nuvem eletrônica dos átomos não têm todos a mesma energia. Os elétrons
distribuem-se por níveis de energia
Um orbital é uma região, dentro de um nível de energia, em que existe maior probabilidade de
encontrar um elétron.
En   2 eV 
13.6
Núcleo Orbitais
n
No centro do átomo, Prótons e
Nêutrons formam o pequeno mas
pesado núcleo.
n=1 Prótrons têm carga positiva;
Nêutrons não têm carga, isto é, são
n=2 s s p s p s d pd f neutros;
Prótons e nêutrons têm a mesma
massa;
n=3 Elétrons são carregados
negativamente e quase que não
n=4 têm massa;
Elétrons ocupam muito do espaço
“vazio” do átomo.
Níveis de Energia
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Semicondutores: Junção P-N

Movimento de Elétrons

O número de elétrons disponíveis depende dos níveis eletrônicos de um dado material e
de como estes níveis são ocupados. (Princípio de Exclusão de Pauli)
Corrente elétrica é todo o movimento ordenado de partículas eletrizadas (elétrons). Para
que esse movimento ocorra é necessário haver tais partículas − ions ou elétrons − livres no
interior dos corpos…

A condutividade :Capacidade dos materiais de conduzirem ou
transmitirem corrente elétrica. Quanto à condutividade, os
materiais podem ser classificados em condutores (os metais são
os melhores condutores), semicondutores e isolantes (ou
dielétricos).
A condutividade depende do número de elétrons disponíveis.

Resistividade elétrica (também resistência elétrica específica) é uma medida da oposição
de um material ao fluxo de corrente elétrica. Quanto mais baixa for a resistividade mais
facilmente o material permite a passagem de uma carga elétrica. A unidade da
resistividade é o ohm metro (Ωm).

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1 Metais   ≈107 (Ωm)-1    n q  Isolantes  10-10 ≤  ≤ 10-20 (Ωm)-1  Semicondutores 10-6 ≤  ≤ 104 (Ωm)-1  = resistividade. (ohm.6x10-19 coulombs].cm). Ela é simplesmente o recíproco da resistividade. semicondutores e isolantes (ou dielétricos). inversamente proporcionais e é indicativa da facilidade com a qual um material é capaz de conduzir uma corrente elétrica. n = número de portadores de carga por cm3. 13/08/2017 4 . q = carga carregada pelo portador (coulombs) [q do elétron= 1.  = condutividade elétrica (ohm-1.s).cm-1). Quanto à condutividade. os materiais podem ser classificados em condutores (os metais são os melhores condutores). ou seja.  = mobilidade dos portadores de carga (cm2/V. Semicondutores: Junção P-N Movimento de Elétrons Condutividade Elétrica Capacidade dos materiais de conduzirem ou transmitirem corrente elétrica.

1 d Coeficiente de temperatura da Resistividade () a  É NEGATIVO ρ dT L A  = resistividade.Como varia a resistividade com a temperatura? A concentração de portadores de carga (n). diminui com a temperatura. Semicondutores: Junção P-N Movimento de Elétrons Resistividade Elétrica Resistividade elétrica . Ω). aumenta m  2 rapidamente com a temperatura (elétrons e lacunas). CONCLUSÃO: a resistividade (). L R = é a resistência elétrica do material( ohms. ne  O tempo de relaxação  tem uma variação pequena comparada com o aumento de (n)….  L = comprimento. RA A = área da seção. 13/08/2017 5 .

na BC m 2kT EF é inicialmente entre o nível de impureza e o limite de banda. Semicondutores: Junção P-N Movimento de Elétrons Resistividade Elétrica Resistividade dos semicondutores: A concentração de portadores.  = Condutividade elétrica e 2 n  =Resistividade elétrica n   n  1 e = Carga do elétrons m* p = Mobilidade das lacunas n = Mobilidade dos elétrons Para semicondutores intrínsecos: p = Concentração de lacunas n = Concentração de elétrons e 2 n Eg K=constante de Boltzmann  1 n n  *  constant exp[. é exponencialmente dominada pela sua dependência da temperatura.energia Térmica do eletron. e portanto a condutividade. ] E = Intensidade do campo eléctrico m 2kT Eg= Energia da banda proibida Ef= Nível de Fermi Para semicondutores dopados: = Emissão espontânea e 2 n (E g  EF ) T.Temperatura Kelvin  n   n  *  constant exp[ - 1 ] m* =massa efetiva 2kT. após a maior parte das impurezas estarem ionizadas. e então com a temperatura aproxima-se de Eg / 2. 13/08/2017 6 .

Sólidos:. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria . 13/08/2017 7 .Cristalografia elementar Materiais Sólidos Amorfos Cristalino Policristalino (Non-cristalino Cristal simples Cristal simples. policristalinos e amorfos. são os três tipos gerais de sólidos.

Sólidos:. a distribuição e disposição desses átomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina. com repetição em três dimensões. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria .Cristalografia elementar Quando os átomos se unem para formarem as moléculas de uma substância. Sólido cristalino é a forma de uma substância sólida em que os átomos ou moléculas são dispostas num padrão definido. Átomo de silício O Germânio e o Silício possuem uma estrutura cristalina cúbica como é mostrado na seguinte figura 13/08/2017 8 .

Policristalino forma de pirite (Grãos) Estrutura cristal 13/08/2017 9 .Sólidos:. Material policristalino tem um elevado grau de ordem ao longo de muitas dimensões atómicas ou moleculares. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria .Cristalografia elementar  Policristal é um material constituído por um agregado de muitos pequenos cristais simples (também chamados de cristalitos ou grãos).

O silício amorfo pode ser usado ​em células solares e nos transistores de película fina. 13/08/2017 10 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria -Sólidos:. Os materiais amorfos não têm qualquer ordem de longo alcance.Cristalografia elementar: Amorfo (não-cristalino)  Amorfo-Sólido (não cristalino) é constituído por átomos orientados aleatoriamente. ions. mas eles têm diferentes graus de ordem de curto alcance. plásticos e vidros. ou moléculas que não formam padrões definidos ou estruturas reticulares. Os materiais amorfos têm ordem apenas em poucas dimensões atómicas ou moleculares. Exemplos para os materiais amorfos incluem silício amorfo.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria -Sólidos:. O cobre é o segundo melhor condutor. Prata e ouro são os melhores condutores.Condutores. Todos os elementos que não são considerados condutores ou isolantes são categorizados como semicondutores. Elementos cujos elétrons podem se mover mais livremente fazem bons condutores. O maior uso vai para o fio de cobre. Elementos cujos elétrons são instáveis ​e podem facilmente passar de um átomo para outro fazer bons condutores. determina se um material feito de um elemento. porque é um bom condutor e é menos dispendioso do que os outros metais. é um condutor. Elementos cujos elétrons são estáveis ​e não podem facilmente passar de um átomo para outro fazer bons isolantes. a maioria dos metais são bons condutores porque eles só têm um ou dois elétrons na sua faixa exterior. Em geral. isoladores e semicondutores A estabilidade dos elétrons no nível externo. Condutores Quando a camada externa de um átomo de um elemento está incompleta ou não completa de elétrons. os seus elétrons podem se mover mais livremente de um átomo para outro átomo. 13/08/2017 11 . isolante ou semicondutor.

.Condutores Condutor  Nos condutores. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria .  Estes elétrons requerem uma pequena quantidade de energia para se libertarem para a condução. os elétrons têm ligação fraca. A força em cada elétrons é suficiente para livrá-lo de sua órbita e poder saltar de um átomo para outro .o condutor conduz!  É por isso que se diz que os condutores têm uma baixa resistividade / resistência… 13/08/2017 12 . com a camada mais externa.  Ao aplicarmos uma diferença de potencial entre o condutor acima ..

por conseguinte. Portanto. + + + A ligação metálica resulta da partilha de um número variável de electrões por um número variável de + + + átomos. 13/08/2017 13 . os metais tem elevada condutividade elétrica e térmica. que + + + se movem livremente através do metal e estão espalhados entre os átomos na forma de uma nuvem de electrões de baixa densidade. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Condutores – ligações Metálicas Os elétrons de valência (os da última camada) estão fracamente ligados ao núcleo e. O metal pode ser descrito como uma nuvem de electrões livres.

o único elétrons é instável e (Cu) fracamente ligado ao átomo. pode facilmente mover-se para o exterior da camada. Assim. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria -Metais:. para um outro átomo adjacente 2 8 18 18 1 1 18 8 2 Este fluxo de elétrons livres é o que faz da prata e do cobre. Número de Elétrons em órbita Núcleo 14 13/08/2017 14 . bons condutores.Exemplo de Condutores – Prata e Cobre Prata Porque a camada mais externa da banda está (Ag) Cobre incompleta.

Exemplo de Isoladores – Néon e Árgon A órbita mais externa do Néon e do Árgon. é o que faz do Néon e do Árgon. sejam estáveis. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria . Isso faz com que os electrões da camada mais exterior. pode ter no máximo 8 (oito) electrões. bons isolantes. e na maioria Argon Neon das outras. (Ar) (Ne) 2 8 8 8 2 Esta estrutura electrónica estável. 13/08/2017 15 . É exactamente o que estes elementos têm.

A força em cada elétron não é suficiente para livrá-lo da sua órbita. o isolador não conduz!  É por isso que se diz que os isoladores têm uma alta resistividade / resistência… 13/08/2017 16 .  Estes elétrons exigem uma quantidade muito grande de energia para se libertarem para a condução…  Ao aplicarmos uma diferença de potencial entre o condutor acima . e poder saltar de um átomo para outro –Por isso. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Isolador Teoria . fortemente ligados ao núcleo...Isoladores  Os Isoladores têm os elétrons da sua camada externa.

entre a dos metais e a dos isoladores. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria . Silício .1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 Carbono . pela excitação óptica e com a adição das impurezas… 13/08/2017 17 .1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 (Ge) 4 8 2 Esta estrutura de electrões é o que faz do Carbono. 1s2 2s2 2p2 (Si) (C) A órbita mais externa de carbono e silício cada uma pode conter no máximo 8 (oito) electrões. que se modificam. (valência) São materiais de condutividade intermédia. o elemento é considerado um semicondutor. Porque ambos contêm quatro (4). do Silício e do Germânio. estes electrões não são nem estável nem instável. em grande medida pela temperatura.Semicondutores Quando a camada exterior de um elemento não está completa nem incompleta. bons semicondutores…4 electrões na última camada…. 2 4 Germânio . Os exemplos de bons materiais semicondutores são. Por exemplo o Carbono (utilizado para fazer resistências) o Silício e o Germânio (usados para fazer transistores).

dependendo do campo eléctrico em que se encontre. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Bandas de Energia Elemento que se comporta como condutor ou como isolante. (S) 16 (VI A) 6 e- 6eV Orbitais SEMICONDUTOR ISOLANTE CONDUTOR SEMICONDUTOR Distância interatómica Banda de Condução Banda de Valência Banda de Condução 13/08/2017 18 . As. In 13 (III A) 3 e- Si. Os elementos químicos semicondutores da tabela periódica se indicam na tabela seguinte. Sb 15 (V A) 5 e- Se. Te. Elemento Grupo Electrões na última camada Cd 12 (II A) 2 e- Al. Ge 14 (IV A) 4 e- P. Ga. B.

O mínimo de energia de electrões da Banda de condução é Ec. Lacunas ou Buracos são os vazios de electrões na banda de valência. respectivamente. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Bandas de Energia Electrões VS Buracos (Lacunas) Embora os electrões “sejam utilizados” na banda de valência em que "quase todos os estados de energia da banda de valência são preenchidos com electrões". Na localização inferior no diagrama de energia encontra-se o nível mais elevado de energia para as lacunas ou buracos chamada banda de valência e. devemos supor que o termo geralmente significa electrões da banda de condução. Qualquer energia acima de Ec é a energia cinética de electrões. Electrões e buracos transportam carga negativa e positiva (± q). Banda de valência - Buracos Electrões Ambos os electrões e buracos tendem a ocupar posições de mais baixa de energia. Ev é a energia mínima buraco. Banda de valência 13/08/2017 19 . é requerida energia para mover um buraco "para baixo". porque que é equivalente a mover um electrão para cima. Os Electrões podem ganhar energia por aceleração através de um campo elétrico e perder energia através de colisões com as imperfeições no cristal.

um electrão ou um “buraco” vão acelerar segundo: Aceleração  -qE Electrões -qE Aceleração  Buracos mn mp Massas efectivas para electrões e Buracos ou lacunas SI Ge As Ga InAs AlAs mn/m0 0.50 0.023 2.0 mp/m0 0. Onde ħ=h/2 é a constante reduzida de Planck. Uma descrição completa dos electrões num cristal deve ser baseada nas suas características de onda. os electrões e as lacunas interagem com um campo coulômbico periódico do cristal. e não apenas nas características de partículas. mn e mp não são a mesma coisa que a massa do electrão livre. e E a energia do electrão.068 0.12 0. A função de onda dos electrões é a solução da equação de onda de Schrödinger tridimensional. Eles “surfam” sobre o potencial periódico do cristal e. por conseguinte.39 0.26 0. V(r) é o potencial de energia do campo que o cristal apresenta num espaço tridimensional.30 Num cristal. m0 é a massa dum electrão livre. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Bandas de Energia Electrões VS Buracos (Lacunas) – Massa Efectiva Quando lhes é aplicado um campo eléctrico. 13/08/2017 20 .30 0.30 0.

Os valores listados na Tabela anterior são os valores medidos experimentalmente. e é uma função de E. chamada de vector “onda”. numa relação: qE d 2 E Aceleração  . que é igual a 2/comprimento de onda. Portanto. é conveniente introduzir o conceito da massa efectiva: 2 Massa efectiva  . que representa uma onda do electrão k. Assumindo que E–k . resolvendo a equação de onda de Schrödinger com computadores. 13/08/2017 21 .2   dK 2 Para interpretar a aceleração na forma de F / m.r). como uma relação esférica simétrica. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Bandas de Energia Electrões VS Buracos (Lacunas) – Massa Efectiva A solução é da forma: exp(k. Estes valores concordam bem com as massas efetivas obtidas.2 d E / dK 2 Cada material semicondutor tem uma relação E-k única (devido ao único V(r)) para a sua banda de condução e um outro relacionamento E-k exclusivo para a sua banda de valência. um campo eléctrico. Os valores também podem ser medidos com o uso de Ciclotron ressonância …. cada material semicondutor tem a sua única mn e mp. aceleraria um electrão como uma onda.

2p2) 1s2 2s2 2p2 -Electrão de valência 13/08/2017 22 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores .1s2) 2º Nível (N2.2s2.Carbono Átomo de Carbono Núcleo Número Atómico Massa Atómica Protão Neutrão Estados de Oxidação Símbolo Químico Nome Distribuição Electrónica por níveis de Energia Configuração Cerne 1º Nível (N1.

última camada. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores . 2p2 . nível 2. logo tem 4 estados vazios 4 estados vazios 4 Electrões de valência . 2s2 _ _ 1s2 Distância interatómica Estados discretos Banda de estados (átomos isolados) 13/08/2017 23 .Carbono Carbono: gasoso (6 electrões) 1s2. pode ir até 8. tem 4 electrões. 2p2 ... 2s2.

duro e isolante Hexagonal.- .- .- Energia . ..Carbono Redução da distância interatómica do Carbono. . negro.. transparente. .- Distância interatómica Diamante: Grafite: Cúbico.- . brando e condutor 13/08/2017 24 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores .

.- Se um electrão da banda de valência alcançar a energia necessária para saltar para a banda de condução. poderia mover-se para um estado vazio da banda de condução de outro átomo vizinho. gerando corrente eléctrica. Á temperatura ambiente quase nenhum electrão tem essa energia. É um isolante 13/08/2017 25 .Diamante Banda de condução 4 estados/átomo Energia Banda proibida Eg=6eV .Carbono Diagrama de Bandas do Carbono: . 4 electrões/átomo Banda de valência . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores .

Carbono Diagrama de Bandas do Carbono: .Grafite 4 estados/átomo Banda de condução Energia Nível de Fermi . Banda de valência 4 electrões/átomo Não há banda proibida. 13/08/2017 26 .. pelo que podem mover-se gerando corrente eléctrica. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores . Á temperatura ambiente é um bom condutor.- . Os electrões da banda de valência têm a mesma energia que os estados vazios da banda de condução.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores .Germânio Átomo do Germânio Número Atómico Massa Atómica 1º Nível (N1) Estados de Oxidação 2º Nível (N2) 3º Nível Símbolo Químico (N3) Nome Distribuição Eletrônica por níveis de Energia Configuração Cerne 4º Nível (N4) -Elétrons de valência 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2 13/08/2017 27 .

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores . gerando corrente eléctrica.Germânio Diagrama de Bandas do Germânio: 4 estados/átomo Energia Banda de condução Eg=0. pode mover-se para um estado vazio da banda de condução de outro átomo vizinho. 13/08/2017 28 . 4 electrões/átomo Banda de valência . É um semicondutor. Á temperatura ambiente alguns electrões têm essa energia.67eV Banda proibida .- Se um electrão da banda de valência alcançar a energia necessária para saltar para a banda de condução..

Silício Número Atómico Massa Atómica Átomo de Silício Núcleo Estados de Oxidação Protão Símbolo Neutrão Químico Nome Distribuição Eletrônica por níveis de Energia Configuração Cerne 1º Nível (N1) 2º Nível (N2) 3º Nível (N3) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 -Elétrons de valência 13/08/2017 29 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores .

É um semicondutor. (maior do que no germânio) pode mover-se para um estado vazio da banda de condução de outro átomo vizinho. Á temperatura ambiente alguns electrões têm essa energia. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores . 13/08/2017 30 ..-  Tal como no Germânio. se um electrão da banda de valência alcançar a energia necessária para saltar para a banda de condução. 4 electrões/átomo Banda de valência .Silício Diagrama de Bandas do Silício: 4 estados/átomo Energia Banda de condução Eg=1. gerando corrente eléctrica.09eV Banda proibida .

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores . já que nenhum electrão tem energia suficiente para passar da banda de valência para a banda de condução.Materiais Diagrama de Bandas: Banda de Banda de Banda de condução condução condução Nível de Fermi Eg Nível de Fermi Eg Nível de Fermi Banda de valência Banda de valência Banda de valência Isolante Semicondutor Condutor Eg=5-10eV Eg=0. Ao aumento da temperatura. alguns electrões dos semiconductores alcançam esse nível.5-2eV Não há Eg A 0ºK. aumenta a condução nos semicondutores (ao contrário que nos metais). A 300ºK. 13/08/2017 31 . tanto os isolantes como os semicondutores não conduzem.

. quatro electrões na sua camada externa. partilha os seus quatro electrões externos. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Silício Intrínseco Os Semicondutores têm uma resistividade/resistência entre a dos condutores e os isoladores. Os seus electrões da última camada ( electrões de valência). com os quatro átomos vizinhos!. mas um pouco de energia vai libertá-los para a condução… Os dois semicondutores mais comuns são os de silício e de germânio… O silício tem uma valência de quatro ou seja.são mostrados como linhas horizontais e verticais entre os átomos 13/08/2017 32 . Estes electrões compartilhados – de ligação . Cada átomo de silício.. não são livres para se mover.

para cada um bilião de átomos do material escolhido. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Silício Intrínseco O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que. estável. não possui mais de um átomo de elemento químico estranho. A interferência da impureza não é suficiente par interferir na estabilidade do material. ou uma parte por bilhão. intencionalmente. é chamado 1 ppb. não-intencionalmente. aproximadamente. Todos possuem quatro electrões na camada de valência. formando estruturas reticuladas ou cristalinas. no semicondutor dopado. Três elementos comuns na dopagem electrónica são o Carbono. portanto. Por outro lado. 1 ppm. um semicondutor dopado possui. sendo o cristal. o Silício e o Germânio. mil vezes mais impurezas do que os semicondutores intrínsecos. o que possibilita que formem cristais já que compartilham seus electrões com os átomos vizinhos. ou uma parte por milhão. 13/08/2017 33 . neste caso. Os semicondutores dopados (Extrínsecos) possuem. um semicondutor no estado puro… O teor de impureza. cerca de um átomo de elemento químico desejado (ao contrário do estranho) para cada um milhão de átomos do material escolhido. Ou seja. O teor da impureza é.

consequentemente o material comporta-se como um isolante Nesta estrutura cristalina. 13/08/2017 34 . e cada um dos quatro elétrons de valência de um átomo é compartilhado com um elétron do átomo vizinho. A essa temperatura. por meio de ligações covalentes. a estrutura cristalina ilustrada. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Silício Intrínseco Si: silício Efeitos da temperatura 0ºK Si Si Si  Na prática. só é conseguida quando o cristal de silício é submetido à temperatura de zero graus Kelvin Si Si Si (ou -273ºC). de modo que dois átomos adjacentes compartilham os dois elétrons. e os átomos têm oito elétrons de valência o que faz com que o átomo tenha estabilidade Si Si Si química e molecular. logo não há elétrons livres e. todas as ligações covalentes estão completas. cada átomo (representado por Si) une-se a outros quatro átomos vizinhos.

13/08/2017 35 . mas à temperatura ambiente (25oC) já se torna um condutor porque o calor fornece a energia térmica necessária para que alguns dos elétrons de valência deixem a ligação covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns elétrons livres no semicondutor. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Silício Intrínseco Si: silício Efeitos da temperatura 0oK Si Si Si + Si Si Si 300ºK (27oC) Elétron Lacuna Si Si Si  À temperatura de zero graus absolutos (Kelvin) (-273oC) comporta-se como um isolante.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Silício Intrínseco Acção de um campo elétrico . + . A temperatura afeta fortemente as propriedades elétricas dos semicondutores: Maior temperatura  mais portadores de carga  menor resistência 13/08/2017 36 . + + + Si Si Si . + Si Si Si . + Si Si Si . + Conclusões: A corrente num semicondutor é devida a dois tipos de portadores de carga: Lacunas (ou buracos) e Elétrons. + .

Ge . . 13/08/2017 37 . Ge . Ge . Ge . . . . Ge . . . . - . - Ge . . - Ge . - . . Isto equivale a que os electrões da banda de valência não podem saltar para a banda de condução. . . Ge . . . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Germânio Intrínseco Efeitos da temperatura Ge: Germânio . . - Não há ligações covalentes abertas a 0oK. . 0ºK .

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Semicondutores
Teoria – Semicondutores – Germânio Intrínseco
Efeitos da temperatura
Ge: Germânio - - - 0ºK K
300º
-
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+
-
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
Há 1 ligação em aberto por cada 1,7·109 átomos.
1 electrão “livre” e uma carga “+” por cada ligação em aberto.
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Semicondutores
Teoria – Semicondutores – Germânio Intrínseco 300º K
Efeitos da temperatura
-
Ge: Germânio - - - Geração
-
- - - - +
Recombinação
-
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - - -
- Geração - -
+ Recombinação Geração
-
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
Há sempre ligações que se estão abrindo (geração) e reconstruindo (recombinação). A
vida média de um electrão pode ser da ordem de milissegundos ou microssegundos.
g- Taxa de geração de pares electrão buraco (ou lacuna) e-b (cm-3s-1). Equilibrado
g=r
r- Taxa de recombinação de pares electrão buraco (ou lacuna) e-b (cm-3s-1).
13/08/2017 39

Semicondutores: Junção P-N

Semicondutores
Teoria – Semicondutores – Germânio Intrínseco 300º K
Efeitos da temperatura
Ge: Germânio - -
- -

-

+++++
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - -
-
-
-
- --
-
- -
-
-

- -
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-

- - - - -
- +
O electrão livre, move-se por acção do campo. E a carga ”+” (lacuna)?.
13/08/2017 40

. . . . chamado “Lacuna” ou + buraco. -- - . É o novo portador de carga. - - +++++ . . Ge . - Ge + - - Ge + - - Ge - - Ge - . . Ge . - . .- - - - . - -+ …E a carga “ ” move-se também. Ge . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Germânio Intrínseco 300º K Efeitos da temperatura Ge: Germânio . - Ge . 13/08/2017 41 . - - - .

 Considerando que os electrões se movem numa direcção oposta ao campo elétrico aplicado. 13/08/2017 42 . + ++ ++ ++ ++ . . -. . - . - - + ++ ++ ++ ++   jp jn  - Existe corrente eléctrica devida aos dois portadores de carga:  jp=e·p·p·E é a densidade de corrente de lacunas. -.   Jn=e·n·n·E é a densidade da corrente de electrões. num campo eléctrico  E - +++++ .. . . . as lacunas movem-se na direcção do campo eléctrico. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Intrínsecos 300º K Efeitos do Campo Eléctrico Movimento de Cargas .

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Intrínsecos Movimento de Cargas num campo eléctrico      jp=e· p·p· E  jn=e· n·n· E e = Carga do electrão p = Mobilidade das lacunas n = Mobilidade dos electrões p = Concentração de lacunas n = Concentração de electrões E = Intensidade do campo eléctrico Ge Si As Ga Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3 (cm2/V·s) (cm2/V·s) (cm2/V·s) Si: ni = 1010 portadores/cm3 n 3900 1350 8500 AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3  (á temperatura ambiente) p 1900 480 400 13/08/2017 43 .

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos Há diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electrão-lacuna livres no interior de um cristal semicondutor. contudo. por meio de técnicas especiais. consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor. uma determinada quantidade de outros tipos de átomos. Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrínseco. Isto é conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele (dopagem). necessitamos de um cristal semicondutor em que o número de electrões livres seja bem superior ao número de lacunas. 13/08/2017 44 . Outra maneira. Na prática. Um deles é através da energia térmica (ou calor). aos quais chamamos de impurezas. ou de um cristal onde o número de lacunas seja bem superior ao número de electrões livres.

Gálio (Ga). Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos . os electrões. as lacunas. e impurezas ou átomos aceitadores (Trivalentes . aos quais chamamos de impurezas. Fósforo (P) ou Antimónio (Sb). contudo.Arsénio (AS). Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrínseco. Boro (B) ou Alumínio (Al).. ou do tipo N.Dopagem Na prática. As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrínseco podem ser de dois tipos: impurezas ou átomos dadores (Pentavalentes . para aplicação em circuitos de dispositivos electrónicos.Índio (In). ou onde o número de lacunas seja bem superior ao número de electrões livres. Isto é conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele (dopagem). por meio de técnicas especiais. 13/08/2017 45 . uma determinada quantidade de outros tipos de átomos. Sb Al A finalidade é dotar os semicondutores de propriedades de semicondução controlada específica (presença maioritária de portadores de carga do tipo P. necessitamos de um semicondutor em que o número de electrões livres seja bem superior ao número de lacunas.

13/08/2017 46 . Si Si Si A introdução de átomos pentavalentes (como o Arsénio) num semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam electrões livres no seu interior. dopado com impurezas dadoras é designado por semicondutor do tipo N (N de negativo. Si Si Sb Si Á temperatura ambiente todos + os átomos de impurezas se + encontram ionizados. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Silício TIPO N Impurezas do grupo V da tabela periódica: Sb Antimónio Si Si Si  É necessária muito pouca energia para ionizar o átomo de Sb. Todo o cristal de Silício ou Germânio. Como esses átomos fornecem (doam) electrões ao cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou átomos dadores. referindo-se à carga do electrão).

mn… 13/08/2017 47 . Actuam como portadores de carga positiva. pode ser estimada através da modificação da teoria de energia de ionização de um átomo de hidrogénio…. A modificação consiste em substituir ε0 com 12ε0 (onde 12 é o permissividade relativa de silício) e recolocar m0 com a massa efectiva do electrão. 4 A energia necessária para ionizar um átomo doador (isto é. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Silício TIPO N Impurezas grupo V + Sb + Sb + Sb + Sb Lacunas livres + Sb + Sb Carga móvel + Sb + Sb + Sb + Sb 300ºK + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb Electrões livres  Carga móvel Átomos de impurezas Ionizados Carga estática Os portadores maioritários de carga num semicondutor tipo N são os electrões livres. para libertar o electrão E  m0 q 8 02 h 2 ion adicional e deixar para trás um ião positivo). Actuam como portadores de carga negativa. Os portadores minoritários de carga num semicondutor tipo N são as Lacunas ou buracos.

/atm. 0ºK Energia - +- ESb=0.- ./atm./atm. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Silício TIPO N Interpretação no diagrama de bandas de um semicondutor extrínseco Tipo N 34 est. 300ºK 10 electr./atm.039eV Eg=0./atm.4 electr. est.67eV . muito perto da banda de condução. electr.. O Sb gera um estado permitido na banda proibida. A energia necessária para alcançar a banda de condução consegue-se á temperatura ambiente. 13/08/2017 48 .

Si Si Al Si Á temperatura ambiente todos + . 13/08/2017 49 . Si Si Si A introdução de átomos trivalentes (como o Alumínio) num semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam lacunas livres no seu interior. os átomos de impurezas se encontram ionizados. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Silício TIPO P Impurezas do grupo III da tabela periódica: Al Alumínio Si Si Si  É necessária muito pouca energia para ionizar o átomo de Al. Todo o cristal puro de Silício ou Germânio. dopado com impurezas aceitadoras é designado por semicondutor do tipo P (P de positivo. Como esses átomos recebem (ou aceitam) elétrons eles são denominados impurezas aceitadoras ou átomos aceitadores. referindo-se à falta da carga negativa do elétron).

Os portadores minoritários de carga num semicondutor tipo P são os electrões. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Silício TIPO P Impurezas grupo III - Al - Al - Al - Al Electrões livres - Al - Al  Carga móvel - Al - Al 300ºK - Al - Al - Al - Al - Al - Al - Al - Al Lacunas livres Átomos de impurezas Carga móvel ionizados Carga estática Os portadores maioritários de carga num semicondutor tipo P são as Lacunas livres. Actuam como portadores de carga positiva. 13/08/2017 50 . Actuam como portadores de carga negativa.

gerando uma lacuna na banda de valência.. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Silício TIPO P Interpretação no diagrama de bandas de um semicondutor extrínseco Tipo P 4 est. 4 electr./atom./atom. consegue-se á temperatura ambiente. 0 huecos/atom. O Al gera um estado permitido na banda proibida. Eg=0. 13/08/2017 51 .67eV +. . 1 lacuna/atom. muito perto da banda de valência.067eV ./atom. 3 electr. 300ºK 0ºK Energia EAl=0.. A energia necessária para que um electrão alcance este estado permitido.

. - Ge . . - . - 2 - . 1 5 . 13/08/2017 52 . - . Ge . Ge . . . . A 0oK. .. - Tem 5 electrões de valência na última camada. há um electrão adicional ligado ao átomo de Sb. . - Ge . . . Ge . 4 3 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO N 0ºK Introduzimos pequenas quantidades de impurezas do grupo V . - . . . Ge Ge Sb .

13/08/2017 53 . -  A 300ºK. O Sb é um dador e no Ge há mais electrões que lacunas. Ge Ge Sb+ . - . . É um semicondutor tipo N. Ge . . . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO N 300ºK 0ºK . Ge .. - 2 - . - Ge . . - Ge . Ge . . . . . 5 . - . . . - . todos os electrões adicionais dos átomos de Sb estão desligados do seu átomo (podem deslocar-se e originar corrente eléctrica). 1 5 . Sb 4 3 . .

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO N Germânio dopado com Arsénio 300ºK Electrões livres + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb + Sb Átomos de impurezas ionizados Os portadores maioritários de carga num semicondutor tipo N são electrões livres. Crista\l.swf 13/08/2017 54 .

/atm.4 electr./atm..039eV Eg=0. consegue –se á temperatura ambiente. est./atm. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO N Interpretação em diagrama de bandas de um semicondutor extrínseco Tipo N 43 est./atm./atm. muito perto da banda de condução.- . A energia necessária para alcançar a banda de condução.67eV .  O Sb gera um estado permitido na banda proibida. - +- ESb=0. 0oKoK 300 Energia electr. 13/08/2017 55 . 01 electr.

há uma falta de elétrons ligado ao átomo de Al. 13/08/2017 56 . 3 . A 0oK. . Ge . . Ge . Ge Ge Al - . . 1 . . . . - Tem 3 elétrons de valência na última camada. . . Ge . - Ge . - Ge . . - . . - 2 - . . - 0 oK . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO P Introduzimos pequenas quantidades de impurezas do grupo III .

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO P 0oK 300 . . . 4 (extra) - 3 -  A 300ºK. - . . - Ge . Ge Ge Al Al . . - . É um semicondutor tipo P. . . . . Ge + . 1 . . O Al é um aceitador e no Ge há mais lacunas que elétrons. . nos quais geraram lacunas. - . Ge . 13/08/2017 57 . . . Ge . todos a “faltas” elétrons (lacunas) dos átomos de Al estão cobertas por elétrons procedentes de átomos de Ge. - 2 - . - Ge .

 O Al gera um estado permitido na banda proibida. 0 huecos/atom. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Germânio TIPO P Interpretação em diagrama de bandas de um semicondutor extrínseco Tipo N 0oKoK 300 4 est. . 4 electr. muito perto da banda de valência./atom. 3 electr. gerando uma lacuna na banda de valência.67eV +.. consegue –se á temperatura ambiente. 13/08/2017 58 . A energia necessária para que um electrão alcance este estado permitido./atom.067eV . 1 lacuna/atom. Eg=0. Energia EAl=0./atom..

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores – Extrínsecos – Resumo Semicondutores intrínsecos: Igual número de lacunas e de elétrons Semiconductores extrínsecos: Tipo P: Mais lacunas (maioritários) que elétrons (minoritários). Todos os átomos de aceitador ionizados “-”. Impurezas do grupo III (aceitadores). Tipo N: Mais elétrons (maioritários) que lacunas (minoritários) Impurezas do grupo V (dadores). Todos os átomos de dador ionizados “+”. 13/08/2017 59 .

. . +. . - . . . - . das lacunas e dos estados.. . electrões. . .. . .. . . . - .. valência . . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Diagramas de bandas do cristal Cristal de Ge com m átomos 4·m estados 0ooKK 300 Banda de Energia Condução . .. . . . - .. . - . +. . 4·m electrões na realidade? 13/08/2017 60 . . - Banda de .. ..  Como é que é a distribuição dos . . . .

O conceito de energia de Fermi é um conceito Dc(E) extremamente importante para a compreensão das Ec propriedades eléctricas e térmicas de sólidos. Zona EF Intrínseco 0oKoK proibida Altas temperaturas 300 Não Á há electrões acima Alguns temperatura podem da ambiente banda algunsadeBanda alcançar valência electrões de Ev o atêm 0 K. Este conceito vem da estatística de Fermi-Dirac. a zero absoluto. pelo princípio de exclusão de Pauli.5 1 13/08/2017 61 . e criar um "mar de Fermi" de estados de energia.acima Fermi do nível de Fermi e não há estados vazios na Dv(E) zona proibida (Bandgap) Banda de Valência 0 f(E) 0. Assim. não podem ter estados de energia idênticos. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: O “Nível de Fermi" é o termo utilizado para descrever a parte superior do conjunto de níveis de energia dos electrões à temperatura do zero absoluto.energia umaevez que nenhum tem energia condução originarem acima do n´velde corrente eléctrica. Os electrões. onde nenhum electrão terá energia suficiente para elevar-se acima dessa superfície. ficam “empilhados” nos estados mais baixos de energia disponíveis. O nível de Fermi é a superfície desse mar á temperatura Banda de Condução E de zero absoluto.

terão a probabilidade 1 e Para E > EF : f ( E  EF )   0 os acima a probabilidade de zero. A altas temperaturas. Ver a distribuição Maxwell- Boltzmann. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: A função de Fermi f(E) dá a probabilidade de um determinado estado de energia disponível. Fermi . os “fermiões” ocuparão os estados de energia abaixo do nível EF . chamado de nível de Fermi. estando limitados pelo principio de exclusão de Pauli. ser ocupado por um electrão a determinada temperatura. 1  exp (  ) 1 Para E < EF : f ( E  EF )   1 1  exp (  ) 13/08/2017 62 . algumas partículas podem elevar-se acima do nível de Fermi. com uma (e só uma) partícula (electrões). para discussão do termo exponencial Para baixas temperaturas. os estados de energia 1 abaixo do nível de Fermi EF. A função de Fermi vem de estatísticas de Fermi-Dirac e tem a forma Á temperatura de zero absoluto. Probabilidade de 1 A diferença quântica que surge que uma partícula terá o nível de f(E) = (E-EF)/kT do fato de que as partículas são energia E.Dirac e +1 indistinguíveis.

6  105 eV/K 1+e T= Temperatura absoluta 1 T=0oK 0. em condição de equilíbrio. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi:  f(E) é a probabilidade de um estado de energia E.5 T=500oK 0 T=300oK EF E 0 13/08/2017 63 .38 1023 J/K = 8. EF= Nível de Fermi 1 f(E) = (E-EF)/kT k= Constante de Boltzmann f(E) = 1. seja ocupado por um electrão.

todos os estados de baixa energia estão ocupados. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Á temperatura de T= 0oK A esta temperatura. Á temperatura de 0oK. mas nenhum estado de energia maior que o nível de Fermi (EF) está ocupado. como a água enche uma panela de ferver água. de baixo para cima. Portanto. tendem a preencher os estados mais baixos de energia. na natureza. Os electrões preenchem os estados disponíveis. os electrões num sólido. as partículas procuram ocupar o estado de energia menor possível. 13/08/2017 64 . até o nível de Fermi. em primeiro lugar.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Á temperatura de T  0oK Para T> 0. alguns electrões podem ser excitados em estados de maior energia. A Função de Fermi para temperaturas acima de zero. na forma de vapor. a energias mais altas. A maioria das moléculas de água ficam junto ao fundo da panela. Isto é semelhante a uma panela de água quente. Uma fração de moléculas de água estão excitadas e deslocam-se para cima da linha de água. assim como os electrões podem. 13/08/2017 65 . mover-se acima do nível de Fermi. O nível de Fermi é como a linha de água. é proporcional à função de Fermi. A sua densidade. por vezes. Alguns electrões flutuando acima do nível de Fermi.

e pode ser ocupado por um. todos com a mesma energia. Nós aproximados estados. Num semicondutor. como se fossem uma banda contínua.  A densidade de electrões num semicondutor. 13/08/2017 66 . por volume. e só um electrão. mostrando como a função de Fermi é modulada pela densidade de estados permitidos (que é igual a zero no interior da Zona proibida). Para fazer-mos uso da Zona Proibida função de Fermi. um grande número de estados aparecem em níveis de energia muito próximos uns dos outros. Suponha que existem N estados permitidos na energia E. nós precisamos de outra função que tenha unidades de estados. Por exemplo. é N xF(E). por nível de energia. ocupado. Então. e imaginar que um "nível de energia" é o mais pequeno intervalo de energia de largura dE. não há nenhum estado permitido dentro da “Zona Proibida” (Bandgap). Cada subnível é chamado de "estado". Num sólido com vários átomos. nem todos os níveis de energia são permitidos. a probabilidade de encontrar em estado na energia E. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Nos semicondutores Lembre-se que um nível da energia "pode” conter vários subníveis.

dizendo-nos quantos estados existem realmente num material específico. obtemos o número total de electrões. Seja n a concentração total (por volume) de transportadores móveis na banda de condução. Esta é uma função de densidade.  Podemos multiplicar N (E) e F (E) em conjunto. dentro dos níveis de energia E. resultando em unidades de electrões por nível de energia. A densidade de estados complementa a função de Fermi. por unidade de volume: Zona Proibida  Pela integração de todos os níveis de energia. os electrões que podem participar na corrente elétrica). e E + dE. a função de Fermi diz-nos a probabilidade de um estado estar ocupado. Então n dado por: n   F E N E dE E 0 EC 13/08/2017 67 . obtemos o número total de electrões móveis (ou seja.  Então. Integrando somente sobre a “banda de condução” EC. significando: 0N (E) =1. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Nos semicondutores – Densidade de Estados  N (E) é a fracção de todos os estados permitidos.

V.C.  = 2 . 2   (EV -E) .10m0 mv* = 0. para GaAs.É a massa efetiva dos electrões para efeitos de cálculo da 2    2 2 C densidade de estados (NC)próximo do mínimo da B. na B.5 m0 2 13/08/2017 68 . já não está EC confinado ao sólido.56 m0 Ge: mc* = 0. Um electrão com energia maior que E0. 1/2 2    Si. m*C .V. (m*C m*e). os estados de interesse podem ser expressos relativamente á mínima (B.  Em condições normais.C. é o topo da banda de condução. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Nos semicondutores – Densidade de Estados (Cont.C. na B.)/máxima (B.31 m0 GaAs: mc* = 0. e pode viajar pelo espaço.55m0 mv* = 0.É a massa efetiva das lacunas para efeitos de cálculo da 1  2m *V  densidade de estados (NV)próximo do máximo da B.) energia: 2k 2 2k 2 (E na BC ): E  EC  * (E na BV ): EV  E  3/2 2m C 2m*V 1  2m *C    1/2 (E-E ) .)  Onde E0 . (m*V m*d).V. mc* = 1.068 m0 mv* = 0. chamado de “nível n   F E N E dE E0 de vácuo”. D (E )  3/2 m* V .Sendo NC:  N C   2  mn  kT / h  2 3/2 Para Si = 12 . a densidade de estados toma a fórmula: 2 NC E  EC N E    .  Na Banda de Condução.  kT 3/2 Aproximação Parabólica Dentro das bandas a energia. para aproximações das densidades de portadores de carga.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Nos semicondutores – Densidade de Estados (Cont. a probabilidade de uma lacuna móvel. é dada por: 1 F (E ) Se não for ocupado por um electrão. precisamos de explicar a densidade de "estados de lacunas" que ficam na Banda de Valência. cada electrão móvel. existir no nível de energia E. um buraco ou lacuna na banda de valência. logo é uma lacuna… 13/08/2017 69 .  Uma vez que as lacunas também são móveis.) Electrões vs lacunas (buracos). Porque uma lacuna é um estado “não ocupado“.  Num semicondutor sólido em equilíbrio térmico. deixa para trás.

Semicondutores: Junção P-N

Semicondutores
Teoria – Semicondutores
Função de Fermi: Nos semicondutores – Densidade de Estados (Cont.)
Electrões vs lacunas (buracos).
 Porque as lacunas também são móveis, devemos contá-las
quando se considera a concentração total de cargas móveis.
Seja p a concentração total de cargas móveis na banda de
valência:

1  F E N E dE
EV
p


 Na banda de condução, a densidade de estados de
buracos é:

NV EV  E
N E  
2

 kT 3/2
- Sendo NV: 
NV  2 2  mp  kT / h2 3/2

 A densidade de electrões móveis na banda de condução, e a
densidade correspondente de lacunas móveis na banda de valência.

13/08/2017 70

Semicondutores: Junção P-N

Semicondutores
Teoria – Semicondutores
Função de Fermi: Semicondutor Intrínseco em equilíbrio
Electrões
Estados possíveis Ev

Dc(E)
E
1-f(E)

p = Dv (E)·(1-f(E))·dE = n
-

Ec

EF
Ev
 O nível de Fermi, tem que ser
Dv(E) tal, que as áreas que
f(E) representam lacunas e
electrões, sejam idênticas
(sem. intrínseco)
Lacunas
Estados possíveis 0 0,5 1
13/08/2017 71

Semicondutores: Junção P-N

Semicondutores
Teoria – Semicondutores
Função de Fermi: Semicondutor Intrínseco em equilíbrio
 Nos semicondutores intrínsecos o Nível de Fermi situa-se próximo do meio da “Banda
proibida” (gap) e os estados considerados têm energias “E” muito distantes desse nível de
energia.
NOTA: kBT 0,026 (eV), á temperatura ambiente (T = 300o K). Portanto, nos materiais
semicondutores (Eg1 eV):

Densidade de Estados próximos do mínimo da Banda de Condução/Máximo da Banda de
Valência:

……..

13/08/2017 72

tem-se que: .Para T = 3000 K.Quando se trata especificamente de um semicondutor intrínseco: n = p= ni -Com isso. Nível de Fermi: Localização no Semicondutor Intrínseco EF = Ei .e. Ei no meio do “gap”) . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Semicondutor Intrínseco em equilíbrio  Independentemente de se tratar de um semicondutor “puro” (intrínseco) ou de um material “dopado” (extrínseco).026 eV << Eg e assim: Somente quando T =0o K. uma vez que mv* mc*. possa ser aproximada da Distribuição de Boltzmann fB(E).  Finalmente. desde que se tenha [E — EF] >> kBT de modo que a Distribuição de Fermi f(E). observe que: 13/08/2017 73 . as expressões obtidas para “n” e “p” serão válidas como excelentes aproximações para o cálculo das populações de portadores-livres nas respectivas bandas de energia. tem-se que kBT 0.Note que: (i.

Extrínsecos N e P nnn 1-f(E) 1-f(E) Baixa o nível de Sobe o nível de Fermi Fermi p p p f(E) f(E) Semiconductor extrínseco tipo P NumSemiconductor intrínseco semicondutor tipo n. Intrínsecos. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Concentração de lacunas e electrões em sem. tipo N 13/08/2017 74 . o nível de Fermi é acima do nível intrínseco e num semicondutor Semiconductor extrínseco tipo p o nível de Fermi é abaixo do nível intrínseco.

- Ec -..- Eg Zona EF E EF= (EC-EV)/2 proibida F T0 T=0 Ev p(E) Dv(E) 1-f(E) p  NV exp EF  EV  / kT  Banda de Valência Banda de Valência  ni  N(E) 0 0.. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Semicondutor Intrínseco em equilíbrio f(E) = Probabilidade de ocupação por um electrão (banda de condução)........5 1 f(E) 13/08/2017 75 . Diagrama de EBandas de Energia E Densidade estados de E Probabilidades de ocupação E Distribuição de portadores de carga Banda de Condução n  NC exp EC  EF  / kT  Dc(E) Banda de Condução f(E)  ni  n(E) . 1-f(E) = Probabilidade de ocupação por uma lacuna (banda de valência)..

.5 1 f(E) 13/08/2017 76 ..........- ED ED Nível do dador np  ni 2 EF Eg Ev Dv(E) p(E) Banda de Valência N(E) 0 0...--- Ec ..... Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Semicondutor Tipo N Diagrama de Densidade de EBandas de Energia E estados E Probabilidades ocupação de E Distribuição de portadores de carga Banda de Condução Dc(E) ...... n(E) ..

.. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores Função de Fermi: Semicondutor Tipo P Diagrama de Densidade de EBandas de Energia E estados E Probabilidades ocupação de E Distribuição de portadores de carga Banda de Condução Dc(E) n(E) Ec . .- Eg np  ni 2 EF EA Nível do aceitador EA Ev p(E) Dv(E) Banda de Valência N(E) 0 0.5 1 f(E) 13/08/2017 77 . . .

146 eV E com p = 1014cm–3? EF – Ev = kT ⋅ ln(Nv ⁄ p) =0.026 ln1. com n = 1017cm–3? Ec – EF = kT ⋅ ln(Nc ⁄ n) =0. a 300oK .31eV 13/08/2017 78 . nas Banda de energia de Silício. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Função de Fermi: Semicondutor Tipo N/P Onde está localizado o nível de Fermi EF.8 x1019 / 1017 = 0.026 ln2.04 x1019 / 1014 = 0.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Diagrama de Bandas de um Semicondutor.n Eİ Campo Eléctrico Buraco (h) Movimento dos Electrões EV Movimento dos buracos 13/08/2017 79 . na presença de um campo eléctrico Em equilíbrio (sem campo externo ) EC Todas as energias são Eİ Semicondutorpuro sem dopagem horizontais EV Como é que essas energias vão mudar quando lhe aplicarmos um campo eléctrico? + - EC qV Ef e- Tipo .

as bandas de energia inclinam-se para baixo consoante o semicondutor. os electrões fluem da esquerda para a direita e os buracos da direita para a esquerda. + qV Eİ Ef Tipo . na presença de um campo eléctrico Com campo externo aplicado Com um campo aplicado.p EV Campo Eléctrico Movimento dos Electrões Buraco (h) Movimento dos buracos 13/08/2017 80 . Num semicondutor do tipo p. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Diagrama de Bandas de um Semicondutor. para ocuparem os níveis mínimos de energia… e- EC .

04 × 1019 2. A probabilidade de um estado de energia ser ocupado por um por uma lacuna é a probabilidade de não ser ocupado por um electrão. 1 . A concentração de electrões é simplesmente o produto de Nc com a probabilidade dos   EC  E F ) / kT  estados de energia em Ec. Nc  2  2  Germânio Silício GaAs  h  p  NV e   EF  EV ) / kT  Nc (cm–3) 1.8 × 1019 4. na Banda de Valência Diferem porque mn e mp são diferentes…  2 m p kT  3/2 Valores de Nc e Nv para Ge. e GaAs 300o K. isto é. fossem comprimidos num único nível de Nc  2  2 m n kT    energia. Si.É chamada de densidade efectiva de estados. de serem ocupados. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Concentração de portadores de carga Nc .7 × 1017 Nv(cm–3) 6. n  NC e A expressão para a concentração de lacunas (ou buracos) pode ser derivada da mesma maneira.04 × 1019 7. Ec. Nv . que pode conter Nc electrões (por centímetro  h2  cúbico).0 × 1018 13/08/2017 81 .0 × 1018 1.É chamada de densidade efectiva de estados na Banda de condução É como se todos os estados de energia da Banda de  3/2 Condução.f (E).

NA: Concentração do Aceitador (cm3). (cm3). p: Concentração de Lacunas (ou buracos). Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Concentração de portadores de carga n: Concentração de electrões (cm3). np = ni2 "Lei da acção das massas": N  NA  N  NA  2  n D   D   ni 2 2  2  N  ND  N  ND  2  p A   A   ni 2 2  2  13/08/2017 82 . Condição de carga neutra: ND + p = NA + n No equilíbrio térmico. ND: Concentração do Dador (cm3).

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Concentração de portadores de carga ND= concentr. a sustância dopante também. pelo que também o será o semicondutor extrínseco): Dopado tipo N: n = p + ND Dopado tipo P: n + NA = p Ambos dopados: n + NA = p + ND   Eg  Produto n·p p·n =ni2 ni  exp   k BT  Simplificações se ND >> ni Simplificações se NA >> ni n=ND ND·p = ni2 p=NA NA·n = ni2 13/08/2017 83 . aceitador Neutralidade eléctrica: (O semicondutor intrínseco era neutro. dador NA= concentr.

continua o mesmo em 1015 cm-3. se p = 1017 cm-3 numa pastilha de silício tipo P? 13/08/2017 84 . um é criado um electrão. enquanto que p aumenta por um factor de cerca 2. porque ni2 aumenta de acordo com: Qual é n. portanto.300. n = 1015 cm-3. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Concentração de portadores de carga  Semicondutor Tipo P/N Qual é a concentração de buracos. com uma concentração dadores na ordem de 1015cm–3 ? Para cada dador ionizado. num semicondutor tipo – N. Com um aumento modesto da temperatura de 60 ° C. n.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Teoria – Semicondutores  Relações entre “n”.  p = Dv (E)·(1-f(E))·dE  Nv· - e (Ev-EFi)/kT (EFi-Ec)/kT Particularizamos para o caso intrínseco: ni = pi = Nv·e = Nc·e (EF-EFi)/kT (EFi-EF)/kT Eliminamos Nc e Nv: n = ni·e p = ni·e Finalmente obtemos: p·n =ni2 13/08/2017 85 . Ev (Ev-EF)/kT Nv é outra constante que depende de T3/2. “p” e “ni”  (EF-Ec)/kT Ec – EF = kT ⋅ ln(Nc ⁄ n)  n= Dc (E)·f(E)·dE  Nc· Ec e Nc é uma constante que depende de T3/2.

 As correntes de difusão de electrões e buracos. Dp: coeficiente de difusão de buracos ou lacunas.  N: concentração de portadores. Os sinais indicam que a corrente de difusão de buracos é oposta à dos electrões.  Como são partículas carregadas. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga  Fenómenos de difusão  A difusão ocorre devido à não homogeneidade de concentração  os portadores difundem-se de onde a concentração é mais elevada para onde a concentração for menor. Correntes TOTAIS (arrasto+ difusão) A corrente total num semicondutor em geral. pode ser calculada a partir do fluxo:  Dn: coeficiente de difusão de electrões. (com ambos os tipos de portadores) é obtida pela soma das componentes durante o arrastamento e difusão dos dois tipos de portadores: + I  In  I p 13/08/2017 86 . este movimento dN resulta em correntes de difusão: Que obedecem á F  D Lei de Fick: dx  D: Coeficiente de difusão.

ambos os fenômenos se compensam: (de modo a manter a validade da lei da acção das massas). salientar que em equilíbrio. Rth =1  É importante. é gerado um par e-h (electrão-Buraco) fenómeno da Geração. 13/08/2017 87 .: Gth =2 Este fenómeno é caracterizado por um número: Gth (número de pares gerados por unidade de volume e tempo. Sendo n0 e p0 as densidades de electrões e buracos na BC e BV em situação de equilíbrio. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga  Fenómenos de geração-recombinação (g-r)  Em equilíbrio térmico: Para uma dada temperatura. os portadores possuem uma energia térmica:  Alguns electrões podem atingir a BC.  Também um electrão da BC pode passar o BV (desaparece um par electrão-buraco)  fenómeno da recombinação Este fenómeno é caracterizado por um número: Rth (número de pares recombinados por unidade de volume e tempo. deixando um buraco na BV.

nível de Fermi EF. o semicondutor pode se apresentar as seguintes formas:  há uma distribuição espacial da temperatura no semicondutor.  (b) pelo equilíbrio térmico – mesma temperatura entre os portadores de cargas (electrões e buracos) e a rede cristalográfica (fonões).e h+.  o nível de Fermi se divide em quase níveis de Fermi distintos para electrões e buracos. ou excitações ópticas. o semicondutor caracteriza-se:  (a) pela uniformidade entre a distribuição de defeitos e cargas livres. No equilíbrio termodinâmico. isto é. 13/08/2017 88 .  Fora do equilíbrio termodinâmico.  Para que um semicondutor apresente comportamentos não-lineares. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga  Fenómenos de geração-recombinação (g-r)  Sem equilíbrio térmico: quando actuou uma causa externa no semicondutor: n.  há uma dependência espacial para o nível de Fermi. Ou.  (c) pelo equilíbrio químico – um potencial eletroquímico uniforme dos portadores.  a temperatura dos portadores livres e da rede é diferente. devemos estudá-lo como um sistema fora do equilíbrio termodinâmico. numa combinação destas opções. na ausência de campos elétrico e magnético externos.p  ni2 sendo n e p as novas concentrações de e.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga  Fenómenos de geração-recombinação (g-r) Existe uma variedade de mecanismos de Geração/recombinação: Ee Directo. Banda para Banda Emissão Auger G R Ee EC G R hv hv EC EV x EV Ee Indirecta via centros R-G x G R EC R-G Center Energy Level EV x 89 13/08/2017 89 .

Arraste ou deslocamento. Em equilíbrio térmico e sem campo elétrico aplicado (E = 0). em qualquer direcção é zero.  Mecânica estatística diz-nos que um portador a uma temperatura T. tem uma energia térmica média de 3KBT/2: 1 2  Essa energia térmica serve para mover-se (convertida em energia cinética): m*: massa efectiva do portador. 13/08/2017 90 . por sua vez. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga  O movimento dos electrões e lacunas (partículas carregadas) conduz uma corrente eléctrica…  Esta corrente é o modo de funcionamento de dispositivos electrónicos que. em todas as direções alternando caminhos livres e colisões com átomos da estrutura. Difusão. KB: Constante de Boltzmann m * vth2  k BT KBT (300K): 0. controlam a corrente na malha onde estão localizados. o movimento de todos os transportadores cancela-se e a corrente média. Geração-recombinação… Movimento aleatório térmico:  Em equilíbrio térmico. Vejamos os diferentes fenómenos que estão expostos os portadores de carga: Movimento aleatório térmico.026 eV 2 3  Os transportadores movem-se rapidamente dentro do cristal. os transportadores no interior do semicondutor estão sempre em movimento térmico aleatório.

 Em geral mp*> mn*. e . Os valores de : m*.E. e n=p  vdn>vdp 13/08/2017 91 .  Essas forças proporcionam uma aceleração (2 ª lei de Newton) em que a velocidade média se pode escrever (estatisticamente):  e p    e n   mn*: Massa efectiva de electrões. para os electrões. . m *p m *n n: Mobilidade dos electrões. aceleradas no sentido do campo eléctrico aplicado. acelerados no sentido oposto ao campo. e F= e.E. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga Aplicação de um campo elétrico (E): arrasto ou deriva  Quando é aplicado o campo E: os transportadores sofrem uma força de: F=-e. para as lacunas. vdp  E  pE vdn  E  n E n: Tempo médio entre choques. são próprios de cada tipo de portador e do semiconductor.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga Aplicação de um campo elétrico (E): arrasto ou deriva  Electrões e buracos irão movimentar-se sob a influência de um campo eléctrico aplicado. A: Área do semicondutor n: Número de portadores de carga por unidade de volume. F  qE  Desse movimento resulta uma corrente de deriva: Id I d : Corrente de deriva. I d  nqVd A Vd : Velocidade de deriva de portadores de carga. 13/08/2017 92 . q : Carga do electrão. uma vez que este campo vai exercer uma força sobre os portadores de carga (electrões e lacunas).

está relacionada com a sua condutividade / resistividade:  Substituindo na equação acima. obtém-se que. R     n n n A A V V V  Sendo a Resistividade: I n  eAn  A n  L L Rn n  en 13/08/2017 93 . um semicondutor L 1 L obedece á lei de Ohm. L  Semicondutor tipo N homogéneo: A corrente elétrica (número de transportadores que atravessam uma superfície por unidade de tempo) é:  I n  eAvdn  eAn E O campo eléctrico é constante e depende da diferença de potencial aplicado externamente. entre as extremidades: E=v/L A resistência da amostra. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga Aplicação de um campo elétrico (E): arrasto ou deriva Externo  Cálculo das correntes de arrasto    Considerando um pedaço homogéneo de   Vn  n E A Vp   p E semicondutor de área transversal A e de comprimento L.

deriva. deslocamento…  Semicondutor com ambos os tipos de portadores: I  In  Ip  A( n   p ) V I  ( n   p ) V J  ( n   p ) E   T E L A L 13/08/2017 94 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores Movimento de portadores de carga  Cálculo das correntes de arrasto.

Portanto. No entanto. O potencial periódico perfeito não impede o movimento dos portadores de carga. é completamente periódico. o potencial visto por um transportador num cristal perfeito. p  type No Geral : me  mh * * Num cristal perfeito:  0   É um supercondutor Um cristal perfeito tem uma periodicidade perfeita e. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga (). criam uma resistência ao fluxo de corrente. portanto. Vd Compreensão macroscópica:  E q Entendimento microscópico? (o que os portadores fazem?)  * me* . a temperatura. a presença de impurezas. 13/08/2017 95 . etc. num dispositivo real ou “especimen”. os cristais não tem nenhuma resistência ao fluxo de corrente e se comportam como um supercondutor. n  type m mh* .

o electrão terá uma energia térmica de: 3kT 1 * 2 3kT 3kT E  m Vth   Vth  2 2 2 m  Uma vez que não há nenhum campo aplicado. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga (). não há nenhum campo aplicado). o movimento dos Vth : Velocidade térmica do electrão transportadores de carga vai ser completamente aleatório. Assim. A presença de impurezas e alterações de temperatura perturbam a periodicidade do potencial visto por um transportador de carga.resultado zero. A mobilidade tem dois componentes: interação da sua estrutura. em 3D. 13/08/2017 96 . a uma temperatura finita? O electrão terá uma energia térmica kT / 2 por grau de liberdade. Como Vth  T 2 resultado da energia térmica há quase um igual número de Vth  m*  2 1 transportadores que se deslocam para a direita como para a esquerda. Velocidade térmica: Suponha que um cristal semicondutor está em equilíbrio termodinâmico (ou seja. como para fora ou para cima como para baixo…. e a Componente de interação da impureza. Esta 1 aleatoriedade resulta sem nenhum fluxo de corrente líquida. Qual será a energia do electrão.

devido a sua energia térmica na RT e. Vth  ? RT  300T me  1.08  10 5 m / sec m* Vd  E  Vd  150m / sec Quanto tempo dura o movimento de um portador. Velocidade térmica: Cálculo Calcular a velocidade de um electrão num pedaço de silício do tipo n. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga ().18 m0 Vd  ? E  1000V / m   0. l 13/08/2017 97 . antes da colisão? O tempo médio entre colisões é chamado de tempo de relaxamento (ou tempo médio livre)?  Qual a distância percorrida no espaço por um portador antes de uma colisão? A distância média entre colisões. devido à aplicação de um campo eléctrico de 1000 V / m no pedaço de silício. no tempo.15m2 /(V  s) 3kT Vth   Vth  1. é chamada de caminho livre médio.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga (). para os electrões num pedaço de silício tipo N e para os buracos num pedaço de silício do tipo P. Velocidade de deriva: Cálculo F Velocidade de deriva = aceleração x tempo médio livre: Vd  *   A força devida ao campo aplicado.34  10 m 5 13 8 13/08/2017 98 .052  10 m / s)(1.   ?   ? me*  1.15m 2 /(V  s)  h  0.0458m 2 /(V  s) eme*  m *  e   10 12 sec  h  h h  1.18m0 mh*  0.08  10 5 m / s vthh  1.08  10 m / s)(10  12s)  10 m 5 7   h  vthh  h  (1.59m0 e  0.54  10 13 sec q q vthe  1. F = qE m F qE q Logo: Vd     Vd  E    m* m* m*  Calcule o tempo médio livre e caminho livre médio.54  10 s)  2.052  10 5 m / s   e  vthe  e  (1.

13/08/2017 99 . e aquece o cristal. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga (). apenas aumentando o campo eléctrico! Será? Vd Vd para e- Para buracos (h) E E (a) Linear? (b) Saturação da velocidade de deriva Qualquer aumento de E após o ponto de saturação. Velocidade de deriva: Saturação da velocidade Segundo a equação Vd   E pode-se fazer um portador ir tão rápido quanto nós gostamos. não aumenta Vd.

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga (). 3 C2= Constante  I  C2  T I L 2 Os portadores estão mais propensos a se Esta equação é chamada de espalharem pelas impurezas ionizadas… ln( T ) regra de Mattheisen. impurezas  3  3 ln (  ) C1= Constante  L  C1  T 2  T 2 1 1 1 Os portadores estão mais propensos a se   espalharem pelos átomos da estrutura.. 13/08/2017 100 . Variações com a Temperatura   T T Alta temperatura O pico depende da Baixa temperatura densidade de  L diminui quando a temperatura aumenta. T L I  I diminui quando a temperatura diminui.

A relação entre estes é dada pela equação de Einstein: D p D  n  VT onde VT é o "equivalente volts de temperatura" definido pela: p n kT T kT VT   V  25 mV at room temperature q 11600 q 13/08/2017 101 . Densidade de corrente de Electrões: J n  (q)nv  q  n  n  E Densidade de corrente de Lacunas: p J p  ( q) pv  q  p   p  E –A Mobilidade depende de ND+NA !!!!! Relacionamento de Einstein Uma vez que tanto a mobilidade como a difusão são fenómenos termodinâmicos estatísticos. (v) – Velocidade. D e μ não são independentes. (E) – Campo Eléctrico. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Mobilidade de transportadores de carga (). n () – Mobilidade.

13/08/2017 102 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Resistividade Eléctrica () (em ohm/cm).   1/ (qn n  qp p )  1/qn p para tipo "p"  1/qnn para tipo "n" Boro Fósforo Dopant density versus resistivity at 23°C (296o K) silicon doped with phosphorus and with boron. The curves can be used with little error to represent conditions at 300o K.

isto é a sua resistência. chamado um termistor. 13/08/2017 103 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Resistividade Eléctrica () (em ohm/cm). O termistor é uma resistência sensível á temperatura. indicando que a sua resistência vai diminuir com um aumento da sua temperatura. Variações com a Temperatura Por que é que a resistividade dum metal. aumenta com a temperatura e a resistividade dos semicondutores diminui com o aumento de temperatura? 11    nq Este propriedade é utilizada num dispositivo semicondutor real. que é utilizado como um elemento sensor de temperatura. Ele tem um coeficiente de temperatura negativo. está relacionada com a sua temperatura.

6 E-19 x 1E15 x 470)= 13.n Portanto n 1017/cm3 .087  -cm Usando n = 730 cm2/volt-sec da tabela p vs concentração total (curva) O Si tipo-p é convertido em tipo-n pela adição de mais doadores do que receptores originais "compensação dopante“… 13/08/2017 104 . n  2 x 105/cm3 Resistividade= 1/ (qnn + qp  p)  1/ qp  p = 1/ (1. p  2 x 105/cm3 Resistividade= 1/ (qnn + qp  p)  1/ qp  p = 1/ (1. ND = 0 Si é do tipo .Arsénio com 1017/cm3 adicionado produto anterior ( Si +B) NA = 1015/cm3 . ND = 1017/cm3 Si é do tipo . Exemplo 1. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores  Resistividade Eléctrica () (em ohm/cm).6 E-19 x 1E17 x 720)= 0.p Portanto p 1015/cm3 .Boro com 1015/cm3 adicionado a Si puro NA = 1015/cm3 .3  -cm Usando p = 470 cm2/volt-sec da tabela p vs concentração total (curva) Exemplo .

Ele é o segundo elemento mais abundante na Terra. passou-se a usar mais o Silício do que Germânio. perdendo apenas para o oxigénio. como semicondutor base….SiO2). Semicondutores: Junção P-N Semicondutores: Processamento Silício A partir de 1954. Porquê? 4 Electrões livres/Valência Foi por uma questão simples: o silício é muito barato. Mas ele não é encontrado em estado puro… A sua Abundância mais comum está sob a forma de óxidos (silício combinado com oxigénio . Cerca de 28% de toda a crosta terrestre é formada de silício. 13/08/2017 105 . Nesta combinação ele compõe uma família de minerais chamada de… silicatos.

em equipamentos de alta pressão chamados autoclaves. Para a produção de transístores e circuitos integrados em geral. o silício é cinza-escuro. Ele é produzido artificialmente. Ele é produzido em lingotes circulares. o silício não é extraído de nenhum mineral. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores: Processamento Silício  Quando purificado. isto significa um átomo estranho presente em cada 1000 milhões de átomos de silício. A fabricação de transístores exige uma pureza de 99.9999999%. (Pureza de 1 em 109) ( Cadinho -Vaso para fundir metais) 13/08/2017 106 . que são posteriormente "fatiados".

tem propriedades Físicas e Químicas parecidas com as do Diamante. jaspe. No estado muito puro e com pequenas quantidades (dopagem) de elementos tais como o boro. Sob a forma de Dióxido de silício (sílica) [SiO2] é encontrado na natureza numa variedade de formas: quartzo. ônix. Semicondutores: Junção P-N Semicondutores: Processamento Silício Silício : Si .Descobridor : Jöns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ano : 1823 No estado puro. ágata. Silício 13/08/2017 107 . esqueletos de animais marinhos…. A sua estrutura cristalina dá-lhe propriedades semicondutoras. o fósforo e o arsénio é o material de base para a construção de chips da actual electrónica ….

Semicondutores: Junção P-N Semicondutores: Processamento Silício 13/08/2017 108 .

As lacunas (que são a ausência de um elétrons). por sua vez. estão em minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente elétrica. 13/08/2017 109 . Semicondutores: Junção P-N Semicondutores .Extrínseco TIPO P - Al - Al - Al - Al - Al - Al - Al Impurezas grupo III - Al - Al - Al - Al - Al - Al 300oK - Al - Al - Al Lacunas livres Átomos de impurezas ionizados Os portadores maioritários de carga num semicondutor tipo P são Lacunas. por sua vez. Atuam como portadores de carga positiva. Num semicondutor extrínseco do tipo N os elétrons estão em maioria designando-se por portadores maioritários da corrente elétrica. Os elétrons. estão em minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente elétrica. Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão em maioria designando-se por portadores maioritários da corrente eléctrica.

. + . + + . 13/08/2017 110 . . + . Semicondutores: Junção P-N A junção P-N A Junção P-N em equilíbrio . + . aparece uma zona de carga espacial denominada ‘zona de transição’. + . + . . . . . . + + + + . + + + Semicondutor tipo P Semicondutor tipo N Ao unir um semicondutor tipo P com um de tipo N. + + .

+ + + + . + + . + . Que atua como uma barreira á passagem dos portadores maioritários de cada zona. . . . . + . + + . + . formando uma zona carga espacial. os elétrons do material tipo-N preenchem as lacunas do material tipo-P ao longo da junção entre as camadas. + + + Semicondutor tipo P Semicondutor tipo N Quando nenhuma voltagem está aplicada -á junção + P-N. . de modo que não há elétrons livres … logo não flui corrente… Zona de Tipo P Tipo N Carga espacial 13/08/2017 111 . . . + . + .todas as lacunas estão preenchidas. O material semicondutor volta ao seu estado isolante original . Semicondutores: Junção P-N A junção P-N A Junção P-N em equilíbrio Zona de transição .

Semicondutores: Junção P-N A junção P-N A Junção P-N . + . + + . . + + + + A zona de transição torna-se ainda maior. . + . + . + + + + N . . + + . 13/08/2017 112 . polarizada inversamente. Com polarização inversa não há circulação de corrente. + . + . P . . . . .

13/08/2017 113 . + + . + . . . + . . A corrente começa a circular a partir de um certo nível de tensão direta. + + + + A zona de transição torna-se mais pequena. . polarizada diretamente. . . Semicondutores: Junção P-N A junção P-N A Junção P-N . + + . + + + + N . + . + . . P . + .

+ . . . + + . . . . + . + . 13/08/2017 114 . + . + . P . . + + + + N . . polarizada diretamente. + + + Concentração de Lacunas Concentração de elétrons + A recombinação elétron-lacuna faz com que a concentração de elétrons na zona P e de lacunas na zona N diminuam ao aproximarem-se da zona de união. + + . Semicondutores: Junção P-N A junção P-N A Junção P-N .

+ + . + + . + + Zona de Carga espacial (OU) Zona de Deplexão Barreira Potencial (V0) Largura da barreira de Potencial 13/08/2017 115 . Semicondutores: Junção P-N A junção P-N Dadores Ionizados Junção P N . . . + + . . .

é possível a circulação de corrente eléctrica. Ao aplicar tensão directa na junção. Semicondutores: Junção P-N A junção P-N Diodo Semicondutor Conclusões: Aplicando tensão inversa não há condução de corrente. P N DIODO SEMICONDUCTOR 13/08/2017 116 .

Semicondutores: Junção P-N 13/08/2017 117 .

Semicondutores: Junção P-N 13/08/2017 118 .

eecs.tutorvista.infoescola.cam.uk/~dmh/ptialcd/ http://www.pdf chapter15 Photons in Semiconductors. U.edu/~hu/Chenming-Hu_ch1. pdf 13/08/2017 119 .Universidad de Oviedo http://www.ac.org/content/m13458/1.pt/users/lpa http://www.1/ EE143 Lecture#4 -Professor Nathan Cheung.htm http://www2.Javier Sebastián Zúñiga .berkeley.pdf http://cnx.swf http://www.com/physics_12/content/media/pn_junct_diode.eng.C Berkeley Semicondutores_Intrinsecos_24052010.com/quimica/dopagem-eletronica/ http://content. Semicondutores: Junção P-N Bibliografias Introducción a la Electrónica de Dispositivos .williamson-labs.com/480_xtor.prof2000.pdf Electrónica C -María Jesús Martín Martínez.