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ELECTRNICA 1

Materiales Semiconductores

Por: Prof. M.Ing. Cesar Marino Rojas


Prof. Dr. Faruk Fonthal Rico
ELECTRNICA 1 - Semiconductores
Modelo del tomo de Bohr, muestra los electrones
orbitando alrededor del ncleo, el cual consiste de protones
y neutrones.
ELECTRNICA 1 - Semiconductores

INTRODUCCIN
Cuando un electrn (e-) se halla en un orbital estable, la
fuerza centrfuga equilibra la atraccin ejercida por el
ncleo (protones). Cualquier
fuerza
Cuanto ms puede
lejana es la (e -) mover
rbita de un (e-) se este (e-)
presentam
(e-), menor es mueve a libre, de un
enor
la atraccin menor tomo a
fuerza
del ncleo. velocidad otro
centrfuga
fcilmente

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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
En Electrnica solo interesa el Orbital exterior o de
Valencia, porque determina las propiedades elctricas del
tomo.
T O M O S A I S L A D O S

CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE


(1 e - de Valencia) (4 e - de Valencia) (8 e - de Valencia)

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ELECTRONES POR NIVEL DE ENERGA

IMPUREZAS IMPUREZAS
CONDUCTORES SEMICONDUCTORES
ACEPTORAS DONADORAS

Cobre (Cu) Silicio (Si) Boro (B) Fsforo (P)


2 8 18 1 2 8 4 2 3 2 8 5

Plata (Ag) Germanio (Ge) Aluminio (Al) Arsnico (As)


2 8 18 18 1 2 8 18 4 2 8 3 2 8 18 5

Oro (Au) Galio (Ga) Antimonio (Sb)


2 8 18 32 18 1 2 8 18 3 2 8 18 18 5

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Cristal de Silicio.- Estructura ordenada donde los


tomos de silicio se combinan para formar un slido.

Cada tomo en un cristal de silicio, tiene 4 (e-) en su orbital de valencia y comparten


uno con cada uno de sus cuatro vecinos. Esto crea 8 (e-) compartidos que le
producen estabilidad qumica y un cuerpo compacto.

Video: Silicon Wafer Production


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Todos los elementos, tienen predisposicin a tener 8


(e-) en el orbital exterior.

EL ORBITAL DE VALENCIA NO PUEDE SOPORTAR


MAS DE 8 (e-) LIGADOS
Saturacin de valencia: n = 8

Debido a estos (e-) ligados, un cristal de silicio es casi


un aislante perfecto a temperatura ambiente (25 C
298 K).

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Si Energa
Se desligan (e -) gana
Temperatura trmica aire
(e -) de la energa para
Ambiente mayor hace que
rbita de ir a orbital de
que (0 K) o cristal de
valencia mayor energa
(-273,15 C) Silicio, vibre

Nmero de
(e -) libres
(e -) (e -) libre
Se crea
IGUAL A deja se mueve
un
un de forma
hueco
Nmero de vaco aleatoria
Huecos

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RECOMBINACIN = Unin entre un (e-) libre y un


hueco.

TIEMPO DE VIDA = Tiempo entre la creacin y la


recombinacin de un (e-) libre con un hueco (vara
de nseg. a seg., segn el cristal)

Los (e-) libres y los huecos se denominan


PORTADORES, porque transportan carga elctrica.

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SEMICONDUCTOR
INTRINSECO EXTRINSECO
(Semiconductor Puro) (Semiconductor Dopado)
Cada tomo del cristal, Se aaden tomos de
es un tomo de impurezas trivalentes
semiconductor (aceptadoras) o
pentavalentes
(donadoras) a un cristal
intrnseco para modificar
la conductividad
elctrica.
Video: From sand to silicon
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
FLUJO DE UN HUECO A TRAVS DE UN SEMICONDUCTOR

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Se aaden tomos pentavalentes


de Arsnico (As), Antimonio (Sb) o
Fsforo (P) para formar
SEMICONDUCTOR TIPO (n)
Se funde
DOPAJE cristal para
CRISTAL romper
DE enlaces Se aaden tomos
SILICIO covalentes trivalentes de Aluminio (Al), Boro
(B) o Galio (Ga)
para formar SEMICONDUCTOR
TIPO (p).

A mayor Dopaje => Mayor Conductividad => Menos resistencia

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DIODO NO POLARIZADO

Los (e-) libres de lado (n) se repelen entre s

Algunos atraviesan la unin

El que entra en regin (p) se convierte en portador


minoritario
Con tanto huecos alrededor, su tiempo de vida es corto
Cae en un hueco y se crean un par de iones en la unin, que se llama dipolo
Al aumentar el nmero de dipolos, la regin cercana a la unin se vaca de
portadores
Se crea la llamada ZONA DE DEPLEXIN

Zona de deplexin: zona carece de electrones libres y huecos.

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DIODO NO POLARIZADO
p n p n

Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivo y negativo que lo forman

Si entran (e-) libres adicionales, el campo trata de devolverlos

La intensidad de campo aumenta con cada (e-) que cruza hasta que se alcanza el equilibrio.

El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
barrera de potencial de aproximadamente (0,7) voltios para un diodo de silicio a la
temperatura ambiente ( 25 C).

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DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE

Batera empuja huecos y (e-)


libres hacia la unin

Si (V < barrera potencial) =>


No circula corriente

Si (V > barrera potencial) => (e-) atraviesan barrera de potencial, se


recombinan y continan su viaje de hueco en hueco hasta dejar el diodo.
Como hay millones de (e-) haciendo el mismo viaje => se tiene una gran
corriente continua a travs del diodo.

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P ZONA DE DEPLEXIN N
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DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE
p ZONA DE DEPLEXIN n

Corriente inversa de saturacin.- Es originada por los portadores


minoritarios producidos trmicamente.

Corriente superficial de fugas.- Es causada por impurezas sobre la


superficie del cristal e imperfecciones en su estructura interna.

LA CORRIENTE EN UN DIODO POLARIZADO EN INVERSA, ES


APROXIMADAMENTE CERO.
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DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE - RUPTURA

Si VR , Portadores
Pequea Portadores
obliga a Minoritarios
Corriente Minoritarios
portadores Golpean y
inversa de chocan con
Minoritarios liberan
Portadores los tomos
a moverse
Minoritarios
mas rpido.
del cristal. (e -) valencia

Si VR
continuamente, Estos (e -)
diodo conduce Proceso al chocar
sin control y se Contina con otros Se
alcanza la hasta que tomos, producen
tensin (IR )es muy producen (e -) libres
de ruptura grande mas (e -)
libres

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LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA

En diodo conduciendo, la temperatura de la unin (Tu) es ms alta que


la temperatura ambiente (Ta) por el calor generado en recombinacin.
LA BARRERA DE POTENCIAL DEPENDE DE (Tu)

Un incremento en (Tu), crea mas (e - ) libres y huecos en las regiones dopadas. Como
esas cargas se difunden en la zona de deplexin, sta se estrecha, lo que significa
que hay menos barrera de potencial a temperaturas altas de la unin.

La barrera de potencial de un diodo de silicio, decrece 2 milivoltios por cada


incremento de 1 C. V
2 mV .
T C

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Bibliografa
Principios de Electrnica, de Albert P.
Malvino; David J. Bates. Editorial McGraw-Hill,
Sptima Edicin, 2007.
Dispositivos Electrnicos, de Thomas L. Floyd.
Editorial Pearson, Octava Edicin, 2008.