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TRANSISTORES DE UNION

BIPOLAR BJT
Realizado por: Materia:
Carlos Jarro Electrnica Analgica y
Daro Oviedo
Digital

Ignacio Quinteros
Grupo:

David Sinche
1

Diego Zhinin
Profesor:
Ing. Juan Ortiz
INTRODUCCIN
Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories fue el Doctor
Williams Shockley, Doctor John Bardeen y Doctor Walter H. (1947)
EL TRANSISTOR BJT

El transistor de unin bipolar, tambin conocido


por las iniciales de su denominacin en ingles BJT
(Bipolar Junction Transistor).
El trmino bipolar hace referencia al hecho de
que en la conduccin de la corriente intervienen
los dos tipos de portadores (electrones y huecos).
El trmino junction (unin),hace referencia a la
estructura del dispositivo, ya que tenemos dos
uniones P y N en el transistor y mediante la
polarizacin de estas uniones se consigue
controlar el funcionamiento del dispositivo.
EL TRANSISTOR BJT

El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en


funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea
capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est
conectado. (Transfer Resistor).
Cumple las funciones bsicas de:
Amplificador
Conmutador
Resistencia variable
Constitucin interna de un BJT
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones
semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En
la siguiente figura observamos el aspecto til para anlisis de un transistor
bipolar.
Constitucin interna de un BJT

Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir,


si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el colector tipo P. Esta
estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N,
entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar
tipo NPN.
Constitucin interna de un BJT
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden
impurezas, de forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas.
En la figura a continuacin vemos el aspecto tpico de un transistor bipolar
real, de los que se encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una
base n (substrato que acta como colector), se difunden regiones p y n+, en
las que se ponen los contactos de emisor y base.
Estructura fsica
Es de sealar que las dimensiones reales del dispositivo son muy
importantes para el correcto funcionamiento del mismo. En la siguiente
figura, se pretende dar una idea de las relaciones de tamao que deben
existir entre las tres regiones para que el dispositivo cumpla su misin.
Estructura fsica

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada


una de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes.
Estos terminales se representan por la inicial del nombre de la zona
respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector).
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3,
es la zona encargada de emitir o inyectar portadores
mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un
transistor NPN o electrones en el caso del transistor PNP.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la
zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy
inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar
pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el
emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la
encargada de recoger o colectar los portadores que
inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la
base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
Tipos de transistor
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo
de transistor.
Transistor bipolar NPN.

Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un
mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres
zonas mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
Transistor bipolar NPN.

Unin emisor: es la unin PN entre la base y el emisor.


Unin colector: es la unin PN entre la base y colector.
Cada una de las zonas est impurificada en mayor o
menor grado. La base 100 veces menos que el colector
o emisor.
La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2
veces de espesor el colector.
Transistor bipolar PNP.
El BJT PNP est formado tambin por un cristal
semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de
impurezas.
Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del
NPN.
Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN.
Por lo dems, este dispositivo es similar al anterior.
El BJT PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la
base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en
la base van a parar al colector.
TIPOS DE ENCAPSULADOS
Encapsulados de transistores
Lostransistores por fuera estn encapsulados de diferentes
formas y tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a
desempear. Hay varios encapsulados estndares y cada
encapsulado tiene una asignacin de terminales que puede
consultarse en un catlogo general de transistores.
Independientemente de la cpsula que tengan, todos los
transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la
referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los
transistores mostrados a la derecha se observa la referencia "MC
140"
Cpsula TO-3
Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un
radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l.
Est fabricado de metal y al trabajar con corrientes elevadas se le suele poner un
disipador ya que desprende gran cantidad de calor.
Cpsula TO-220.

Se utiliza para transistores de menos potencia, para


reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para
tiristores y triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un radiador de aluminio,
aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a
disipar es reducida.
Cpsula TO-126.

Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los


que no resulta generalmente necesario colocarles
radiador.
Arriba a la izquierda vemos la asignacin de
terminales de un transistor BJT y de un Tiristor.
Abajo vemos dos transistores que tienen esta cpsula
colocados sobre pequeos radiadores de aluminio y
fijados con su tornillo correspondiente.
Cpsula TO-92.
Es muy utilizada en transistores de pequea seal.
En el centro vemos la asignacin de terminales en
algunos modelos de transistores, vistos desde
abajo.
Abajo vemos dos transistores de este tipo
montados sobre una placa de circuito impreso.
Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que
indica que en ese lugar va montado el transistor
nmero 5 del circuito, de acuerdo al esquema
electrnico
Cpsula TO-18.

Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo


est formado por una carcasa metlica que tiene un
saliente que indica el terminal del Emisor.
Cpsula miniatura.
Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que
el anterior, tienen un tamao bastante pequeo.
Calculo para disipador de calor
Los disipadores de calor son unos elementos complementarios que se
usan para aumentar la evacuacin de calor del componente al que se le
coloque hacia el aire que lo rodea.
Esto trae como consecuencia que se reduce la temperatura de trabajo del
componente ya que la cantidad de calor que se acumula en l es menor
que sin disipador.
Ecuacin a utilizar

= ( + ) ;en unidades de C/W


: Resistencia Termica entre el disipador y el aire.


: Temperatura de la unin semiconductora.
: Temperatura del aire circundante.
: Potencia disipada en forma de calor por el transistor.
: Resistencia trmica entre la unin y la capsula.
: Resistencia trmica entre la capsula y el disipador. Pasta 0.8 a 1.5
Rcd: Resistencia trmica entre la capsula y el disipador. Pasta 0.8 a 1.5
Los valores de Rjc, Tj salen
de la informacin o
datasheet del elemento que
estamos diseando el
disipador.
Parmetros de diseo

Coeficiente de seguridad (K)


K= 0.5 para un diseo normal con temperatura moderada.
K=0.6 para economizar en tamao de disipador.
K=0.7 cuando el disipador permanezca en posicin vertical y en el exterior.


= ( + ) ; en unidades de C/W

Ejemplo

Se dise una fuente reguladora de voltaje con limitacin de corriente con un


TIP35C, cuya potencia mxima disipada es de 13.23 w, en un lugar cuya
temperatura ambiente es de 20 C Cul es el disipador ms apropiado que se le
debe acoplar al transistor?
Respuesta :

= 4.424 /

Mientras ms grande sea el valor de Rda, mas pequeo va a ser el tamao del
disipador de calor.