MEMORIAS RAM Y ROM

SISTEMAS DIGITALES UNPRG
DOCENTE : INGº FRANK RODRIGUEZ CHIRINOS

MEMORIAS 
    

A0...An (Bus de direcciones) D0...Di (Bus de Datos) CS (Chip Select) OE (Output Enable) R/W¶ (Read/Write¶) VCC y GND (Alimentación)

CARACTERÍSTICAS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS 

Tiempo de Acceso
-Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operación de lectura en la memoria y el instante en que se dispone de la primera información buscada. -En otras palabras es el tiempo requerido o necesitado para realizar cualquier operación, sea lectura o escritura.

independientemente de que exista algún fallo en el fluido eléctrico. . -No volátiles aquellas en las cuales la información. permanece inalterada.CARACTERÍSTICAS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS  Volatilidad -Se dice que la información almacenada en una memoria es volátil siempre y cuando corra el riesgo de verse alterada en caso de que se produzca algún fallo de suministro de energía eléctrica (memorias biestables).

CARACTERÍSTICAS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS  Capacidad -La capacidad de una memoria es el número de posiciones de un sistema. número de informaciones que puede contener una memoria. -La capacidad total de memoria será un dato esencial para calibrar la potencia de un computador. o dicho de otra manera. La capacidad de la memoria se mide en múltiplos de byte (8 bits): kilobytes (1. .024 bytes) y megabytes (1.024 kilobytes).

MEMORIAS  Capacidad de la Memoria. 1024 Numero de Palabras 8 Numero de Bits por palabra. 1024 X 8 : Capacidad de 8192 bits. .

o 8M. 64k.  . 32M. 16k.576. etc. 32k.  DIP 8k. 16M. 128k.MEMORIAS Múltiplos de 1K = 2 ^10 = 1024  Múltiplos de 1M 2 ^20 =1¶048.

CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS   RAM : Memorias de acceso aleatorio (Random Access Memories) ROM : Memorias de Solo Lectura (Read A Only Memories) .

.MEMORIAS RAM    Memorias de acceso aleatorio (Random Access Memories) Cualquier localidad de memoria puede ser accesada tan rápido como otra. (Dependiente de alimentación). Memorias temporales.

.DINAMICAS (DRAM)  Ambas son temporales.ESTATICAS (SRAM) .TIPOS DE MEMORIA RAM  Dos grandes tipos de Memoria RAM: . Cada una de ellas posee ventajas y desventajas.

La celda o unidad básica de almacenamiento es el Flip Flop.     Antigua y simple. . FF transistores MOSFET La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales.MEMORIAS ESTÁTICAS O SRAM.

Cada una de las filas se habilita de forma simultánea para recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida.   Las celdas de memoria se agrupan en filas y columnas para conformar el arreglo básico de la memoria. .RAM ESTÁTICAS O SRAM.

Se compone de celdas de memoria construidas con condensadores.RAM DINAMICA O DRAM.    DRAM (Dinamic Random Access Memory). Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores .

Circuitería Adicional. . inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas.    La operación de la celda es similar a la de un interruptor.RAM DINAMICA O DRAM. Necesita refresco.

‡ Menor consumo de potencia.COMPARACION ENTRE SRAM Y DRAM Memoria Ventajas Desventajas SRAM ‡ La velocidad de acceso es alta. ‡ Diseño complejo. ‡ Necesita recargar de la información. ‡ Para retener los datos solo necesita estar energizada. almacenada para retenerla. debido a que cada celda de Almacenamiento requiere mas transistores. ‡ Mayor costo por bit. ‡Mayor consumo de potencia y y La DRAM velocidad de acceso es baja. Menor capacidad. ‡ Mayor densidad y capacidad. ‡ Menor costo por bit. ‡ Son mas fáciles de diseñar. .

microcontroladores. etc. .En los computadores se utiliza como memoria de Cache y memoria de vídeo. La memoria RAM es uno de los componentes más importantes en un computador. . .equipos de video.APLICACIONES DE LAS MEMORIAS   Necesidad de almacenamiento en teléfonos celulares.Se utilizan en sistemas interactuando con microprocesados. televisores. equipos de sonido .

. 64 o 128 MB cada una.APLICACIONES DE LAS MEMORIAS  SIMM y DIMM que contienen 8. 16. 32.

MEMORIA SRAM . 8K x 8.MCM6264C     Motorola desarrollada con tecnología CMOS. R/W 12 ns Potencia 100 mW .

MEMORIA DRAM ± 4116   DRAM de 16K x 1 arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de los bits se ubican con una dirección de 14 bits. .

entre los que mencionamos: OTP. Podemos encontrar varios tipos de ROM. permanecen aunque la energía de alimentación se desconecte (almacenamiento constante). . Son dispositivos en los cuales el almacenamiento de los bits. EEPROM. EPROM. PROM.MEMORIAS ROM    Memorias de solo lectura (Read Only Memory).

Es una memoria que viene grabada desde el fabricante. PROM (memoria inalterable programable): Un PROM es un chip de memoria en la cual usted puede salvar un programa. Los PROMS son permanentes. .TIPOS DE MEMORIA ROM   OTP (One Time Programable). usted no puede reusarlo para grabar algo más. Pero una vez que se haya utilizado el PROM.

TIPOS DE MEMORIA ROM  EPROM (memoria inalterable programable borrable): Es un tipo especial de ROM que puede ser borrado exponiéndolo a la luz ultravioleta.  . EEPROM (eléctricamente memoria inalterable programable borrable): Es un tipo especial de ROM que puede ser borrado y grabado poniéndole niveles de voltaje adecuados en sus pines.

ARQUITECTURA DE MEMORIA ROM .

donde se encuentran alojados los programas del BIOS (Basic Input Output System). . Los Computadores vienen con una memoria ROM.APLICACIÓN:BIOS DE COMPUTADORES   Almacenamiento de códigos de programas para el momento del arranque de dispositivos que utilizan microprocesadores.

.APLICACIÓN: FUNCIONES MATEMÁTICAS Y GENERADORES DE SEÑALES  Existen memorias que almacenan funciones trigonométricas y hallan el resultado con base en el valor binario introducido en el bus de direcciones.

20 pines tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits cada palabra.MEMORIAS PROM .74S473   Presenta un pin de alimentación (pin 20) y un pin de tierra (pin 10). .

lo que permite escribir o leer los datos con el mismo bus de datos. Las salidas de esta memoria son triestado.27C16B   24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits. . es decir 2KB.MEMORIA EPROM .

MEMORIA FLASH . El tiempo de programación por byte es de 100 ms y el tiempo de retención de la información es de aproximadamente 10 años.27F256   La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la característica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg. .).

ASOCIACION DE MEMORIAS AMPLIACION DE CAPACIDAD  AMPLIACION DE ANCHO DE PALABRA  .

ASOCIACION DE MEMORIAS  AMPLIACION DE CAPACIDAD 1K * 8 A9 A8 I0 7 I0 6 M1 A10 A0 WE I0 0 A9 2K * 8 I0 7 I0 6 M3 A0 I0 7 I0 6 WE I0 0 1K * 8 A9 A8 M2 A0 WE I0 0 .

AMPLIACION DE CAPACIDAD AMPLIACION DE LA CAPACIDAD(2K*8) A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 WE U1 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U2 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 .

ASOCIACION DE MEMORIAS  AMPLIACION DE ANCHO DE PALABRA 1K * 8 A9 A8 I0 7 I0 6 M1 A9 A0 WE I0 0 A8 1K * 16 M3 A0 I0 7 I0 6 WE I0 15 I0 8 I0 7 I0 0 1K * 8 A9 A8 M2 A0 WE I0 0 .

AMPLIACION DE ANCHO DE PALABRA .

BANCO DE MEMORIAS(4K*8) BANCO DE MEMORIA DE 4K*8 U5 74LS139 A1a A0a Ea Q3a Q2a Q1a Q0a Q3b Q2b Q1b Q0b A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A1b A0b Eb WE U1 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U2 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U3 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U4 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 .

BANCO DE MEMORIAS(4K*16) BANCO DE MEMORIA DE 4K*16 U5 74LS139 Q3a A1aQ2a A0aQ1a Ea Q0a Q3b A1bQ2b A0bQ1b Eb Q0b A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 WE U1 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U2 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U3 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U4 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U9 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U8 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U7 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 U6 1K RAM A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 IO15 IO14 IO13 IO12 IO11 IO10 IO9 IO8 IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0 .

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