You are on page 1of 29

POWER ELECTRONIC
Proudly Presented by 2nd Team of 2R Power Plant

Ali Al-Habsyi 4214020031
Hamzah Abdul Majid 4214020003
Kamilia Fitria Maharani 4214020006

ELECTRONIC COMPONENT TRANSISTOR THYRISTOR .

. PENGERTIAN Transfer Pemindahan TRANSISTOR Resistor Penghambat Transistor dapat diartikan sebagai suatu pemindahan atau peralihan bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada suhu atau keadaan tertentu.

(Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar dari pada arus input Basis. yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor).ELEKTRODA PADA TRANSISTOR o Fungsi elektroda tersebut : Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. .

• Saklar  Sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching ). sumber listrik stabil dan penguat sinyal radio. FUNGSI DAN APLIKASI  Sebagai penguat yang diaplikasikan dalam pengeras • Amplifier suara. • General purpose  Stabilisasi tegangan. • Tegangan tinggi  Sebagai saklar dengan • dll kecepatan tinggi. . • Audio  Modulasi sinyal.

JENIS  TRANSISTOR PNP Transistor PNP merupakan Transistor negatif. dan yang lain Untuk transistor jenis PNP. mengalirkan arus listrik apabila basis dialiri tegangan arus positif. yang satu antara emiter dan basis. transistor seperti dua buah dioda yang saling berhadapan. dimana transistor dapat bekerja mengalirkan Transistor NPN merupakan transistor positif. dimana transistor dapat bekerja arus apabila basis dialiri tegangan negatif. transistor seperti dua dioda yang berlawanan Transistor PNP adalah komplemen dari transistor NPN. . arus dan tegangan yang berlawanan.  TRANSISTOR NPN JENIS . Karenanya. antara basis dan kolektor. Transistor mempunyai dua junction. ini berarti transistor PNP diperlukan untuk NPN.

TIPE Bipolar Junction Transistor (BJT) 3 TIPE DASAR Field-Effect TRANSISTOR Transistor (FET) Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBTs) .TIPE .

kolektor dan ( C ). o Rasio antara arus pada kolektor ( C ) dengan arus pada basis ( B ) biasanya dilambangkan dengan β. . arus listrik menggunakan sehingga ada 32 terminal. dan basis ( B ). polaritas pembawa muatan. kolektor ( C ). lubang. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT. ketebalan menghasilkan dapat arus perubahan diatur dengan listrik dalamkecepatan jumlah tinggi → besar mengatur pada terminalaliran arus utama. o o Arus listrik arus Perubahan haruslistrik melewati dalam1 daerah jumlah /kecil lapisan padapembatas terminal basis ( depletion ( B ) dapatzone ). “BJT” o Cara kerja : Kanaldiode o dua konduksi utamanyapositif yang terminal untuk/ negatifnya membawa berdempet. yaitu : emiter ( E yaitu : elektron ). Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.

Gate (FET) o Ketebalan kanal konduksi dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan.dimana Tipe depletion mode Insulated transistor bipolar daerah Basis memotong arah arus listrik utama). tergantung dari Junction tipe FET). “FET” o Hanya menggunakan 1 jenis pembawa muatan (elektron / hole. Tipe enhancement mode o Arus listrik utama mengalir dalam 1 kanal konduksi sempit “FET” dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan 2. FET (JFET) 1. .

pada MOSFET. terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. di pihak lain Saluran menghasilkan o mampu gerbang dari arus IGBT. Berfungsiyang o perilaku o sebagai komponen cukup saklarsebuah ideal sebagai untuk saklar aplikasi daya. elektronik karena di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber. . sedang BJT dan MOSFET. yangsebagai saluran besar bagi kendali beban listrikjuga yang mempunyai struktur bahan penyekat ( isolator ) sebagaimana dikendalikannya.“IGBTs” Merupakan o Masukan o piranti dari IGBT semikonduktor adalah terminalyang setaradari Gerbang dengan gabungan MOSFET.

saklar mempunyai tahanan yang besar sekali. dan kecepatan pensaklaran yang tinggi. nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil. pada saat keadaan menghantar ( on ). mendekati nilai tak berhingga. demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi. saklar mempunyai tahanan menghantar yang sekecil mungkin.SAKLAR IDEAL 1. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh ( voltage drop ) keadaan menghantar juga sekecil mungkin. . 2. Sebaliknya. Pada saat keadaan tidak menghantar ( off ). Dengan kata lain.

4 V DC.6 = 4. maka Arus Basis yang dibutuhkan adalah: hfe = Ic / Ib ib = Ic / hfe(min) = 0.6V DC (konstanta) berarti tegangan yang melewati Rb adalah Vin . Arus kolektor adalah 20mA. Sehingga Nilai Rb dapat kita hitung: Rb = 4.Karena transistor mungkin mempunyai hfe antara 100 .Vbe = 5 – 0.1= 0.02/0.2 A Nilai Vin adalah 5V DC. nilai Vbe adalah 0.2 A = 22 Kilo Ohm CONTOH PERHITUNGAN .500 maka kita pilih dulu menggunakan hfe minimum ( 100 ).4 V / 0.

ELECTRONIC COMPONENT TRANSISTOR THYRISTOR .

Pengorbanan .

beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi.PENGERTIAN THYRISTOR Pintu (Bahasa Yunani) Thyristor adalah komponen semikonduktor untuk pensaklaran yang berdasarkan pada struktur PNPN dengan tiga PN-junction. . Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil.

. KARAKTERISTIK DAN KONSEP Struktur P-N junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor. Komponen thyristor lebih digunakan sebagai saklar (switch) daripada sebagai penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor. Struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada gambar (b) adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base.

forward injeksi arus gerbang dengan Cara ini dilakukan dengan membiarkan menerapkan tegangan gerbang positif cahaya mengenai silicon wafer dari antara terminal gerbang katoda akan thyristor. SYARAT THYRISTOR ON • Panas • Tegangan tinggi Jika suatu thyristor cukup tinggi. sehingga arus bocor breakdown VBO. membuat thyristor ON . arus bocor yang meningkat. dihasilkan cukup untuk membuat thyristor • Cahaya on Jika cahaya mengenai sambungan • Arus Gerbang thyristor. pasangan electron-hole akan Jika suatu thyristor diberi tegangan bias meningkat dan thyristor mungkin akan on. akan Jika tegangan forward anode ke katode terjadi peningkatan jumlah pasangan lebih besar dari tegangan maju electron-hole.

. Arus IH ini cukup kecil yaitu dalam orde miliampere. dapat dilakukan dengan menurunkan arus thyristor tersebut dibawah arus genggamnya (IH).THYRISTOR ON OFF Untuk membuat thyristor kembali off.

JENIS .JENIS .

komponen ini tersedia dalam rating arus antara 0.25 hingga ratusan amper. serta rating tegangan hingga 5000 volt. Struktur dan simbol dari SCR dapat digambarkan seperti pada gambar dibawah : .SCR (Silikon Controlled Rectifier) SCR merupakan jenis thyristor yang terkenal dan paling tua.

AC).TRIAC (Triode for Alternating Current) Triac dapat dianggap sebagai dua buah SCR dalam struktur kristal tunggal. dengan demikian maka Triac dapat digunakan untuk melakukan pensaklaran dalam dua arah (arus bolak balik. Simbol dan struktur Triac adalah seperti ditunjukan dalam gambar dibawah : .

DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor. lapisan N di buat cukup tebal sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. DIAC bukanlah termasuk keluarga thyristor. Pada DIAC.DIAC (Diode Alternating Current) Kalau dilihat strukturnya seperti gambar-8a. . namun prisip kerjanya membuat ia digolongkan sebagai thyristor.

. berkisar pada 0. Begitu katode berada pada mode tersambung itu. Ketika thyristor berada pada mode tersambung. thyristor akan tersambung jika terminal tegangan anode lebih tinggi dari katode .CARA KERJA Ketika suatu arus kecil melewati terminal gate ke katode. Thyristor yang tersambung dapat dimatikan dengan membuat tegangan anode sama atau lebih kecil dari tegangan katode.5 sampai dengan 2V. rangkaian gate tidak memegang kendali dan thyristor akan tetap tersambung. tegangan jatuh majunya sangat kecil.

APLIKASI .

420) + 0.2 + 0. Berapa tegangan masuk yang diperlukan = (0.R) + Vgt ohm.9 V CONTOH PERHITUNGAN .Ig = Gate Current (arus gate)' Ih = Holding Current (arus genggam)' Vbo = Breakover Voltage (tegangan breakover)' Vgt = Gate Trigger Voltage (tegangan pemicuan gate)' Igt= Gate Trigger Current (arus pemicuan gate)' Vin = VR + Vgt Jika diketahui sebuah SCR memiliki arus gate sebesar 10 mA dengan resistansi sebesar 420 = (Igt.7 = 4.01.7 agar SCR ON? = 4.

NOW TIME FOR MID TEST … .

.

dengan variasi hfe transistor 100-500. berapakah arus gate (Igt) jika resistansinya sebesar 400 ohm ? . TRANSISTOR Transistor dengan nilai Rb 40K. Tentukan berapa arus [mA] lampu tegangan supply 5V DC digunakan untuk mensaklar sebuah lampu 5V DC ? THYRISTOR Jika diketahui sebuah SCR memerlukan 14.3 V untuk mengalirkan arus.