Amplificadores RF

pequeña señal

Pr. Fernando Cancino

 Materiales de los transistores de RF
• Son llamados Amplificadores de bajo ruido (LNA).
• Existen dos métodos de fabricación empleados en el espacio
de RF: 1)Transistores de juntura bipolar (BJT) y 2)Transistores
por efecto de campo (FET).
Transistores usados en el diseño de RF

Se emplean variedad de transistores, entre los que

se incluyen: Los MOSFET, de Arsenurio de galio
(GaAs), FET con material metal-semiconductor
(MESFET), transistores hetero juntura bipolar
GaAs/InGaP (HBT), nitrito de galio (GaN), transistores
de alta movilidad electrónica (HEMT), y FETs de Silicio
carburado (SiC).
 Circuito equivalente del transistor de RF
• Transistor equivalente en configuración emisor. Común
(modelo híbrido pi):

• Circuito equivalente incluyendo inductancia adelante:

 Impedancia de entrada
• Circuito equivalente usando el efecto Miller:

• Impedancia de entrada equivalente:

 Impedancia de entrada
•• Impedancia vista en el terminal de entrada:

• Empleando los siguientes valores prácticos:

• Se obtiene la siguiente Carta con :

Impedancia de entrada VS frecuencia
 Impedancia de salida y ganancia
• Impedancia de salida equivalente:

• Ganancia en potencia típica VS frecuencia

Curvas características del transistor
El transistor como “Caja Negra” de 2 puertos

• El transistor como un circuito de 2 puertos:

Parámetros “Y”

Parámetros Y :
yi = Admitancia de entrada de Corto Circuito
yr = Admitancia de transferencia inversa de C. C.
yf = Admitancia de transferencia directa de C.C.
yo = Admitancia de salida de C.C.
 Parámetros S

•• Coeficiente de reflexión:

G=

Donde: Zn es la impedancia normalizada

 Ejemplo
Hallar el coeficiente de reflexión para el circuito mostrado:

Solución: Normalizando la impedancia de carga:

Solución del ejemplo anterior
Parámetros S en el circuito de 2 puertos

S11= Coeficiente de reflexión de entrada

S12 = Coeficiente de reflexión de transmisión inversa
S21 = Coeficiente de reflexión de transmisión directa
S22 = Coeficiente de reflexión de salida
Fórmulas de conversión de parámetros “Y” y
“S”
 Diseño de Amplificadores de RF pequeña
señal usando los parámetros Y
•1. Cálculos de estabilidad
a. Factor de estabilidad de Linvill: (Bajo condiciones
hipotéticas: sin fuente y sin carga)

Conductancia de entrada.
Conductancia de salida.
• Si es menor que 1 es transistor es incondicionalmente estable
en el punto de polarización escogido.
• Si es mayor que 1 es transistor es potencialmente inestable.
• Si =1, el dispositivo es críticamente estable.
 Estabilidad (cont.)
•• Criterio de estabilidad de Stern= K: Considera las
impedancias de fuente y de carga.
• Conductancia de fuente
• Conductancia de carga

• Si K es mayor que 1 el circuito es estable para los valores de

fuente y de carga elegidos.
• Si K es menor que 1 el circuito es potencialmente inestable y
el circuito puede oscilar o entrar en condición de caos.
 Máxima ganancia disponible
•• La máxima ganancia disponible de un transistor puede ser
calculada como:

• Es el cálculo inicial de ganancia para una aplicación.

• Esta ganancia ocurre cuando: ;
 Diseño con acoplamiento conjugado
(transistores incondicionalmente estables)
• Ganancia en potencia óptima se obtiene calculando:
 Ejemplo de diseño
• Un transistor trabajando en 100 MHz, VCE = 10 volts, Ic = 5 mA,
montaje emisor común, tiene los siguientes parámetros Y:

• Diseñe un amplificador que provea máxima ganancia en

potencia desde una fuente con 50 ohm a una caga de 50 ohm
en 100 MHz.
 Solución al Ejemplo
1. Cálculo del factor de estabilidad de Linvill:

Puesto que C<1 el circuito es incondicionalmente estable y en

consecuencia se puede proceder con el diseño. Sin embargo se
debe tener cuidado con el acople, pues podría generar
inestabilidad.
 Solución al Ejemplo (Cont.)
2. Cálculo de MAG:

3. Cálculo de las admitancias de fuente y de carga para acoplamiento

conjugado simultáneo:
– Para la fuente:

– La admitancia de fuente que el transistor debe ver para máxima

transferencia de potencia es: 6.95-j12.41 mmhos. La admitancia
del lado de transistor debe ser: 6.95+j12.41 mmhos
 Solución al Ejemplo (Cont.)
– Para la carga:

– Para máxima transferencia de potencia la admitancia de

carga debe ser: 0.347-j1.84 mmhos.
4. Diseño de la red de acople de entrada: Debe acoplar la
impedancia de la fuente de 50 ohm a la entrada del
transistor:
Empleando un factor de normalización de 50: el acople se
realiza entre A=1 ohm y C= 50(6.95-j2.42)=0.34 – j 0.62 mho.
Red de acople de entrada
 Red de acople de salida
• Empleando un factor de normalización de 200, la red de
acople de salida tiene como entrada:

y salida: 50/200=0.2.5 ohm

Red de acople de salida
 Red de polarización
• Punto de polarización: ; Vcc= +20, b= 50.
1.
2. Asumiendo VE=2.5 v e

3. Cálculo de RE y RC:
;

4. Cálculo de R1 y R2: ;
Circuito final del ejemplo
 Diseño con transistores potencialmente
inestables
• Si C<1, el transistor es potencialmente inestable y puede
oscilar. En este caso hay varias opciones:
1. Seleccionar un nuevo punto de polarización para el
transistor, lo que implica cambio de parámetros.
2. Unilateralizar o Neutralizar el transistor.
3. Seleccionar un desacoplamiento en la entrada y en la salida
del transistor para reducir la ganancia.
 Unilateralización
•• La Unilateralization consiste en aprovicionar un circuito externo
de realimentación (Yf ) entre la entrada la salida, tal que:

Por tanto, cancela permitiendo que la impedancia de transferencia

inversa compuesta sea igual a cero.

• En este caso, el dispositivo se convierte en estable en forma

incondicional.
• Esto puede ser verificado sustituyendo en la ecuación de
estabilidad de Linvill generando un factor que en este caso llega
a ser cero, indicando una estabilidad incondicional.
 Neutralización
•• La Neutralización es similar a la Unilateralización excepto que la
componente imaginaria de es únicamente tenida encuenta.
• Se construye un realimentación de la salida a la entrada tal que
Bf =−br.
• Entonces, la suceptancia de transferencia inversa compuesta (brc)
es igual a cero.
• En la Neutralización, gr es despreciable frente a br .
• Por esta razón la neutralización es preferida a la unilateralización.
• Existen dos tipos de neutralización: el inductor en series con un
capacitor sintonizados para proveer la cantidad correcta de
susceptacia negativa (inductancia) necesaria para cancelar la
susceptancia de transferencia inversa positiva interna del
transistor.
Circuitos de Neutralización

A) Para B) Para
 Parámetros compuestos
•• Conectando una red externa entre la entrada y la salida de la
red activa, por Unilateralización o neutralización se generan
nuevos parámetros para el amplificador llamados: parámetros
compuestos. Agregando un subíndice “t” a los parámetros del
dispositivo y una “f” a la red de realimentación, los
parámetros compuestos pueden escribirse así:

• La red de realimentación se reduce a una admitancia cuyos

parámetros son:
 Ejemplo
•• Un amplificador de RF pequeña señal trabaja en , emplea un
transistor en E-C, , , tiene los siguientes parámetros “y” en

Encuentre las admitancias de fuente y de carga que aseguren

un diseño estable. Encuentre la ganancia del amplificador.
• Solución:
1. Cálculo del factor C de estabilidad:

yf yr ( 35 - j5) ( 0 + j1.5 )
C= = = 2.4 > 1
El dispositivo
2 gi g o -esRe [ yf yr ] 2 �3 �4inestable.
potencialmente - Re �
�( 35 - j5 ) ( 0 + j1.5 ) �
�
 Neutralizando el transistor (Ejemplo)

• Requiere un Condensador de desacople de .

Parámetros compuestos (Ejemplo)
•• ;

• Máxima Ganancia Disponible:

 Diseño de amplificadores RF p.s.
mediante parámetros “s”
•• Se calcula de la misma manera que con los parámetros “y”.
• Para calcular la estabilidad con los parámetros S se debe
calcular primero una cantidad intermedia:

• El factor de estabilidad ROLLETT (K) se calcula:

• Si el dispositivo es Incondicionalmente estable.

• Si el dispositivo es Potencialmente estable, y puede oscilar con
ciertas combinaciones de impedancias de fuente y de carga.
 Máxima Ganancia Disponible : MAG
• Se espera MAG bajo condiciones de acoplamientos
conjugados.
• Se calcula primero:
• Luego el cálculo de MAG en dB:

• El signo que precede al radical es el opuesto al signo de B1.

Diseño con transistores incondicionalmente
estables
• Cálculo del coeficiente de reflexión de carga. Se realizan los
siguientes pasos:

• Coeficiente de reflexión de fuente:

 Ejemplo: Diseño amplificador RF con los
parámetros “S”
• Diseñe un amplificador de RF con un transistor en 200 MHz,
Vce=10v., Ic=10 mA, que tiene los siguientes parámetros S:

El amplificador debe operar entre terminaciones de 50 W.

Diseñar las redes de acople de entrada y salida respectivamente,
para máxima ganancia.
 Solución
•• Cálculo de la estabilidad en el punto de operación:

• Dado que el transistor es incondicionalmente ESTABLE.

• Cálculo de MAG:
 Solución (cont.)
• Cálculo del coeficiente de reflexión de carga:

• Cálculo del coeficiente de reflexión de fuente:

 Solución (cont.)
•• Red de acople de entrada: Debe forzar a la fuente con 50 W
presente un coeficiente de reflexión . Con este ángulo y
magnitud medidos con el compás, se encuentra el punto C,
que en la carta de impedancias corresponde a
• No olvidar que esta impedancia está normalizada. La
impedancia representada por es igual a:
Solución (cont.) Red de entrada

C en paralelo.

L en serie.
 Solución (cont.) Red de salida
•• Red de acople de salida:
El coeficiente de reflexión de salida es mostrado en la siguiente
transparencia con:

Se puede leer en la carta:

Solución (cont.) Red de salida
C en paralelo.

L en paralelo
 Solución (cont.)
• Circuito final sin incluir la polarización:
 Diseño para una ganancia específica
• Cuando se requiere una cierta ganancia se emplea el método
de “desacople selectivo”, mediante el círculo de “ganancia
constante” en la carta de Smith y se calcula así:
1. Calcule:
2.
3.
4.
5. Centro del círculo:
6. Radio del círculo:
 Ejemplo
•• Un transistor a 250 MHz con , tiene los siguientes parámetros
S:

Diseñar un amplificador que provea una ganancia de 9 dB en 250

MHz si las impedancias de la fuente y de la carga son:

El transistor es estable incondicionalmente con

 Solución
•
•
• Ganancia:

• El centro del círculo es localizado en el punto:

Este punto es graficado en la carta de Smith.

• El radio del círculo de ganancia 9 dB es calculado como:
Solución (cont.)
A: Impedancia de carga
50-j50 cuyo valor
normalizado es:
1-j1
El circuito de salida del
transistor debe trasformar
La carga actual en un
Valor que cae sobre el
Círculo de ganancia cte.
Hay numerosas
Configuraciones
Que cumplen

Arco AB=C serie=-j2W

Arco BC= L paralelo=-j0.425
 Solución (cont.)
•• Cualquier impedancia de carga a lo largo de la circunferencia
producirá una ganancia de 9 dB si la impedancia de entrada
del transistor es acoplada con el conjugado.

• Para un acoplamiento conjugado en la entrada con (punto C),

el coeficiente de reflexión debe ser:
Solución (cont.)
A: Impedancia de fuente
normalizada=0.7-j1.2W
D:
Con un diseño de 3 elem.

AB=C2 paralelo
AB=j0.62 mho
BC=L2 serie
BC= j1.09 ohm
CD= C3 paralelo
CD=j2.1 mho
 Solución (cont.)
•

• Diseño, excluido el circuito de polarización: