 Esel nivel

de energía
donde se
realizan las
combinacion
es químicas.
 Electrón de valencia

Energía eléctrica Aplica energía

Electrón pasa a la
banda de
conducción.
CON CUATRO ELECTRONES DE
VALENCIA

AL COMBINARSE

ESTRUCTURA ORDENADA

CRISTAL

ENLACE COVALENTE
-Un electrón puede pasar a ser electrón
libre si recibe energía :
Térmica
Óptica
Eléctrica
AUMENTO DE TEMPERATURA

ELECTRÓN LIBRE

HUECO

ATRAE A LOS ELECTRONES

0ºK ÁTOMOS LIGADOS

300ºK ÁTOMOS LIBRES

"
Es la unión de un electrón libre y un
hueco.
 El tiempo entre la creación y desaparición de
un electrón libre se denomina "tiempo de
vida".
 Material
extrínseco

Dopado

Adicionar
impurezas

Tipo P Tipo N
Se utiliza material pentavalente.
• Antimonio -Arsénico
• Bismuto -Fósforo

Portadores
• Mayoritarios=Electrones=donores
• Generados por dopado

Portadores
• Minoritarios=huecos
• Generados por la elevación de la temperatura.
Se utiliza el material trivalente
• Boro
• Aluminio -Galio

Portadores
• Mayoritarios=huecos=aceptores
• Generados por dopado.

Portadores
• Minoritarios=electrones
• Generados térmicamente.
 El átomo pentavalente en un cristal de silicio
(Si) produce un electrón.
 El átomo trivalente en un cristal de silicio.
 Semiconductor extrínseco : TIPO P

- - -
-
- -
- -
- -
-
- -
300ºK
- - -

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actúan como portadores de carga positiva.
Básicamente en un inicio son materiales neutros.
 Semiconductor extrínseco : TIPO N

+ + +
+
+ +
+ Impurezas grupo V
+
+ +
+
+ +
300ºK
+ + +

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
Al estar balanceadas las cargas este es un material neutro.
La unión P-N
La unión P-N en equilibrio

- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición o agotamiento’. Que
actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de
cada zona.
La unión P-N
La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no

hay circulación de corriente.
La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.
La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +

Concentración de huecos Concentración de electrones

+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de

electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión.