SEMICONDUCTORES

DIAGRAMA DE FASES 2016-II

LOVATON GUILLEN GERARDO 12160237
 INTRODUCCION
• Una distinción importante entre metales y semiconductores es el
hecho de que la conductividad de los semiconductores aumenta al
aumentar la T, ya que mas electrones pueden alcanzar la banda de
conducción desde la banda de valencia, por otra parte la
conductividad de la mayoría de los metales disminuye al aumentar la
T , esto se debe a que el numero de electrones ya disponibles
empieza a dispersarse y se reduce la movilidad de los e-.
• Semiconductores elementales: Si , Ge , Estaño gris(alfa-estaño) , C,
etc.
• Semiconductores compuestos: GaAs, AlAs, GaN, CdS, CdTe , etc.
• Semiconductores Intrínsecos: es aquel cuyas propiedades no están
controladas por las impurezas o dopantes.
• Semiconductores Extrínsecos ( de tipo negativo “n” o positivo “p”): es
el preferido para los dispositivos electrónicos ya que sus propiedades
son estables en función de la T y se pueden controlar utilizando
implantaciones de iones o difusión de dopantes.
• Los semiconductores compuestos se forman a partir de los elementos
de los grupos IIB y VIA de la tabla periódicas por ejm: CdS, CdSe, CdTe,
HgCdTe, etc. También puede formarse de los elementos de los grupos
IIIA y VA por ejemplo : GaAs, AlAs, AlP, InP, etc.
• Los semiconductores elementales como el silicio y germanio son los
bloques constructivos para muchos dispositivos electrónicos ya que
tienen una conductividad eléctrica fácilmente controlada y cuando
están adecuadamente combinados puedes funcionar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento de
datos.
• La brecha de energía Eg entres las bandas de valencia y de
conducción en los semiconductores es relativamente pequeña , como
resultados algunos electrones poseen suficiente energía térmica para
saltar la brecha y entrar en la banda de conducción, los electrones
excitados dejan atrás niveles de energía no ocupados es decir huecos
en la banda de valencia .
• Cuando se mueve un electrón para llenar un hueco , se crea otro en la
fuente original e-,en consecuencia los huecos parecen actuar como
electrones cargados positivamente y conducen una carga eléctrica.
• Cuando se le aplica un voltaje a este material, los e- de la banda de
conducción se aceleran hacia la terminal positiva, en tanto los huecos
de la banda de valencia se mueven hacia la negativa, por tanto se
conduce una corriente debido al movimiento tanto de electrones
como de huecos.
• En los semiconductores intrínsecos, controlamos la cantidad de
portadores de carga y como consecuencia la conductividad eléctrica
al controlar la T.
• A T mas elevadas permiten que mas electrones crucen la zona
prohibida y por tanto la conductividad se incrementa.
• La conductividad de una semiconductor también aumenta porque
existen mas portadores de cargas presentes, en tanto que la
conductividad de un metal se reduce debido a la menor movilidad de
los portadores de carga.
• No podemos controlar con precisión el comportamiento de un
semiconductor intrínseco ya que ligeros cambios en la T puede
modificar significativamente la conductividad.
CONDUCTORES EXTRINSECOS
• Al agregar intencionalmente una pequeña cantidad de átomos de
impureza en el material (dopado) podemos producir un
semiconductor extrínseco.
• Su conductividad depende del numero de átomos de impurezas es
decir dopantes y dentro de un cierto rango de temperaturas , dicha
conductividad es independiente de la T , esta el razón por la que casi
siempre se utiliza semiconductores extrínsecos para la fabricación de
dispositivos.
• Tipos : semiconductores de tipo negativo “n” y positivo “p”.
Semiconductores de tipo n
• Hay 4 electrones que participan en el proceso de enlace covalente, el
otro electrón adicional se coloca en un nivel de energía en estado
donador debajo de la banda de conducción.
• Dado que este electrón adicional no esta unido fijamente a los
átomos , solo se requiere un pequeño incremento de energía Ed para
que este electrón entre a la banda de conducción.
• El incremento de energía requerido se definirá como Eg-Ed , la brecha
de energía que controla la conductividad es ahora igual a Ed en vez de
Eg, cuando los electrones donadores entran a la banda de conducción
, no se crean huecos.
• En la siguiente grafica se muestra los cambios de concentraciones de los
portadores en función de la T.
• Cuando la T es demasiado baja los iones donadores o aceptantes no esta
ionizados y por tanto la conductividad es muy pequeña.
• Conforme se aumenta la T se completa el proceso de ionización y los
electrones aportados por los donadores quedan disponibles para la
conducción.
• La conductividad se mantiene independiente de la T la región extrínseca.
• El valor de conductividad en la cual presenta la meseta dependería del
nivel de dopantes.
• Si la T se eleva demasiado la propiedades se acercan a un semiconductor
intrínseco.
Semiconductores de tipo positivo “p”
• Cuando al Si o Ge le agregamos una impureza como galio o boro que
tienen una valencia igual a 3, no existen suficientes electrones para
completar el enlace covalente.
• Se crea un hueco de electrón en la banda de valencia que puede
llenarse con electrones de otras localizaciones en la banda.
• Los huecos funcionan como aceptantes de e-.
• Un electrón necesita ganar una energía de solo Ea , a fin de crear un
hueco en la banda de valencia.
• El hueco entonces se mueve y transporta carga.