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AMPLIFICADORES LINEARES

A TBJ
Generalidades

VCC iC Reta de carga


RC iC

RS C
+ IBQ
B
+ vCE
+ iB
vs(t) vBE E -
-
-
VSS
vCE

Ponto quiescente
(de polarização): para vs(t) = 0
VCC iC
iBmáx
RC iC

RS C
+ IBQ
B
+ vCE
+ iB iBmin
vs(t) vBE E -
-
-
VSS
vCE

VCEQ
iC
iBmáx
iCmáx

ICQ IBQ

iBmin
iCmin

vCE

vCEmin vCEmáx
VCEQ
vSS = VSS + vss(t)

VCC vBE = VBE + vbe(t)

vCE = VCE + vce(t)


RC
iB = IB + ib(t)
RS C
+
B iC = IC + ic(t)

+ vCE Convenção:
vs(t) + -
vBE E
- x A = XA + x a
-
VSS
componente AC
componente DC
sinal completo
iB

iB = IB + ib(t)

iC = b.iB
IBQ
iC = IC + ic(t) = bIB + bib(t)
t b da ordem de centenas:
iC
DiB = iBmáx – iBmin: ordem de 10-5 A

ICQ

DiC = iCmáx – iCmin: ordem de 10-3 A

t
Atenção:

iC = IC + ic(t) = bIB + bib(t)

Como b não é constante (dispositivo não linear):

I C ≠ bIB e ic(t) ≠ bib(t)

 A forma de onda não é reproduzida fielmente: distorção


valor médio = componente DC

I C ≠ ICQ e IB ≠ IBQ

valor quiescente
vBE

De modo análogo para valores


típicos de resistências RS e RC:

VBEQ DvBE = vBEmáx – vBEmin: ordem de 10-2 V


t
vCE

DvCE = vCEmáx – vCEmin: ordem de 100 V


VCEQ

VCE ≠ VCEQ e VBE ≠ VBEQ

t
Portanto o transistor bipolar é capaz de amplificar
sinais de corrente e tensão!
Portanto o transistor bipolar é capaz de amplificar
sinais de corrente e tensão!
Mas para isto a operação tem que acontecer na
REGIÃO ATIVA

iC
iBmáx
iCmáx

ICQ IBQ

iBmin
iCmin

vCE

vCEmin V vCEmáx
CEQ
Na região de SATURAÇÃO as características se aproximam e
não há amplificação significativa

iC
iBmáx

IBQ
iCmáx
ICQ iBmin
iCmin

vCE

vCEmáx
vCEmin VCEQ
Importância do PONTO DE POLARIZAÇÃO (QUIESCENTE)

 É das fontes DC que alimentam o circuito que é

retirada a potência extra do sinal amplificado

 Deve garantir a polarização na REGIÃO ATIVA

 Sua localização deve permitir uma boa excursão

simétrica do sinal

 Ganhos e outras características dinâmicas

dependem do ponto quiescente


Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

Q1
SATURAÇÃO

IBQ1

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ1
Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

Q2 IBQ2
SATURAÇÃO

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ2
Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

Q2 IBQ2
SATURAÇÃO

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ2
Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

SATURAÇÃO

Q3 IBQ3

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ3
Localização do ponto quiescente
X
Máxima excursão simétrica do sinal amplificado

iC

SATURAÇÃO

Q3 IBQ3

vCE

VCESAT CORTE
VCEQ3
Distorção da forma de onda

iC
iBmáx
iCmáx

ICQ IBQ

iBmin
iCmin

DiB/2 = iBmáx - IBQ = IBQ - iBmin vCE


mas:
espaçamentos desiguais e
vCEmin vCEmáx
inclinações variáveis VCEQ
Mas... operando com PEQUENOS SINAIS:

iC

iBmáx
iCmáx
ICQ IBQ
iCmin iBmin

DiB muito pequena

vCE
Características retilíneas,
paralelas e uniformemente vCEmin vCEmáx
espaçadas VCEQ
Operação com

PEQUENOS SINAIS = COMPONENTES AC DE PEQUENA AMPLITUDE:

 A excursão do sinal limita-se a uma vizinhança do ponto

quiescente

 Nesta vizinhança, as características I-V podem ser

consideradas retilíneas, paralelas e uniformemente espaçadas

 O TBJ pode ser aproximado por um DISPOSITIVO LINEAR

apenas do ponto de vista dos sinais de pequena amplitude

 A distorção dos sinais é quase desprezível


Modelos do TBJ para operação
com pequenos sinais
em baixas frequências

I) Modelo de Parâmetros Híbridos na Configuração Emissor


Comum - parâmetros he

características de saída na configuração emissor comum:

iC = f(iB, vCE)

características de entrada na configuração emissor comum:

vBE = f(iB, vCE)


características de entrada na configuração emissor comum:

vBE = f(iB, vCE)

diferencial total:

vBE vBE
dvBE  diB  dvCE
iB vCE

aproximação:

vBE vBE
DvBE  DiB  DvCE
iB Q vCE Q
aproximação:

vBE vBE
DvBE  DiB  DvCE
iB Q vCE Q

DvBE = vBE – VBEQ ≈ vBE – VBE = vbe

DiB = iB – IBQ ≈ iB – IB = ib

DvCE = vCE – VCEQ ≈ vCE – VCE = vce

vBE vBE
vbe  ib  vce
iB Q vCE Q
vBE vBE
vbe  ib  vce
iB Q vCE Q

Definindo:

vBE impedância de entrada (input)


hie 
iB Q com a saída em curto

vBE ganho reverso de tensão (reverse)


hre 
vCE Q com a entrada em circuito aberto
vBE vBE
vbe  ib  vce
iB Q vCE Q

Definindo:

vBE unidade: W
hie 
iB Q ordem de grandeza: 103 W

vBE adimensional
hre 
vCE Q ordem de grandeza: 10-4
vBE vBE
vbe  ib  vce
iB Q vCE Q

vbe  hieib  hre vce

A componente AC de vbe é uma


COMBINAÇÃO LINEAR
das componentes AC de ib e vce
Representação através de rede linear:

vbe  hieib  hre vce


ib

B
+ hie
+
vbe hrevce
-
-
E
características de saída na configuração emissor comum:

iC = f(iB, vCE)

diferencial total:

i C i C
diC  diB  dvCE
iB vCE

aproximação:

i C i C
Di C  DiB  DvCE
iB Q vCE Q
aproximação:

i C i C
Di C  DiB  DvCE
iB Q vCE Q

DiC = iC – ICQ ≈ iC – IC = ic

DiB = iB – IBQ ≈ iB – IB = ib

DvCE = vCE – VCEQ ≈ vCE – VCE = vce

i C i C
ic  ib  vce
iB Q vCE Q
i C i C
ic  ib  vce
iB Q vCE Q

Definindo:

iC ganho direto de corrente (forward)


hfe 
iB Q com a saída em curto

i C admitância de saída (output)


hoe 
vCE Q com a entrada em circuito aberto
i C i C
ic  ib  vce
iB Q vCE Q

Definindo:

iC adimensional
hfe 
iB Q ordem de grandeza: 102

i C unidade: S
hoe 
vCE Q ordem de grandeza: 10-6 S
i C i C
ic  ib  vce
iB Q vCE Q

ic  hfe ib  hoe vce

A componente AC de ic é uma
COMBINAÇÃO LINEAR
das componentes AC de ib e vce
Representação através de rede linear:

ic  hfe ib  hoe vce

ic
C
+

hfeib 1/hoe vce

-
E
QUADRIPOLO LINEAR que representa o
TBJ na operação com pequenos sinais
(só para as componentes AC)

vbe  hieib  hre vce ic  hfe ib  hoe vce

ib
ic
B C
+ hie +
+
vbe hrevce hfeib 1/hoe vce
-
- -
E E
Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hie e hre:

Características de iB

entrada:
vCEmáx
iBmáx
VCEQ
IBQ
iBmin VCEmin

vBE
vBEmin
vBEmáx
VBEQ
Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hie e hre:

Características de vBE

entrada:
vCEmáx
vBEmáx
VCEQ
VBEQ
vBEmin vCEmin

vBE
iBmin
iBmáx
IBQ
Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hie e hre:

Características de saída:

vCEmáx
VCEQ
x vCEmin
Q
DvBE

IBQ

DvBE
hre  hie  tgx
vCEmáx  vCE min i  I
B BQ
Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hfe e hoe:

Características de saída: iC

iBmáx
iCmáx
IBQ
ICQ
iCmin iBmin

vCE
vCEmin
vCEmáx
VCEQ
Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hfe e hoe:

Características de saída: iC

iBmáx
iCmáx
IBQ
ICQ
iCmin iBmin

iB
vCEmin
vCEmáx
VCEQ
Interpretação gráfica dos parâmetros híbridos hfe e hoe:

Características de saída:

iBmáx

IBQ
Q
DiC q
iBmin

modela
o efeito Early
VCEQ

Di C
hfe  hoe  tgq
iBmáx  iB min v
CE  VCEQ
II) Modelo de Parâmetros p-híbridos

ib
ic
B C
+ rp +

vbe gmvbe ro vce

- -
E E

vce
vbe  rp ib ic  gmvbe 
ro
Na região ativa:

  IS vBE t 
iC  ISe vBE  t  IC0 iB  e  IC0
b

iC IS VBEQ t  ICQ


gm   e 
vBE Q  t  t

1 modela
 iB   t b o efeito Early
rp    b 
 vBE  ICQ gm
 Q

ro: inverso da inclinação da característica de saída


em torno do ponto quiescente
Os modelos lineares do TBJ para operação
com pequenos sinais :

Só se aplicam às componentes AC dos sinais


de pequenas amplitudes

Dependem das inclinações e espaçamentos


relativos das características, portanto...

Dependem do ponto quiescente, do


dispositivo (tecnologia) e da temperatura

Podem ter seus parâmetros convertidos uns


nos outros
Características de Desempenho
de Amplificadores Lineares

(i) Ganhos de tensão

RS ii io

+ +
is
+ vi vo RL
vs RPOL
-
- -

vo vo
Av  A vs 
vi vs
(ii) Ganhos de corrente

RS ii io

+ +
is
+ vi vo RL
vs RPOL
-
- -

io io
Ai  Ais 
ii is
(iii) Resistência de entrada = resistência de
Thévenin vista da entrada

RS ii io

+ +
is
+ vi vo RL
vs RPOL
-
- -

vi

Ri   RPOL // R i
is vi
Ri 
ii
RS
Ri
vi  vs
Ri  R s +
is
+ vi
Ri vs R’i
A vs  Av -
Ri  R s
-
RS
RPOL
ii  is +
R i  RPOL is ii
+ vi RPOL Ri
vs
RPOL -
Ais  Ai
R i  RPOL -
(iv) Resistência de saída = resistência de
Thévenin vista da saída

RS ii -io

+ +
is
vs = 0 vo +
vi RPOL
-
- -

vo
Ro 
 io v  0
s
As características de desempenho:

São parâmetros dinâmicos - relacionam as componentes


AC dos sinais

Podem ser expressas em termos dos parâmetros de


modelagem do TBJ e as resistências do circuito

Dependem do ponto de polarização


Capacitâncias de Acoplamento

São utilizadas em circuitos discretos para evitar que as


resistências de fonte e de carga, e de entrada e saída
de blocos vizinhos interfiram na polarização

Capacitores funcionam como circuito aberto em baixas


frequências, bloqueando a passagem da corrente DC

Para não alterar o circuito AC, devem apresentar


impedância desprezível nas frequências de operação
do amplificador
VCC VCC VCC
RS C1 C2 C3 C4

+
- RL

R’i1 R’o1 R’i2 R’o2 R’i3 R’o3

1

C i   0
VCC VCC VCC
RS C1 C2 C3 C4

+
- RL

R’i1 R’o1 R’i2 R’o2 R’i3 R’o3

1 1
 minRs ,Ri1  minRo2 , Ri3 
minC1 minC3

1 1
 minRo1, Ri 2   minRo3 ,RL 
minC2 minC4
Metodologia de Análise de Amplificadores Lineares

1) Determinação do ponto de polarização

(os parâmetros do modelo são determinados


a partir do ponto de polarização)

2) Determinação do circuito equivalente AC:

2.1) desativar fontes DC (curto-circuitar VCC)


2.2) substituir capacitores de acoplamento e
aterramento por curto-circuito

3) Substituição do TBJ por um modelo de


quadripolo linear para operação com
pequenos sinais

4) Análise do circuito para determinação dos


parâmetros de desempenho (Av, Ri, Ai etc)
Estágios Básicos de Amplificação a TBJ

A) Configuração Emissor-Comum

Convenção:

BASE: terminal de entrada

COLETOR: terminal de saída

EMISSOR:
terminal de referência para os sinais AC
(comum entre a entrada e a saída)
A) Configuração Emissor-Comum

VCC

RB1 RC CL
CS C
RS
B +

E RL vO
+ +
vs RB2
- vI RE
- CE -
CE = capacitor de
aterramento do terminal de
VCC
emissor para sinais AC

RB1 RC CL
CS
RS
+

RL vO
+ +
vs RB2
- vI RE
- CE -
CE = capacitor de
aterramento do terminal de
VCC
emissor para sinais AC

RB1 RC CL
CS
RS
+

RL vO
+ +
vs RB2
- v
Deve funcionar
I como curto RE
- de operação:
nas frequências CE -

1
 RE
minCE
Passo 2: Circuito equivalente AC

RS
+

RC RL vo
+ +
vs RB2
- vi RB1
- -
Passo 2: Circuito equivalente AC

io
RS is ii C
B
+

E RC RL vo
+ +
vs
- vi RB = RB1 //RB2
- -
Passo 3: Substituição do TBJ por modelo

ii = ib
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC -
E
Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC -
E

vce

vi  hieib  hre A v vi
Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC -
E

vi  hieib  hre A v vi

O.G: 10-4 102


Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC -
E

vi  hieib  hre A v vi vi  hie ib


hre pode ser
O.G: 10-4 102 desprezado: curto
Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC -
E

Se 1/hoe >> RC//RL ...


Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib
RS is ic io
B C

hie hfeib +
+ + + RL
vs RB vo
- vi -
hrevce
- 1/hoe RC -
E

Se 1/hoe >> RC//RL hoe pode ser


desprezado:
circuito aberto
O.G: 105 W 103 W
Passo 3:
Modelo simplificado válido:

ii = ib
RS is ic io
B C

hie +
+ + RL
vs RB RC vo
- vi
- hfeib
E -
Passo 4: Análise do circuito

ii = ib
RS is ic io
B C
hie +
+ + RL
vs RB RC vo
- vi
- hfeib
E -

R’i Ri Ro R’o

RC
vi  hieib io   ic vo   RC // RL ic
RC  RL
i i  ib ic  hfeib
Passo 4: Análise do circuito

RS is
B

+ + Ri
vs vi  vs
- vi R’i Ri  R S
-
Passo 4: Análise do circuito

ii = ib
RS is
B

+ + RB
vs RB Ri i i  ib  is
- vi RB  R i
-

R’i Ri
vi  hieib vi
Ri   hie
i i  ib ii

O.G.: 103 W (média)

RB vi
i i  ib  is Ri   RB // R i
RB  R i is

O.G.: 103 W (média)


vi  hieib
vo hfe
vo   RC // RL ic Av    RC // RL 
vi hie
ic  hfeib

O.G.: 102 (alto)


com inversão de fase

Ri vo Ri
vi  vs A vs   Av
Ri  R S vs Ri  R S

O.G.: 102 (alto)


com inversão de fase
i i  ib
RC io RC
io   ic Ai    hfe
RC  RL ii RC  RL
ic  hfeib
O.G.: 102 (alto)
com inversão de fase

RB io RB
i i  ib  is Ais   Ai
RB  R i i s R i  RB

O.G.: 102 (alto)


com inversão de fase
Determinação das resistências de saída

ii = ib
is ic
B C

RS hie
+ hfeib
vs=0 +
vi RB vo
-
-
E

Ro
vs  0  ib  0  ic  hfeib  0
vo
Ro  
ic v 0
s
ic -io
C
+

RC + vo
-
hfeib
E -

Ro R’o

vo
Ro   Ro // Rc
 io v  0
s O.G.: 103 W (média)
Ro    Ro  Rc
B) Configuração Base-Comum

Convenção:

EMISSOR : terminal de entrada

COLETOR: terminal de saída

BASE:
terminal de referência para os sinais AC
(comum entre a entrada e a saída)
B) Configuração Base-Comum

VCC

RB1 RC CL
C
B CS +
RS
CB E RL vO
RB2 + +
RE vI vs -
-
-
B) Configuração Base-Comum
CB = capacitor de
aterramento do terminal de
base para sinais AC
VCC

RB1 RC CL
C
B CS +
RS
CB E RL vO
RB2 + +
RE vI vs -
-
-
B) Configuração Base-Comum
CB = capacitor de
aterramento do terminal de
base para sinais AC
VCC

RB1 RC CL
C
B CS +
RS
CB E RL vO
RB2 +
Deve funcionar como curto +
RE vI de operação:
vs - -
nas frequências
-
1
 RB1 // RB2
minCB
Passo 2: Circuito equivalente AC

RS is ii io

E C +

+ + B vo
vs RE RC RL
- vi
- -
Passo 3: Substituição do TBJ por modelo

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL
vs RE RC vo
- vi -
- hrevce +
B -
Passo 3: Modelo simplificado válido?

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL
vs RE RC vo
- vi -
- hrevce +
B -

vce
vi  hieib  hre vo  vi 
Passo 3: Modelo simplificado válido?

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL
vs RE RC vo
- vi -
- hrevce +
B -

vi  hieib  hre A v  1vi vi  hie ib


hre pode ser
O.G: 10-4 102 desprezado: curto
Passo 3: Modelo simplificado válido?

1/hoe
RS ii = -ie ic io
C

E +
is ib hie hfeib
+ + RL
vs RE RC vo
- vi -
- hrevce +
B -

hoe pode ser


Se 1/hoe >> RC//RL + RE
desprezado:
circuito aberto
O.G: 105 W 103 W
Passo 3: Modelo simplificado válido:

ii = -ie hfeib ic io
RS

E C +
is
+ + ib RL
vs RE hie RC vo
- vi
-
B -
Passo 4: Análise do circuito

ii = -ie hfeib ic io
RS

E C +
is
+ + ib RL
vs RE hie RC vo
- vi
-
B -

R’i Ri Ro R’o

RC
vi  hieib io   ic vo   RC // RL ic
RC  RL
ii   ie   1 hfe ib ic  hfeib
Passo 4: Análise do circuito

RS is
B

+ + Ri
vs vi  vs
- vi R’i Ri  R S
-
Passo 4: Análise do circuito

ii = -ie
RS is
B

+ + RE
vs RE Ri i i   ie  is
- vi RE  Ri
-

R’i Ri
vi  hieib vi hie
Ri  
ii   1 hfe ib i i 1  hfe

O.G.: 101 W (baixa)

RE vi
i i  ib  is Ri   RE // R i
RE  Ri is

O.G.: 101 W (baixa)


vi  hieib
vo hfe
vo   RC // RL ic Av   RC // RL 
vi hie
ic  hfeib

O.G.: 102 (alto)


sem inversão de fase

Ri vo Ri
vi   vs A vs   Av
Ri  R S vs Ri  R S

O.G.: 101 (médio-alto)


sem inversão de fase
i i   1  hfe ib
RC io RC hfe
io   ic Ai  
RC  RL i i RC  RL 1  hfe
ic  hfeib
O.G.: < 1 (aprox. 1)

RE io RE
i i  ib  is Ais   Ai
RE  Ri is R i  RE

O.G.: < 1
Determinação das resistências de saída

ii = -ie hfeib ic
RS

E C +
is
+ ib +
vs = 0 RE hie vo
vi -
-
B -

Ro

vs  0  R S // RE 1 hfe ib  hieib  ib  0


vo
ic  hfeib  0  Ro  
ic v 0
s
ic -io

C +

RC + vo
-
hfeib
B -

Ro R’o

vo
Ro   Ro // Rc
 io v  0
s O.G.: 103 W (média)
Ro    Ro  Rc
C) Configuração Coletor-Comum

Convenção:

BASE: terminal de entrada

EMISSOR: terminal de saída

COLETOR :
terminal de referência para os sinais AC
(comum entre a entrada e a saída)
C) Configuração Coletor-Comum

VCC

RB1 RC
CS C
RS
B
CC
CL
+ E
vs + +
- vI RB2
RE RL vO
- -
C) Configuração Coletor-Comum
CC = capacitor de
VCC
aterramento do terminal de
base para sinais AC

RB1 RC
CS C
RS
B
CC
CL
+ E
vs + +
- vI RB2
RE RL vO
- -
C) Configuração Coletor-Comum
CC = capacitor de
VCC
aterramento do terminal de
base para sinais AC

RB1 RC
CS C
RS
B
CC
CL
+ E
vs + +
- RB2
vI Deve funcionar como R
curto
E RL vO
- nas frequências de operação: -
1
 RC
minCc
Passo 2: Circuito equivalente AC

io
is ii E
RS
B
+

C RE RL vo
+ +
vs
- vi RB = RB1 //RB2
- -
Passo 3: Substituição do TBJ por modelo

ii = ib hrevce
RS is ie io
B E
+ -
hie +
+ + RL
vs RB hfeib vo
- vi
- 1/hoe RE
C -
Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib hrevce
RS is ie io
B E
+ -
hie +
+ + RL
vs RB hfeib vo
- vi
- 1/hoe RE
C -

vce
vi  hieib  hre  vo   vo vi  hieib  vo
hre pode ser
desprezado: curto
Passo 3:
Modelo simplificado: válido?

ii = ib hrevce
RS is ie io
B E
+ -
hie +
+ + RL
vs RB hfeib vo
- vi
- 1/hoe RE
C -

Se 1/hoe >> RE//RL hoe pode ser


desprezado:
circuito aberto
O.G: 105 W 103 W
Passo 3:
Modelo simplificado válido:

ii = ib
RS is ie io
B E

hie +
+ + RE RL
vs RB hfeib vo
- vi
- -
C
Passo 4: Análise do circuito

ii = ib
RS is ie io
B E

hie +
+ + RL
vs RB hfeib RE vo
- vi
- -
C

R’i Ri Ro R’o

vi  hieib  vo vo  RE // RL 1 hfe ib


RE
i i  ib io  ie ie  1 hfe ib
RE  RL
Passo 4: Análise do circuito

RS is
B

+ + Ri
vs vi  vs
- vi R’i Ri  R S
-
Passo 4: Análise do circuito

ii = ib
RS is
B

+ + RB
vs RB Ri i i  ib  is
- vi RB  R i
-

R’i Ri
vi  hieib  vo
vi
vo  RE // RL 1 hfe ib Ri   hie  RE // RL 1 hfe 
ii
i i  ib

O.G.: 105 W (alta)

RB vi
i i  ib  is Ri   RB // R i
RB  R i is

O.G.: 104 W (média-alta)


vi  hieib  vo vo RE // RL 1 hfe 
Av  
vi hie  RE // RL 1  hfe 
vo  RE //RL 1 hfe ib

O.G.: < 1 (aprox. 1)


sem inversão de fase

Ri vo Ri
vi   vs A vs   Av
Ri  R S vs Ri  R S

O.G.: < 1 (aprox. 1)


sem inversão de fase
i i  ib
RE io RE
io  ie Ai   1 hfe 
RE  RL ii RE  RL
ie  1  hfe ib
O.G.: 102 (alto)
com inversão de fase

RB io RB
i i  ib  is Ais   Ai
RB  R i i s R i  RB

O.G.: 101 (médio-alto)


com inversão de fase
Determinação das resistências de saída

ii = ib
RS is -ie
B E
hie

vs = 0 + +
RB hfeib vo
vi -
-
C

Ro
vs  0  vo  R S // RB   hie ib  ie   1 hfe ib
vo RS //RB   hie
Ro  
 ie v  0 1 hfe O.G.: 101 W (baixa)
s
-ie -io
E
+

RE + vo
-
hfeib
C -

Ro R’o

vo
Ro   Ro // RE
 io v  0 O.G.: 101 W (baixa)
s
Tabela Comparativa
EC BC CC
Av alto com alto ~1 (<1)
defasagem
Avs alto com médio-alto ~1 (<1)
defasagem

Ai alto com ~1 (<1) alto


defasagem
Ais alto com ~1 (<1) médio-alto
defasagem
Ri média baixa alta
R’i média baixa média-alta
Ro alta alta baixa
R’o média média baixa
Emissor Comum: configuração mais
utilizada graças aos altos ganhos de
tensão e corrente

Coletor Comum: utilizada para


transferir tensão de fontes de alta
impedância para cargas de baixa
impedância

Base Comum: utilizada para transferir


corrente de fontes de baixa
impedância para cargas de baixa
impedância
Acoplamento direto entre fonte de alta
impedância e carga de baixa impedância

RS

+ + RL
vs RL vo  vs
- vo RL  R s
-

Se RL << RS, então vo << vs


Acoplamento utilizando um estágio coletor comum

RS R’o
coletor comum

+ + + +
vs R’i Avovi
- vi - R’L vo
- -

Avo ~1 é o ganho em circuito aberto


Como Rs<< R’i e RL >> R’o, então:

RL RL Ri
vo  A vo vi  A vo vs  vs
RL  Ro RL  Ro R s  Ri
Acoplamento direto entre fonte de baixa
impedância e carga de alta impedância

is RS
RS RL io  is
io RL  R s

Se RL >> RS, então io << is


Acoplamento utilizando um estágio base comum

base comum

is ii
RS R’i R’o RL io
Aiscii

Aisc ~1 é o ganho em curto circuito


Como Rs>> R’i e RL << R’o, então:

Ro Ro Rs
io  Aisci i  Aisc is  is
RL  Ro RL  Ro R s  Ri