Unidade 3

Estudo de Caso:
TBJ npn polarizado em conexão
emissor-comum.

1
 Elétrons fluindo do emissor para o coletor

coletor

base

emissor

Maior parte dos elétrons (99%) seguem diretamente para o coletor.

Polarização deste caso: TBJ na região ativa (B-E direta e B-C reversa).
2
 Correntes no transistor

IB IC

IE

Ganho de Corrente:
3
Fórmulas derivadas

IC
IB

IE

Potência dissipada no transistor:

4
Problema Prático
𝑹𝑪
Dado: 𝜷𝒄𝒄 = 200
Calcule: 𝑰𝑪 e 𝑽𝑬𝑪
𝑹𝑩

𝑽𝑹𝑩 = 𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 = 𝟐 𝑽 − 𝟎, 𝟕 𝑽 = 𝟏, 𝟑 𝑽

𝑽𝑩𝑩 −𝑽𝑩𝑬 𝟏,𝟑 𝑽
𝑰𝑩 = = = 13 µA
𝑹𝑩 𝟏𝟎𝟎 𝐤𝛀

𝑰𝑪 = 𝜷𝒄𝒄 𝑰𝑩 = (200)(13 µA) = 2,6 mA

𝑽𝑬𝑪 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 = 10 V – (2,6 mA)(1 𝐤𝛀) = 7,4 V 5

Traçando uma curva do Coletor, para IB = 10 µA (TBJ 2N3904)

1)Variar VBB até obter IB = 10 µA.

IB IC 2)Com IB fixo variar VEC e IC :

. Se VEC = 0 então IC = 0.
. Se VEC cresce de 0V a 0.4 V,
IE IC cresce de 0 mA a 1 mA.
(região de saturação).
. Se VEC cresce de 0,4V a 40 V,
região ativa ruptura IC fica constante em 1 mA
(região ativa).
. Se VEC cresce além de 40 V,
ocorre ruptura do diodo
coletor.

6
região de saturação
 Traçando outras curvas do coletor

1 mA 2 mA 7 mA
β𝑪𝑪 = = =⋯= = 100
10 µA 20 µA 70 µA 7
Problema Prático

Calcular VCE sabendo que:

IC = 1 mA, IB
IC
RC = 3,6 kΩ,
VCC = 10 V.
IE

VCE = VCC – ICRC

VCE = 10 V – (1 mA)(3,6 𝑘𝛺) = 6,4 V