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TRANSISTOR IGBT

FUNDAMENTOS DE LA
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
JUNIO
2019
¿Qué es un IGBT?

Es un transistor bipolar de
compuerta aislada que comparte
las características de los BJT y los
MOSFET.

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ESTRUCTURA
BASICA DEL IGBT

El IGBT es un dispositivo
semiconductor de cuatro capas
que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-
semiconductor (MOS), estructura
de la puerta sin una acción
regenerativa.

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ESTRUCTURA
BASICA DEL IGBT

Este dispositivo posee la


característica de las señales de
puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta
corriente y bajo voltaje de saturación
del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET

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Curva Característica
del IGBT:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa
que no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero.

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SIMBOLOGÍA

Es un componente de tres
terminales que se denominan
GATE (G) o puerta,
COLECTOR (C) y EMISOR
(E) y su símbolo corresponde
al dibujo de la figura
siguiente.
.

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APLICACIONES

El IGBT es un dispositivo Se usan en los Variadores


electrónico que generalmente de frecuencia así como en
se aplica a circuitos de
potencia. Este es un las aplicaciones en
dispositivo para la máquinas eléctricas y
conmutación en sistemas de
alta tensión. convertidores de potencia

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OPERACIÓN FÍSICA DEL IGBT
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la
puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente
con respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es
aplicado a la puerta G.

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COMPORTAMIENTO
DINÁMICO

• El tiempo de excitación del IGBT es similar al del FET.


• El tiempo de apagado se encuentra entre el del FET y el bipolar.
• La velocidad de conmutación.
• La potencia disipada también se encuentra en un lugar intermedio.
• En conjunto, el IGBT combina las características de potencia y velocidad de
los dos tipos de transistores.
• Un gradiente de tensión excesivo encontraría cargas atrapadas que no se han
extraído totalmente. 9
Cuando el IGBT se
enciende (turn-on)

a partir de Vce alta y Vfw igual a cero o negativo- con una corriente constante
que carga la compuerta, se obtiene un aumento lineal de la tensión de la
compuerta. Con la caída de tensión entre el colector y el emisor (Vce) la corriente
de polarización de la compuerta se usa para cargar Cgc, y la tensión de la puerta
permanece constante.

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Limitaciones del IGBT y áreas
de operación segura (SOA).

Al igual que los componentes que hemos visto hasta ahora, los IGBTs también necesitan
operar con seguridad.
Para saber cuáles son los límites del IGBT también tenemos gráficos que delimitan las
áreas de operación segura (SOA o Safe Operating Area) que en el caso también tienen
en cuenta la conmutación del dispositivo.
Estas condiciones tienen en cuenta que:
• Con la alta tensión y la corriente baja, la tensión máxima es limitada por la tensión de
ruptura.
• Con la alta corriente y la baja tensión, la corriente máxima es limitada por las
condiciones de traba del tiristor parásito
• Con la corriente y la tensión, estas magnitudes son limitadas por la disipación 11
MUCHAS
GRACIAS