Externos, gran capacidad, altos tiempos de acceso, no volátiles

Internos, menor capacidad, mayor velocidad de acceso, volatilidad variable

Discos rígidos Memorias ROM RAM Discos flexibles Cintas MRAM

Disco compacto Disco versátil digital Memoria holográgica

CD y DVD

RW

es decir que su respuesta depende de su estado anterior y de sus entradas lo que les permite almacenar y recuperar la información. Están organizadas en matrices de celdas. Las celdas están organizadas en “palabras” o bytes Un circuito auxiliar (decodificador) permite el acceso a cada dirección de memoria .Son circuitos secuenciales. en las que cada celda está constituida por un elemento de almacenamiento que puede guardar un 1 o un 0 (bit).

Están convergiendo y la vieja clasificación es ambigua .Las dos son de acceso aleatorio La diferencia histórica es entre volatilidad de los datos y la posibilidad de re-escritura.

Puerta flotante ¿Esto es ROM? .

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DETALLE DE FUNCIONAMIENTO Celda PROM .

Veloces Caras Ocupan mucho espacio Sencillez de diseño Más lentas Económicas Mayor capacidad Circuitos más complejos .

Un cerrojo o latch se consigue alimentando una puerta con la 1 salida de otra. Son circuitos secuenciales.A B O 1 1 1 0 0 0 Basadas en circuitos biestables “cerrojos” que retienen indefinidamente la información mientras estén alimentados. por lo que para determinar su estado hay que considerar. además de las entradas. Por ejemplo con NAND (cerrojo S´R´): 0 1 1 0 1 las conexiones cruzadas garantizan que las salidas sean siempre complementarias. su estado anterior .

R S 1 Qi 0 Qi+1 0 1 0 0 1 1 Para analizar su funcionamiento recordemos: NAND A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 O 1 1 1 0 1 1 1 1 0 R 1 1 1 1 0 0 0 0 S 1 1 0 0 1 1 0 0 Qi 0 1 0 1 0 1 0 1 Qi+1 0=Qi 1=Qi 0 0 1 1 0 0 0 1 1 Se conserva el 0 valor de Q 0 0 1 1 1 0 Se fija el valor 0 1 (Reset) 0 0 0 1 Se fija el valor 1 (Set) Estado indeterminado. Ambas compuertas intentan generar un mismo nivel lógico .

También podemos ver cómo funcionan en el circuito electrónico .

durante una operación de escritura y se extrae en una operación de lectura. Un circuito interno de la memoria (columna) adicional releva se almacena (escritura) o se extrae (lectura) periódicamente el estado del condensador y lo su celda básica actualiza. el transistor la fila en alto. • el la línea de columna queda satura. y un transistor que actúa . cuando el estado en la fila se Si enencuentrahay tensión alta. es sólo un pequeño condensador como llave para acceder al contenido de la celda. • La lectura es destructiva y.La operación de la celda es similar a la de un interruptor. el condensador pierde su carga en pocos y el dato presente en el bus milisegundos. de cualquier manera.transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la conectada al condensador memoria (columna) se almacena • en el condensador.

pero además permiten reducir el valor de la señal sobre la línea de bits y de esta manera pueden utilizarse transistores más pequeños. podemos leer o escribir en esta celda Sensor-amplificador: Son necesarios para la operación de refresco.DETALLE DE ARQUITECTURA Si X1 = Y1 = 1. .

temperaturas extremas) Velocidad y costo razonables Reescribible como una RAM. DRAM: 1T+ 1capacitor = 1bit) Gran resistencia a condiciones adversas (golpes.(SRAM:6T = 1bit. No volátil como una ROM .CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES Memoria de estado sólido (opera con cargas eléctricas) Además: De alta densidad: 1 transistor = 2bits.

Floating gate Avalanche-injection Metal Oxide Semiconductor .

Se forma un canal conductor entre S y D Cambiando el estado del transistor . mayor que cierta VT. Al aplicar entre G y S una tensión positiva.Recordemos la estructura y principio de funcionamiento de un NMOS.

En esta zona pueden introducirse y eliminarse electrones. aplicando tensiones selectivas.En el FAMOS se agrega a la estructura de la puerta una zona conductora totalmente rodeada por el óxido aislante. aprovechando el efecto “tunel” descrito por la mecánica cuántica .

por lo menos durante 10 años.La carga encerrada en la puerta flotante. a diferencia de la de los capacitores DRAM. . aún sin alimentación. se conserva inalterada.

Diseño de dos bits por celda Carga negativa almacenada en puerta flotante = 1 Ausencia de carga = 0 Tecnología avanzada permite colocar y diferenciar 4 niveles de carga en la puerta flotante El tiempo de acceso será mayor pero la capacidad se duplica .

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Memoria RAM Ferroeléctrica CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES Memoria de estado sólido (opera con cargas eléctricas) Reescribible como una RAM. No volátil como una ROM Se basa en otro comportamiento de la materia (ferroelectricidad) y preseta muchas ventajas y algunas limitaciones. .

La energía consumida en la operación revela en cuál de los estados se encontraba. la lectura es destructiva. Por consiguiente.Las sustancias ferroeléctricas presentan dos estructuras cristalinas estables. se aplica un campo eléctrico. debiendo regenerarse el estado encontrado. Para pasar de un estado al otro. donde el capacitor contiene el material ferroeléctrico. en lugar de dieléctrico . Estructuralmente es similar a una DRAM.

Menor consumo Baja tensión de programación Mayor velocidad de operación Soporta mayor número de ciclos Menos etapas de fabricación Materiales más caros Actualmente menor integración (pero potencialmente mayor) Necesidad de re-escritura con cada lectura Es posible que reemplace a la actual tecnología Flash. cuando el mercado requiera mayor densidad de integración .

Los dispositivos espintrónicos crean corrientes de espín polarizado y usan el espín para controlar el flujo de corriente. utilizan este principio. Espintrónica: Tecnología basada en el spin de los electrones . Las cabezas de lectura/escritura de los actuales discos rígidos. Presenta dos valores: spindown y spinup.Memoria RAM Magnética El spin es una propiedad cuántica de las partículas que se puede asimilar al sentido de rotación. En una corriente eléctrica convencional los espines se orientan aleatoriamente.

La primer capa produce una corriente de espín polarizado. por efecto túnel. cuando la alineación del campo magnético de la segunda capa coincide con el de la primera.Unión de efecto tunel magnético La MRAM almacena los datos en este tipo de junturas. que retienen su estado aún sin alimentación eléctrica. que cruza la barrera. Consiste en dos capas ferromagnéticas separadas por una barrera aislante. .

Al aplicarse tensión en la Puerta.Transistor de efecto campo espintrónico (SFET) Fuente y Sumidero. de material ferromagnético tienen sus campos magnéticos alineados y están separados por un canal semiconductor. la cual alcanza al Sumidero fácilmente. . El sumidero limita el flujo de corriente de acuerdo a cuánto hayan rotado los espines. el campo eléctrico generado produce la precesión de los espines de los electrones que se desalinean. La Fuente envía una corriente de espín polarizado hacia el canal.

Cuestiones a resolver Falta de eficiencia en el pasaje de corrientes de espín polarizado desde un metal ferromagnético hacia un semiconductor. Decaimiento de las corrientes de espín polarizado (coherencia cuántica) debido al campo magnético que siente un electrón moviéndose dentro de los campos eléctricos que existen en un cristal. Se observaron tiempos de pocos ns en ZnSe a temperatura ambiente (100 ns a bajas temperaturas en GaAs). . Desarrollo de “semiconductores magnéticos” a través de dopaje con elementos como el manganeso. y mucha mayor coherencia en semiconductores tipo n (distancias de hasta 100 µ m).