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* El término semiconductor revela por sí mismo una idea de sus características.

El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos límites. * Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.

* El primer paso en la fabricación de algún dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de pureza deseado, como el silicio, germanio y arseniuro de galio. En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1,000,000,000) para la fabricación de la mayoría de los dispositivos semiconductores.

Difusión para obtener la unión P-N

Unión de aleación

Unión tipo mesa difundida

Unión de plana difundida sobre sustrato epitaxial

Implantación iónica

Unión P-N abrupta en equilibrio térmico

Distribución de carga espacial

Variación del potencial con la distancia

Distribución del campo eléctrico

Banda de energía

Diagrama de banda de energia

Distribución de campo eléctrico

Distribución de carga espacial

Unión gradual lineal en equilibrio térmico Distribución de carga espacial Variación de potencial con la distancia

Distribución de campo eléctrico

Diagrama de banda de energia

Unión gradual

Unión abrupta

Unión real

Tipos de uniones: en la mayoría de los casos se hace un estudio de la unión abrupta o de la gradual de la unión p-n.

Gradiente de la tensión de uniones, gradientes lineales de Si, Ge y GaAs. Un alto dopado bajo tensión implica la generacion de un campo electrico ya que abran mas cargas disponibles por lo tanto un campo mas intenso.

Anchura y capacidad de la capa de vaciamiento por unidad de área en función del gradiente de impurezas para la unión gradual lineal en Si. La línea intercortada es para el caso de tensión de polarización cero. Si el gradiente se incrementa la anchura de la region de vaciamiento disminuye

* Al dopar el cristal, las concentraciones no son iguales a las concentraciones intrínsecas, se observa q el incremento del nivel de Fermi mes exponencial, ocurre en equilibrio. * Al polarizar el diodo, aparecen los seudo niveles de Fermi o seudo potenciales ya que las concentraciones aumentan cerca de la unión y por tanto se reduce la región de vaciamiento. * pn aumenta si es polarización directa y disminuye si es inversa, pero ambos en forma exponencial.

Ecuacion de la corriente Al suministrar un potencial positivo se obtiene una curva exponencial positiva y el diodo esta polarizado directamente, si el voltaje es negativo se llega a la region de saturacion y el diodo esta en polarizacion inversa.

Curva caracteristica

Se observa como aparecen los seudoniveles de Fermi tanto para la polarizacion directa como para la polarizacion inversa, con la diferencia de que para la polarizacion directa las concentraciones aumentan y para la polarizacion inversa disminuyen.

Se observa que los portadores mayoritarios se incrementan en polarizacion directa , aparece una asintorta llamada longitud de difucion.

Se observa un flujo de corriente, este es de electrones y huecos, por lo tanto si disminuye la corriente de electrones tiene que aumentar la de huecospara que se mantengan constantes

El proceso de generación directa ocurre cuando un electrón es excitado directamente desde la banda de valencia a la banda de conducción, dando como resultado un gran electrón-hueco. Por el contrario, la recombinación directa ocurre cuando un electrón cae desde la banda de conducción directamente a la banda de valencia, eliminándose tanto el electrón como el hueco.

Curva característica corriente-tensión de un diodo de Si practico: a- región de corriente de generación-precombinación. b- región de difusión de corriente c- región de alta inyección d- efecto de resistencia serie e- corriente de fuga inversa debida a la generaciónrecombinación y a los efectos superficiales.

Dado que en la unión se almacena carga, ocurre un efecto capacitivo, se observa que Vo es la tensión de polarizaciòn que se le esta aplicando, lo cual implica que la capacidad depende de la tensión aplicada, por esta razón existen los diodos de capacitancia variable.

Se observa como la capacidad disminuye con la frecuencia, de aquí el hecho de que este tipo de unión no responden a altas frecuencias, ya que ponen en corto las uniones.

La unión es muy dependiente de los cambios de temperatura, se observa la curva del diodo en polarizaciòn inversa para diferentes temperaturas, lo cual indica que el semiconductor conduce mejor para altas temperaturas. Se observa como hay una dependecia directa con la anchura de la regiòn de vaciamiento y la temperatura.

El efecto túnel es un efecto mecanocuántico que consiste en que una partícula pueda atravesar una barrera de potencial sin tener energía suficiente para rebasarla por encima (en el sentido clásico), debido a que la probabilidad de que la partícula se encuentre al otro lado de la barrera es no nula.

A la tensión en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensión de Ruptura" (VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha ocurrido el "Efecto Avalancha" o "Ruptura por Avalancha". Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha = Multiplicación por Avalancha

Se observa que la tensión de ruptura aparece con mas facilidad para bajas tensiones cuando esta altamente dopado, lo cual significa que es mas fácil que se rompa el diodo cuando esta altamente dopado que cuando esta poco dopado.

Se observa la tensión de ruptura comparado con la concentración de portadores minoritarios, en direcciones diferentes, lo cual significa que la multiplicación por avalancha no es uniforme.

* Se observa como hay un incremento del campo y como la anchura de la regiòn de vaciamiento se reduce cuando se incrementa el dopado.

* Las corrientes inversas se incrementan con la tensiòn y la temperatura mas elevada, hay mayores corrientes inversas y por lo tanto se acelera el rompimiento.

* Se observa como hay un incremento del campo y como la anchura de la regiòn de vaciamiento se reduce cuando se incrementa el dopado

* Las corrientes inversas se incrementan con la tensiòn y la temperatura mas elevada, hay mayores corrientes inversas y por lo tanto se acelera el rompimiento.

Algunos dispositivos se pueden usar como conmutadores, pero a causa de que exixta carga almacenada (un capacitor que necesita tiempo para cargarse y descargarse) se genera un problema. Circuito de conmutación básico

Tensiòn de la uniòn en funciòn del tiempo

Respuesta trancitoria Distribuciòn de portadores minoritarios para varios intervalos de tiempo

El termino termino “ruido” esta relacionado con las fluctuaciones espontáneas durante la circulación de la corriente o de las caídas de tensiones en barreras semiconductoras en materiales o dispositivos. Dado que los dispositivos especialmente se usan para medir pequeñas cantidades físicas o para amplificar pequeñas señales, las fluctuaciones de las corrientes y las tensiones se convierten en un limite de la exactitud de las respectivas cantidades a ser medidas o amplificadas. Es importante conocer los factores que producen este limite para optimizar las condiciones de funcionamiento con este conocimiento y encontrar nuevos métodos y nuevas tecnologías para reducir el ruido.