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Semiconductor

Metal

* En un metal la distribución de niveles de energía accesibles es continua y el nivel de Fermi es uno de ellos. * En un semiconductor el nivel de Fermi se encuentra dentro de la banda prohibida Para los dos sistemas aislados los diagramas de energía son:

Dond e
* Recordemos que la energia de Fermi del semiconductor depende del dopaje en cambio la función trabajo del metal y la afinidad electronica del semiconductor depende solo del material

Relación de energía electrónica para un contacto ideal entre un metal y un semiconductor tipo n en ausencia de estados superficiales.

Inicialmente se muestra el metal y el semiconductor sin contacto y el sistema no se encuentra en equilibrio térmico.

Si un conductor conecta al semiconductor con el metal se establece equilibrio térmico, los niveles de Fermi se alinean

El nivel de Fermi es mas bajo en el semiconductor que en el metal en una cantidad igual a la diferencia de las dos funciones de trabajo.

Juntura metal-semiconductor tipo N

Juntura metal-semiconductor tipo P

Diagrama de banda de energía entre una superficie metálica y el vació. * La función de trabajo efectiva ( o barrera ) disminuye si se aplica un campo eléctrico a la superficie. * Esta disminución se debe a la combinación de efectos del campo y la imagen de energía inducida.

Diagrama de banda de energía incorporando el efecto schottky para un contacto metal-semiconductor tipo N, bajo condiciones de polarización diferentes : * La barrera mas alta intrínseca qΦBo. * La barrera mas alta en equilibrio qΦBn. * La barrera mas baja para la polarización directa ΔΦF. * La barrera mas baja para la polarización inversa ΔΦR. .

Proceso de transporte básico para polarización directa.

Sin polarización
La corriente de electrones esta compuesta por:

La corriente de huecos esta compuesta por:

Diagrama de banda de energía incorporando el efecto Schottky. La energía potencial del electrón es qw(x), y el seudo nivel de Fermi es qΦ(x).

La corriente tunel

La constante efectiva de Richardson calculada “A” en función del campo eléctrico de barreras para metal silicio.

Valores toricos y experimentales de la curva caracteristica para barreras Au-Si

Densidad de la corriente de saturación en funcion de la concentración de dopadode barrera Au-Si para 3 diferentes temperaturas

Diagrama de energía de una barrera Schottky epitaxial.

Diagrama de banda de energía detallado de un contacto metalsemiconductor.

Ubicación del nivel de Fermi superficial para algunos metales y el oxigeno sobre:

GaAs GaSb lnP
Se observa una pequeña dependencia de la naturaleza química de los metales y del oxigeno.

Densidad de corriente en polarización directa en función de la tensión aplacada de diodos W-Si y W-GaAs

Densidad de corriente de saturación teorica para 300ºK en función de la barrera alta para una constante de Richardson de 120 A/cm2/k2.

Diodo PtSi-Si con un anillo protector de difusión. Comparación de los resultados experimentales y teoricos para el diodo PtSi-Si.

Energia de activación

Grafico de enregia de activación para determinar la altura de la barrera

1/C2 en función de la tensión aplicada para diodos W-Si y W-GaAs.

1/C2 en función para varias frecuencias