Son propiedades semiconductoras que se encuentra en estado puro, es decir que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo

dentro de su estructura, sino en forma natural. Entre ellos tenemos:

Estos elementos tienen cuatro electrones de valencia y forman enlaces covalentes en los que comparten estos electrones con los átomos vecinos.

Al inyectarse energía desde el exterior a la red cristalina algunos de esos electrones de los órbitas externas dejarán de estar enlazados y podrán moverse. Varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos.

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Al desprenderse un electrón del átomo, este ya no está completo, está cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco.
www.asifunciona.com/fisica/...semiconduct or/ke_semiconductor_4.ht...

En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

El electrón libre son los que producen energía en el material semiconductor y el hueco también se puede mover y producir energía a este proceso de le denomina ˝SEMICONDUCTOR INTRINSECOS. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.

Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.

Semiconductores extrínsecos son dopajes ligeros y moderados

Un semiconductor degenerado es altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor,

CAPACIDADES CONDUCTORAS DE UN SEMICONDUCTOR DOPAJE ES BAJO O LIGERO. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos). DOPAJE ES ALTO O PESADO. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos), se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

Dopaje de tipo N posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

Dopaje de tipo P tiene átomos de impurezas que permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

es.wikipedia.org

http://www.google.com.pe/imgres?q=semiconductores+germanio http://www.google.com.pe/imgres?q=simbolo+del+germanio&hl=es&biw =1024&bih=567&tbm=isch&tbnid=VTpqR0wZh-P1hM:& http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/mater_semic.htm http://contenidos.proyectoagrega.es/ODE/es/es_20080430_1_5008938

http://www.filmscanner.info/es/CCDSensoren.html
http://electricidadelectronicaperu.blogspot.com/2009/04/lossemiconductores.html http://www.datuopinion.com/dopaje-semiconductores