Tema 8.

- Transistores de efecto de
campo
1
TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO
(Field effect transistor, FET)
INTRODUCCIÓN:
Son dispositivos de estado sólido
Tienen tres o cuatro terminales
Es el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un único tipo ( o electrones ó huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarización
Según en que región de polarización se encuentren, funcionan como:
Resistencias controladas por tensión
Amplificadores de corriente ó tensión
Fuentes de corriente
Interruptores lógicos y de potencia

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
2
INTRODUCCIÓN (Continuación)

Hay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los:
MOSFET (Metal-óxido semiconductor)
Normalmente tienen tres terminales denominados:
Drenador
Puerta
Fuente ó surtidor
Son dispositivos gobernados por tensión
 La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal)
Utilizan un solo tipo de portadores de carga,
(Por eso se llaman también unipolares):
Electrones si son de canal N
Huecos si son de canal P

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
3
COMPARACIÓN ENTRE FETs y BJTs
Los FETs necesitan menos área del chip, y menos pasos de fabr.
Los BJts pueden generar corrientes de salida mas elevadas
para conmutación rápida con cargas capacitivas.
Los FETs tiene una impedancia de entrada muy alta
 En los Fets el parámetro de transconductancia (g
m
) es menor
que en los BJts, y por lo tanto tienen menor ganancia.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
4
DIFERENTES TIPOS DE TRANSISTORES FET
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
5
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
ENRIQUECIMIENTO Ó ACUMULACIÓN
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
6
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N (N-MOS) DE
ENRIQUECIMIENTO Ó ACUMULACIÓN(CONT)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
7
EL N-MOS DE ACUMULACIÓN (CONT)
CREACIÓN DEL CANAL
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
8
EL N-MOS DE ACUMULACIÓN (CONT)
ESTANGULACION DEL CANAL
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
9
óhmica región v v v v
t D G GD
¬ > ÷ = ) (
Si:
Entonces la corriente de drenador viene dada por:
( ) | | ( ) | |
2 2
) 2
2
) 2
DS DS to GS DS DS to GS D
v v v v
k
v v v v K i ÷ ÷ ÷ ÷ ÷ =
N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIÓN ÓHMICA (CONT)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
10
Es decir:
( ) | | ( ) | |
2 2
) 2
2
) 2
DS DS to GS DS DS to GS D
v v v v
k
v v v v K i ÷ ÷ ÷ ÷ ÷ =
Donde:
cia tan c transcondu de parámetro C
L
W
k
ox n
÷ = µ
N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIÓN ÓHMICA
(CONT)
Siempre que se cumpla que: t DG t GD
v v ó v v ÷ < >
Y teniendo en cuenta que v
DG
=v
DS
-v
GS

Es lo mismo que decir: siempre que se cumpla que:
v
DS
<v
GS
- v
t
, además de v
GS
> v
t

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
11
EL N-MOS EN LA ZONA ÓHMICA:
RESISTENCIA LINEAL CONTROLADA POR TENSIÓN
En la zona óhmica, el mosfet se comporta como una resistencia
controlada por la tensión puerta-surtidor.
Par valores de V
DS
pequeños, el término V
2
DS
puede
despreciarse, y entonces:
( ) | | ( )
( ) ( )
t GS t GS
NMOS
DS
NMOS
DS to GS DS DS to GS D
V V k V V K
R Donde
V
R
v v v K v v v v K i
÷
÷
÷
=
= ÷ · ~ ÷ ÷ =
1
2
1
1
) 2 ) 2
2
Siempre que
se verifique:
( ) ( )
DS t GS DS DS t GS DS
v V v v v V v v ÷ · s ¬ ÷ << 2 10 2
2 2
t GS DS
V v v ó ÷ s 2 , 0 :
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
12
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIÓN DE
SATURACIÓN (ZONA ACTIVA)
LÍMITE DE REGIONES
Cuando v
DS
se hace igual a v
GS
- v
t
, la anchura del canal
se hace cero, y el dispositivo entra a funcionar en la zona
de saturación (también llamada zona activa), y la corriente
de drenador se hace constante
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
13
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIÓN DE
SATURACIÓN
LÍMITE DE REGIONES (CONT)
El límite de las dos regiones viene marcado por la igualdad:
v
DS
=v
GS
- v
t
Y sustituyendo en la expresión
de i
D
:
i
D
=K (v
DS
)
2
= (k/2) (v
DS
)
2
,
que es la parábola que fija la
zona límite entre las dos
regiones
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
14
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIÓN DE
SATURACIÓN
(O TAMBIÉN LLAMADO ESTADO ACTIVO)
Por tanto:Cuando v
DS
>v
GS
- v
t
, además de v
GS
> v
t
el transitor
está en la región de saturación, y entonces i
D
se hace constante y vale:
i
D
=K (v
GS
-v
t
)
2
= (k/2) (v
GS
-v
t
)
2

Fig. 5.12 The i
D
- v
GS
characteristic for an enhancement-type NMOS transistor in saturation (V
t
= 1 V and k’
n
(W/L) =
0.5 mA/V
2
).
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
15
MODELOS DE GRAN SEÑAL PARA EL NMOS DE
ENRIQUECIMIENTO
Zona óhmica: v
GS
> v
t
y además:
v
DS
<v
GS
- v
t
o lo que es lo mismo:
v
DG
<-V
t

Zona activa: v
DS
>v
GS
- v
t
, además de v
GS
> v
t
Zona de Corte:
v
GS
<= (V
t
>0)
Característica de transferencia en la región
De saturación (ó zona activa)
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campo
16
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIÓN
Es casi idéntico al de enriquecimiento. La única diferencia es
que hay un delgado canal de semiconductor de tipo n que conecta
la fuente y el drenador, antes de aplicar ninguna tensión a la puerta
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
17
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIÓN (CONT)
Ahora aún con v
GS
cero, existe un canal de conducción, y podrá
haber corriente de circulación entre drenador y surtidor.
Habrá que aplicar una tensión v
GS
negativa para que el canal
desaparezca y el transistor deje de conducir
Observe en el símbolo que D y S
están unidos por un trazo continuo
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
18
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIÓN (CONT)
Fig. 5.21 The current-voltage characteristics of a depletion-type n-
channel MOSFET for which V
t
= -4 V and k’
n
(W/L) = 2 mA/V
2
: (a)
transistor with current and voltage polarities indicated; (b) the i
D
- v
DS

characteristics; (c) the i
D
- v
GS
characteristic in saturation.
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campo
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE
DEPLEXIÓN (CONT):
Tensión umbral: v
t
esencialmente negativa
I
DSS
= corriente de drenador para V
GS
=0 (en zona activa)
Expresiones y zona límites idénticas a los NMOS de enriquecimiento
Carcterística de transferencia en la
Zona activa (ó región de saturación)
Salvo que la tensión umbral en los
nmos de deplexión es negativa, las
ecuaciones que describen su
comportamiento en las diferentes
zonas, son idénticas a las de los
nmos de enriquecimiento
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
20
TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P
Ahora el sustrato es semiconductor de tipo N, y los pozos
drenador y fuente son de tipo P.
Ahora los portadores de corriente son huecos
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
21
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS),
DE ENRIQUECIMIENTO
El transistor estará a corte si v
GS
> v
t
En los transistores P-MOS de enriquecimiento,
V
t
es esencialmente negativa
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
22
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)
DE DEPLEXIÓN
En los P-MOS de deplexión, previamente existe un canal de
conducción de tipo P.
 En los P-MOS de deplexión, V
t
esencialmente positiva
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
23
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)
DE DEPLEXIÓN (CONT)
Tensión umbral: v
t
esencialmente positiva
I
DSS
= corriente de drenador para V
GS
=0 (en zona activa)
Expresiones y zona límites idénticas a los PMOS de enriquecimiento
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
24
TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P (CONT)
circuitos equivalentes de gran señal
Las definiciones de estados de los PMOS son las mismas
que las de los N-MOS, salvo que el sentido de todas las
desigualdades se invierte, y las corrientes drenador fuente
se consideran positivas en sentido contrario (positivas de
surtidor a drenador)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
25
POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
Análisis del Punto de Operación
El procedimiento a seguir es idéntico al estudiado con los
transistores bipolares.
Existen dos posibilidades:
Hallar el P.O. Cuando se conoce el estado del transistor.
Hallar el P.O. Cuando el estado es desconocido
En el primer caso, en el circuito equivalente de continua,
sustituiremos el transistor por su modelo , y realizaremos el
análisis correspondiente.
En el segundo caso, al igual que hicimos con diodos y
transistores bipolares, supondremos un estado, realizaremos el
análisis correspondiente, y posteriormente comprobaremos si los
resultados de corrientes y tensiones obtenidos son coherentes con
el estado supuesto del transistor
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
26
POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
Análisis de transistores en estado activo
En el circuito equivalente de continua sustituimos el mosfet
por su modelo de gran señal en la zona activa:
i
D
=K (v
GS
-v
t
)
2
= (k/2) (v
GS
-v
t
)
2
i
G
=0; I
D
=I
S

( )
ss s s g g gg GS
D s d ss dd DS
V I R I R V V
I R R V V V
÷ ÷ ÷ =
+ ÷ ÷ =
Que junto a las ecuaciones impuestas por la red
de polarización (ecuaciones de polarización)
Da lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas
cuadrática, con dos incógnitas, que matemáticamente
tiene dos posibles soluciones (P.O.), de los cuales,
solamente una de ellas tendrá significado físico
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
27
POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
Análisis de transistores en estado activo (cont)
[1] i
D
=K (v
GS
-v
t
)
2
= (k/2) (v
GS
-v
t
)
2
i
G
=0; I
D
=I
S
( )
( )
| | 2
0
)
`
¹
÷ ÷ =
+ ÷ ÷ =
¬ =
÷ ÷ ÷ =
+ ÷ ÷ =
D s ss gg GS
D s d ss dd DS
G
ss s s g g gg GS
D s d ss dd DS
I R V V V
I R R V V V
I con que
V I R I R V V
I R R V V V
[1] y [2] dan lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas
cuadrática, con dos incógnitas, que dará lugar
matemáticamente a dos posibles soluciones (P.O.), de los
cuales, solamente uno de ellos tendrá significado físico
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
28
ANÁLISIS DE TRANSISTORES EN ESTADO
DESCONOCIDO
Se sigue el mismo procedimiento que con los transistores bipolares:

1º) Hacer una suposición sobre el estado de cada transistor.
2º) Reemplazar cada transistor con el modelo apropiado.
3º) Utilizar los resultados del análisis y las definiciones de estados
para confirmar cada estado del transistor.
4º) Si hay alguna contradicción, hacer una nueva suposición y repetir
el análisis.
(Ver ejemplos del Malik Capítulo 5)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
29
RESISTENCIAS FET Y LINEAS DE CARGA
NO LINEALES
En circuitos integrados donde se necesiten resistencias de elevado
valor, fabricadas mediante proceso de difusión, éstas ocupan
excesivo espacio. Una alternativa ampliamente utilizada es utilizar
transistores de efecto de campo como resistencias no lineales, para
lo que sirven tanto transistores de enriquecimiento como
transistores de deplexión. Ahora la relación I-V en lugar de ser una
recta como lo es en una resistencia lineal, será una parábola.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
30
RESISTENCIAS NO LINEALES DE
ENRIQUECIMIENTO
CONEXIÓN BÁSICA:
Si en un NMOS de enriquecimiento, unimos la puerta con el
drenador, el dispositivo tendrá ahora dos terminales.
Para v
R
=v
GS
<= v
t,
el transistor no está en conducción, y por tanto
i
R
=0.
Cuando v
R
>= V
t
, el está en
conducción y además en la zona
activa (saturación), ya que se
cumple la desigualdad V
DG
>-V
t

i
R
=K (v
R
-v
t
)
2
= (k/2) (v
R
-v
t
)
2
Aunque la característica i-v es una cuadrática
en vez de una exponencial, se puede hablar
de “transistor conectado como diodo”
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
31
RESISTENCIAS NO LINEALES DE
ENRIQUECIMIENTO (CONT)
CONEXIÓN CON FUENTE DE POLARIZACIÓN:
La figura muestra una variación que utiliza una fuente de
polarización externa. Con V
GS
=V
R
+V
t ,
, si V
R
<=0 el transistor no
está en conducción; si V
R
>=0 el transistor está en conducción y en
la zona activa.
En c.i. es muy fácil modificar las características variando la relación
W/L.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
32
RESISTENCIAS NO LINEALES DE DEPLEXIÓN
En la figura se muestra un NMOS de deplexión con la puerta y el
surtidor conectados entre si. La característica I-V será la
correspondiente a la del transistor, para V
GS
=0.
Cuando V
R
=V
DG
<= -V
t
(V
t
es negativo en lo transistores de deplexión)
El dispositivo es óhmico.
Cuando V
R
=V
DG
>-V
t
el dispositivo se comportará como una
fuente de corriente constante

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
33
DIVISORES DE TENSIÓN MOS
Las resistencias de enriquecimiento crean divisores de tensión
que ocupan poco espacio en el chip y manejan corrientes bajas.
En la figura a), la tensión v
x
puede ajustarse
fácilmente en función de las dimensiones w
1
,L
1
y w
2,
L
2
de los transistores M1 y M2,
con el adecuado diseño de las máscaras
Análogamente para conseguir dos o mas
tensiones , tal como se indica en al figura b)
Todas ellas estarán comprendidas dentro de
los valores de las alimentaciones.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
34
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CON
PUERTA DE UNIÓN
En este tipo de transistores, al contrario que en los MOS, la puerta
no está aislada galvánicamente.
Siguen siendo transistores unipolares, y la conductividad del canal
se controla mediante una tensión aplicada a la unión puerta-fuente
polarizada inversamente
Existen dos tipos fundamentales de transistores FET con puerta de
unión:
Los MESFET ó FETs metal-semiconductor, donde el canal es
un semiconductor compuesto, como arseniuro de galio, la puerta
un metal, y el interfase puerta-canal una unión Schottky.
Los J-FETs, donde la puerta y el canal consisten en Si dopado
de forma inversa, y una unión PN polarizada inversamente forma
la interfase puerta-canal
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
35
TRANSISTORES MESFET
Aprovechan la alta movilidad del electrón en el arseniuro de
galio.
 El resultado es un dispositivo muy superior en velocidad pero
inferior en densidad de integración, y actualmente mucho mas
caro que los transistores de Si.
Se utiliza principalmente en circuitos lineales que funcionan a
frecuencias de microondas, y en circuitos digitales de altísima
velocidad.
Su funcionamiento se asemeja al Mosfet de deplexión
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
36
TRANSISTORES MESFET (CONT)
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
37
TRANSISTORES JFET
El transistor de efecto de campo de
unión (JFET: junction field-effect
transsitor) de canal N consiste en un
canal semiconductor de tipo N con
contactos óhmicos en cada extremo ,
llamados drenador y fuente (ó
surtidor).
A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P
Conectadas eléctricamente entre si y al terminal denominado puerta.
La unión PN entre puerta y el canal es similar a la unión PN de un
diodo.
En las aplicaciones normales , esta unión debe estar polarizada
inversamente.
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
38
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
Cuanto mas negativa es la tensión inversa de polarización de una
unión PN, mas ancha se hace la zona de deplexión (no conductora,
libre de cargas),y por tanto en este caso mas se estrecha el canal
conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
39
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,
decimos que ocurre un fenómeno llamado de estrangulamiento.
La tensión de estrangulamiento V
to
(V
P
)

es valor necesario de la
tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
40
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
La tensión de estrangulamiento V
to
(V
p
), es el valor necesario de
la tensión puerta - canal para que desaparezca el canal conductor.
En los JFET de canal N ésta tensión es esencialmente negativa:
En funcionamiento normal, la tensión V
GS
debe ser: V
to
<=V
GS
<=0
En los JFET de canal N, el drenador es positivo respecto a la
fuente.
La corriente entra por el drenador y sale por la fuente.
Como la resistencia del canal depende de la tensión puerta-fuente,
la corriente de drenador se controla con V
GS

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
41
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN JFET DE
CANAL N
0 < s
P GS
V v
El J-FET es un dispositivo de tres estados:
Zona de corte si : entonces: I
D
=I
S
=0
¹
´
¦
÷ > ¬ s ÷
÷ s ¬ > ÷
>
P DG P G D
P DG P G D
P GS
V V V V V si activa Zona
V V V V V si óhmica Zona
V v conducción de Zona
:
:
:
El límite entre la zona óhmica y la activa viene marcada en viene
marcada por la igualdad V
DG
=-V
P

Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
42
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DE UN JFET DE
CANAL N
El JFET es un dispositivo muy parecido a los MOSFET.
A tensiones V
DS
pequeñas, el dispositivo funciona como
una resistencia controlada por la tensión V
GS

Cuando V
DS
alcanza tensiones suficientemente elevadas, es
decir cuando :
P GS DS DG
V v v v ÷ > ÷ =
Entonces polarización inversa de drenador es tan grande que el
canal se estrangula, y un incremento adicional de V
DS
no
afecta demasiado a la corriente de drenador, al igual que ocurre
con los transistores MOSFET, el JFET entra en el estado
activo, también llamado zona de saturación del canal. La
corriente se hace prácticamente constante
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
43
ESTADO ÓHMICO DEL TRANSISTOR JFET
P DG P GS
V V además y V V ÷ s > :
( ) | |
2
2
DS DS P GS D
v v V v i ÷ · ÷ · = |
El JFET de canal N, se encuentra en el estado óhmico o zona
óhmica si:
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresión:
Donde β (K), tiene la expresión:
D
Si
n
tN L
W
3
4c
µ | =
W,L,t, son la anchura, longitud, y espesor del canal. µ
n
la movilidad de los
electrones, N
D
la concentración del dopado, y ε
Si
la constante dieléctrica del
silicio
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
44
Resistencia del JFET controlada por tensión
( ) | |
2
2
DS DS P GS D
v v V v i ÷ · ÷ · = |
( )
( )
P GS
JFET N DS
JFET N
DS P GS D
V v
R v
R
V V v i
÷
= = ÷ ~
÷
÷
|
|
2
1
;
1
2
( )
P GS DS
V v v ÷ s 2 , 0
Si en la ecuación:
v
DS
es tan pequeño que el término cuadrático es despreciable,
entonces:


Esta expresión se podrá considerar válida si:
Discusión interpretativa:
Compare la definición dada de R
N-JFET
con la de resistencia dinámica r
d,JFET,
:
DSQ DQ
V I
DS
D
JFET d
v
i
r
,
,
1
c
c
=
Tema 8.- Transistores de efecto de
campo
45
ESTADO ACTIVO DEL TRANSISTOR JFET
El JFET de canal N, se encuentra en el estado activo o zona de
saturación del canal si:
P DG P GS
V V además y V V ÷ > > :
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresión:
( )
2
P GS D
V v i ÷ = |
La corriente i
D
que circula cuando V
GS
es igual a cero y el
transistor está en estado activo, se denomina I
DSS

2
p DSS
V I | =
I
DSS
es un parámetro que suele aparecer en las hojas de
características, junto con V
P
, de los cuales se puede deducir β
(V
P
negativo en los JFET N)

INTRODUCCIÓN (Continuación)
Hay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los: MOSFET (Metal-óxido semiconductor) Normalmente tienen tres terminales denominados: Drenador Puerta Fuente ó surtidor Son dispositivos gobernados por tensión  La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal) Utilizan un solo tipo de portadores de carga, (Por eso se llaman también unipolares): Electrones si son de canal N Huecos si son de canal P

Tema 8.- Transistores de efecto de campo

2

COMPARACIÓN ENTRE FETs y BJTs

Los FETs necesitan menos área del chip, y menos pasos de fabr. Los BJts pueden generar corrientes de salida mas elevadas para conmutación rápida con cargas capacitivas. Los FETs tiene una impedancia de entrada muy alta  En los Fets el parámetro de transconductancia (gm) es menor que en los BJts, y por lo tanto tienen menor ganancia.

Tema 8.- Transistores de efecto de campo

3

DIFERENTES TIPOS DE TRANSISTORES FET

Tema 8.- Transistores de efecto de campo

4

Transistores de efecto de campo 5 ..TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO Ó ACUMULACIÓN Tema 8.

.TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N (N-MOS) DE ENRIQUECIMIENTO Ó ACUMULACIÓN(CONT) Tema 8.Transistores de efecto de campo 6 .

EL N-MOS DE ACUMULACIÓN (CONT) CREACIÓN DEL CANAL Tema 8.Transistores de efecto de campo 7 ..

Transistores de efecto de campo 8 ..EL N-MOS DE ACUMULACIÓN (CONT) ESTANGULACION DEL CANAL Tema 8.

Transistores de efecto de campo ..N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIÓN ÓHMICA (CONT) Si: vGD  (vG  vD )  vt  región óhmica Entonces la corriente de drenador viene dada por: 2 iD  K 2 vGS  vto )vDS  vDS    k 2 2 vGS  vto )vDS  vDS 2   9 Tema 8.

vt .N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIÓN ÓHMICA (CONT) Es decir: iD  K 2 vGS  vto )vDS  v  2 DS  k 2  2 vGS  vto )vDS  vDS 2   W n Cox  parámetro de transconduc tan cia Donde: L Siempre que se cumpla que: vGD  vt ó vDG  vt k Y teniendo en cuenta que vDG=vDS-vGS Es lo mismo que decir: siempre que se cumpla que: vDS <vGS. además de vGS> vt Tema 8.Transistores de efecto de campo 10 ..

el mosfet se comporta como una resistencia controlada por la tensión puerta-surtidor.EL N-MOS EN LA ZONA ÓHMICA: RESISTENCIA LINEAL CONTROLADA POR TENSIÓN En la zona óhmica. el término V2DS puede despreciarse.Transistores de efecto de campo 11 . Par valores de VDS pequeños. y entonces: 2 iD  K 2 vGS  vto )vDS  vDS  K  2vGS  vto )vDS     1 RNMOS 1 VDS Donde RNMOS  2 K VGS  Vt  1  k VGS  Vt  Siempre que 2 2 vDS  2vGS  Vt vDS  vDS  10  2vGS  Vt vDS se verifique: ó : vDS  0..2 vGS  Vt Tema 8.

Transistores de efecto de campo 12 .vt .. y la corriente de drenador se hace constante Tema 8. la anchura del canal se hace cero. y el dispositivo entra a funcionar en la zona de saturación (también llamada zona activa).FUNCIONAMIENTO EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN (ZONA ACTIVA) LÍMITE DE REGIONES Cuando vDS se hace igual a vGS.

vt Y sustituyendo en la expresión de iD : iD=K (vDS)2 = (k/2) (vDS)2 ..FUNCIONAMIENTO EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN LÍMITE DE REGIONES (CONT) El límite de las dos regiones viene marcado por la igualdad: vDS =vGS.Transistores de efecto de campo 13 . que es la parábola que fija la zona límite entre las dos regiones Tema 8.

y entonces iD se hace constante y vale: iD=K (vGS-vt)2 = (k/2) (vGS-vt)2 Tema 8.Transistores de efecto de campo 14 .FUNCIONAMIENTO EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN (O TAMBIÉN LLAMADO ESTADO ACTIVO) Por tanto:Cuando vDS >vGS.vt .. además de vGS> vt el transitor está en la región de saturación.

Transistores de efecto de campo 15 .vt o lo que es lo mismo: vDG<-Vt Característica de transferencia en la región De saturación (ó zona activa) Zona activa: vDS >vGS.vt . además de vGS> vt Tema 8..MODELOS DE GRAN SEÑAL PARA EL NMOS DE ENRIQUECIMIENTO Zona de Corte: vGS<= (Vt>0) Zona óhmica: vGS> vt y además: vDS <vGS.

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE DEPLEXIÓN Es casi idéntico al de enriquecimiento. antes de aplicar ninguna tensión a la puerta Tema 8. La única diferencia es que hay un delgado canal de semiconductor de tipo n que conecta la fuente y el drenador..Transistores de efecto de campo 16 .

Transistores de efecto de campo 17 .. y podrá haber corriente de circulación entre drenador y surtidor. Habrá que aplicar una tensión vGS negativa para que el canal desaparezca y el transistor deje de conducir Tema 8.TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE DEPLEXIÓN (CONT) Observe en el símbolo que D y S están unidos por un trazo continuo Ahora aún con vGS cero. existe un canal de conducción.

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE DEPLEXIÓN (CONT) Tema 8.Transistores de efecto de campo 18 ..

Transistores de efecto de campo 19 . las ecuaciones que describen su comportamiento en las diferentes zonas. son idénticas a las de los nmos de enriquecimiento Carcterística de transferencia en la Zona activa (ó región de saturación) Tensión umbral: vt esencialmente negativa IDSS= corriente de drenador para VGS=0 (en zona activa) Expresiones y zona límites idénticas a los NMOS de enriquecimiento Tema 8..TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE DEPLEXIÓN (CONT): Salvo que la tensión umbral en los nmos de deplexión es negativa.

Ahora los portadores de corriente son huecos Tema 8..Transistores de efecto de campo 20 .TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P Ahora el sustrato es semiconductor de tipo N. y los pozos drenador y fuente son de tipo P.

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS). DE ENRIQUECIMIENTO El transistor estará a corte si vGS> vt En los transistores P-MOS de enriquecimiento. Vt es esencialmente negativa Tema 8..Transistores de efecto de campo 21 .

.  En los P-MOS de deplexión.Transistores de efecto de campo 22 . previamente existe un canal de conducción de tipo P. Vt esencialmente positiva Tema 8.TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS) DE DEPLEXIÓN En los P-MOS de deplexión.

.TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS) DE DEPLEXIÓN (CONT) Tensión umbral: vt esencialmente positiva IDSS= corriente de drenador para VGS=0 (en zona activa) Expresiones y zona límites idénticas a los PMOS de enriquecimiento Tema 8.Transistores de efecto de campo 23 .

.TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P (CONT) circuitos equivalentes de gran señal Las definiciones de estados de los PMOS son las mismas que las de los N-MOS.Transistores de efecto de campo 24 . y las corrientes drenador fuente se consideran positivas en sentido contrario (positivas de surtidor a drenador) Tema 8. salvo que el sentido de todas las desigualdades se invierte.

en el circuito equivalente de continua. y realizaremos el análisis correspondiente.POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET Análisis del Punto de Operación El procedimiento a seguir es idéntico al estudiado con los transistores bipolares. Existen dos posibilidades: Hallar el P. al igual que hicimos con diodos y transistores bipolares. Cuando el estado es desconocido En el primer caso.O. supondremos un estado. sustituiremos el transistor por su modelo . Hallar el P.Transistores de efecto de campo 25 . y posteriormente comprobaremos si los resultados de corrientes y tensiones obtenidos son coherentes con el estado supuesto del transistor Tema 8.O. Cuando se conoce el estado del transistor. En el segundo caso. realizaremos el análisis correspondiente..

ID=IS Que junto a las ecuaciones impuestas por la red de polarización (ecuaciones de polarización) VDS  Vdd  Vss  Rd  Rs I D VGS  Vgg  Rg I g  Rs I s  Vss Da lugar a resolver dos ecuaciones.O. que matemáticamente tiene dos posibles soluciones (P. de los cuales.). con dos incógnitas.Transistores de efecto de campo 26 .POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET Análisis de transistores en estado activo En el circuito equivalente de continua sustituimos el mosfet por su modelo de gran señal en la zona activa: iD=K (vGS-vt)2 = (k/2) (vGS-vt)2 iG=0.. una de ellas cuadrática. solamente una de ellas tendrá significado físico Tema 8.

O. con dos incógnitas. una de ellas cuadrática. que dará lugar matemáticamente a dos posibles soluciones (P. de los cuales. ID=IS VDS  Vdd  Vss  Rd  Rs I D VGS  Vgg  Rg I g  Rs I s  Vss que con I G  0  VDS  Vdd  Vss  Rd  Rs I D  2 VGS  Vgg  Vss  Rs I D  [1] y [2] dan lugar a resolver dos ecuaciones.POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET Análisis de transistores en estado activo (cont) [1] iD=K (vGS-vt)2 = (k/2) (vGS-vt)2 iG=0. solamente uno de ellos tendrá significado físico Tema 8.Transistores de efecto de campo 27 ..).

Transistores de efecto de campo 28 .. (Ver ejemplos del Malik Capítulo 5) Tema 8. hacer una nueva suposición y repetir el análisis. 4º) Si hay alguna contradicción. 3º) Utilizar los resultados del análisis y las definiciones de estados para confirmar cada estado del transistor.ANÁLISIS DE TRANSISTORES EN ESTADO DESCONOCIDO Se sigue el mismo procedimiento que con los transistores bipolares: 1º) Hacer una suposición sobre el estado de cada transistor. 2º) Reemplazar cada transistor con el modelo apropiado.

Ahora la relación I-V en lugar de ser una recta como lo es en una resistencia lineal.RESISTENCIAS FET Y LINEAS DE CARGA NO LINEALES En circuitos integrados donde se necesiten resistencias de elevado valor. Una alternativa ampliamente utilizada es utilizar transistores de efecto de campo como resistencias no lineales..Transistores de efecto de campo 29 . éstas ocupan excesivo espacio. fabricadas mediante proceso de difusión. Tema 8. será una parábola. para lo que sirven tanto transistores de enriquecimiento como transistores de deplexión.

ya que se cumple la desigualdad VDG>-Vt iR=K (vR-vt)2 = (k/2) (vR-vt)2 Aunque la característica i-v es una cuadrática en vez de una exponencial. el dispositivo tendrá ahora dos terminales. Cuando v >= V . y por tanto iR=0. unimos la puerta con el drenador. el está en R t conducción y además en la zona activa (saturación).. el transistor no está en conducción.Transistores de efecto de campo 30 . se puede hablar de “transistor conectado como diodo” Tema 8.RESISTENCIAS NO LINEALES DE ENRIQUECIMIENTO CONEXIÓN BÁSICA: Si en un NMOS de enriquecimiento. Para vR=vGS<= vt.

si VR<=0 el transistor no está en conducción. Con VGS=VR+Vt . es muy fácil modificar las características variando la relación W/L. En c... si VR >=0 el transistor está en conducción y en la zona activa.RESISTENCIAS NO LINEALES DE ENRIQUECIMIENTO (CONT) CONEXIÓN CON FUENTE DE POLARIZACIÓN: La figura muestra una variación que utiliza una fuente de polarización externa. Tema 8.Transistores de efecto de campo 31 .i.

RESISTENCIAS NO LINEALES DE DEPLEXIÓN En la figura se muestra un NMOS de deplexión con la puerta y el surtidor conectados entre si. Cuando VR=VDG <= -Vt (Vt es negativo en lo transistores de deplexión) El dispositivo es óhmico. para VGS=0.. La característica I-V será la correspondiente a la del transistor.Transistores de efecto de campo 32 . Cuando VR=VDG >-Vt el dispositivo se comportará como una fuente de corriente constante Tema 8.

tal como se indica en al figura b) Todas ellas estarán comprendidas dentro de los valores de las alimentaciones.L1 y w2. con el adecuado diseño de las máscaras Análogamente para conseguir dos o mas tensiones . Tema 8..Transistores de efecto de campo 33 . L2 de los transistores M1 y M2. la tensión vx puede ajustarse fácilmente en función de las dimensiones w1 . En la figura a).DIVISORES DE TENSIÓN MOS Las resistencias de enriquecimiento crean divisores de tensión que ocupan poco espacio en el chip y manejan corrientes bajas.

la puerta no está aislada galvánicamente. donde el canal es un semiconductor compuesto. y una unión PN polarizada inversamente forma la interfase puerta-canal Tema 8. y la conductividad del canal se controla mediante una tensión aplicada a la unión puerta-fuente polarizada inversamente Existen dos tipos fundamentales de transistores FET con puerta de unión: Los MESFET ó FETs metal-semiconductor. Siguen siendo transistores unipolares..TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CON PUERTA DE UNIÓN En este tipo de transistores. donde la puerta y el canal consisten en Si dopado de forma inversa. al contrario que en los MOS.Transistores de efecto de campo 34 . la puerta un metal. y el interfase puerta-canal una unión Schottky. como arseniuro de galio. Los J-FETs.

Se utiliza principalmente en circuitos lineales que funcionan a frecuencias de microondas.. Su funcionamiento se asemeja al Mosfet de deplexión Tema 8.TRANSISTORES MESFET Aprovechan la alta movilidad del electrón en el arseniuro de galio.  El resultado es un dispositivo muy superior en velocidad pero inferior en densidad de integración. y actualmente mucho mas caro que los transistores de Si.Transistores de efecto de campo 35 . y en circuitos digitales de altísima velocidad.

Transistores de efecto de campo 36 .TRANSISTORES MESFET (CONT) Tema 8..

En las aplicaciones normales . La unión PN entre puerta y el canal es similar a la unión PN de un diodo. llamados drenador y fuente (ó surtidor).. esta unión debe estar polarizada inversamente. A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P Conectadas eléctricamente entre si y al terminal denominado puerta. Tema 8.TRANSISTORES JFET El transistor de efecto de campo de unión (JFET: junction field-effect transsitor) de canal N consiste en un canal semiconductor de tipo N con contactos óhmicos en cada extremo .Transistores de efecto de campo 37 .

TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT) Cuanto mas negativa es la tensión inversa de polarización de una unión PN. libre de cargas)..y por tanto en este caso mas se estrecha el canal conductor Tema 8. mas ancha se hace la zona de deplexión (no conductora.Transistores de efecto de campo 38 .

Transistores de efecto de campo 39 .TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT) Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal.. La tensión de estrangulamiento Vto (VP) es valor necesario de la tensión puerta .canal para que desaparezca el canal conductor Tema 8. decimos que ocurre un fenómeno llamado de estrangulamiento.

la tensión VGS debe ser: Vto<=VGS<=0 En los JFET de canal N. La corriente entra por el drenador y sale por la fuente. el drenador es positivo respecto a la fuente. En los JFET de canal N ésta tensión es esencialmente negativa: En funcionamiento normal. Como la resistencia del canal depende de la tensión puerta-fuente. la corriente de drenador se controla con VGS Tema 8..canal para que desaparezca el canal conductor.TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT) La tensión de estrangulamiento Vto (Vp). es el valor necesario de la tensión puerta .Transistores de efecto de campo 40 .

.CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN JFET DE CANAL N El J-FET es un dispositivo de tres estados: Zona de corte si : vGS  VP  0 entonces: ID=IS=0 Zona de conducción: vGS Zona óhmica si : VD  VG  VP VDG  VP  VP  Zona activa si : VD  VG  VP  VDG  VP El límite entre la zona óhmica y la activa viene marcada en viene marcada por la igualdad VDG=-VP Tema 8.Transistores de efecto de campo 41 .

La corriente se hace prácticamente constante Tema 8. al igual que ocurre con los transistores MOSFET.ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DE UN JFET DE CANAL N El JFET es un dispositivo muy parecido a los MOSFET. es decir cuando : vDG  vDS  vGS  VP Entonces polarización inversa de drenador es tan grande que el canal se estrangula. también llamado zona de saturación del canal.Transistores de efecto de campo 42 .. el JFET entra en el estado activo. el dispositivo funciona como una resistencia controlada por la tensión VGS Cuando VDS alcanza tensiones suficientemente elevadas. y un incremento adicional de VDS no afecta demasiado a la corriente de drenador. A tensiones VDS pequeñas.

tiene la expresión:   L 3tN D W.Transistores de efecto de campo 43 .t. y εSi la constante dieléctrica del silicio Tema 8. la corriente de drenador viene dada por la expresión: 2 iD   2  vGS  VP  v DS vDS   4 Si W n Donde β (K). ND la concentración del dopado.. µn la movilidad de los electrones. se encuentra en el estado óhmico o zona óhmica si: VGS  VP y además : VDG  VP Entonces.L. longitud. son la anchura.ESTADO ÓHMICO DEL TRANSISTOR JFET El JFET de canal N. y espesor del canal.

2v  V  DS GS P Discusión interpretativa: Compare la definición dada de RN-JFET con la de resistencia dinámica rd. RN  JFET  2  vGS  VP  Esta expresión se podrá considerar válida si: v  0.VDSQ Tema 8.Transistores de efecto de campo 44 .Resistencia del JFET controlada por tensión 2 Si en la ecuación: iD   2  vGS  VP  v DS vDS  vDS es tan pequeño que el término cuadrático es despreciable..: 1 rd . JFET  iD vDS I DQ .JFET. 1 1 entonces: iD  2 vGS  VP VDS  RN  JFET vDS .

se denomina IDSS I DSS  Vp2 IDSS es un parámetro que suele aparecer en las hojas de características. junto con VP. se encuentra en el estado activo o zona de saturación del canal si: VGS  VP y además : VDG  VP (VP negativo en los JFET N) Entonces.ESTADO ACTIVO DEL TRANSISTOR JFET El JFET de canal N. la corriente de drenador viene dada por la expresión: iD   vGS  VP  2 La corriente iD que circula cuando VGS es igual a cero y el transistor está en estado activo. de los cuales se puede deducir β Tema 8..Transistores de efecto de campo 45 .

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